材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)-期中期末復(fù)習(xí)考試題庫

1、WORD格式1.材料是由物質(zhì)構(gòu)成的，因而物質(zhì)就是材料。××2.材料是指用來制造某些有形物體的根本物質(zhì)。×3. 按照化學(xué)組成，可以把材料分為三種根本類型A金屬材料、硅酸鹽、有機(jī)高分子材料B陶瓷材料、高分子材料、鋼鐵C有機(jī)高分子材料、金屬材料、無機(jī)非金屬材料D有機(jī)材料、無機(jī)非金屬材料、金屬材料C4在四個(gè)量子數(shù)中， ms是確定體系角動(dòng)量在磁場方向的分量ml。×5在四個(gè)量子數(shù)中， ml決定電子自旋的方向 ms。×6在四個(gè)量子數(shù)中， n 是第一量子數(shù)，它決定體系的能量。7在四個(gè)量子數(shù)中， l 是第二量子數(shù)， 它決定體系角動(dòng)量和電子幾率分布的空間對(duì)稱性。8

2、原子中每個(gè)電子必須有單獨(dú)一組四個(gè)量子數(shù)。n,l,ml,ms9泡利不相容原理、能量最低原那么和洪特規(guī)那么是電子在原子軌道中排列必須遵循的三個(gè)根本原那么。10Na 原子中 11 個(gè)電子的填充方式為1s22s22p53s2。 1s22s22p63s1×11按照方框圖， N 原子中 5 個(gè)價(jià)電子的填充方式為2s2p×12Cu 原子的價(jià)電子數(shù)是 _3_個(gè)。×13S 原子的價(jià)電子數(shù)是5 個(gè)。×1. 晶體物質(zhì)的共同特點(diǎn)是都具有金屬鍵。×2 .金屬鍵既無方向性，也無飽和性。3. 共價(jià)鍵中兩個(gè)成鍵電子的自旋方向必須相反。4. 元素的電負(fù)性是指元素的原子在化合物中

3、把電子引向自己的能力。專業(yè)資料整理WORD格式5. 兩元素的電負(fù)性相等或接近，易形成離子鍵，不易形成共價(jià)鍵。×6. 兩元素的電負(fù)性差較大，易形成離子鍵，不易形成共價(jià)鍵。7. 離子鍵的根本特點(diǎn)是以離子而不是以原子為結(jié)合單元 。8. X德華力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性但無飽和性。×9. X德華力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性和飽和性。10. 絕大多數(shù)金屬均以金屬鍵方式結(jié)合，它的根本特點(diǎn)是 電子共有化。×11共價(jià)鍵既有飽和性又有方向性。12兩種元素電負(fù)性差值決定了混合鍵合中離子鍵的比例。×13X德華力包括取向力、色散力和氫鍵三種類型。×&

4、#215;14原子的根本鍵合中不一定存在著電子交換。××15氫鍵具有方向性，但無飽和性。××16三種根本鍵合的結(jié)合強(qiáng)弱順序?yàn)榻饘冁I離子鍵共價(jià)鍵。××17金屬鍵是由眾多原子最及次外層電子釋放而形成的電子氣形成的，因而具有最高的鍵能。 ××1隨著兩個(gè)原子間距離減小，相互間的吸引力下降，排斥力增加。××2兩個(gè)原子處于平衡間距時(shí)，鍵能最大， 能量最高。 ××3同一周期中，原子共價(jià)半徑隨價(jià)電子數(shù)的增加而增加。×× (C-0.771, N-0.70, O-0.66,

5、F-0.64)4同一族中，原子共價(jià)半徑隨價(jià)電子到原子核的距離增加而減小。××5正離子的半徑隨離子價(jià)數(shù)的增加而減小。×6. 原子半徑大小與其在晶體中配位數(shù)無關(guān)。××7. 所謂原子間的平衡距離或原子的平衡位置是吸引力與排斥力的合力最小的位置。 ××8. 共價(jià)鍵是由兩個(gè) 或多個(gè)電負(fù)性相差不大的原子間通過共用電子對(duì)而形成的化專業(yè)資料整理WORD格式學(xué)鍵。 × ？ ×只能是兩個(gè)原子間9離子化合物的配位數(shù)取決于離子最有效的堆積。 ××在氧化物中，O2-的配位數(shù)主要有 4、6、12 三種類型。 &#

