EDP實(shí)操綜合考試填空、選擇、判斷

1、知識(shí)點(diǎn)一 基本器件常識(shí)：1.電阻，電感，電容l (值的表示，基本單位：歐姆、皮法)l 電感阻礙電流，電容阻礙電壓； l 電解電容有極性，低頻特性好，用于電源濾波。其他電容沒(méi)有極性，瓷片電容高頻特性好，l 集成芯片濾波電容5V用103/104，12V用104/105。多用滌綸電容。l 電解電容包括鉭電解電容，鋁電解電容，鈮電解電容等;l 鉭電容內(nèi)部沒(méi)有電解液，很適合在高溫下工作。濾波效果比鋁電解電容要好，但也有缺點(diǎn)，就是耐電壓不高。1.（ ）電容器的品質(zhì)因素Q值一般要高于電感器的品質(zhì)因素。 2.（ × ）電感器對(duì)交流信號(hào)是開(kāi)路的，電容器對(duì)交流信號(hào)是短路的。3.（）在電子電路中，電感器對(duì)

2、交流信號(hào)是開(kāi)路的，對(duì)直流信號(hào)是短路的。4.( × )在電子電路中，對(duì)交流信號(hào)而言，電感器是開(kāi)路元件，電容器是短路元件。5.（ ）純電阻電路無(wú)相移，也無(wú)時(shí)延，其通帶寬度為無(wú)窮大。l 2.品質(zhì)因數(shù)：X/R; 意義：儲(chǔ)能性能與耗能性能之比；電容器的品質(zhì)因數(shù)主要處決與介質(zhì)的絕緣電阻和介質(zhì)損耗，作為電容器介質(zhì)的材料目前的絕緣電阻基本可以忽略不計(jì)，介質(zhì)損耗都已經(jīng)可以做到很小，一般tg%0.2，所以其等效串聯(lián)電阻很小。而電感的是需要用導(dǎo)線繞制的，鑒于成本和體積，導(dǎo)線不可能用的很粗，其電阻不能忽略，如果電感中存在鐵芯或磁芯，還得加上鐵磁材料的損耗，因此其等效串聯(lián)電阻的阻值與其電抗量相比還是可觀的，所

3、以電感的Q值一般會(huì)低于電容。l 電阻器色標(biāo)符號(hào)意義顏色 有效數(shù)字第一位 有效數(shù)字第二位倍乘數(shù) 允許誤差% 棕 1 1 101±1 紅 2 2 102±2 橙 3 3 103 黃 4 4 104 綠 5 5 105±0.5 藍(lán) 6 6 106±0.2 紫 7 7 107±0.1 灰 8 8 108 白 9 9 109 黑 0 0 100 金 10-1±5 銀 10-2±10 無(wú)色 ±20 例如：紅 紅 棕 金 表示220±5% 黃 紫 橙 銀 表示47k±10% 棕 紫 綠 金 棕 表示17.5&

4、#177;1%常用電容值【單位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P470 P 560 P 620 P680 P 750 P【單位nF】1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 3339 56 68 82【單位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2l 常用電阻值(09中兩個(gè)數(shù)字構(gòu)成)

5、1 10 100 1.0 K 10 K 100 K 1.0 M1.1 11 110 1.1 K 11 K 110 K 1.1 M1.2 12 120 1.2 K 12 K 120 K 1.2 M1.3 13 130 1.3 K 13 K 130 K 1.3 M1.5 15 150 1.5 K 15 K 150 K 1.5 M1.6 16 160 1.6 K 16 K 160 K 1.6 M1.8 18 180 1.8 K 18 K 180 K 1.8 M2 20 200 2.0 K 20 K 200 K 2.0 M2.2 22 220 2.2 K 22 K 220 K 2.2 M2.4 24

6、240 2.4 K 24 K 240 K 2.4 M2.7 27 270 2.7 K 27 K 270 K 2.7 M3 30 300 3.0 K 30 K 300 K 3.0 M3.3 33 330 3.3 K 33 K 330 K 3.3 M3.6 36 360 3.6 K 36 K 360 K 3.6 M3.9 39 390 3.9 K 39 K 390 K 3.9 M4.3 43 430 4.3 K 43 K 430 K 4.3 M4.7 47 470 4.7 K 47 K 470 K 4.7 M5.1 51 510 5.1 K 51 K 510 K 5.1 M5.6 56 560 5

7、.6 K 56 K 560 K 5.6 M6.2 62 620 6.2 K 62 K 620 K 6.2 M6.8 68 680 6.8 K 68 K 680 K 6.8 M7.5 75 750 7.5 K 75 K 750 K 7.5 M8.2 82 820 8.2 K 82 K 820 K 8.2 M9.1 91 910 9.1 K 91 K 910 K 9.1 M10 M 11 M 12 M 13 M 15 M 18 M 20 M（ ）在色環(huán)（帶）標(biāo)識(shí)的電阻體中，黑色代表數(shù)字：A、0B、1C、2D、4（ ）標(biāo)識(shí)為2K7的電阻器及103的電容器，其標(biāo)稱值分別為：A、2.7K的電阻器，100

8、00PF的電容器B、2.7的電阻器，10000PF的電容器C、2.7的電阻器，1000PF的電容器D、220的電阻器，10000PF的電容器( × ) 可以直接購(gòu)買(mǎi)到100PF電容器，1110電阻器。( ) 標(biāo)稱為223的貼片電阻，其電阻值為22k（）鉭電解電容器的性能要優(yōu)于普通電解電容器，但其價(jià)格更高，體積更大。具有正負(fù)極性的電容器有 鋁電解 、 鉭電解 等幾大類。（C）標(biāo)注為223的片狀電阻（貼片電阻）器，其阻值為：A、22B、223C、22KD、220（C）標(biāo)注為4n7的電容器，其電容值為：A、47pFB、470pFC、4700pFD、4.7pF（B）標(biāo)識(shí)為4R3、1K5的電阻

