光刻工藝問答

1、.PHOTO流程 ?答：上光阻曝光顯影顯影後檢查CD量測 Overlay 量測何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？答： Photoresist(光阻 ). 是一種感光的物質(zhì)，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到 Wafer 上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。何為正光阻 ?答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會(huì)改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。何為負(fù)光阻 ?答：負(fù)光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反， 其感光部分在將來的顯影過程中會(huì)被留下，而沒有被感光的部分則被顯影

2、過程去除。什幺是曝光？什幺是顯影？答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來的過程。何謂 Photo?答： Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。Photo 主要流程為何 ?答：Photo 的流程分為前處理， 上光阻， Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake 等。何謂 PHOTO區(qū)之前處理 ?答：在 Wafer 上涂布光阻之前， 需要先對 Wafer 表面進(jìn)行一系列的處理工作， 以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。 前處理主要包括 Bake，HDMS等過程。其中通過

3、 Bake 將 Wafer 表面吸收的水分去除， 然后進(jìn)行 HDMS工作，以使 Wafer 表面更容易與光阻結(jié)合。何謂上光阻 ?答：上光阻是為了在Wafer 表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（ Nozzle ）被噴涂在高速旋轉(zhuǎn)的 Wafer 表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在 Wafer 的表面。;.何謂 Soft Bake?答：上完光阻之后，要進(jìn)行 Soft Bake ，其主要目的是通過 Soft Bake 將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來的線寬， 同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。何謂曝光 ?答：曝光是將涂布在 Wafer 表面的光阻感光的過程， 同時(shí)將光罩上的圖形傳

4、遞到 Wafer 上的過程。何謂 PEB(Post Exposure Bake)?答： PEB是在曝光結(jié)束后對光阻進(jìn)行控制精密的Bake 的過程。其目的在于使被曝光的光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。何謂顯影 ?答：顯影類似于洗照片， 是將曝光完成的 Wafer 進(jìn)行成象的過程，通過這個(gè)過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來。何謂 Hard Bake?答： Hard Bake 是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer 上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。何為 BARC?何為 TARC?它們分別的作用是什幺？答：BARC=BottomAnti ReflectiveCo

5、ating,TARC=TopAnti ReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。何謂 Iline？答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp(汞燈 ) 產(chǎn)生，其波長為 365nm，其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。何謂 DUV？答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。I-line與 DUV主要不同

6、處為何 ?答：光源不同，波長不同，因此應(yīng)用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的;.制程（ 0.35 微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35 微米以下）的 Non-Criticallayer 。DUV則用在先進(jìn)制程的Critical layer上。何為 Exposure Field?答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域何謂 Stepper?其功能為何 ?答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為 Step by step 形式 , 一次曝整個(gè) exposure field,一個(gè)一個(gè)曝過去何謂 Scanner?其功能為何 ?答：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為 Scanning and step 形式 ,在一個(gè) ex

7、posure field曝光時(shí) ,先 Scan 完整個(gè) field, Scan完後再移到下一個(gè)field.何為象差？答：代表透鏡成象的能力, 越小越好 .Scanner 比 Stepper 優(yōu)點(diǎn)為何？答： Exposure Field大，象差較小曝光最重要的兩個(gè)參數(shù)是什幺？答： Energy( 曝光量 ), Focus(焦距 ) 。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的 CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時(shí)要時(shí)刻維持最佳的能量和焦距， 這兩個(gè)參數(shù)對于不同的產(chǎn)品會(huì)有不同。何為 Reticle?答：Reticle 也稱為 Mask，翻譯做光掩模板或者光

8、罩， 曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。何為 Pellicle?答： Pellicle是 Reticle上為了防止灰塵 (dust) 或者微塵粒子 (Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護(hù)膜。何為 OPC光罩？答： OPC(OpticalProximityCorrection)為了增加曝光圖案的真實(shí)性，做了一些修正的光罩，例如， 0.18 微米以下的 Poly, Metal layer就是 OPC光罩。何為 PSM光罩？;.答： PSM (Phase Shift Mask)不同于 Cr mask,利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在 contac

