半導(dǎo)體器件物理復(fù)習(xí)綱領(lǐng)（Word）

1、第一章1試畫出金屬及半導(dǎo)體相對真空能級的能帶圖，并標(biāo)出有關(guān)電勢符號加以說明？2當(dāng)金屬半導(dǎo)體緊密接觸以后，如何建立統(tǒng)一的費米能級Ef？ 說明bms的物理意義是什么？3說明公式qsqsq（EcEf）的物理意義？4什么是“肖特基勢壘”？寫出其表達式？它是對什么區(qū)域電子而言？5金屬半導(dǎo)體結(jié)的正偏如何？6金屬半導(dǎo)體結(jié)的反偏特性如何？7肖特基勢壘qb是金半結(jié)什么偏置下建立的？8金半的1/c2(VR+0)曲線是什么原理制作？9金半1/c2V曲線有何應(yīng)用？10什么是界面態(tài)？11表面態(tài)對E0<Ef及 E0>Ef時對金半自建場有何影響？12試簡述金半IV的電流輸運理論？13從熱電子發(fā)射出發(fā)說明dn=N

2、(c)·f(E)·dE的物理意義？14試簡述熱電子發(fā)射理論求得的電流方程式I0=ART2exp(-m/KT)是如何建立的？15有金屬真空系統(tǒng)推倒的電流公式可用于MS結(jié)嗎？16寫出金半的正偏、反偏及總的電流表達式？17如何從SM結(jié)上的IV特性曲線求I0及b?18什么是鏡像力？它對電勢有何影響？19在MS結(jié)中鏡像力對金屬的勢壘有何影響？20在MS結(jié)的反偏時，其實際值與理論值差異是如何形成的？寫出修正式？21試畫出MIS結(jié)的能帶圖，并說明MIS對半導(dǎo)體勢壘的影響？22MIS二極管的傳導(dǎo)電流何種特性？寫出其電流表達式？23MIS的氧化層對載流子有何影響？24什么是SBD二極管？有何

3、特點？舉例IC及高頻方面的應(yīng)用？25什么是歐姆接觸（非整流的MS結(jié)）？26畫出N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體形成歐姆接觸能帶圖，并作說明。27為什么說實際歐姆接觸僅是一種近似？電流機制是什么？28獲得良好的歐姆接觸的工藝措施是什么？29SBD二極管“周邊效應(yīng)”有何影響？30SBD二極管的改進結(jié)構(gòu)如何？31什么是異質(zhì)結(jié)？第二章1什么是PN結(jié)？什么是平衡PN結(jié)？2畫出平衡PN結(jié)的能帶圖，并說明PN結(jié)平衡的標(biāo)志是什么？3平衡結(jié)的空間電荷區(qū)是如何建立的，作圖說明。4作圖說明PN結(jié)空間電荷區(qū)中的電荷分布情況。5泊松方程是描述什么情況？6PN結(jié)P型中性區(qū)和N型中性區(qū)中的電勢表達式如何？7試推導(dǎo)平衡PN結(jié)的自建電勢

4、0表達式。8什么叫單邊突變結(jié)？什么樣的結(jié)可作單邊突變結(jié)近似？9何為“耗盡近似”？寫出“耗盡近似”下的PN結(jié)中性區(qū)的泊松方程。1 / 1310試證明單邊突變結(jié)的勢壘區(qū)最大電場式。11試證明單邊結(jié)勢壘區(qū)的電子電勢能表達式。12是非平衡結(jié)？13線性緩變結(jié)有和特點？寫出電荷分布式及電勢表達式。14試作圖說明外加電壓對費米能級的影響。15非平衡PN結(jié)中準(zhǔn)費米能級分裂說明什么問題？16PN結(jié)正偏于反偏對勢壘區(qū)電場有何影響？17試寫出平衡結(jié)邊界上少子濃度表達式。18證明非平衡結(jié)正偏小注入條件下少子濃度表達式。19畫出正偏PN結(jié)少子注入分布圖象并作說明。什么是正偏（小注入）的擴散近似？21試從“擴散近似”推導(dǎo)

