電容電感磁珠

1、常見電容器有：鋁電解電容器：極性，容量大，能耐受大的脈動電流，但容量誤差大，泄漏電流大，適合于低頻旁路、信號耦合和電源濾波等場合。膽電解電容：擁有普通電解電容的特性，漏電流極小，壽命長，容量誤差小，體積小，適合小型設備中。薄膜電容器：是無極性電容器，用于差濾波器、積分、振蕩和定時電路。瓷介電容器：無極性電容適合于高頻旁路。陶瓷電容器：是無極性電容器，有高頻陶瓷電容和低頻陶瓷電容。適用于高、低頻電路中，不適合脈沖電路，否則容易擊穿。另外，在判定電解電容極性時，直插式電解電容器，有白色標記或者引線較短的一端為負極；如果是貼片電解電容，有橫桿標記的一端為正極。二極管和三級管：如3AX82_81,對材

2、料的命名方式：AN型鍺材料  BP型鍺材料 CN型硅材料  DP型硅材料。對類型的命名方式為：P普通管  W穩(wěn)壓管。三極管中，對材料的命名方式：APNP型鍺材料 BNPN型鍺材料 CPNP型硅材料  DNPN型硅材料。對類型的命名方式為：Z整流管 X低頻小功率管 U光電管  K開關管  CS場效應管。磁珠電感：磁珠由氧磁體組成，電感由磁心和線圈組成，磁珠把交流信號轉化為熱能，電感把交流存儲起來，緩慢的釋放出去。磁珠對高頻信號才有較大阻礙作用，一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時電阻比電感小得多。鐵氧體磁珠 (Ferrite

3、 Bead) 是目前應用發(fā)展很快的一種抗干擾組件，廉價、易用，濾除高頻噪聲效果顯著。在電路中只要導線穿過它即可（我用的都是象普通電阻模樣的，導線已穿過并膠合，也有表面貼裝的形式，但很少見到賣的）。當導線中電流穿過時，鐵氧體對低頻電流幾乎沒有什么阻抗，而對較高頻率的電流會產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā)，其等效電路為一個電感和一個電阻串聯(lián)，兩個組件的值都與磁珠的長度成比例。磁珠種類很多，制造商應提供技術指標說明，特別是磁珠的阻抗與頻率關系的曲線。有的磁珠上有多個孔洞，用導線穿過可增加組件阻抗（穿過磁珠次數(shù)的平方），不過在高頻時所增加的抑制噪聲能力不可能如預期的多，而用多串聯(lián)幾個磁珠

4、的辦法會好些。鐵氧體是磁性材料，會因通過電流過大而產(chǎn)生磁飽和，導磁率急劇下降。大電流濾波應采用結構上專門設計的磁珠，還要注意其散熱措施。鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲（可用于直流和交流輸出），還可廣泛應用于其它電路，其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中，由于脈沖信號含有頻率很高的高次諧波，也是電路高頻輻射的主要根源，所以可在這種場合發(fā)揮磁珠的作用。鐵氧體磁珠還廣泛應用于信號電纜的噪聲濾除。注意：二極管類（DIODE）,DIODExx,數(shù)字xx表示功率，數(shù)值越大，功率越大,也表示兩個焊點間的距離。而非極性電容類RADxx和極性電容類（RB.2/.4RB.5/1.0）,電阻類（AXI

5、AL0.3AXIAL1.0）300mil,1000mil、可變電阻類（VR1VR5）,數(shù)值xx表示兩個焊點間的距離。鐘振管腳（有源晶體振蕩器）：1腳懸空，2腳接地，3腳輸出，4腳電源CPLD_JTAG1管腳：1TCK ,2GND ,3TDO ,4VDD ,5TMS ,6/7/8空，9TDI ,10GND1)鋁電容是由鋁箔刻槽氧化后再夾絕緣層卷制，然后再浸電解質液制成的，其原理是化學原理，電容充放電靠的是化學反應，電容對信號的響應速度受電解質中帶電離子的移動速度限制，一般都應用在頻率較低（1M以下）的濾波場合，ESR主要為鋁萡電阻和電解液等效電阻的和，值比較大。鋁電容的電解液會逐漸揮發(fā)而導致電容

