金納米線制備工藝

1、金納米線制備金納米線制備金納米線制備金納米線制備 商用陽(yáng)極氧化鋁薄膜商用陽(yáng)極氧化鋁薄膜(AAO, Whatman, Anodisc 25) 模板有兩面，底面有連通的孔模板有兩面，底面有連通的孔(直徑直徑20 nm, 深深2 m)； 頂層是不連接的圓柱孔頂層是不連接的圓柱孔(直徑直徑180 nm，密度，密度109/cm2，深，深58 m)形形成的氧化鋁載體層；成的氧化鋁載體層； 底層作為過(guò)濾器，頂層用來(lái)生長(zhǎng)納米線；底層作為過(guò)濾器，頂層用來(lái)生長(zhǎng)納米線； 薄膜周圍與聚丙烯環(huán)相連，以便于操作處理。薄膜周圍與聚丙烯環(huán)相連，以便于操作處理。Sadeghian RB, Kahrizi M. A novel

2、miniature gas ionization sensor based on freestanding gold nanowires. Sensors and Actuators A: Physical. 2007, 137(2): 248-255.金納米線制備金納米線制備 商用陽(yáng)極氧化鋁薄膜商用陽(yáng)極氧化鋁薄膜(AAO, Whatman, Anodisc 25) 模板有兩面，底面有連通的孔模板有兩面，底面有連通的孔(直徑直徑20 nm, 深深2 m)； 頂層是不連接的圓柱孔頂層是不連接的圓柱孔(直徑直徑180 nm，密度，密度109/cm2，深，深58 m)形形成的氧化鋁載體層；成的氧化鋁

3、載體層； 底層作為過(guò)濾器，頂層用來(lái)生長(zhǎng)納米線；底層作為過(guò)濾器，頂層用來(lái)生長(zhǎng)納米線； 薄膜周圍與聚丙烯環(huán)相連，以便于操作處理。薄膜周圍與聚丙烯環(huán)相連，以便于操作處理。Sadeghian RB, Kahrizi M. A novel miniature gas ionization sensor based on freestanding gold nanowires. Sensors and Actuators A: Physical. 2007, 137(2): 248-255.金納米線制備金納米線制備 將將AAO安裝在定制的設(shè)備上：覆蓋調(diào)整環(huán)和頂面，露出底面；安裝在定制的設(shè)備上：覆蓋調(diào)整環(huán)和

4、頂面，露出底面； 將設(shè)備安裝到直流磁控濺射儀里，在模板底面濺射將設(shè)備安裝到直流磁控濺射儀里，在模板底面濺射1700 厚的銀，厚的銀，頂層不受影響以便將其放到電鍍?nèi)芤褐?；頂層不受影響以便將其放到電鍍?nèi)芤褐?；AAO模板底部濺射模板底部濺射Ag電鏡圖電鏡圖金納米線制備金納米線制備 金納米線金納米線(AuNWs)的電鍍?cè)谔刂频膯卧羞M(jìn)行。的電鍍?cè)谔刂频膯卧羞M(jìn)行。 電鍍是雙向進(jìn)行的，即既在孔中，又在電鍍是雙向進(jìn)行的，即既在孔中，又在AAO模板表面，因此襯底模板表面，因此襯底的金屬層會(huì)變得更厚。的金屬層會(huì)變得更厚。 因?yàn)闉R射的因?yàn)闉R射的Ag不能完全覆蓋孔，暴露在電鍍液中導(dǎo)電的地方會(huì)形不能完全覆蓋孔，暴露

5、在電鍍液中導(dǎo)電的地方會(huì)形成圓形。成圓形。 隨著電沉積的進(jìn)行，管狀結(jié)構(gòu)會(huì)按照濺射金屬圓的方向往孔里長(zhǎng)。隨著電沉積的進(jìn)行，管狀結(jié)構(gòu)會(huì)按照濺射金屬圓的方向往孔里長(zhǎng)。 幾個(gè)小時(shí)的沉積后，最終納米管自己會(huì)密封。幾個(gè)小時(shí)的沉積后，最終納米管自己會(huì)密封?？滋畛錂C(jī)理圖孔填充機(jī)理圖金納米線制備金納米線制備 用稀釋的導(dǎo)電膠將長(zhǎng)好的用稀釋的導(dǎo)電膠將長(zhǎng)好的AAO模板的底部與模板的底部與Ag-Ti覆蓋的硅基底覆蓋的硅基底相連，小心氣泡使納米線薄膜起皺；相連，小心氣泡使納米線薄膜起皺； 將結(jié)構(gòu)浸入到將結(jié)構(gòu)浸入到2M NaOH溶液中溶液中(22 C, 7 min)溶解模板，獲得直溶解模板，獲得直立的立的AuNWs。長(zhǎng)好的長(zhǎng)

6、好的AuNWs電鏡圖電鏡圖金納米線制備金納米線制備 AuNWs 2 8 m長(zhǎng)，由于溶液蒸發(fā)時(shí)的表面張力，長(zhǎng)的長(zhǎng)，由于溶液蒸發(fā)時(shí)的表面張力，長(zhǎng)的AuNWs會(huì)會(huì)倒塌；倒塌； AuNW薄膜薄膜 (AuNWs, AAO底部電沉積的襯底金，導(dǎo)電膠底部電沉積的襯底金，導(dǎo)電膠)厚厚70 m長(zhǎng)好的長(zhǎng)好的AuNWs電鏡圖電鏡圖金納米線制備金納米線制備 AuNWs電化學(xué)生長(zhǎng)同上篇文獻(xiàn)電化學(xué)生長(zhǎng)同上篇文獻(xiàn) 為了防止為了防止AuNWs倒塌，腐蝕模板時(shí)間縮短，只腐蝕倒塌，腐蝕模板時(shí)間縮短，只腐蝕25%Sadeghian RB, Kahrizi M. A novel gas sensor based on tunneling-field-ionizat