5、正偏時，空穴和電子的擴散方程。22試從空穴（少子）的擴散方程推導(dǎo)正偏下的空穴電流式。23推導(dǎo)電流公式時采用了哪些假設(shè)條件？24PN結(jié)的電流是如何滿足電流的連續(xù)性原理的？25PN結(jié)的電流中少子電流于多子電流是如何轉(zhuǎn)換的？26試畫出PN電流的分布圖象（包括少子與多子的電流）？27試畫出PN結(jié)的IV曲線，并從電流式進行說明？28在正偏PN結(jié)中，可出現(xiàn)PN>ni有何影響？29勢壘區(qū)的復(fù)合最大速率在什么情況下產(chǎn)生？30試推出PN勢壘區(qū)復(fù)合電流式：Irec=IRev/2Vt.31試從PN結(jié)正偏電壓大小(即電流水平高低)分析IV曲線.32在反偏PN結(jié)中,可出現(xiàn)33重摻雜的PN結(jié)PN結(jié)能帶有何影響?34

6、隧道結(jié)的高摻雜區(qū)的雜質(zhì)濃度在什么水平?35試說明隧道二極管的IV曲線特征是什么?36圖為隧道二極管IV曲線,試分別說明圖中A-G各點原因是什么?(畫能帶圖)37隧道管中負阻現(xiàn)象產(chǎn)生原因?38寫出電流式,說明式中各項原因?39PN勢壘電容的含義是什么?40寫出勢壘電容C與Nd及VR關(guān)系的表達式？41試推導(dǎo)關(guān)系式42如何利用曲線求雜質(zhì)分布？43如何利用關(guān)系求勢壘寬度W？44如何利用曲線求C45變?nèi)荻O管有何特征？46什么是PN結(jié)擊穿？PN結(jié)擊穿時均發(fā)生燒毀嗎？47試說明PN結(jié)的“齊納擊穿”機理？48什么是PN結(jié)的血崩擊穿？49反偏PN結(jié)中載流子“倍增效因”是什么意思？50“電離率”如何定義？51“

7、雪崩擊穿”與“齊納擊穿”有何區(qū)別？52試推導(dǎo)。53寫出PN結(jié)的雪崩擊穿和摻雜濃度或雜質(zhì)梯度的關(guān)系式，并說明改善的措施是什么？54PN結(jié)的結(jié)面形狀影響雪崩擊穿Vb嗎？為什么？55什么是穿通電壓？第三章1半導(dǎo)體的光吸收有幾種類型？與光電器件有關(guān)的吸收屬什么類型？2什么是“本征吸收”，作圖說明？3什么是“直接躍遷”與“間接躍遷”？作圖說明？4吸收的光子能量如何確定？為什么說本征吸收是一種“連續(xù)吸收譜”？5本征吸收的譜有何特征？6什么是光通量？光吸收與光通量有何關(guān)系？7試寫出xx，x0，xd三個位置光吸收式？并說明其物理意義？8簡述光生伏特效應(yīng)的過程？9光電池的開路電壓是怎樣產(chǎn)生的？10試畫出光生伏特

8、效應(yīng)過程的能帶圖？11光照能使PN結(jié)的平衡Ef發(fā)生變化嗎？為什么？12試說明光伏效應(yīng)的光電流及結(jié)電流？13在恒定光照下，二極管（PN結(jié)）電流表達式如何？14在太陽電池材料均勻吸收情況下光電流式如何（證明）？15試推導(dǎo)太陽電池的開路電壓表達式。16太陽電池的輸出功率與襯底濃度有關(guān)嗎？有何關(guān)系？17從太陽電池的IV曲線說明“短路電流”、“開路電壓”，最大輸出功率矩形對應(yīng)的Imp和Vmp？18太陽電池的光子吸收效率與什么有關(guān)？19寫出光生少子的連續(xù)性方程式？20影響光子吸收效率的因素有那些？21太陽電池串聯(lián)電阻影響如何改進？22太陽電池一般為什么采用Si式GaAs？23表面反射比與抗反射層設(shè)計如何？

