版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、第一章1試畫出金屬及半導(dǎo)體相對真空能級的能帶圖,并標(biāo)出有關(guān)電勢符號加以說明?2當(dāng)金屬半導(dǎo)體緊密接觸以后,如何建立統(tǒng)一的費(fèi)米能級Ef? 說明bms的物理意義是什么?3說明公式qsqsq(EcEf)的物理意義?4什么是“肖特基勢壘”?寫出其表達(dá)式?它是對什么區(qū)域電子而言?5金屬半導(dǎo)體結(jié)的正偏如何?6金屬半導(dǎo)體結(jié)的反偏特性如何?7肖特基勢壘qb是金半結(jié)什么偏置下建立的?8金半的1/c2(VR+0)曲線是什么原理制作?9金半1/c2V曲線有何應(yīng)用?10什么是界面態(tài)?11表面態(tài)對E0<Ef及 E0>Ef時(shí)對金半自建場有何影響?12試簡述金半IV的電流輸運(yùn)理論?13從熱電子發(fā)射出發(fā)說明dn=N
2、(c)·f(E)·dE的物理意義?14試簡述熱電子發(fā)射理論求得的電流方程式I0=ART2exp(-m/KT)是如何建立的?15有金屬真空系統(tǒng)推倒的電流公式可用于MS結(jié)嗎?16寫出金半的正偏、反偏及總的電流表達(dá)式?17如何從SM結(jié)上的IV特性曲線求I0及b?18什么是鏡像力?它對電勢有何影響?19在MS結(jié)中鏡像力對金屬的勢壘有何影響?20在MS結(jié)的反偏時(shí),其實(shí)際值與理論值差異是如何形成的?寫出修正式?21試畫出MIS結(jié)的能帶圖,并說明MIS對半導(dǎo)體勢壘的影響?22MIS二極管的傳導(dǎo)電流何種特性?寫出其電流表達(dá)式?23MIS的氧化層對載流子有何影響?24什么是SBD二極管?有何
3、特點(diǎn)?舉例IC及高頻方面的應(yīng)用?25什么是歐姆接觸(非整流的MS結(jié))?26畫出N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體形成歐姆接觸能帶圖,并作說明。27為什么說實(shí)際歐姆接觸僅是一種近似?電流機(jī)制是什么?28獲得良好的歐姆接觸的工藝措施是什么?29SBD二極管“周邊效應(yīng)”有何影響?30SBD二極管的改進(jìn)結(jié)構(gòu)如何?31什么是異質(zhì)結(jié)?第二章1什么是PN結(jié)?什么是平衡PN結(jié)?2畫出平衡PN結(jié)的能帶圖,并說明PN結(jié)平衡的標(biāo)志是什么?3平衡結(jié)的空間電荷區(qū)是如何建立的,作圖說明。4作圖說明PN結(jié)空間電荷區(qū)中的電荷分布情況。5泊松方程是描述什么情況?6PN結(jié)P型中性區(qū)和N型中性區(qū)中的電勢表達(dá)式如何?7試推導(dǎo)平衡PN結(jié)的自建電勢
4、0表達(dá)式。8什么叫單邊突變結(jié)?什么樣的結(jié)可作單邊突變結(jié)近似?9何為“耗盡近似”?寫出“耗盡近似”下的PN結(jié)中性區(qū)的泊松方程。1 / 1310試證明單邊突變結(jié)的勢壘區(qū)最大電場式。11試證明單邊結(jié)勢壘區(qū)的電子電勢能表達(dá)式。12是非平衡結(jié)?13線性緩變結(jié)有和特點(diǎn)?寫出電荷分布式及電勢表達(dá)式。14試作圖說明外加電壓對費(fèi)米能級的影響。15非平衡PN結(jié)中準(zhǔn)費(fèi)米能級分裂說明什么問題?16PN結(jié)正偏于反偏對勢壘區(qū)電場有何影響?17試寫出平衡結(jié)邊界上少子濃度表達(dá)式。18證明非平衡結(jié)正偏小注入條件下少子濃度表達(dá)式。19畫出正偏PN結(jié)少子注入分布圖象并作說明。什么是正偏(小注入)的擴(kuò)散近似?21試從“擴(kuò)散近似”推導(dǎo)
5、正偏時(shí),空穴和電子的擴(kuò)散方程。22試從空穴(少子)的擴(kuò)散方程推導(dǎo)正偏下的空穴電流式。23推導(dǎo)電流公式時(shí)采用了哪些假設(shè)條件?24PN結(jié)的電流是如何滿足電流的連續(xù)性原理的?25PN結(jié)的電流中少子電流于多子電流是如何轉(zhuǎn)換的?26試畫出PN電流的分布圖象(包括少子與多子的電流)?27試畫出PN結(jié)的IV曲線,并從電流式進(jìn)行說明?28在正偏PN結(jié)中,可出現(xiàn)PN>ni有何影響?29勢壘區(qū)的復(fù)合最大速率在什么情況下產(chǎn)生?30試推出PN勢壘區(qū)復(fù)合電流式:Irec=IRev/2Vt.31試從PN結(jié)正偏電壓大小(即電流水平高低)分析IV曲線.32在反偏PN結(jié)中,可出現(xiàn)33重?fù)诫s的PN結(jié)PN結(jié)能帶有何影響?34