9、tlayer 以及較小 CD的 Criticallayer （如 AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。何為 CR Mask？答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩 , 只是利用光訊 0 與 1 干涉成像 , 主要應(yīng)用在較不Critical的 layer光罩編號各位代碼都代表什幺？答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表產(chǎn)品號， 00 代表 Special code,156代表 layer,A 代表客戶版本，后一個(gè) A 代表 SMIC版本，1 代表 FAB1，D 代表 DUV(如果是 J, 則代表 I-line),A 代表 ASML機(jī)臺（如果是 C，則代表 Canon機(jī)臺）光罩室同

10、時(shí)不能超過多少人在其中？答： 2 人，為了避免產(chǎn)生更多的 Particle 和靜電而損壞光罩。存取光罩的基本原則是什幺？答：(1) 光罩盒打開的情況下， 不準(zhǔn)進(jìn)出 MaskRoom,最多只準(zhǔn)保持 2 個(gè)人 (2) 戴上手套 (3) 輕拿輕放如何避免靜電破壞 Mask？答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。光罩 POD和 FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？答：不能放在一起，之間至少要有 30 公分的距離，防止搬動(dòng) FOUP時(shí)碰撞光罩Pod 而損壞光罩。何謂 Track?答：Photo 制程中一系列步驟的組合， 其包括：Wafer 的前、后處理， Coating

11、( 上光阻 ) ，和 Develop( 顯影 ) 等過程。In-line Track機(jī)臺有幾個(gè) Coater 槽，幾個(gè) Developer 槽？答：均為 4 個(gè)機(jī)臺上亮紅燈的處理流程？答：機(jī)臺上紅燈亮起的時(shí)候表明機(jī)臺處于異常狀態(tài)，此時(shí)已經(jīng)不能 RUN貨，因此應(yīng)該及時(shí) Call E.E進(jìn)行處理。若 EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機(jī)臺掛DOWN。何謂 WEE? 其功能為何 ?;.答： Wafer Edge Exposure 。由于 Wafer 邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形， 而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻 peeling 而影響其它部分的圖形，因此 將 Wafer Edge的光阻

12、曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ?，這樣便可以消除影響。何為 PEB？其功能為何？答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。 （消除 standingwaves）PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer 被 reject？答：查看 RUN之前 lot 里有多少 Wafer, 再看 Run之后 lot 里的 WAFER是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機(jī)臺是否有 Reject 記錄。何謂 Overlay? 其功能為何 ?答：迭對測量儀。 由于集成電路是由很多

13、層電路重迭組成的， 因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對準(zhǔn)精度， 如果對準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)， 則可能造成整個(gè)電路不能完成設(shè)計(jì)的工作。 因此在每一層的制作的過程中， 要對其與前層的對準(zhǔn)精度進(jìn)行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整processcondition.何謂 ADI CD?答： Critical Dimension ，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在 Wafer 上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象， 同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量 CD的值來確定 process 的條件是否合適。何謂 CD-SEM? 其功能為何 ?答：掃描電子

14、顯微鏡。是一種測量用的儀器，通?？梢杂糜跍y量CD以及觀察圖案。PRS的制程目的為何？答： PRS (Process Release Standard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer 曝光，以選擇最佳的process condition。何為 ADI？ ADI 需檢查的項(xiàng)目有哪些？;.答： AfterDevelop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI 機(jī)臺對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項(xiàng)目包括：Layer ID,LockingCorner,Vernier,Photo Macro Defect何為 OOC, OOS， OCAP？答： OOC=outo

15、f control,OOS=Out of Spec,OCAP=outof controlactionplan當(dāng)需要追貨的時(shí)候，是否需要將ETCH沒有下機(jī)臺的貨追回來？答：需要。因?yàn)橥ǔＪ?process 出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有 ETCH的貨追回來，否則 ETCH之后就無法挽回?fù)p失。PHOTO ADI檢查的 SITE 是每片幾個(gè)點(diǎn)？答： 5 點(diǎn)， Wafer 中間一點(diǎn)，周圍四點(diǎn)。PHOTO OVERLAY檢查的 SITE 是每片幾個(gè)點(diǎn)？答： 20PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？答： #1， #6，#15，#24;統(tǒng)計(jì)隨機(jī)的考量何謂 RTMS，其主