9、器，其阻值分別為： A、43、1.5K B、4.3、1.5K C、4.3、1.5 D、43、15K（A）標(biāo)識(shí)為272、6P8的電容器，其電容值為： A、2700PF、6.8PF B、272PF、6.8PF C、2700PF、68PF D、272PF、68PF（C）無(wú)損電感上電壓與電流的相位關(guān)系是：A、二者同相B、二者反相C、電壓超前電流90°D、電壓落后電流90°（C ）已知電路如圖三，輸入電流為鋸齒波，則電感L的電壓波形為：A、為鋸齒波B、為方波C、為矩形波D、為正弦波1.（ ）電容器的品質(zhì)因素Q值一般要高于電感器的品質(zhì)因素。 2.（ × ）電感器對(duì)交流信號(hào)是開(kāi)

10、路的，電容器對(duì)交流信號(hào)是短路的。5.（ ）純電阻電路無(wú)相移，也無(wú)時(shí)延，其通帶寬度為無(wú)窮大。l 磁環(huán)/磁珠 ：磁珠專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾, 電感是儲(chǔ)能元件，而磁珠是能量轉(zhuǎn)換（消耗）器件。電感多用于電源濾波回路，側(cè)重于抑止傳導(dǎo)性干擾；磁珠多用于信號(hào)回路，主要用于EMI方面;抑制高頻干擾。抑制高頻干擾用鎳鋅鐵氧體 工作頻率1M-300MHz；阻值較大；抑制低頻干擾用錳鋅鐵氧體 工作頻率1K-10MHz；阻值小于150K；（ ）錳鋅鐵氧體（MXO系列）適用的工作頻率范圍為： A、幾KHZ幾十KHZ B、幾KHZ幾百KHZ C、幾百KHZ幾MHZ D、幾百KHZ幾百M(fèi)HZ2.二極

11、管l 發(fā)光二極管電流：小功率20mA；大功率幾百毫安；單片機(jī)標(biāo)準(zhǔn)I/O口的拉電流不大于1mA，灌電流最大約為10mA左右；l 穩(wěn)壓二極管工作于反壓；動(dòng)態(tài)電阻（交流等效電阻）越小穩(wěn)壓能力越好；l 變?nèi)荻O管工作于反壓；二極管反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的.(自動(dòng)頻率控制)l 光電二極管是在反向電壓作用之下工作的。在光照下，其電壓與光照強(qiáng)度成比例，一般可達(dá)0204V。（傳感器）l 紅外發(fā)光二極管其外形和發(fā)光二極管LED相似，發(fā)出紅外光。管壓降約1.4v，工作電流一般小于20mA。（遙控器）l 7段碼顯示；l 小信號(hào)模型：熱可以激發(fā)更多的載流子；（D）發(fā)光二極管的正

12、常工作電流大約為： A、0.11mA B、1幾mA C、幾幾百mA D、幾幾十mA（B ）已知常溫下晶體二極管的工作點(diǎn)電流為2mA，則其交流等效電阻rd為多少，且與溫度之關(guān)系：A、13、隨溫度加大而加大B、13、隨溫度加大而減小C、26、隨溫度加大而加大D、26、隨溫度加大而減?。˙）穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管正常工作時(shí)，應(yīng)：A、二者均加正向電壓B、二者均加反向電壓C、前者加正向電壓，后者加反向電壓D、前者加反向電壓，后者加正向電壓（A）7段LED共陰極數(shù)碼管，顯示數(shù)字0的16進(jìn)制代碼為：A、3F B、4FC、7FD、06（ × ）半導(dǎo)體二極管正向?qū)娮璧拇笮∨c工作點(diǎn)處的電流大小無(wú)關(guān)。

13、（ ）三只普通硅二極管串聯(lián)，可作.1伏穩(wěn)壓管使用。（ ）兩只硅晶體二極管串接后，可作1.4伏的低壓穩(wěn)壓管使用。 ）普通晶體二極管的正向伏安特性可作低壓穩(wěn)壓管使用。（ ）在很高頻率的條件下工作，晶體二極管將失去單向?qū)щ娦阅堋＃?× ）光電二極管的正向電壓與普通二極管一樣，也為0.20.3V或0.60.7V。（ ）穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻（交流等效電阻）通常是很小的。（ ）變?nèi)莨艿慕Y(jié)電容隨外加反向電壓變化而變化。3.電源電路l 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源：效率高、穩(wěn)壓范圍寬 ，主要缺點(diǎn)是紋波大、高頻干擾重 。l 常用三端穩(wěn)壓器：7805 輸入電壓大于7V-20V，7812大于14.5V-27V，輸出電流

14、1A;l 電源濾波電容要用1000uF的電解電容；耐壓為輸入交流有效值的1.4倍。l名 稱VL(空載)VL(帶載)二極管反向最大電壓每管平均電流半波整流IL全波整流電容濾波1.2V2*0.5IL橋式整流電容濾波1.2V2*0.5IL橋式整流電感濾波0.9V20.5ILlll 滿足上述條件時(shí)。電容濾波近似公式：VL=1.2V2 （ × ）橋式整流，負(fù)載為電容濾波的電路中，若電容器上的電壓為17伏，則整流器輸入的交流信號(hào)有效值一般要大于17伏。開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源的主要優(yōu)點(diǎn)是 效率高、穩(wěn)壓范圍寬 、主要缺點(diǎn)是 紋波大、高頻干擾重 。 7812濾波電容容量大致為 幾千 uF，其耐壓至少為 25