6、215;10×11金屬原子的配位數(shù)越大，近鄰的原子數(shù)越多， 相互作用越強(qiáng)， 原子半徑越小。 ××12金屬原子半徑隨配位數(shù)增加而增加。×13. 金屬半徑是原子間平衡間距的一半。 A ，B×，C，DA1當(dāng)中心原子的雜化軌道為sp3dx2時(shí)，其配位原子的空間排列為A 四方錐形B三方雙錐形C八面體形B2. 原子軌道雜化形成雜化軌道后，其 軌道數(shù)目、 空間分布和能級(jí)狀態(tài)均發(fā)生改變。 ××3. 雜化軌道是原子不同軌道線性組合后的新原子軌道，而分子軌道那么是不同原子軌道線性組合成的新軌道。 ×4軌道是由兩個(gè) d 軌道線性組合而成

7、，它們是222222 xy、dxyAx、dxBdx -y、dx -yCddB5費(fèi)米能級(jí)是對(duì)金屬中自由電子能級(jí)填充狀態(tài)的描述。××T0K 時(shí)6費(fèi)米能級(jí)是，在 T 0K 時(shí)，金屬原子中 電子被填充的最高能級(jí)，以下能級(jí)全滿，以上能級(jí)全空。 ××7按照費(fèi)米分布函數(shù)， T0 時(shí)， - ， f E 1/2AEEFBEEFCEEFA8在固體的能帶理論中，能帶中最高能級(jí)與最低能級(jí)的能量差值即帶寬，取決于聚集的原子數(shù)目。 ××9能帶是許多原子聚集體中，由許多原子軌道 組成的近似連續(xù)的能級(jí)帶。×？×原子軌道裂分的分子軌道10. 價(jià)帶未

8、填滿 A 絕緣體， B導(dǎo)體，C半導(dǎo)體，DB11. 滿帶與空帶重疊 A 絕緣體，B半導(dǎo)體，C導(dǎo)體， DC12. 滿帶與空帶不重疊 A 絕緣體，B導(dǎo)體，C半導(dǎo)體，D專業(yè)資料整理WORD格式A，C13. 能帶寬度與原子數(shù)目無關(guān)，僅取決于原子間距，間距大，帶寬大。 A ，B×，C，DB14. 原子數(shù)目越多，分裂成的能帶寬度越大。A ，B× ，C，DB15. 能帶寬度與原子數(shù)目無關(guān)，僅取決于原子間距，間距小，帶寬大。 A ，B×，C，DA1. 具有一定有序構(gòu)造的固態(tài)物質(zhì)就是晶體。××2. 同一晶面族的晶面形狀一樣 , 面上原子密度一樣，彼此相互平行。 &

9、#215;×3. 在實(shí)際應(yīng)用的工業(yè)金屬中都存在各向異性。 ××4.空間點(diǎn)陣一樣的晶體，它們的晶體構(gòu)造不一定一樣。×5.空間點(diǎn)陣有種，它們每個(gè)點(diǎn)陣都代表一個(gè)原子。××6. 如果空間點(diǎn)陣中的每一個(gè)陣點(diǎn)只代表一個(gè)原子時(shí)，那么空間點(diǎn)陣與晶體點(diǎn)陣是同一概念。 ×7.由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的過程稱為凝固亦稱結(jié)晶。××8. 在立方晶系中點(diǎn)陣晶格常數(shù)通常是指 _。a) 最近的原子間距 , B 晶胞棱邊的長度 , C棱邊之間的夾角B9.空間點(diǎn)陣中每個(gè)陣點(diǎn)周圍具有等同的環(huán)境。×10. 空間點(diǎn)陣只可能有 _種型式。A 12

10、，B14，C16， D18B11. 空間點(diǎn)陣構(gòu)造中只可能劃分出 _個(gè)晶系。A 5， B6，C 7，D 8C12. 晶格常數(shù)常用 _表示。Aa,b,c；B ,； Ca,b,c 和, ,；D都不是C13. 晶胞中原子占有的體積分?jǐn)?shù)稱為 _。A 配位數(shù)，B致密度，C點(diǎn)陣常數(shù)，D晶格常數(shù)B1. fcc 密排面的堆垛順序是 _。（ AA BA B ，BA BCD ，CA BCAC2. fcc 構(gòu)造的致密度為 _。（ A 0.62，B0.68， C 0.74，D0.82專業(yè)資料整理WORD格式C3. fcc 構(gòu)造的配位數(shù)是 _。（ A6，B8，C10，D12D4. fcc 晶胞中原子數(shù)為 _。（ A6，B