16、要功能是什幺？答： RTMS (Reticle Management System)光罩管理系統(tǒng)用于trace 光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理PHOTO區(qū)的主機(jī)臺進(jìn)行 PM的周期？答：一周一次PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型答： (1) Particle :作為 Particle monitor用的芯片 , 使用前測前需小於 10 顆(2) Chuck Particle :作為 Scanner 測試 Chuck 平坦度的專用芯片 , 其平坦度要求非常高 (3) Focus :作為 Scanner Daily monitor b

17、est的 wafer(4) CD : 做為photo 區(qū) daily monitor CD 穩(wěn)定度的 wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的 wafer(6) PDM :做為 photo defect monitor的 wafer當(dāng) TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺中還有光阻嗎？答：有少量光阻當(dāng) TRACK剛顯示光阻用完時(shí)，其實(shí)機(jī)臺中還有光阻嗎？答：有少量光阻;.WAFER SORTER有讀 WAFER刻號的功能嗎？答：有光刻部的主要機(jī)臺是什幺? 它們的作用是什幺 ?答：光刻部的主要機(jī)臺是: TRACK(涂膠顯影機(jī) ), Sanner(掃描曝光機(jī) )為什幺說光刻技

18、術(shù)最象日常生活中的照相技術(shù)答： Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片, 而曝光機(jī)就是一臺最高級的照相機(jī) . 光罩上的電路圖形就是 " 人物 ". 通過對準(zhǔn) , 對焦 , 打開快門 ,讓一定量的光照過光罩 , 其圖像呈現(xiàn)在芯片的光刻膠上 ,曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽 , 被顯影液浸泡 ,曝光的光刻膠被洗掉 ,圖形就顯現(xiàn)出來了 .光刻技術(shù)的英文是什幺答： Photo Lithography常聽說的 .18 或點(diǎn) 13技術(shù)是指什幺 ?答：它是指某個(gè)產(chǎn)品 , 它的最小 "CD"的大小為0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高 ,

19、每個(gè)芯片上可做的芯片數(shù)量越多 ,難度也越大 . 它是代表工藝水平的重要參數(shù) .從點(diǎn) 18 工藝到點(diǎn) 13工藝到點(diǎn)零 9.難度在哪里 ?答：難度在光刻部 ,因?yàn)閳D形越來越小 , 曝光機(jī)分辨率有限 .曝光機(jī)的 NA 是什幺 ?答：NA是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑 ; 是光罩對透鏡張開的角度的正玹值 . 最大是1; 先進(jìn)的曝光機(jī)的 NA 在 0.5 -0.85之間 .曝光機(jī)分辨率是由哪些參數(shù)決定的?答：分辨率 =k1*Lamda/NA. Lamda 是用于曝光的光波長 ;NA 是曝光機(jī)的透鏡的數(shù)值孔徑 ; k1 是標(biāo)志工藝水準(zhǔn)的參數(shù) , 通常在 0.4-0.7 之間 .如何提高曝光機(jī)的分辨率呢?答：減短

20、曝光的光波長 ,選擇新的光源 ;把透鏡做大 , 提高 NA.現(xiàn)在的生產(chǎn)線上 ,曝光機(jī)的光源有幾種 ,波長多少 ?答：有三種 :高壓汞燈光譜中的365nm 譜線 ,我們也稱其為 I-line; KrF激光器 ,產(chǎn)生 248 nm 的光 ; ArF激光器 ,產(chǎn)生 193 nm 的光 ;下一代曝光機(jī)光源是什幺?;.答： F2 激光器 .波長 157nm我們可否一直把波長縮短, 以提高分辨率 ? 困難在哪里 ?答：不可以 .困難在透鏡材料 .能透過 157nm 的材料是 CaF2, 其晶體很難生長 .還未發(fā)現(xiàn)能透過更短波長的材料.為什幺光刻區(qū)采用黃光照明？答：因?yàn)榘坠庵邪?65nm成份會(huì)使光阻曝光