15、伏。 2 、用7812等元器件制成串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源，其7812輸入端的濾波電容容量大致為 幾千 uF，其耐壓至少為 25 伏。（C）78××、79××系列三端穩(wěn)壓電路的工作電流為： A、0.1A B、0.5A C、1A D、1.5A5.（ × ）串聯(lián)調(diào)整型穩(wěn)壓電源的輸出電壓為12V，則電源變壓器次級(jí)（初級(jí)為220V）的有效值一般要大于18伏。6.（ ）交流市電供電的直流穩(wěn)電路中，整流后的濾波電容一般為幾十F。7.（ × ）交流220V市電電網(wǎng)應(yīng)是電壓源，它的內(nèi)阻愈大愈好。8.( × ) 交流市電供電的直流穩(wěn)壓電源電路中，整流

16、后的濾波電容器的容量一般為幾微法拉。4、（ B）已知橋式整流濾波電路如示，輸入交流電壓為10V，則二極管的耐壓為： A、大于10V B、大于14V C、大于20V D、大于28V4常用儀表l 示波器：1.（ × ）當(dāng)示波器探頭撥至×10位置時(shí)，此時(shí)輸入信號(hào)被放大了10倍。2.（ ）帶探頭的示波器的輸入電阻要比不帶探頭的輸入電阻大很多。3.（ × ）要使示波器顯示屏上的信號(hào)波形個(gè)數(shù)由少增多，則X軸上掃描信 號(hào)的頻率應(yīng)由低變高。4.（ ）示波器校準(zhǔn)信號(hào)電壓的幅度為0.5VPP，頻率為1KHZ的方波。5.（ × ）示波器中的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)電壓的幅度為0.5VPP，頻

17、率為1KHz的正弦波。6.（ ）示波器的輸入電阻應(yīng)愈大愈好，以減輕它對(duì)被測(cè)電路的影響。7.（ × ）在測(cè)量大幅度信號(hào)時(shí)，常將示波器探頭置于×1的位置。8.（ ）示波器的探頭應(yīng)和示波器配合使用，不能互換，特別是在高頻使用時(shí)更應(yīng)如此。9.（）在檢測(cè)幅度較小的輸入信號(hào)時(shí)，示波器輸入探頭的衰減開(kāi)關(guān)應(yīng)置于X1的位置。10.用模擬示波器測(cè)一信號(hào)幅度，已知探頭置于×10位置，垂直靈敏度旋鈕置于50mv/格，屏幕上的波形峰峰間高度為4格（度）， 則被測(cè)信號(hào)的幅值為 1V 伏，有效值為 0.707 伏。11.（B）下列論述哪一項(xiàng)是正確的：A、模擬示波器只能觀察模擬信號(hào)B、數(shù)字示波器

18、也能觀察模擬信號(hào)C、數(shù)字示波器只能觀察數(shù)字信號(hào)D、模擬示波器比數(shù)字示波器更便宜（ ）在電子系統(tǒng)調(diào)試中，用示波器觀察單片機(jī)產(chǎn)生寫(xiě)控制信號(hào)時(shí)，應(yīng)將示波器調(diào)整為：A、交流輸入，直流觸發(fā)B、直流輸入、交流觸發(fā)C、交流輸入，交流觸發(fā)D、直流輸入、直流觸發(fā)12、（ ）常用示波器的輸入電阻大致為： A、10K左右 B、100K左右 C、1M左右 D、10 M左右l 電壓電流表、有效值、壓電源：1.（ × ）直流穩(wěn)壓電源的內(nèi)阻愈高，它的輸出電壓穩(wěn)定性能就愈好。2.( × ) 電壓源的內(nèi)阻應(yīng)愈大愈好，否則輸出電壓不會(huì)穩(wěn)定。3.（ × ）為使輸出電壓穩(wěn)定，穩(wěn)壓電源的輸出電阻應(yīng)愈大愈好

19、。4.（ X ）實(shí)驗(yàn)室中常用的穩(wěn)壓電源，其內(nèi)阻較大，輸出電壓很穩(wěn)定。5.（ × ）串聯(lián)調(diào)整型穩(wěn)壓電源的輸出電壓為12V，則電源變壓器次級(jí)（初級(jí)為220V）的有效值一般要大于18伏。6.（ ）交流市電供電的直流穩(wěn)電路中，整流后的濾波電容一般為幾十F。7.（ × ）交流220V市電電網(wǎng)應(yīng)是電壓源，它的內(nèi)阻愈大愈好。8.( × ) 交流市電供電的直流穩(wěn)壓電源電路中，整流后的濾波電容器的容量一般為幾微法拉。9.（ ）信號(hào)源的輸出阻抗一般均較低，電壓表的輸入阻抗均較高。10（ ）低通濾波電路對(duì)信號(hào)的相移為正值，即輸出信號(hào)的相位要落后于輸入信號(hào)一個(gè)相角。11.（ ×

20、 ）可用普通三用表檢測(cè)音頻信號(hào)的電壓大小。：電壓表：1.( ) 電壓表的輸入電阻應(yīng)愈大愈好。2.（ × ）測(cè)量某一電路上的電壓時(shí)，希望電壓表的輸入阻抗盡可能小一點(diǎn)。3.（ ）電壓表的輸入電阻應(yīng)愈大愈好，以盡量減小對(duì)被測(cè)電路的影響。3.（ ）在各類正弦波振蕩器中，石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定性能最好l 有效值：1.（A）在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理中，從精度出發(fā)，2A、2×103mA、2000mA表述的數(shù)據(jù)：A、三者精度均一樣B、2A、2×103mA精度一樣C、2A、2000mA精度一樣D、2×103mA、2000mA精度一樣2.（ ）疊加定理既適用于線性電路，也適用于非線