9、24MIS電池有何特點？其電流機制如何？25什么是電致發(fā)光？并說明PN結(jié)電致發(fā)光的過程？（用能帶圖）26寫出電流注入效應(yīng)表達式，并說明各項含義？27為什么在電流注入效率式中，分子僅為In？28為什么對電致發(fā)光有主要貢獻的是電子擴散電流？29電注入少子的復(fù)合途徑有那些？寫出其復(fù)合速率式？30試用能帶圖表示復(fù)合途徑，并說明那些有輻射作用？31什么是輻射效率？寫出其表達式？32什么是內(nèi)量子效應(yīng)？與那些因素有關(guān)？33什么是外量子效應(yīng)？與那些因素有關(guān)？34提高est的主要辦法有那些？為什么？35發(fā)光管設(shè)計中對結(jié)深xj有何要求？36發(fā)光管設(shè)計中對P區(qū)雜質(zhì)濃度有何要求？37對LED表面保護層設(shè)計有何要求？G

10、aAs的LED采用何種窗口材料？38LED的發(fā)光強度與窗口材料的值有何關(guān)系？39寫出LED的亮度表達式？說明各項意義？40LED的襯底材料對LED有影響嗎？舉例說明？第四章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管（思考題）1結(jié)型場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)如何？與晶體管有何區(qū)別？2試從JFET和PNP二種晶體管特性曲線說明二者主要區(qū)別是什么？（為什么說JEFT是電壓控制器件?）3試分別說明JEFT的漏電壓和柵電壓對溝道的調(diào)制作用如何？4什么是JEFT的夾斷電壓？5右圖為VGS0的I-V曲線，試分別說明OA,AB,BC三段曲線。6試說明JEFT的工作原理。7什么是“漸近溝道近似”？8JEFT的電流式如何求得的？9在討論JEFT在

11、線性區(qū)工作的I-V關(guān)系時，考慮到什么近似條件？10寫出線性區(qū)的I-V關(guān)系式，并作說明。11寫出夾斷點的電壓關(guān)系式，并說明夾斷點電壓的不同。12什么是JEFT的“轉(zhuǎn)移特性”？13寫出飽和區(qū)的飽和電流簡化式，并作說明。14由簡化飽和電流式對應(yīng)的“轉(zhuǎn)移特性”有什么特點？15試說明三個參數(shù)：Rin;Vb;R0和Rs.16什么是溝道長度調(diào)制效應(yīng)？17JEFT的飽和區(qū)電流在實際上并不飽和，為什么？18作圖說明：VD-L-LG0ID（飽和區(qū)），并說明夾斷后飽和電流如何修正？19什么是JFET的跨導(dǎo)？gm標(biāo)志什么？20漏源溝道電阻標(biāo)志是什么？21寫出飽和跨導(dǎo)式？22為什么JFET可做電壓控制的可變電阻？23試

12、畫出JFET的小信號等效電路，并作說明？24JFET的截止頻率如何定義？25試推導(dǎo)fcogm/2CG？26為什么短溝道的JFET工作頻率高？第五章1MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)如何？為什么分增強型與耗盡型？2試說明N溝MOS晶體管的工作原理？3為簡化討論，理想MOS的假設(shè)包括那些？4外加電壓在MOS三層結(jié)構(gòu)中分布如何？作圖說明？5外加電壓在深入半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生的電場有何影響？6什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子積累態(tài)？（從濃度公式說明）7發(fā)生積累態(tài)時，半導(dǎo)體能帶如何？8什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子耗盡態(tài)？9發(fā)生耗盡態(tài)時，半導(dǎo)體能帶如何？10什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子反型態(tài)？11發(fā)生反型態(tài)時，半導(dǎo)體能