21、, 所以采用黃光 ;就象洗像的暗房采用暗紅光照明 .什幺是 SEM答：掃描電子顯微鏡 (Scan ElectronicMicroscope) 光刻部常用的也稱道CDSEM.用它來測量 CD如何做 Overlay測量呢 ?答：芯片 (Wafer) 被送進(jìn) Overlay 機(jī)臺中 . 先確定 Wafer 的位置從而找到 Overlay MARK. 這個(gè) MARK是一個(gè)方塊 IN 方塊的結(jié)構(gòu) . 大方塊是前層 , 小方塊是當(dāng)層 ; 通過小方塊是否在大方塊中心來確定 Overlay 的好壞 .生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器是什幺答：曝光機(jī) ;5-15百萬美金 / 臺曝光機(jī)貴在哪里 ?答：曝光機(jī)貴在它的光學(xué)成像系統(tǒng)

22、 ( 它的成像系統(tǒng)由 15 到 20 個(gè)直徑在 200 300MM的透鏡組成 . 波面相位差只有最好象機(jī)的 5%. 它有精密的定位系統(tǒng) ( 使用激光工作臺 )激光工作臺的定位精度有多高?答：現(xiàn)用的曝光機(jī)的激光工作臺定位的重復(fù)精度小于10nm曝光機(jī)是如何保證Overlay<50nm答：曝光機(jī)要保證每層的圖形之間對準(zhǔn)精度<50nm. 它首先要有一個(gè)精準(zhǔn)的激光工作臺 ,它把 wafer移動(dòng)到準(zhǔn)確的位置.再就是成像系統(tǒng) , 它帶來的圖像變形<35nm.在 WAFER上, 什幺叫一個(gè) Field?答：光罩上圖形成象在WAFER上,最大只有26X33mm一塊 ( 這一塊就叫一個(gè)Field

23、),激光工作臺把 WAFER移動(dòng)一個(gè) Field 的位置，再曝一次光，再移動(dòng)再曝;.光。 直到覆蓋整片 WAFER。 所以，一片 WAFER上有約 100 左右 Field.什幺叫一個(gè) Die?答：一個(gè) Die 也叫一個(gè) Chip; 它是一個(gè)功能完整的芯片。一個(gè) Field可包含多個(gè) Die;為什幺曝光機(jī)的綽號是“印鈔機(jī)”答：曝光機(jī)很貴；一天的折舊有3 萬-9 萬人民幣之多 ; 所以必須充份利用它的產(chǎn)能 , 它一天可產(chǎn)出 1600 片 WAFER。Track 和 Scanner 內(nèi)主要使用什幺手段傳遞Wafer：答：機(jī)器人手臂(robot), Scanner的 ROBOT有真空 (VACCUM

24、)來吸住WAFER.TRACK的 ROBOT設(shè)計(jì)獨(dú)特 ,用邊緣 HOLD WAFER.可否用肉眼直接觀察測量Scanner 曝光光源輸出的光答：絕對禁止 ; 強(qiáng)光對眼睛會(huì)有傷害為什幺黃光區(qū)內(nèi)只有Scanner 應(yīng)用 Foundation( 底座 )答： Scanner 曝光對穩(wěn)定性有極高要求( 減震 )近代光刻技術(shù)分哪幾個(gè)階段?答：從80S 至今可分4 階段 : 它是由曝光光源波長劃分的; 高壓水銀燈的G-line(438nm),I-line(365nm);excimerlaserKrF(248nm),ArFlaser(193nm)I-line scanner的工作范圍是多少 ?答： CD &

25、gt;0.35um 以上的圖層 (LAYER)KrF scanner的工作范圍是多少 ?答： CD >0.13um 以上的圖層 (LAYER)ArF scanner的工作范圍是多少 ?答： CD >0.08um 以上的圖層 (LAYER)什幺是 DUV SCANNER答： DUVSCANNER是 指所用光源為 eep UltraVoliet,超紫外線即現(xiàn)用的248nm,193nm ScannerScanner 在曝光中可以達(dá)到精確度宏觀理解：;.答： Scanner 是一個(gè)集機(jī)，光，電為一體的高精密機(jī)器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer 的運(yùn)動(dòng)要

26、保持很高的同步性在250nm/秒的掃描曝光時(shí)，兩者同步位置 <10nm相當(dāng)于兩架時(shí)速1000 公里小時(shí)的波音747 飛機(jī)前后飛行，相距小于10 微米光罩的結(jié)構(gòu)如何？答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光） 在制造光罩時(shí)，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形 （把部分鉻膜刻掉， 透光）在距鉻膜 5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫 pellicle ），保護(hù)鉻膜不受外界污染 .在超凈室（ cleanroom ）為什幺不能攜帶普通紙答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會(huì)產(chǎn)生大量微小塵埃（ particle ）進(jìn) cleanroom 要帶專用的 Cleanroom Pa