11、4，C3，D2B5. fcc 晶胞中原子的半徑是 _。 A 21/2， B 1/2，1/21/2a / 22 a / 4C3a / 2， D3 a / 4B6. 以原子半徑 R 為單位， fcc 晶體的點(diǎn)陣常數(shù) a 是_。 A 2 (2)1/2， B1/2R，C1/2R，D4 (3)1/2R / 3R4 (2)4 (3)A7. bcc 構(gòu)造的致密度為 _。（ A 0.62，B0.68， C 0.74，D0.82B8. bcc 構(gòu)造的配位數(shù)是 _。（ A6，B8，C10，D12B9. bcc 晶胞中原子數(shù)為 _。（ A6，B4，C3，D2D10. bcc 晶胞中原子的半徑是 _。 A 21/2，

12、 B 1/2，1/21/2a / 22 a / 4C3a / 4， D3 a / 2C11. 以原子半徑 R 為單位， bcc 晶體的點(diǎn)陣常數(shù) a 是_。 A2 (2)1/2R， B1/2R，1/2R/2， D4 R / (3)1/24 (2)C4 (3)D12. hcp 密排面的堆垛順序是 _。（ AA BA B ，BA BCD ，CA BCAA13. hcp 構(gòu)造的致密度為 _。（ A 0.82，B0.74， C 0.68，D0.62B14. hcp 構(gòu)造的配位數(shù)是 _。（ A12，B10，C8，D6A15. hcp 晶胞中原子數(shù)為 _。A3， B4，C 5，D6D16. 在體心立方晶胞中

13、，體心原子的坐標(biāo)是 _。A1/2，1/2，0；B1/2，0，1/2； C1/2， 1/2， 1/2；D0，1/2，1/2C17. 在 fcc 晶胞中，八面體間隙中心的坐標(biāo)是 _。A1/2，1/2，0；B1/2，0，1/2； C0， 1/2， 1/2；專業(yè)資料整理WORD格式D1/2，1/2，1/218.D每個(gè)面心立方晶胞有個(gè)原子。××19.密排六方晶胞共有十七個(gè)原子。××1. 以下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，其中 ABC 面的指數(shù)是 _。BACA 111，B110， C101，D011C2. 以下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞，其中 ABCD 面的指數(shù)是 _。BDAC（

14、 A111，B 110，C101， D 011C3. 以下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞， AD 的晶向指數(shù)是 _。BD專業(yè)資料整理WORD格式AC專業(yè)資料整理WORD格式A，B110，C101，D011A4. 以下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞， A B 的晶向指數(shù)是 _。BD111ACA111，B100 ，C，D001101C5. 以下圖為簡單立方點(diǎn)陣晶胞， A C 的晶向指數(shù)是 _。BDACA111，B110 ，C101 ，D010D6. 在以下圖的簡單立方晶胞中，指數(shù)為 0 1 -1的晶面是 _。AADE ，BCDE，CACE，DCHFFGBCEHAD專業(yè)資料整理WORD格式C=CEG (F 為原點(diǎn) )，

15、以 F 為原點(diǎn)假設(shè) X 軸為 FB，那么 C 正確。專業(yè)資料整理WORD格式7. 在以下圖的簡單立方晶胞中，指數(shù)為 1 1 -1的晶面是 _。AAFD ，BACH ，CACE，DCHE BEGFGBCEHADB 乘負(fù)號(hào) (-1,-1,1), 原點(diǎn)為 D，由于是晶面族， X 軸方向變，可(1, 1, -1), 原點(diǎn)為 F,BEG8. 在以下圖的簡單立方晶胞中， _的晶向指數(shù)為 1 1 -1。FGBCEHAD（ A AF， B HA ， C CE，D FDD9. 在以下圖的簡單立方晶胞中， _的晶向指數(shù) 為 1 1 0。（ A BG， B CH， C CE，D GE HAFGBCEHADA 

16、15;， F 為原點(diǎn)可？ HA H為原點(diǎn)，A點(diǎn)坐標(biāo)為1，-1，0也可是 GB, G 點(diǎn)為原點(diǎn)， B 點(diǎn)坐標(biāo)為 1，-1， 0 )專業(yè)資料整理WORD格式10. 在簡單立方晶胞中畫出的 (1-2 1)晶面為 _。 zBCPASDMOxNR GEFyABGN，BBEM ，CCFM，DAFNC11. 在簡單立方晶胞中畫出的 2 2 -1 晶向?yàn)?_。 zBCPSADOMxNRGEFyAOS，BBR，COR，DGSB12. 在簡單立方晶胞中畫出的 2 1 0晶向?yàn)?_。ABS，B BR，CBQ，DBTzBCPTASDMOxQR GNEFyA專業(yè)資料整理WORD格式13. 在簡單立方晶胞中畫出的 0 2