6、減小甚至失效，隨溫度升高揮發(fā)速度加快。溫度每升高10度，電解電容的壽命會減半。如果電容在室溫27度時能使用10000小時的話，57度的環(huán)境下只能使用1250小時。所以鋁電解電容盡量不要太靠近熱源。    2)瓷片電容存放電靠的是物理反應，因而具有很高的響應速度，可以應用到上G的場合。不過，瓷片電容因為介質不同，也呈現(xiàn)很大的差異。性能最好的是C0G材質的電容，溫度系數(shù)小，不過材質介電常數(shù)小，所以容值不可能做太大。而性能最差的是Z5U/Y5V材質，這種材質介電常數(shù)大，所以容值能做到幾十微法。但是這種材質受溫度影響和直流偏壓（直流電壓會致使材質極化，使電容量減?。┯绊懞?/p>

7、嚴重。  一般濾波主要使用大容量電容，對速度要求不是很快，但對電容值要求較大。一般使用鋁電解電容。浪涌電流較小的情況下，使用鉭電容代替鋁電解電容效果會更好一些。從上面的例子我們可以知道，作為退耦的電容，必需有很快的響應速度才能達到效果。如果圖中的局部電路A是指一個芯片的話，那么退耦電容要用瓷片電容，而且電容盡可能靠近芯片的電源引腳。而如果“局部電路A”是指一個功能模塊的話，可以使用瓷片電容，如果容量不夠也可以使用鉭電容或鋁電解電容（前提是功能模塊中各芯片都有了退耦電容瓷片電容）。濾波電容的容量往往都可以從開關電源芯片的數(shù)據(jù)手冊里找到計算公式。如果濾波電路同時使用電解電容、鉭電容和瓷片

8、電容的話，把電解電容放的離開關電源最近，這樣能保護鉭電容。瓷片電容放在鉭電容后面。這樣可以獲得最好的濾波效果。很多管腳較多的高速芯片設計指導手冊會給出電源設計對退耦電容的要求，比如一款500多腳的BGA封裝要求3.3V電源至少有30個瓷片電容，還要有幾個大電容，總容量要200uF以上每路輸入都有10nF和100nF濾雜訊，同時為了穩(wěn)定壓降，接有一個10uF的大電容。一般來說，小電容需要靠近芯片，而且每個pin一個。大電容則可放遠點。對于電源輸出部分來說，除一般原則，需要考慮器件峰值電流較大，把電平拉下來的可能。因此需要一顆大電容，一般10uF以上，數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1F。這個電容

9、的分布電感的典型值是5H。0.1F的去耦電容有5H的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1F、10F的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10F左右14.1、退藕電容的一般配置原則1. 電源輸入端跨接10 100uf的電解電容器。如有可能，接100uf以上的更好。2. 原則上每個集成電路芯片都應布置一個0.01pf的瓷片電容，如遇印制板空隙不夠，可每48個芯片布置一個1 10pf的但電容。3. 對于抗噪能力弱、

10、關斷時電源變化大的器件，如 ram、rom存儲器件，應在芯片的 電源線和地線之間直接入退藕電容。4、電容引線不能太長，尤其是高頻旁路電容不能有引線。此外，還應注意以下兩點：a、 在印制板中有接觸器、繼電器、按鈕等元件時操作它們時均會產(chǎn)生較大火花放電 ，必須采用附圖所示的 rc 電路來吸收放電電流。一般 r 取 1 2k，c取2.2 47uf。b、 cmos的輸入阻抗很高，且易受感應，因此在使用時對不用端要接地或接正電源。由于大部分能量的交換也是主要集中于器件的電源和地引腳，而這些引腳又是獨立的直接和地電平面相連接的。這樣，電壓的波動實際上主要是由于電流的不合理分布引起。但電流的分布不合理主要是由于大量的過孔和隔離帶造成的。這種情況下的電壓波動將主要傳輸和影響到器件的電源和地線引腳上。