21、性電路。l 掃頻儀頻譜分析儀：前者測(cè)電路（電網(wǎng)絡(luò)），后者測(cè)信號(hào)；1.（ × ）掃頻儀是用來(lái)檢測(cè)、分析信號(hào)頻譜結(jié)構(gòu)的一種測(cè)量?jī)x器。2.（ ）掃頻儀器是檢測(cè)放大器或網(wǎng)絡(luò)幅頻特性和相頻特性的儀器。3.（ × ）頻譜分析儀是檢測(cè)放大器或網(wǎng)絡(luò)幅頻特性和相頻特性的儀器。4.測(cè)量一電路（系統(tǒng)）的頻率特性，應(yīng)選用的儀器是 掃頻儀，要分析一信號(hào)的頻率成份，應(yīng)選用的儀器是 頻譜分析儀 。知識(shí)點(diǎn)二 模電知識(shí)1.信號(hào)的放大：l 基本參數(shù)：放大倍數(shù)（電壓電流功率）；輸入電阻（大點(diǎn)好，吸收電流小）輸出電阻（大點(diǎn)好，帯載能力強(qiáng)；輸出最大電流小了）通頻帶（增益是頻率的函數(shù)，增益下降到中頻增益的0.707倍

22、時(shí)的上下限頻率差）l 晶體管電流控制，前級(jí)吸取能量多，輸入電阻??；場(chǎng)管電壓控制，吸收前級(jí)電流小，輸入電阻大；場(chǎng)管動(dòng)態(tài)范圍大；放大倍數(shù)與工作點(diǎn)，和頻率有關(guān)；l 增益和帶寬是矛盾量(放大器本身)；交流負(fù)載線越陡，放大倍數(shù)越?。惠斎牖芈反?lián)電阻越大，Ib越小，電壓放大倍數(shù)越小；集電極限流電阻越大，放大倍數(shù)越大（不失真情況下）。多級(jí)放大器級(jí)間耦合電容越小，輸入信號(hào)低頻衰減大，低頻特性將變差，fL升高；l 放大與失真；集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)反偏時(shí)放大；集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)反偏時(shí)截止；集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏時(shí)飽和； 飽和區(qū)特點(diǎn)： iC 不再隨iB 的增加而線性增加，截止區(qū)特點(diǎn)：iB = 0，iC = ICEO當(dāng)

23、工作點(diǎn)進(jìn)入飽和區(qū)或截止區(qū)時(shí)，將產(chǎn)生非線性失真l 飽和失真：由于放大電路的工作點(diǎn)達(dá)到了三極管的飽和區(qū)而引起的非線性失真。對(duì)于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為底部失真。l 截止失真：由于放大電路的工作點(diǎn)達(dá)到了三極管的截止區(qū)而引起的非線性失真。對(duì)于NPN管，輸出電壓表現(xiàn)為頂部失真；基本共射電路：空載時(shí)的放大倍數(shù)比帶載時(shí)高（ ）BJT管的輸出伏安特性近似于恒流特性，故其輸出電阻甚大。（ ）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，故其輸入電阻要比BJT管的輸入電阻大得多。( × ) 只要工作點(diǎn)合適，被晶體管放大器放大的信號(hào)就不會(huì)失真。( ) 在晶體管放大器中，放大管的值既與工作點(diǎn)高低有關(guān)，也與工作頻率高低有關(guān)。（ ）

24、NPN晶體管放大器中，不同工作點(diǎn)處管子的值是不一樣的。（ ）對(duì)輸入信號(hào)而言，場(chǎng)效應(yīng)管放大器的動(dòng)態(tài)范圍要比BJT管放大器的動(dòng)態(tài)范圍大許多。（ ）BJT管的動(dòng)態(tài)范圍要比FET管的動(dòng)態(tài)范圍小得多。（ × ）BJT管的值通常為一常數(shù)，與管子的工作頻率無(wú)關(guān)。（ ）溫度升高后，電路中BJT管的工作點(diǎn)電流應(yīng)增大一點(diǎn)。（ ）BJT管的輸入特性呈指數(shù)型變化，F(xiàn)ET管的轉(zhuǎn)換特性（傳輸特性）呈平方律變化。（ × ）BJT管的值通常為一常數(shù)，與管子的工作區(qū)無(wú)關(guān)。（ ）FET管的輸入電阻與輸出電阻均是很大很大的。（ × ）BJT管的輸入電阻、輸出電阻均是很大的。（ ）CMOS電路是互補(bǔ)對(duì)稱

25、式金屬-氧化物-半導(dǎo)體電路之意，它的顯著特點(diǎn)是靜態(tài)功耗甚低。( ) MOS場(chǎng)效應(yīng)管屬電壓控制器件，故其輸入電阻很高。（ ）場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管均屬電壓控制器件。（ ）晶體管BJT與場(chǎng)效應(yīng)管均為非線性器件，前者為指數(shù)型，后者為平方律型。（ ）CMOS門(mén)電路的噪聲門(mén)限通常要高于TTL門(mén)電路的噪聲門(mén)限。場(chǎng)效應(yīng)管共漏極放大器（源極輸出放大器）的特點(diǎn)是: .2.分壓式偏置的單級(jí)低頻放大電路分析l 實(shí)驗(yàn)電路以圖2-3為例，為一分壓式偏置的單級(jí)低頻放大電路。1. 電路中上偏置電阻Rb1由1R3和RP1串聯(lián)組成，下偏置電阻為1R4，1R5為集電極電阻RC，1R7、1R8為發(fā)射極電流負(fù)反饋電阻，起到穩(wěn)定直流工