27、per.如何做 CD 測量呢 ?答：芯片 (Wafer) 被送進(jìn)CD SEM中 .電子束掃過光阻圖形 (Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產(chǎn)生的二次電子數(shù)量不同;處理此信號可的圖像 . 對圖像進(jìn)行測量得 CD.什幺是 DOF答： DOF 也叫 Depth Of Focus,與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會(huì)在透鏡的另一側(cè)的某個(gè)平面成像,我們稱之為像平面 (Image Plan),只有將像平面與光阻平面重合 (In Focus)才能印出清晰圖形 .當(dāng)離開一段距離后 ,圖像模糊 .這一可清晰成像的距離叫DOF曝光顯影后產(chǎn)生的光阻圖形（Pattern ）的作用是什幺？答：曝光顯影后產(chǎn)生的

28、光阻圖形有兩個(gè)作用：一是作刻蝕的模板， 未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應(yīng)，被吃掉去除光阻后，就會(huì)有電路圖形留在芯片上另一作用是充當(dāng)例子注入的模板光阻種類有多少？答：光阻種類有很多可根據(jù)它所適用的曝光波長分為 I-line 光阻 ,KrF 光阻和 ArF 光阻光阻層的厚度大約為多少？;.答：光阻層的厚度與光阻種類有關(guān)I-line光阻最厚， 0.7um to 3um. KrF 光阻0.4-0.9um. ArF光阻 0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？答：光阻厚度與芯片（）的旋轉(zhuǎn)速度有關(guān)，越快越薄，與光阻粘稠度有關(guān)哪些因素影響光阻厚度的均勻度？答：光阻厚度均勻度與芯片（）的旋轉(zhuǎn)加速度有關(guān)，越快越

29、均勻，與旋轉(zhuǎn)加減速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)當(dāng)顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理答：大量清水沖洗眼睛， 并查閱顯影液的 （ Chemical Safety Data Sheet）,把它提供給醫(yī)生，以協(xié)助治療FAC根據(jù)工藝需求排氣分幾個(gè)系統(tǒng)?答：分為一般排氣（ General ）、酸性排氣（ Scrubbers ）、堿性排氣（ Ammonia）和有機(jī)排氣（ Solvent ） 四個(gè)系統(tǒng)。高架 地板分有孔和無孔作用 ?答：使循環(huán)空氣能流通，不起塵，保證潔凈房內(nèi)的潔凈度;防靜電；便于HOOK-UP。離子發(fā)射系統(tǒng)作用答：離子發(fā)射系統(tǒng)，防止靜電SMIC潔凈等級區(qū)域劃分答： Mask Shop class 1 &

30、; 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000什幺是制程工藝真空系統(tǒng)(PV)答：是提供廠區(qū)無塵室生產(chǎn)及測試機(jī)臺在制造過程中所需的工藝真空; 如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統(tǒng)提供一定的真空壓力( 真空度大于 80kpa) 和流量，每天 24 小時(shí)運(yùn)行什幺是 MAU(Make Up Air Unit),新風(fēng)空調(diào)機(jī)組作用答：提供潔凈室所需之新風(fēng)，對新風(fēng)濕度，溫度，及潔凈度進(jìn)行控制，維持潔凈;.室正壓和濕度要求。House Vac

31、uum System 作用答：HV(HouseVacuum)系統(tǒng)提供潔凈室制程區(qū)及回風(fēng)區(qū)清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。 使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內(nèi)的真空吸孔，打開運(yùn)轉(zhuǎn)電源。此系統(tǒng)之運(yùn)用可減低清潔時(shí)的污染。Filter Fan Unit System(FFU)作用答：FFU系統(tǒng)保證潔凈室內(nèi)一定的風(fēng)速和潔凈度，由 Fan 和 Filter(ULPA)組成。什幺是 Clean Room 潔凈室系統(tǒng)答：潔凈室系統(tǒng)供應(yīng)給制程及機(jī)臺設(shè)備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環(huán)境要求。Clean room spec:標(biāo)準(zhǔn)答： Temperature 23°C