17、 -1 晶向?yàn)?_。ABR，BBS，CBQ，DBT zBCPTASMDOxQNR GEFyD14. 畫出立方晶胞中具有以下指數(shù) 111的晶面和指數(shù) 111 的晶向，可以發(fā)現(xiàn)它們彼此 _。(A) 平行，B垂直， C既不平行也不垂直，DB15. 晶面指數(shù)通常用晶面在晶軸上截距的互質(zhì)整數(shù)比來表示。××改正：晶面在晶軸上截距倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比16. 晶面指數(shù)較高的晶面通常具有 _的原子密度排列。A較高， B較低， C居中B1. 原子排列最密的晶面，其面間距 _。a) 最小， B最大， C居中B2. 在 fcc 和 bcc 構(gòu)造中，一切相鄰的平行晶面間的距離可用公式：d = a /(h

18、2+k2+l2)1/2××2221/23. 晶面間距公式 d=a/(h+k +l )適用于 _的一切晶面 h，k，l 為密勒指數(shù)。 A 立方晶系所包含的三種點(diǎn)陣, B立方和四方所包含的各種點(diǎn)陣 , C簡單立方點(diǎn)陣C4.假設(shè)在晶格常數(shù)一樣的條件下體心立方晶格的致密度, 原子半徑都最小。 ××5.面心立方與密排六方晶體構(gòu)造，其致密度、配位數(shù)、間隙大小都是一樣的,密排面上的堆垛順序也是一樣的。 ××6. 在以下堆積方式中，屬于最嚴(yán)密堆積的是 _。(A)體心立方， ( B) 面心立方， ( C)簡單立方， ( D)B專業(yè)資料整理WORD格式7

19、. 在以下堆積方式中，屬于最嚴(yán)密堆積的是 _。(A) 簡單立方， ( B) 體心立方， ( C)密排六方， ( D)C8. 氯化鈉具有面心立方構(gòu)造，其晶胞分子數(shù)是 _。(A) 5 ，(B)6 ， (C)4 ， (D)8C9. Al 為面心立方構(gòu)造，其點(diǎn)陣常數(shù)為 0.4049nm，其晶胞中原子體積是 _。 ( A) 0.04912 nm3， ( B) 0.06638 nm3， (C)0.04514 nm3， (D)0.05032 nm3A10.Al 的點(diǎn)陣常數(shù)為 0.4049nm，其晶胞中原子體積是 0.04912 nm3，其構(gòu)造為 _。( A) 密排六方 ， ( B) 體心立方 ，(C) 面心

20、立方 ，(D)簡單立方C0.04912 nm3，其點(diǎn)陣常數(shù)為 _。11.Al 為面心立方構(gòu)造，晶胞中原子體積是( A) 0.3825 nm，( B) 0.6634 nm， (C) 0.4523 nm， (D) 0.4049nmD1. 面心立方構(gòu)造每個(gè)晶胞中八面體間隙數(shù)為 _。A4， B8， C2， D1A2. 面心立方構(gòu)造每個(gè)晶胞中四面體間隙數(shù)為 _。A2， B4，C6，D8D3.面心立方構(gòu)造每個(gè)原子平均形成的八面體間隙數(shù)為_。A4， B3，C2，D1D4.面心立方構(gòu)造每個(gè)原子平均形成的四面體間隙數(shù)為_。A4， B3，C2，D1C5. 體心立方構(gòu)造每個(gè)晶胞中八面體間隙數(shù)為 _。A4， B6，C

21、8，D12B6. 體心立方構(gòu)造每個(gè)晶胞中四面體間隙數(shù)為 _。A4， B6，C8，D127.D_。體心立方構(gòu)造每個(gè)原子平均形成的八面體間隙數(shù)為A1， B2， C3， D48.C_。體心立方構(gòu)造每個(gè)原子平均形成的四面體間隙數(shù)為A4， B6， C8， D129.Bm 個(gè)，四面體間隙 n 個(gè)，其中：每一個(gè)面心立方晶胞中有八面體間隙A m=4，n=8, B m=6， n=8,C m=2， n=4 Dm=4， n=12A10. 每一個(gè)體心立方晶胞中有八面體間隙m 個(gè)，四面體間隙 n 個(gè)，其中：A m=4，n=8, B m=6， n=8, C m=6， n=12 D m=8，n=12C11. Fcc和bcc