26、作點(diǎn)的作用，1C1 和1C2為交流耦合電容，1C3為發(fā)射極旁路電容。輸入的交流信號(hào)Ui經(jīng)1C1送到三極管基極，經(jīng)放大后從集電極輸出，經(jīng)1C 2耦合到負(fù)載電阻1R9（RL）上。放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)Q主要由上偏置電阻、下偏置電阻、RE、RC及電源電壓+VCC所決定，該電路利用上偏置電阻、下偏置電阻的分壓固定基極電位VBQ。如果滿足I1>>IBQ，當(dāng)溫度升高時(shí)，ICQVEQVBQIBQICQ，結(jié)果抑制了ICQ的變化，從而獲得穩(wěn)定的靜態(tài)工作點(diǎn)。l 2、基本關(guān)系式只有當(dāng)I1>>IBQ時(shí)才能保證VBQ恒定。這是工作點(diǎn)穩(wěn)定的必要條件，一般取I1=(510) IBQ(硅管) I1=(10

27、20) IBQ(鍺管)負(fù)反饋愈強(qiáng)，電路的穩(wěn)定性愈好，所以要求VBQ >>VBE ，即VBQ=(510) VBE，一般取VBQ=(35) V（硅管） VBQ=(13)V(鍺管) 電路的靜態(tài)工作點(diǎn)由下列關(guān)系式確定：對(duì)于小信號(hào)放大器，一般取=0.5mA2 mA =（0.20.5）VCC3. 組態(tài)：l 雙極性： 共發(fā)射極()、共集電極、共基極BJT的三種組態(tài)(1)共射放大電路 ：共射組態(tài)放大電路，以發(fā)射極為輸入和輸出回路的公共端，外來(lái)信號(hào)從基極輸入、放大后的信號(hào)從集電極輸出。(2)共集放大電路：共集組態(tài)放大電路，以集電極為輸入和輸出回路的公共端，外來(lái)信號(hào)從基極輸入、放大后的信號(hào)從發(fā)射極輸出

28、。 (3)共基放大電路：共基組態(tài)放大電路，以基極為輸入和輸出回路的公共端，外來(lái)信號(hào)從發(fā)射極輸入、放大后的信號(hào)從集電極輸出。 13.( ) 在共e (共發(fā)射極)、共c (共等電極)晶體管放大電路中，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)的相位關(guān)系是： A.二者輸入、輸出均同相 B.二者輸入、輸出均反相 C. 共e放大器輸出與輸入同相，共c放大器輸出與輸入反向 D. 共e放大器輸出與輸入反相，共c放大器輸出與輸入同相1. 晶體管共集電極放大器（射極輸出器）的特點(diǎn)是_場(chǎng)效應(yīng)管共漏極放大器（源極輸出放大器）的特點(diǎn)是 .1、在共e、共b、共c三類放大器中，輸出阻抗最低的是共c 放大器，輸入阻抗最低者是 共b 放大器。BJT

29、的三種組態(tài)l 場(chǎng)效應(yīng)管 1. 輸出信號(hào)與輸入信號(hào)反相的是 共e 放大器，同相的是 共b、共c 放大器。2. 在共e、共b、共c三類放大器中，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)反相的是 共e 放大器，同相的是 共b、共c 放大器。3. （D ）在共e、共b、共c三種放大電路中，輸入阻抗最高的放大器是：A、共e放大器 B、共b放大器C、共e、共b放大器D、共c放大器（ D）共e、共b、共c三類放大器中，輸出電壓與輸入電壓反相180°的是：A、共C放大器B、共c、共b放大器C、共b放大器D、共e放大器5（ D ）已知放大電路如圖示，若電阻RC值減小，則 A、增益下降、通頻帶變寬 B、增益下降、通頻帶變窄

30、C、增益增大、通頻帶變寬 D、增益增大，通頻帶變窄6（ D ）已知放大電路如圖示：輸出V01、V02與輸入Vi信號(hào)間的相位關(guān)系為： A、V01、V02均與Vi同相 B、V01、V02均與Vi反相 C、V01與Vi同相，V02與Vi反相D、V01與Vi反相，V02與Vi同相（ B ）晶體管共發(fā)射極的截止頻率f的定義是：A、=0時(shí)的工作頻率B、=0.7070時(shí)的工作頻率C、=20時(shí)的工作頻率D、=1時(shí)的工作頻率（ ）放大電路如下圖(EDP0702205)，當(dāng)工作點(diǎn)正確時(shí)，其輸入正弦信號(hào)幅值約為多大時(shí)，輸出信號(hào)不失真。A、0.6 0.7VB、0.20.3VC、幾伏D、幾毫伏十幾毫伏 4、（ A ）晶

31、體管共集電極放大器與場(chǎng)效應(yīng)管共漏極放大器的輸出電壓與輸入電壓間的相位關(guān)系為： A、均為同相 B、均為反相 C、前者為同相，后者為反相 D、前者為反相，后者為同相3、（ D ）已知音頻共發(fā)射極放大電路和如圖一所示，放大器輸出信號(hào)波形不失真的條件是輸入i的幅值為：A、0.20.3V B、0.60.7V C、50100mV D、幾mV十幾mV4、（ D ）已知音頻放大電路如圖一所示，若耦合電容C1的容量減小，則放大器的上限截止頻率H與下限截止頻率L將：A、L、H均降低 B、H降低C、L升高、H降低 D、L升高5、（B ）已知音頻放大電路如圖一所示，若電容Ce開(kāi)路（斷開(kāi)），則放大器的放大倍數(shù)Av及頻帶