13、帶如何？12為什么我們對反型層更有興趣研究？13什么是感生PN結(jié)？它與MOS管有何關(guān)系？14什么是弱反型及強反型？強反型條件是什么？15試說明強反型的“臨界條件”為什么是Si2f？16強反型時空間電荷區(qū)如何？（Xdm）17為什么說強反型后，電荷QI為外加?xùn)烹妷旱暮瘮?shù)？18MOS電容器為什么說比較復(fù)雜？19在理想的MOS結(jié)構(gòu)中，推導(dǎo)下式：VGQS/C0S20從MOS結(jié)構(gòu)的等效電路推導(dǎo)MOS電容：CMOSC0CS/（C0CS）21在MOS結(jié)構(gòu)的MOS電容式中如何體現(xiàn)CVG關(guān)系？（即CSS關(guān)系）22在MOS電容式中，Cs有幾種情況？23表達CVG關(guān)系的曲線有何特點？（指不同頻率條件實驗曲線）24試說

14、明半導(dǎo)體表面在積累態(tài)時CV曲線？25試說明半導(dǎo)體表面在耗盡態(tài)時CV曲線？26試說明半導(dǎo)體表面在強反型態(tài)時CV曲線？27試說明MOS的CV曲線在VG0時情況？28理想MOS晶體管的閾值電壓如何？29試說明MOS管的溝道電導(dǎo)與柵壓之間關(guān)系？30理想MOS管的“平帶”條件是什么？31金半功函數(shù)差對MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線有何影響？32MOS結(jié)構(gòu)中金半功函數(shù)為什么可看作“寄生電場”？33MOS的絕緣柵（SiO2）中有那些正電荷？34MOS的絕緣柵（SiO2）中的正電荷對MOS的CV曲線有何影響？35當(dāng)功函數(shù)差及SiO2中正電荷兩因素同時對MOS的CV曲線影響，如何反應(yīng)在“平帶電壓”上？36若要MOS在開啟

15、之前呈強反型，柵上應(yīng)加什么電壓？37理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么？38非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么？39非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓表達式如何？40試比較MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何相似之處？41試說明MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何不同？42試說明MOS管與JFET兩者在IV曲線上有何相似？43試說明MOS管與JFET兩者在IV曲線上有何不同？44對于JFET的“內(nèi)夾斷電壓”，說明MOS的夾斷電壓？45MOS管的開啟電壓是指什么？46試用MOS管圖解說明VTH作用？（分理想與實際）47在SiO2中有那些正電荷？48 SiO2中可動離子來源何處？其漂移速度與

16、什么因素有關(guān)？49Na離子漂移對CV曲線有何影響？50如何消除玷污影響？什么是BT實驗？51 SiO2中離子Si（固定表面電荷）有什么特征？（100）面上密度如何？52固定表面電荷對CV曲線有何影響？如何降低Qfc？53什么是快界面態(tài)？其分布如何？如何降低其密度？54晶體取向界面態(tài)密度有何影響？55試畫出MOSFET剖面圖，并表明位置及各電壓？56 MOS的溝道區(qū)存在那些電場？57寫出溝道內(nèi)x作用，溝區(qū)電荷式及x和y共同作用的溝區(qū)電荷式？58試推導(dǎo)MOS線性區(qū)電流表達式59何為“漸近溝道近似”它應(yīng)用于何處？60若溝區(qū)壓降為V，寫出耗盡區(qū)電荷表達式？61為什么說前節(jié)推導(dǎo)的電流式是簡化式？62 M

17、OS非簡化電流式與簡化式有何不同？63畫出MOS簡化和非簡化電流的IV曲線，并比較兩曲線？64試畫出飽和的MOSFET剖面圖，表明夾斷情況？65MOS的電流飽和條件是什么？寫出飽和區(qū)電流式？66從VDID關(guān)系討論飽和區(qū)電流。67從MOS有效溝長調(diào)制說明IDS隨VDS增加而增大原因？68寫出存在“溝長調(diào)制”時的飽和區(qū)電流式？69MOS飽和態(tài)時L受那些因素影響？70MOS在夾斷之后，漏溝之間的電容耦合作用是指什么？71MOS的小信號導(dǎo)納如何定義？寫出表達式？72試說明MOS的gdVG曲線？73MOS的gdVG是線性嗎？74為什么說MOS可做電壓控制的可變電阻？75 MOS的跨導(dǎo)如何定義？寫出表達式