22、構(gòu)造中的八面體間隙均為正八面體。×專業(yè)資料整理WORD格式×12. 面心立方構(gòu)造的總間隙體積比體心立方小。×13. 等徑球最嚴(yán)密堆積時(shí)，四面體空隙的體積 _八面體空隙的體積。( A) 大于，(B) 等于，(C) 小于，(D)C1. 二元相圖中三相平衡時(shí)溫度恒定，而平衡三相成分可變。 ××2. 在二元相圖中， L S1 + S2叫 _轉(zhuǎn)變。A共晶，B共析，C包晶A3. 在二元相圖中， S S1+ S2稱為 _轉(zhuǎn)變。（ A共晶，B共析，C包晶B4. 在二元相圖中， S L S1稱為 _轉(zhuǎn)變。A共晶，B共析，C包晶C5. 共晶線代表共晶反響溫度其物理

23、意義是 _。A 無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度就發(fā)生共晶反響,專業(yè)資料整理WORD格式B 無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時(shí)，就發(fā)生共晶反響 ,？表達(dá)不確切C 無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時(shí)，液相而發(fā)生共晶反響B(tài) ×A如剩余的液相具有共晶成分全部會(huì)變成具有共晶成分的專業(yè)資料整理WORD格式6. 共晶反響發(fā)生在三相平衡的水平線上 , 可利用杠桿定理計(jì)算相組成物與組織組成物相對(duì)量 , 所以杠桿定理也可以在 三相平衡區(qū) 使用。 ×共晶反響發(fā)生在三相平衡點(diǎn)，不能用 . ？×7. 根據(jù)相律，二元系三相平衡時(shí)自由度為 0，即說明三相反響是在恒溫下進(jìn)展 ,三個(gè)平衡相的成分

24、也是一樣的，不可改變。×8. 所謂相，即是系統(tǒng)中具有均勻成份而且性質(zhì)一樣并與其他局部有界面分開的局部。 ×9. 在界面兩側(cè)性質(zhì)發(fā)生突然變化的是兩個(gè)不同的相，否那么是同一相。×10. 用杠桿規(guī)那么進(jìn)展過程量的計(jì)算，得到的是 _。(A)累積量(B) 瞬時(shí)量(C)(D)A11. 等壓條件下，二元合金中最大平衡相數(shù)為3。×12. 二元合金處于單相平衡時(shí)，自由度為2，這就是說溫度變化時(shí)，成份隨之變化。×專業(yè)資料整理WORD格式×13. 在熱力學(xué)平衡條件下，二元凝聚系統(tǒng)最多可以3 相平衡共存，它們是一個(gè)固專業(yè)資料整理WORD格式相、一個(gè)液相和一個(gè)

25、氣相。××改正：兩個(gè)固相和一個(gè)液相。14. 相數(shù)即為系統(tǒng)內(nèi)性質(zhì)一樣且均勻的局部的種類數(shù)。 A ，B× ，C， DA15. 自由度數(shù)是指相平衡系統(tǒng)中可獨(dú)立改變而不引起相變的變量數(shù)。 A ，B×， C，D? A在一定X圍內(nèi)改變，故B1. 點(diǎn)缺陷表現(xiàn)有兩種類型： A 置換原子、晶格間隙； B 空位、間隙原子； C空位、晶格間隙B2. 晶體中存在著許多點(diǎn)缺陷，例如 _。A 被激發(fā)的電子 , B沉淀相粒子 , C空位C3. 柏格斯矢量是位錯(cuò)的符號(hào)，它代表 _。A 位錯(cuò)線的方向 , B 位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向 , C 晶體的滑移方向B× C，應(yīng)為 C4.實(shí)際金屬

26、中都存在著點(diǎn)缺陷 , 即使在熱力學(xué)平衡狀態(tài)下也是如此。 ×5.柏格斯矢量就是滑移矢量。×6.位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向總是垂直于位錯(cuò)線。× 去掉 ? 該題有問題7.空間點(diǎn)陣有種，它們每個(gè)點(diǎn)陣都代表一個(gè)原子。 ××8. 刃型位錯(cuò)線與其柏氏矢量平行，且其運(yùn)動(dòng)方向垂直于該柏氏矢量，螺型位錯(cuò)線與其柏氏矢量垂直，且運(yùn)動(dòng)方向平行于該柏氏矢量。××9. 刃型位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線平行，螺型位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線垂直。 ××10. 晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而 _。(A)增加，(B)不變，(C) 降低，(D)A11. 屬于晶

27、體中的熱缺陷有 _。(A) 空位， (B) 非化學(xué)計(jì)量缺陷， (C) 雜質(zhì)缺陷， (D)12.替代式固溶體中， d 溶質(zhì) d 溶劑。 ××13.間隙式固溶體中， d 溶質(zhì) /d 溶劑0.59。 ×1.擴(kuò)散是原子在固體物質(zhì)內(nèi)部無規(guī)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生定向遷移的過程。 × ？×2. 擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度，所有擴(kuò)散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。 ×專業(yè)資料整理WORD格式×改正： 擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)展。(從自由能考慮 )3.擴(kuò)散系數(shù)一般表示為D=D0Exp(-Q/RT), 顯然擴(kuò)散激活能與擴(kuò)散系數(shù)呈正比 ,Q值愈大