32、 ± 1 °C(Photo:23°C ± 0.5 °C)Humidity 45% ±5%(Photo:45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s±0.08m/sFab 內(nèi)的 safety shower的日常維護(hù)及使用監(jiān)督由誰來負(fù)責(zé)答： Fab 內(nèi)的 Area Owner（若出現(xiàn)無水或大量漏水等可請廠務(wù)水課（19105）協(xié)助）工程師在正常跑貨用純水做 rinse 或做機(jī)臺維護(hù)時(shí)，要注意不能有酸或有機(jī)溶劑（如 IPA 等）進(jìn)入純水回收系統(tǒng)中，這是因?yàn)椋?/p>

33、答：酸會(huì)導(dǎo)致 conductivity( 導(dǎo)電率 ) 升高，有機(jī)溶劑會(huì)導(dǎo)致 TOC升高。兩者均會(huì)影響并降低純水回收率。若在 Fab 內(nèi)發(fā)現(xiàn)地面有水滴或殘留水等，應(yīng)如何處理或通報(bào)答：先檢查是否為機(jī)臺漏水或做PM 所致，若為廠務(wù)系統(tǒng)則通知廠務(wù)中控室（ 12222）機(jī)臺若因做 PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應(yīng)首先如何通報(bào)答：通知廠務(wù)主系統(tǒng)水課的值班（ 19105）廢水排放管路中酸堿廢水/ 濃硫酸 / 廢溶劑等使用何種材質(zhì)的管路?答：酸堿廢水 / 高密度聚乙烯 (HDPE)濃硫酸 / 鋼管內(nèi)襯鐵福龍 (CS-PTFE)廢溶劑 / 不琇鋼管 (SUS);.若機(jī)臺內(nèi)的 drain 管有接錯(cuò)或排

34、放成分分類有誤， 將會(huì)導(dǎo)致后端的主系統(tǒng)出現(xiàn)什幺問題 ?答：將會(huì)導(dǎo)致后端處理的主系統(tǒng)相關(guān)指標(biāo)處理不合格， 從而可能導(dǎo)致公司排放口超標(biāo)排放的事故。公司做水回收的意義如何?答： (1) 節(jié)約用水，降低成本。重在環(huán)保。 (2) 符合 ISO 可持續(xù)發(fā)展的精神和公司環(huán)境保護(hù)暨安全衛(wèi)生政策。何種氣體歸類為特氣 (Specialty Gas)?答： SiH2Cl2何種氣體由 VMB Stick 點(diǎn)供到機(jī)臺 ?答： H2何種氣體有自燃性 ?答： SiH4何種氣體具有腐蝕性 ?答： ClF3當(dāng)機(jī)臺用到何種氣體時(shí)，須安裝氣體偵測器?答： PH3名詞解釋 GC, VMB, VMP答： GC- Gas Cabinet

35、氣瓶柜VMB- Valve Manifold Box閥箱，適用于危險(xiǎn)性氣體。 VMP- Valve Manifold Panel閥件盤面，適用于惰性氣體。標(biāo)準(zhǔn)大氣環(huán)境中氧氣濃度為多少？工作環(huán)靜氧氣濃度低于多少時(shí)人體會(huì)感覺不適？答： 21%什幺是氣體的 LEL? H2 的 LEL 為多少？答： LEL- Low Explosive Level氣體爆炸下限 H2 LEL- 4%.當(dāng) FAB內(nèi)氣體發(fā)生泄漏二級警報(bào)（既 Leak HiHi ），氣體警報(bào)燈（ LAU）會(huì)如何動(dòng)作？ FAB內(nèi)工作人員應(yīng)如何應(yīng)變？答： LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從 ERC廣播命令，立刻疏散?；瘜W(xué)供應(yīng)系統(tǒng)中的化學(xué)物質(zhì)特性為

36、何 ?;.答： (1) Acid/Caustic酸性 / 腐蝕性 (2)Solvent 有機(jī)溶劑 (3)Slurry研磨液有機(jī)溶劑柜的安用保護(hù)裝置為何?答： (1) Gas/Temp. detector;氣體 / 溫度偵測器 (2) CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器中芯有那幾類研磨液 (slurry)系統(tǒng) ?答： (1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭設(shè)備機(jī)臺總電源是幾伏特?答： 208V OR 380V欲從事生產(chǎn) / 測試 / 維護(hù)時(shí) , 如無法就近取得電源供給, 可以無限制使用延長線嗎 ?答：不可以如何選用電器器材 ?答：使用電器器材需采用通過