18、？76試畫出MOS的跨導(dǎo)與電壓的關(guān)系式？77試畫出MOS源與襯底接地的等效電路及襯底不接地時等效電路？78試推導(dǎo)MOS截止頻率表達式？79提高MOS截止頻率的辦法是什么？80MOS的襯底反偏電壓VBS降落在何處？對該區(qū)電荷有何影響？81MOS的襯底偏壓VBS對VTH有何影響？并gdVG用關(guān)系式表達此影響情況？82試畫出N溝MOS鋁柵工藝剖面圖及俯視圖，并標(biāo)出溝道的Z和L及X。83減小N溝鋁柵MOS溝道漏電的主要辦法是什么？84什么是MNOS工藝？85什么是硅柵工藝？其與鋁柵工藝主要區(qū)別是什么？86硅柵工藝最主要特點是什么？87什么是離子注入工藝？有何特點？88什么是SOS工藝？畫出SOS工藝M

19、OS管剖面示意圖？57思考題1試說明雙極管結(jié)構(gòu)特點？2試從雙極管簡化模型說明其偏置情況？3正常工作偏置對雙極管能帶有何影響？4試畫出正常偏置時能帶情況？5試說明雙極管的“注入效應(yīng)”與“收集效應(yīng)“？6雙極管中注入與收集同時起作用的條件是如何？7雙極管中與何意義？8試說明雙極管共發(fā)特性？9雙極管中與IC有何關(guān)系？10從雙極與MOS對比說明為何雙極是電流器件，MOS是電壓器件？11雙極的IB與MOS的VG作用有何不同？12雙極的VCE與MOS的VDS作用相同嗎？為什么？13當(dāng)晶體管作開關(guān)作用時，試畫圖說明雙極與MOS輸出特性曲線及工作點？14在開關(guān)工作時，雙極與MOS有何相同之處？15在開關(guān)工作時，

20、雙極與MOS有何不同之處？器件物理思考題第六章1什么是PN結(jié)？什么是平衡PN結(jié)？2畫出平衡PN結(jié)的能帶圖，并說明PN結(jié)平衡的標(biāo)志是什么？3平衡結(jié)的空間電荷區(qū)是如何建立的，作圖說明。4作圖說明PN結(jié)空間電荷區(qū)中的電荷分布情況。7試推導(dǎo)平衡PN結(jié)的自建電勢DV0表達式。8什么叫單邊突變結(jié)？10試證明單邊突變結(jié)的勢壘區(qū)最大電場式。11什么是非平衡結(jié)？12試作圖說明外加電壓對費米能級的影響。13PN結(jié)正偏與反偏對勢壘區(qū)電場有何影響？14試寫出平衡結(jié)邊界上少子濃度表達式。15非平衡結(jié)正偏小注入條件下少子濃度表達式。16什么是正偏（小注入）的擴散近似？17試從“擴散近似”，推導(dǎo)正偏時空穴和電子的擴散方程。

21、18試從空穴（少子）的擴散方程推導(dǎo)正偏下的空穴電流式。19推導(dǎo)電流公式時采用了哪些假設(shè)條件？21PN結(jié)的電流中少子電流與多子電流是如何轉(zhuǎn)換的？22試畫出PN電流的分布圖象（包括少子與多子的電流）？23試畫出PN結(jié)的I-V曲線，并從電流式進行說明？24在正偏PN結(jié)中，可出現(xiàn)PN>ni有何影響？25勢壘區(qū)的復(fù)合最大速率在什么情況下產(chǎn)生？26在反偏PN結(jié)中，可出現(xiàn)第七章1半導(dǎo)體的光吸收有幾種類型？與光電器件有關(guān)的吸收屬什么類型？2什么是“本征吸收”，作圖說明？3什么是“直接躍遷”與“間接躍遷”？作圖說明？4吸收的光子能量如何確定？5什么是光通量？光吸收與光通量有何關(guān)系？6簡述光生伏特效應(yīng)的過程