28、,D 值愈大。×？ ×不是正比4. 最常見的擴(kuò)散機(jī)理是 _。( A) 間隙擴(kuò)散， ( B) 空位擴(kuò)散， ( C) 易位擴(kuò)散， ( D)5.B一般說來 ，擴(kuò)散系數(shù)越大擴(kuò)散通量也越大。 ××？還有濃度差， 按照 Fick 第一定律，該表述應(yīng)是正確的6.菲克第一定律只適用于穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散，而菲克第二定律只適用于 非穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散 。×× ？ 按照教材的內(nèi)容，該表述應(yīng)是正確的7. 穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散就是指擴(kuò)散通量不隨時(shí)間變化僅隨距離變化的擴(kuò)散。 ××8.擴(kuò)散通量是指單位時(shí)間通過任意單位面積的物質(zhì)量。××9. 金屬的自擴(kuò)散的激

29、活能應(yīng)等于 _。A空位的形成能與遷移能的總和， B空位的形成能， C 空位的遷移能A10. 伴有濃度變化的擴(kuò)散或者說與溶質(zhì)濃度梯度有關(guān)的擴(kuò)散被稱為是_。（ A反響擴(kuò)散 , B 互擴(kuò)散 , C自擴(kuò)散B ？確實(shí)有問題，題目的目的不明確。 去掉11. 在擴(kuò)散過程中，原子的流量直接正比于 _。A溫度 , B濃度梯度 ,C時(shí)間B12. 原子越過能壘的激活能為 Q，那么擴(kuò)散速率 _。（ A 隨 Q增加而減小 , B 隨 Q增加而增加 , C 與 Q無關(guān)A13. 當(dāng)液體與固體的真實(shí)接觸角大于 90 度時(shí)，粗糙度愈大 ，就愈 _潤濕。 ( A)容易，( B) 不易，(C) ， (D)B14. 當(dāng)液體與固體的真

30、實(shí)接觸角小于90 度時(shí)，粗糙度愈大 ，就愈 _潤濕。(A)容易，(B) 不易，(C)，(D)A由于粗糙度涉及到，未講，建議去掉15. 溫度升高，熔體的外表X力一般將 _。 ( A) 不變，(B) 減少，(C) 增加， ( D)B16. 液體與固體的接觸角大于 90°。A 潤濕，B不潤濕，C， DB17. 液體與固體的接觸角小于 90°。A 潤濕，B不潤濕，C， DA專業(yè)資料整理WORD格式1. Percent ionic characterA離子的特點(diǎn)，B鍵的離子性結(jié)合比專業(yè)資料整理WORD格式例， C，DB2. Energy BandA能級(jí)，B能隙，C能帶，DC3. Va

31、lence band A價(jià)帶，B能帶，C價(jià)電子能級(jí)展寬成的能帶， DA， C4. Unit CellA晶胞 ，B單位矢量，C，DAsolid solution A固溶體，B雜質(zhì)原子等 均勻分布 于基質(zhì)晶體的固體，C固體溶解液，DA, B？5. Ionic BondA共價(jià)鍵，B次價(jià)鍵，C離子鍵，D氫鍵6. Covalent BondA氫鍵，B離子鍵，C次價(jià)鍵，D共價(jià)鍵 D7. Equilibrium Spacing A平衡力，B平衡間距，C原子間斥力和引力相等的距離，DB，CCoordination Number A 配位數(shù)， B原子具有的第一鄰近原子數(shù)， C價(jià)電子數(shù)， DA，BAtomic P

32、acking Factor A晶胞內(nèi)原子總體積與晶胞體積之比， B 原子體積 C致密度，D原子堆積因子A，C， DDirectional Indices A 點(diǎn)陣， B晶體方向，C晶向指數(shù)，D晶向CMiller indicesA 晶向指數(shù)，B晶面指數(shù)， C密勒指數(shù)，DB，Cinterplanarspacing A晶面組中最近兩晶面間的距離， B晶面指數(shù)， C原子間距，D晶面間距D8A面心立方，B密排六方，C體心立方，DAA面心立方， B密排六方， C體心立方，DCA面心立方，B密排六方， C體心立方，DBPoint DefectA 點(diǎn)陣， B體缺陷， C面缺陷，D點(diǎn)缺陷DInterfacial