6、隧道結(jié)的高摻雜區(qū)的雜質(zhì)濃度在什么水平?35試說明隧道二極管的IV曲線特征是什么?36圖為隧道二極管IV曲線,試分別說明圖中A-G各點(diǎn)原因是什么?(畫能帶圖)37隧道管中負(fù)阻現(xiàn)象產(chǎn)生原因?38寫出電流式,說明式中各項(xiàng)原因?39PN勢壘電容的含義是什么?40寫出勢壘電容C與Nd及VR關(guān)系的表達(dá)式?41試推導(dǎo)關(guān)系式42如何利用曲線求雜質(zhì)分布?43如何利用關(guān)系求勢壘寬度W?44如何利用曲線求C45變?nèi)荻O管有何特征?46什么是PN結(jié)擊穿?PN結(jié)擊穿時(shí)均發(fā)生燒毀嗎?47試說明PN結(jié)的“齊納擊穿”機(jī)理?48什么是PN結(jié)的血崩擊穿?49反偏PN結(jié)中載流子“倍增效因”是什么意思?50“電離率”如何定義?51“
7、雪崩擊穿”與“齊納擊穿”有何區(qū)別?52試推導(dǎo)。53寫出PN結(jié)的雪崩擊穿和摻雜濃度或雜質(zhì)梯度的關(guān)系式,并說明改善的措施是什么?54PN結(jié)的結(jié)面形狀影響雪崩擊穿Vb嗎?為什么?55什么是穿通電壓?第三章1半導(dǎo)體的光吸收有幾種類型?與光電器件有關(guān)的吸收屬什么類型?2什么是“本征吸收”,作圖說明?3什么是“直接躍遷”與“間接躍遷”?作圖說明?4吸收的光子能量如何確定?為什么說本征吸收是一種“連續(xù)吸收譜”?5本征吸收的譜有何特征?6什么是光通量?光吸收與光通量有何關(guān)系?7試寫出xx,x0,xd三個(gè)位置光吸收式?并說明其物理意義?8簡述光生伏特效應(yīng)的過程?9光電池的開路電壓是怎樣產(chǎn)生的?10試畫出光生伏特
8、效應(yīng)過程的能帶圖?11光照能使PN結(jié)的平衡Ef發(fā)生變化嗎?為什么?12試說明光伏效應(yīng)的光電流及結(jié)電流?13在恒定光照下,二極管(PN結(jié))電流表達(dá)式如何?14在太陽電池材料均勻吸收情況下光電流式如何(證明)?15試推導(dǎo)太陽電池的開路電壓表達(dá)式。16太陽電池的輸出功率與襯底濃度有關(guān)嗎?有何關(guān)系?17從太陽電池的IV曲線說明“短路電流”、“開路電壓”,最大輸出功率矩形對應(yīng)的Imp和Vmp?18太陽電池的光子吸收效率與什么有關(guān)?19寫出光生少子的連續(xù)性方程式?20影響光子吸收效率的因素有那些?21太陽電池串聯(lián)電阻影響如何改進(jìn)?22太陽電池一般為什么采用Si式GaAs?23表面反射比與抗反射層設(shè)計(jì)如何?
9、24MIS電池有何特點(diǎn)?其電流機(jī)制如何?25什么是電致發(fā)光?并說明PN結(jié)電致發(fā)光的過程?(用能帶圖)26寫出電流注入效應(yīng)表達(dá)式,并說明各項(xiàng)含義?27為什么在電流注入效率式中,分子僅為In?28為什么對電致發(fā)光有主要貢獻(xiàn)的是電子擴(kuò)散電流?29電注入少子的復(fù)合途徑有那些?寫出其復(fù)合速率式?30試用能帶圖表示復(fù)合途徑,并說明那些有輻射作用?31什么是輻射效率?寫出其表達(dá)式?32什么是內(nèi)量子效應(yīng)?與那些因素有關(guān)?33什么是外量子效應(yīng)?與那些因素有關(guān)?34提高est的主要辦法有那些?為什么?35發(fā)光管設(shè)計(jì)中對結(jié)深xj有何要求?36發(fā)光管設(shè)計(jì)中對P區(qū)雜質(zhì)濃度有何要求?37對LED表面保護(hù)層設(shè)計(jì)有何要求?G
10、aAs的LED采用何種窗口材料?38LED的發(fā)光強(qiáng)度與窗口材料的值有何關(guān)系?39寫出LED的亮度表達(dá)式?說明各項(xiàng)意義?40LED的襯底材料對LED有影響嗎?舉例說明?第四章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管(思考題)1結(jié)型場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)如何?與晶體管有何區(qū)別?2試從JFET和PNP二種晶體管特性曲線說明二者主要區(qū)別是什么?(為什么說JEFT是電壓控制器件?)3試分別說明JEFT的漏電壓和柵電壓對溝道的調(diào)制作用如何?4什么是JEFT的夾斷電壓?5右圖為VGS0的I-V曲線,試分別說明OA,AB,BC三段曲線。6試說明JEFT的工作原理。7什么是“漸近溝道近似”?8JEFT的電流式如何求得的?9在討論JEFT在
11、線性區(qū)工作的I-V關(guān)系時(shí),考慮到什么近似條件?10寫出線性區(qū)的I-V關(guān)系式,并作說明。11寫出夾斷點(diǎn)的電壓關(guān)系式,并說明夾斷點(diǎn)電壓的不同。12什么是JEFT的“轉(zhuǎn)移特性”?13寫出飽和區(qū)的飽和電流簡化式,并作說明。14由簡化飽和電流式對應(yīng)的“轉(zhuǎn)移特性”有什么特點(diǎn)?15試說明三個(gè)參數(shù):Rin;Vb;R0和Rs.16什么是溝道長度調(diào)制效應(yīng)?17JEFT的飽和區(qū)電流在實(shí)際上并不飽和,為什么?18作圖說明:VD-L-LG0ID(飽和區(qū)),并說明夾斷后飽和電流如何修正?19什么是JFET的跨導(dǎo)?gm標(biāo)志什么?20漏源溝道電阻標(biāo)志是什么?21寫出飽和跨導(dǎo)式?22為什么JFET可做電壓控制的可變電阻?23試