22、？7光電池的開路電壓是怎樣產(chǎn)生的？8光照能使PN結(jié)的平衡Ef發(fā)生變化嗎？為什么？9試說明光伏效應(yīng)的光電流及結(jié)電流？10在恒定光照下，二極管（PN結(jié)）電流表達式如何？11在太陽電池材料均勻吸收情況下光電流式如何？12試推導(dǎo)太陽電池的開路電壓表達式。13太陽電池的輸出功率與襯底濃度有關(guān)嗎？有何關(guān)系？14從太陽電池的IV曲線說明“短路電流”、“開路電壓”，最大輸出功率矩形對應(yīng)的Imp和Vmp？15太陽電池的光子吸收效率與什么有關(guān)？16太陽電池一般為什么采用Si式GaAs？17什么是電致發(fā)光？并說明PN結(jié)電致發(fā)光的過程？（用能帶圖）18寫出電流注入效應(yīng)表達式，并說明各項含義？19為什么對電致發(fā)光有主要

23、貢獻的是電子擴散電流？20試用能帶圖表示復(fù)合途徑，并說明那些有輻射作用？21什么是輻射效率？寫出其表達式？22什么是內(nèi)量子效應(yīng)？與那些因素有關(guān)？23什么是外量子效應(yīng)？與那些因素有關(guān)？24提高est的主要辦法有那些？為什么？25發(fā)光管設(shè)計中對結(jié)深xj有何要求？26發(fā)光管設(shè)計中對P區(qū)雜質(zhì)濃度有何要求？27對LED表面保護層設(shè)計有何要求？GaAs的LED采用何種窗口材料？28LED的襯底材料對LED有影響嗎？舉例說明？29試畫出金屬及半導(dǎo)體相對真空能級的能帶圖，并標(biāo)出有關(guān)電勢符號加以說明？30當(dāng)金屬半導(dǎo)體緊密接觸以后，如何建立統(tǒng)一的費米能級Ef？31說明bms的物理意義是什么？32什么是“肖特基勢壘

24、”？寫出其表達式？33金屬半導(dǎo)體結(jié)的正偏如何？34金屬半導(dǎo)體結(jié)的反偏特性如何？35試簡述金-半I-V的電流輸運理論？36什么是歐姆接觸（非整流的MS結(jié)）？37畫出N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體形成歐姆接觸能帶圖，并作說明。38獲得良好的歐姆接觸的工藝措施是什么？39PN勢壘電容的含義是什么?40寫出勢壘電容C與Nd及VR關(guān)系的表達式？41如何利用曲線求雜質(zhì)分布？42變?nèi)荻O管有何特征？43什么是PN結(jié)擊穿？PN結(jié)擊穿時均發(fā)生燒毀嗎？44試說明PN結(jié)的“齊納擊穿”機理？45什么是PN結(jié)的雪崩擊穿？46反偏PN結(jié)中載流子“倍增效因”是什么意思？47“電離率”如何定義？48“雪崩擊穿”與“齊納擊穿”有何區(qū)別

25、？49什么是穿通電壓？50什么是異質(zhì)結(jié)？第八章 1試說明雙極管結(jié)構(gòu)特點？2正常工作偏置對雙極管能帶有何影響？3試畫出正常偏置時能帶情況？4試說明雙極管的“注入效應(yīng)”與“收集效應(yīng)“？5雙極管中注入與收集同時起作用的條件是如何？6雙極管中與何意義？7雙極管中與IC有何關(guān)系？8從雙極與MOS對比說明為何雙極是電流器件，MOS是電壓器件？9雙極的IB與MOS的VG作用有何不同？10雙極的VCE與MOS的VDS作用相同嗎？為什么？11當(dāng)晶體管作開關(guān)作用時，試畫圖說明雙極與MOS輸出特性曲線及工作點？12在開關(guān)工作時，雙極與MOS有何相同之處？13在開關(guān)工作時，雙極與MOS有何不同之處？第十章 1結(jié)型場效