32、寬度Bw將:A、Av、Bw均增大 B、Av降低、Bw增大C、Av、Bw均減小 D、Av增大、Bw減?。?× ）共發(fā)射極晶體管放大器與共源極場(chǎng)效應(yīng)管放大器相比，前者所允許的輸入信號(hào)幅值將大于后者。l 差動(dòng)放大器：( ) 在相同條件下,雙端輸出差動(dòng)放大器的電壓增益要比單端輸出差動(dòng)放大器的電壓增益高一倍.（ ）差動(dòng)放大器的增益僅與輸出方式（單端或雙端輸出）有關(guān)，而與輸入方式無(wú)關(guān)。（ ）差動(dòng)（差分）放大器的電壓增益僅與其輸出方式（單端或雙端）有關(guān)，而與輸入方式無(wú)關(guān)。4. 交流負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響l 一、提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性l 二、改變輸入電阻和輸出電阻l 三、展寬頻帶 l 四、減小非線

33、性失真l 五、引入負(fù)反饋的一般原則1.欲穩(wěn)定某個(gè)量，則引該量的負(fù)反饋l 穩(wěn)定直流，引直流反饋;穩(wěn)定交流,引交流反饋；l 穩(wěn)定輸出電壓，引電壓反饋；穩(wěn)定輸出電流，引電流反饋。2.根據(jù)對(duì)輸入、輸出電阻的要求選擇反饋類型l 欲提高輸入電阻，采用串聯(lián)反饋；l 欲降低輸入電阻，采用并聯(lián)反饋；l 要求高內(nèi)阻輸出，采用電流反饋；l 要求低內(nèi)阻輸出，采用電壓反饋。3.為使反饋效果強(qiáng)，根據(jù)信號(hào)源及負(fù)載確定反饋類型l 信號(hào)源為恒壓源，采用串聯(lián)反饋；l 信號(hào)源為恒流源，采用并聯(lián)反饋；l 要求負(fù)載能力強(qiáng)，采用電壓反饋；l 要求恒流源輸出，采用電流反饋。1.（×）要使電路的輸出電壓穩(wěn)定，帶載能力強(qiáng)，應(yīng)選用深度

34、的電流負(fù)反饋放大電路。2.( × ) 負(fù)反饋會(huì)使放大電路的增益下降,但能提高放大器的上限截止頻率f H 和下限截止頻率f L 。3.（ ）放大電路只要引入串聯(lián)負(fù)反饋，其輸入電阻一定會(huì)增加。4.（ X ）要使放大器的輸出電壓穩(wěn)定，帶載能力強(qiáng)，應(yīng)采用電流負(fù)反饋電路。5.（ × ）正反饋系統(tǒng)都是不穩(wěn)定的系統(tǒng)。6.（ ）負(fù)反饋可使系統(tǒng)的增益下降，帶寬增加，非線性失真減小。7.（ × ）負(fù)反饋雖使放大器的增益下降，但可加大放大器的頻帶寬度，即使fH、fL均增大。8.（ × ）負(fù)反饋系統(tǒng)都是穩(wěn)定系統(tǒng)，不會(huì)產(chǎn)生自激。9.（ A ）為了提高放大器輸出電壓的穩(wěn)定性，并降低

35、此放大器對(duì)前級(jí)電路的影響，應(yīng)采用的反饋方式是：A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋C、電流串聯(lián)負(fù)反饋D、電流并聯(lián)負(fù)反饋l 通頻帶寬：1.（ ）同一放大電路，若要其增益增大，則其通頻帶寬度將減小。2.（ ）一放大電路，若要其增益加大，則其頻帶寬度會(huì)減小。l 放大器級(jí)聯(lián)：1.（ × ）兩個(gè)帶寬均為1MHZ、增益均為20倍的放大器級(jí)聯(lián)后，其總帶寬將等于1MHZ，總增益將等于400倍。2.（ × ）交流放大器級(jí)間耦合電容器的容量若減小，則放大器的低頻特性將變差，即fL將減小。3.放大器的級(jí)數(shù)愈多，則其總的放大倍數(shù)會(huì)愈 大 ，通頻帶會(huì)愈 窄4.多級(jí)放大器系統(tǒng)中，放大器的級(jí)數(shù)愈多，則其

36、總的放大倍數(shù)會(huì)愈 大 ，通頻帶會(huì)愈 窄 。（ ）為了提高放大器輸出電壓的穩(wěn)定性，并降低此放大器對(duì)前級(jí)電路的影響，應(yīng)采用的反饋方式是：A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋C、電流串聯(lián)負(fù)反饋D、電流并聯(lián)負(fù)反饋（ ）為了提高放大器的帶載能力，并降低此放大器對(duì)前級(jí)電路的影響，應(yīng)采用的反饋方式是：A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋C、電流串聯(lián)負(fù)反饋D、電流并聯(lián)負(fù)反饋2、在各類負(fù)反饋放大電路中，能穩(wěn)定輸出電壓的是 電壓 負(fù)反饋放大器，能提高輸入阻抗的是 串聯(lián) 負(fù)反饋放大器。7、（ ）已知電路如圖二，圖中存在什么反饋：A、電流串聯(lián)負(fù)反饋 B、電流并聯(lián)負(fù)反饋C、電壓串聯(lián)負(fù)反饋（輸入點(diǎn)和反饋點(diǎn)在一條路上為并聯(lián)

37、型）D、電壓并聯(lián)負(fù)反饋5. 濾波器l 時(shí)間常數(shù)：表示過(guò)渡反應(yīng)的時(shí)間過(guò)程的常數(shù)。在電阻、電容的電路中，它是電阻和電容的乘積。若C的單位是F（微法），R的單位是M（兆歐），時(shí)間常數(shù)的單位就是秒。在RC電路中,電容電壓Uc總是由初始值Uc(0)按指數(shù)規(guī)律單調(diào)的衰減到零,其時(shí)間常數(shù)=R*C 在RL電路中,iL總是由初始值iL(0)按指數(shù)規(guī)律單調(diào)的衰減到零,其時(shí)間常數(shù)=L/Rl 方波的邊緣對(duì)應(yīng)高頻分量；l 阻容濾波傳遞函數(shù) l R或C越大截止頻率越低10（ ）低通濾波電路對(duì)信號(hào)的相移為正值，即輸出信號(hào)的相位要落后于輸入信號(hào)一個(gè)相角。（ A ）已知電路如圖2.2所示，此電路不失真?zhèn)鬏敻咚?、1信號(hào)的條件是