37、認(rèn)證之正規(guī)品牌機(jī)臺開關(guān)可以任意分 / 合嗎 ?答：未經(jīng)確認(rèn)不可隨意分/ 合任何機(jī)臺開關(guān) , 以免造成生產(chǎn)損失及人員傷害.欲從事生產(chǎn) / 測試 / 維護(hù)時(shí) , 如無法就近取得電源供給, 也不能無限制使用延長線,對嗎 ?答：對假設(shè)斷路器啟斷容量為 16 安培導(dǎo)線線徑 2.5mm2,電源供應(yīng)電壓單相 220 伏特 , 若使用單相 5000W電器設(shè)備會(huì)產(chǎn)生何種情況 ? 答：斷路器跳閘當(dāng)供電局供電中斷時(shí) , 人員仍可安心待在FAB中嗎 ?答：當(dāng)供電局供電中斷時(shí) , 本廠因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備 , 配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng) , 仍然能保持 FAB之 Safety, 所以人員仍可安心待在 FAB中.ETCH何謂蝕刻

38、(Etch)?答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。蝕刻種類 :答： (1)干蝕刻 (2)濕蝕刻;.蝕刻對象依薄膜種類可分為:答： poly,oxide, metal半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?答：鵭線 (W)/ 鋁線 (Al)/銅線 (Cu)何謂 dielectric蝕刻 ( 介電質(zhì)蝕刻 )?答： Oxide etch and nitride etch半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何?答：氧化硅 / 氮化硅何謂濕式蝕刻答：利用液相的酸液或溶劑; 將不要的薄膜去除何謂電漿 Plasma?答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài) . 帶有正 , 負(fù)電荷及中性粒子之總和 ; 其中包含電子

39、, 正離子 , 負(fù)離子 , 中性分子 , 活性基及發(fā)散光子等 , 產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓 .何謂干式蝕刻 ?答：利用 plasma 將不要的薄膜去除何謂 Under-etching(蝕刻不足 )?答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留何謂 Over-etching( 過蝕刻 )答：蝕刻過多造成底層被破壞何謂 Etch rate(蝕刻速率 )答：單位時(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度何謂 Seasoning( 陳化處理 )答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后， 為要穩(wěn)定制程條件， 使用仿真（dummy） 晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。Asher 的主要用途 :答：光阻去除W

40、et bench dryer功用為何 ?答：將晶圓表面的水份去除;.列舉目前 Wet bench dry方法 :答： (1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何謂 Spin Dryer答：利用離心力將晶圓表面的水份去除何謂 Maragoni Dryer答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除何謂 IPA Vapor Dryer答：利用 IPA( 異丙醇 ) 和水共溶原理將晶圓表面的水份去除測 Particle 時(shí), 使用何種測量儀器 ?答： Tencor Surfscan測蝕刻速率時(shí) , 使用何者量測儀器 ?答：膜厚計(jì) , 測量膜厚差值

41、何謂 AEI答： After Etching Inspection蝕刻后的檢查AEI 目檢 Wafer 須檢查哪些項(xiàng)目 :答： (1)正面顏色是否異常及刮傷(2)有無缺角及Particle (3)刻號是否正確金屬蝕刻機(jī)臺轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺時(shí)應(yīng)如何處理?答：清機(jī)防止金屬污染問題金屬蝕刻機(jī)臺 asher 的功用為何 ?答：去光阻及防止腐蝕金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗?答：因?yàn)榻饘倬€會(huì)溶于硫酸中"Hot Plate"機(jī)臺是什幺用途 ?答：烘烤Hot Plate烘烤溫度為何 ?答： 90120 度 C何種氣體為 Poly ETCH 主要使用氣體 ?答： Cl2, HBr, HCl;.用于 Al 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為答： Cl2, BCl3用于 W金屬蝕刻的主要?dú)怏w為答： SF6何種氣體為 oxide vai/contact ETCH主要使用氣體 ?答： C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化學(xué)成份為 :答： H2