26、應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)如何？與晶體管有何區(qū)別？2試從JFET和PNP二種晶體管特性曲線說明二者主要區(qū)別是什么？（為什么說JEFT是電壓控制器件?）3試分別說明JEFT的漏電壓和柵電壓對溝道的調(diào)制作用如何？4什么是JEFT的夾斷電壓？5試說明JEFT的工作原理。6JEFT的電流式如何求得的？7寫出線性區(qū)的I-V關(guān)系式，并作說明。8寫出夾斷點的電壓關(guān)系式，并說明夾斷點電壓的不同。9寫出飽和區(qū)的飽和電流簡化式，并作說明。10JEFT的飽和區(qū)電流在實際上并不飽和，為什么？11MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)如何？為什么分增強型與耗盡型？12試說明N溝MOS晶體管的工作原理？13為簡化討論，理想MOS的假設(shè)包括那些？14外加

27、電壓在MOS三層結(jié)構(gòu)中分布如何？作圖說明？15外加電壓在深入半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生的電場有何影響？16什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子積累態(tài)？（從濃度公式說明）17發(fā)生積累態(tài)時，半導(dǎo)體能帶如何？18什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子耗盡態(tài)？19發(fā)生耗盡態(tài)時，半導(dǎo)體能帶如何？20什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子反型態(tài)？21發(fā)生反型態(tài)時，半導(dǎo)體能帶如何？22為什么我們對反型層更有興趣研究？23試說明強反型的“臨界條件”為什么是Si2f？24強反型時空間電荷區(qū)如何？（Wdm）25為什么說強反型后，電荷QI為外加?xùn)烹妷旱暮瘮?shù)？26在理想的MOS結(jié)構(gòu)中，推導(dǎo)下式：VGQS/C0VS27在MOS電容式中，Cs有幾種情況

28、？28試說明半導(dǎo)體表面在積累態(tài)時C-V曲線？29試說明半導(dǎo)體表面在耗盡態(tài)時C-V曲線？30試說明半導(dǎo)體表面在強反型態(tài)時C-V曲線？31試說明MOS的C-V曲線在VG0時情況？32理想MOS晶體管的閾值電壓如何？33試說明MOS管的溝道電導(dǎo)與柵壓之間關(guān)系？34理想MOS管的“平帶”條件是什么？35金半功函數(shù)差對MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線有何影響？36MOS的絕緣柵（SiO2）中的正電荷對MOS的C-V曲線有何影響？37當(dāng)功函數(shù)差及SiO2中正電荷兩因素同時對MOS的C-V曲線影響，如何反應(yīng)在“平帶電壓”上？38若要MOS在開啟之前呈強反型，柵上應(yīng)加什么電壓？39理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么

29、？40非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么？41非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓表達式如何？42試比較MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何相似之處？43試說明MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何不同？44試說明MOS管與JFET兩者在I-V曲線上有何相似？43試說明MOS管與JFET兩者在I-V曲線上有何不同？44MOS管的開啟電壓是指什么？45試畫出MOSFET剖面圖，并表明位置及各電壓？46 MOS的溝道區(qū)存在那些電場？47寫出溝道內(nèi)x作用，溝區(qū)電荷式及x和y共同作用的溝區(qū)電荷式？48試推導(dǎo)MOS線性區(qū)電流表達式49何為“漸近溝道近似”它應(yīng)用于何處？50若溝區(qū)壓降為V，寫出耗盡區(qū)電荷表達式？51為什么說前節(jié)推導(dǎo)的電流式是簡化式？52 MOS非簡化電流式與簡化式有何不同？53MOS的電流飽和條件是什么？寫出飽和區(qū)電流式？54從VDID關(guān)系討論飽和區(qū)電流。55從MOS有效溝長調(diào)制說明IDS隨VDS增加而增大原因？56MOS飽和態(tài)時L受那些因素影響？57MOS的小信號導(dǎo)納如何定義？寫出表達式？58MOS的跨導(dǎo)如何定義？寫出表達式？59試求出MOS的跨導(dǎo)與電壓的關(guān)系式