38、：A、RC值盡可能小B、RC值盡可能大C、與RC值關(guān)系不大D、RC值不能太大，也不能太?。?C）已知電路如圖2.1所示，此電路屬于：A、低通濾波電路B、高通濾波電路C、帶通濾波電路D、帶阻濾波電路（D）已知電路如圖，輸入信號(hào)為周期2s的對(duì)稱方波，要使輸出信號(hào)仍為對(duì)稱方波，則RC的乘積應(yīng)為：A.RC = 1sB.RC = 2sC.RC >>1sD.RC <<1s（ A ）已知電路如圖，其主要功能為：A、 帶通濾波B、 帶阻濾波C、 低通濾波D、 高通濾波（ A ）一方波經(jīng)過(guò)放大器后，其前沿的上升時(shí)間變大，其主要原因可能為：A、 放大器的上限截止頻率fH低B、 放大器的上限

39、截止頻率fH高C、 放大器的下限截止頻率fL低D、 放大器的下限截止頻率fL高（ C ）一前后沿很陡的方波通過(guò)一放大電路，若其輸出的方波前后沿變得不陡，甚至近似為三角波或鋸齒波，其主要原因?yàn)椋?A、放大器的增益不合適 B、放大器的下限截止頻率fL過(guò)高C C、放大器的上限截止頻率fH過(guò)低 D、放大器的上限截止6. 集成運(yùn)放：虛短虛斷6、（ B）已知電路如圖二，RC<< ，則輸出信號(hào)0的波形為：A、0為方波 B、0為微分脈沖C、0為正弦波 D、0為鋸齒波 （C ）已知電路如下圖(EDP0702207)，輸入幅值為2V的正弦信號(hào)，則輸出信號(hào)為：A、被放大了的正弦波B、為占空比1：1的方波

40、C、為占空比小于1的方波D、為占空比大于1的方波 9. ( D ) 已知電路如下圖，輸入為正弦波，RC乘積足夠大，其輸出端信號(hào)為 A.仍為正弦波 B.為方波 C.為鋸齒波 D.為三角波 （ D ）已知電路如下圖(EDP0702213)，輸入信號(hào)為周期為2s的對(duì)稱方波，若要輸出信號(hào)仍為不失真的對(duì)稱方波，則RC的乘積應(yīng)：A、RC = 1s B、RC = 24s C、RC >> 1sD、RC < < 1s 11.（ × ）可用普通三用表檢測(cè)音頻信號(hào)的電壓大小。知識(shí)點(diǎn)三、數(shù)字電路1.計(jì)數(shù)器：1.（ ）計(jì)數(shù)器可作分頻之用。2.（ × ）N進(jìn)制計(jì)數(shù)器可以實(shí)現(xiàn)（N

41、-1）次分頻。（PPT）觸發(fā)器：1.（ × ）JK觸發(fā)器的J、K兩輸入端若接入不同信號(hào)（0，1）時(shí)，則輸出端Q的電平將隨K端信號(hào)而變化。2.（ × ）觸發(fā)器的置位端（置1端）至輸出端的信號(hào)延時(shí)量一定大于觸發(fā)器由輸入端至輸出端的延時(shí)量。3.（ ）觸發(fā)器復(fù)位端（清零端）至輸出端的時(shí)延一定小于輸入端至輸出端的時(shí)延。4.（ ）下列各觸發(fā)器中，具有約束條件的觸發(fā)器是：A、主從JK觸發(fā)器 B、主從D觸發(fā)器C、同步RS觸發(fā)器 D、邊沿D觸發(fā)器2.門(mén)電路：1.（ ）在實(shí)際電路中，與門(mén)、與非門(mén)的多余輸入端口最好都接高電平，以免干擾信號(hào)竄入電路。2.（ × ）多輸入端或非門(mén)中沒(méi)有用到

42、的輸入端口最好接高電平，以免干擾信號(hào)竄入電路。3.（ × ）與門(mén)的多余輸入端，在使用時(shí)，最好接低電平0。4.（ X ）多輸入端與非門(mén)中沒(méi)有用到的輸入端口最好接地，以免干擾信號(hào)竄入。5.（ X ）多個(gè)TTL電路的輸出端可并聯(lián)使用（線與連接）6.（ ）在數(shù)字電路系統(tǒng)中，信號(hào)波形產(chǎn)生毛刺（競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)）的條件是在同一時(shí)刻有多個(gè)輸入信號(hào)發(fā)生突變。7.（ D ）與非、或非門(mén)的封門(mén)端電平（輸出端狀態(tài)僅由此端決定，與其它輸入端狀態(tài)無(wú)關(guān)）為：A、均為低電平0B、均為高電平1C、與非門(mén)為1，或非門(mén)為0D、與非門(mén)為0，或非門(mén)為18.（ D ）用異或門(mén)可對(duì)兩同頻率方波進(jìn)行相位比較（相位檢測(cè)），可判斷出兩輸入信