33、 Defects A 位錯(cuò)，B點(diǎn)缺陷，（ C面缺陷， D體缺陷CEdge Dislocation A 螺旋位錯(cuò)，B刃位錯(cuò)， C點(diǎn)缺陷， DBScrew Dislocation A棱位錯(cuò)，B刃位錯(cuò)，C螺旋位錯(cuò)，D CInterstitial position A間隙，B空位，C空隙，D空洞9. vacancyA空洞，B空位，C空隙，D間隙Bself-diffusionA互擴(kuò)散，B自擴(kuò)散，C慢擴(kuò)散，DBinterdiffusionA 互擴(kuò)散，B自擴(kuò)散，C慢擴(kuò)散，DADiffusion CoefficientA擴(kuò)散作用，B擴(kuò)散通量，C擴(kuò)散系數(shù)， D擴(kuò)散通道C10. Diffusion Flux A擴(kuò)

34、散作用，B擴(kuò)散通量，C擴(kuò)散系數(shù)，D擴(kuò)散能, B11. Contact Angle A三相交界處,自固液界面經(jīng)氣體至液氣界面的夾角， B三相交界處 ,自固液界面經(jīng)固體內(nèi)部至液氣界面的夾角， C三相交界處 ,自固液界面經(jīng)液體內(nèi)部至液氣界面的夾角， D接觸角C, D專業(yè)資料整理WORD格式1體心立方金屬晶體具有良好的塑性和韌性。××2面心立方金屬晶體具有較高的強(qiáng)度、硬度和熔點(diǎn)。××3CuZn 合金為電子化合物，其電子濃度價(jià)電子數(shù)/原子數(shù)為 A 21/14B21/13C21/12A4鐵碳合金有六種組織構(gòu)造，它們是 _、_、_、_、_、_。5鐵素體是碳溶解在 鐵中

35、的固溶體， C% 0.02%。××6奧氏體是碳溶解在 鐵中的固溶體， C% 0.2%。 ×？×C% 2% 。7珠光體是由鐵素體和滲碳體組成的共析混合物。×8滲碳體是鐵和碳的化合物，F(xiàn)e/C 2/1。××9從圖3-47 可以知道，共析鋼在1420時(shí)的組織構(gòu)造是(A) 奧氏體鐵素體B奧氏體液體C鐵素體液體B10鋼是碳含量低于2%的鐵碳合金。×11鋁和紫銅都是面心立方晶體構(gòu)造。×12非晶態(tài)合金 TTT 曲線的右側(cè)為晶體構(gòu)造區(qū)域。×13在再結(jié)晶過程中，晶粒的尺寸隨再結(jié)晶溫度的升高和時(shí)間的延長而長大。&#

36、215;14當(dāng)金屬材料的塑性變形度大于10%時(shí)，再結(jié)晶所形成的是細(xì)晶粒。×15共析鋼中的碳含量為A0.02180.77%B0.77%C0.77 2.11%D 6.67%C×B為B16. 二次再結(jié)晶是大晶粒 _，小晶粒 _。專業(yè)資料整理WORD格式(A) 長大、長大；( B)變小、長大；A？有問題，去掉(C) 長大、變??；(D)專業(yè)資料整理WORD格式1在離子晶體中，當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在0.2250.414 的X圍內(nèi)時(shí)，形成專業(yè)資料整理WORD格式A 四面體配位 B八面體配位立方體配位 C平面三角形配位D專業(yè)資料整理WORD格式A專業(yè)資料整理WORD格式2在離子晶體中，當(dāng)正負(fù)

37、離子半徑比值在0.7321.0 的X圍內(nèi)時(shí)，形成A簡單立方配位B面心立方配位C簡單立方或面心立方配位C ×A在等電荷時(shí)，面心立方離子晶體的正負(fù)離子為八面體配位，半徑比是 0.414-0.7323面心立方 ZnS 中的 Zn 原子位于由 S 原子構(gòu)成的 _間隙中。A八面體 B四面體C立方體B4單晶硅為立方晶胞的共價(jià)晶體，每個(gè)晶胞中共有硅原子A6 個(gè) B8 個(gè)C4 個(gè)A ×B，是 B5面心立方 ZnS 晶胞中的 Zn 原子和 S 原子數(shù)量分別為A4 和 4B14 和 4C8 和 4A2的配位數(shù)是 12。 ×6鈣鈦礦晶體 CaTiO3屬于立方晶系， Ca7尖晶石晶體屬于