43、號(hào)間相位差的最大值可達(dá)：A、45°B、90°C、135°D、180°3.FPGA：1.（ ）通常，F(xiàn)PGA芯片的工作電壓（供電電壓）為3.3V，而單片機(jī)的工作電壓為5V。2.（ ）FPGA的顯著特點(diǎn)是它的靈活性、高速性及豐富的資源。邏輯電路：1.（ × ）組合邏輯電路具有記憶功能。2.（ ）時(shí)序邏輯電路的輸出狀態(tài)與輸入信號(hào)的歷史狀態(tài)有關(guān)，它具有記憶功能。3.（ × ）時(shí)序邏輯電路無(wú)記憶功能。4.（ × ）譯碼器、加法器、觸發(fā)器等都屬于組合邏輯電路。5.（ ）已知電路如圖2.3，下述哪種說(shuō)法是正確的：A、R值無(wú)論大小，發(fā)光管均

44、不亮B、R值無(wú)論大小，發(fā)光管均亮C、R值為很小時(shí)，發(fā)光管才能亮D、R值為很大時(shí)，發(fā)光管才能亮6.（ B ）用TTL與非門(mén)或CMOS與非門(mén)組成如圖電路，使發(fā)光管發(fā)光的條件為：A、兩類與非門(mén)、電位器在任何位置B、只有CMOS與非門(mén)、電位器在任何位置C、只有TTL與非門(mén)、電位器在任何位置D、兩類與非門(mén)、電位器在任何位置均不4.代數(shù)邏輯1.( ) 邏輯代數(shù)中,下述關(guān)系成立: 74系列：1.（ × ）74H系列TTL集成電路的最高工作頻率要高于74AS系列TTL的最高工作頻率。2.（ × ）74LS47是輸出低電平有效的7段字形譯碼器，與其相配合使用的LED數(shù)碼管應(yīng)為共陰接法。3.（

45、 ）SN54H/74H系列器件均為高速系列數(shù)字集成芯片。4.（ × ）數(shù)字電路中只有高低兩種電平，即1和0兩種狀態(tài)。5.（ ）國(guó)標(biāo)CT4000系列的數(shù)字電路相當(dāng)于國(guó)際上的SN54LSXX/74LSXX系列的器件，它們都是低功耗肖特其系列器件。數(shù)電基礎(chǔ)知識(shí)：TTL電平與CMOS電平的區(qū)別知識(shí)點(diǎn)四 單片機(jī)：匯編語(yǔ)言、存儲(chǔ)器容量、時(shí)鐘周期、工作方式、復(fù)位、接口、指令執(zhí)行過(guò)程、串口、接口芯片 1. 語(yǔ)言l 高級(jí)語(yǔ)言：面向算法VB等；中級(jí)語(yǔ)言：C面向算法兼顧部分硬件；低級(jí)語(yǔ)言：匯編，面向底層硬件；機(jī)器語(yǔ)言：二進(jìn)制代碼計(jì)算機(jī)系統(tǒng)應(yīng)包括 硬件系統(tǒng) 、 軟件系統(tǒng) 兩大部分。（ ）匯編語(yǔ)言與硬件電路及

46、CPU間的關(guān)系是：不是面向硬件電路的計(jì)算機(jī)語(yǔ)言，與CPU有關(guān)。不是面向硬件電路的計(jì)算機(jī)語(yǔ)言，與CPU無(wú)關(guān)。是面向硬件電路的計(jì)算機(jī)語(yǔ)言，與CPU有關(guān)。是面向硬件電路的計(jì)算機(jī)語(yǔ)言，與CPU無(wú)關(guān)。（ × ）用高級(jí)語(yǔ)言編寫(xiě)的計(jì)算機(jī)程序，既可提高計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度，又可節(jié)省內(nèi)存空間。（ × ）計(jì)算機(jī)的機(jī)器語(yǔ)言能為硬件電路所識(shí)別，它與所用CPU的類型無(wú)關(guān)。( × ) 計(jì)算機(jī)的高級(jí)語(yǔ)言是面向問(wèn)題、面向用戶的程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言，與所用的微處理器有關(guān)。（ ）匯編語(yǔ)言只有經(jīng)過(guò)“編譯/匯編”程序翻譯成機(jī)器語(yǔ)言后才能為計(jì)算機(jī)所執(zhí)行。13、（ ）對(duì)于同一操作，與匯編語(yǔ)言程序相比，高級(jí)語(yǔ)言程序的特點(diǎn)

47、是： A、電路執(zhí)行速度快，所需存儲(chǔ)空間小 B、電路執(zhí)行速度快，所需存儲(chǔ)空間大 C、電路執(zhí)行速度慢，所需存儲(chǔ)空間大 D、電路執(zhí)行速度慢，所需存儲(chǔ)空間小2.存儲(chǔ)器容量l 存儲(chǔ)器可尋址空間（能夠找到的最大單元數(shù)）2的N（地址線條數(shù)）次方。6、（ ）已知某半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的地址線為12根，則此存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為： A、512KB B、1024KB C、2048KB D、4096KB（ ）某存儲(chǔ)芯片，若8根數(shù)據(jù)線作地址線與8根地址線復(fù)用，則此存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)容量為：A、8KBB、32KBC、64KBD、128KB（ ）某存儲(chǔ)芯片，若8根數(shù)據(jù)線作地址線與8根地址線復(fù)用，則此存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)容量為：A、8KBB、32KBC、64KBD、128KB3.時(shí)鐘周期單片機(jī)系統(tǒng)中，指令周期T1、機(jī)器周期T2、時(shí)鐘周期T3，三者的時(shí)間關(guān)系為：A、T3> T2> T1 B、T2> T1> T3 C、T1> T2> T3 D、T1> T3> T2( × ) 單片機(jī)系統(tǒng)中的時(shí)鐘周期一般與指令周期相等。.（ ）單片機(jī)系統(tǒng)中的時(shí)鐘振蕩周期即為指令周期。4.指令（