38、立方晶系，每個(gè)單位晶胞由一樣體系的4 個(gè) A 塊和 4 個(gè) B 塊所構(gòu)成，共有 32 個(gè)八面體間隙和 64 個(gè)四面體間隙。 ×8硅酸鹽晶體是由 SiO44-四面體兩兩共頂相連而成，有5 種排列方式，其中在層狀構(gòu)造中，每個(gè) SiO44-四面體的橋氧原子數(shù)為A2B1C3D4C9石墨、金剛石、富勒烯和巴基管均為碳同素異構(gòu)體，具有一樣的晶體構(gòu)造。××10單晶硅和金剛石具有完全一樣的晶體構(gòu)造。×11. 玻璃是各向同性的固體。×12. 絕大多數(shù)芳雜環(huán)聚合物都是雜鏈聚合物。 ×13. 與聚乙烯相似，聚四氟乙烯的結(jié)晶鏈也是平面鋸齒形。 ×&

39、#215;14聚乙烯晶體屬于體心立方晶系。××15聚合物晶體都是半晶構(gòu)造。××專業(yè)資料整理WORD格式1. Ferrite A 滲碳體B鐵素體 C奧氏體D珠光體專業(yè)資料整理WORD格式B專業(yè)資料整理WORD格式2eutectoid steelA 亞共析鋼B共析鋼 C過共析鋼專業(yè)資料整理WORD格式B專業(yè)資料整理WORD格式3Non-iron metalA 非金屬 B鐵合金C非鐵合金專業(yè)資料整理WORD格式C專業(yè)資料整理WORD格式4recrystalliny A再結(jié)晶B結(jié)晶C多晶體專業(yè)資料整理WORD格式A專業(yè)資料整理WORD格式5滲碳體A austen

40、iteBferriteCcementiteDpearlitic專業(yè)資料整理WORD格式C專業(yè)資料整理WORD格式6、陶瓷A carbonBceramicsC fullerenesDgel專業(yè)資料整理WORD格式B專業(yè)資料整理WORD格式7amorphousa晶體 b非晶體c固溶體專業(yè)資料整理WORD格式B專業(yè)資料整理WORD格式8.morphologyA組成B形態(tài)C形狀D形式專業(yè)資料整理WORD格式B專業(yè)資料整理WORD格式9構(gòu)型A conformationBconfigurationCmorphologyD專業(yè)資料整理WORD格式compositionB專業(yè)資料整理WORD格式10orien

41、tationA取向B拉伸 C結(jié)晶D交聯(lián)專業(yè)資料整理WORD格式A專業(yè)資料整理WORD格式11aggregation structureA 聚集態(tài)構(gòu)造B分子鏈構(gòu)造C專業(yè)資料整理WORD格式交聯(lián)構(gòu)造專業(yè)資料整理WORD格式A12syndiotacticA全同構(gòu)造B無規(guī)構(gòu)造C間同構(gòu)造C13嵌段共聚物 _copolymer A random BblockC graftD alternatingB14screwy conformationA平面鋸齒形構(gòu)象B螺旋形構(gòu)象C伸直鏈構(gòu)象B1.復(fù)合材料基體和增強(qiáng)相的化學(xué)成分不能完全一樣。× × 2.天然復(fù)合材料是現(xiàn)代復(fù)合材料的重要分支。

42、5; × 3.基體相與增強(qiáng)相化學(xué)和物理性質(zhì)差異愈大，愈具復(fù)合價(jià)值。× 4.復(fù)合材料中增強(qiáng)相的模量一定高于基體相的模量。× × 5.復(fù)合材料有三種增強(qiáng)方式：粒子增強(qiáng)，纖維增強(qiáng)和構(gòu)造增強(qiáng)。×(×)?6.蜂窩夾層復(fù)合材料屬于構(gòu)造增強(qiáng)。× 7.復(fù)合材料所有的復(fù)合效應(yīng)都是通過界面相實(shí)現(xiàn)的。× 8復(fù)合材料的界面相可以薄到單分子層。 ×專業(yè)資料整理WORD格式錯(cuò)誤錯(cuò)誤 × 9.復(fù)合材料的界面區(qū)至少包括：基體外表層、增強(qiáng)外表層和基體/ 增強(qiáng)體界面層三個(gè)局部。 × 1.Valence band 價(jià)帶；價(jià)電子能級(jí)展寬成的帶；2.位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向總是垂直垂直于位錯(cuò)線。正確3. 費(fèi)米能級(jí)是，在 T=0K 時(shí)，金屬原子中電子被填充的最高能級(jí)，以下能級(jí)全滿，以上能級(jí)全空。正確4.以原子半徑 R 為單位， fcc 晶體的點(diǎn)陣常數(shù) a 是 221/2R5.f