12、畫出JFET的小信號等效電路,并作說明?24JFET的截止頻率如何定義?25試推導(dǎo)fcogm/2CG?26為什么短溝道的JFET工作頻率高?第五章1MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)如何?為什么分增強(qiáng)型與耗盡型?2試說明N溝MOS晶體管的工作原理?3為簡化討論,理想MOS的假設(shè)包括那些?4外加電壓在MOS三層結(jié)構(gòu)中分布如何?作圖說明?5外加電壓在深入半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生的電場有何影響?6什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子積累態(tài)?(從濃度公式說明)7發(fā)生積累態(tài)時(shí),半導(dǎo)體能帶如何?8什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子耗盡態(tài)?9發(fā)生耗盡態(tài)時(shí),半導(dǎo)體能帶如何?10什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子反型態(tài)?11發(fā)生反型態(tài)時(shí),半導(dǎo)體能
13、帶如何?12為什么我們對反型層更有興趣研究?13什么是感生PN結(jié)?它與MOS管有何關(guān)系?14什么是弱反型及強(qiáng)反型?強(qiáng)反型條件是什么?15試說明強(qiáng)反型的“臨界條件”為什么是Si2f?16強(qiáng)反型時(shí)空間電荷區(qū)如何?(Xdm)17為什么說強(qiáng)反型后,電荷QI為外加?xùn)烹妷旱暮瘮?shù)?18MOS電容器為什么說比較復(fù)雜?19在理想的MOS結(jié)構(gòu)中,推導(dǎo)下式:VGQS/C0S20從MOS結(jié)構(gòu)的等效電路推導(dǎo)MOS電容:CMOSC0CS/(C0CS)21在MOS結(jié)構(gòu)的MOS電容式中如何體現(xiàn)CVG關(guān)系?(即CSS關(guān)系)22在MOS電容式中,Cs有幾種情況?23表達(dá)CVG關(guān)系的曲線有何特點(diǎn)?(指不同頻率條件實(shí)驗(yàn)曲線)24試說
14、明半導(dǎo)體表面在積累態(tài)時(shí)CV曲線?25試說明半導(dǎo)體表面在耗盡態(tài)時(shí)CV曲線?26試說明半導(dǎo)體表面在強(qiáng)反型態(tài)時(shí)CV曲線?27試說明MOS的CV曲線在VG0時(shí)情況?28理想MOS晶體管的閾值電壓如何?29試說明MOS管的溝道電導(dǎo)與柵壓之間關(guān)系?30理想MOS管的“平帶”條件是什么?31金半功函數(shù)差對MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線有何影響?32MOS結(jié)構(gòu)中金半功函數(shù)為什么可看作“寄生電場”?33MOS的絕緣柵(SiO2)中有那些正電荷?34MOS的絕緣柵(SiO2)中的正電荷對MOS的CV曲線有何影響?35當(dāng)功函數(shù)差及SiO2中正電荷兩因素同時(shí)對MOS的CV曲線影響,如何反應(yīng)在“平帶電壓”上?36若要MOS在開啟
15、之前呈強(qiáng)反型,柵上應(yīng)加什么電壓?37理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么?38非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么?39非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓表達(dá)式如何?40試比較MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何相似之處?41試說明MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何不同?42試說明MOS管與JFET兩者在IV曲線上有何相似?43試說明MOS管與JFET兩者在IV曲線上有何不同?44對于JFET的“內(nèi)夾斷電壓”,說明MOS的夾斷電壓?45MOS管的開啟電壓是指什么?46試用MOS管圖解說明VTH作用?(分理想與實(shí)際)47在SiO2中有那些正電荷?48 SiO2中可動(dòng)離子來源何處?其漂移速度與
16、什么因素有關(guān)?49Na離子漂移對CV曲線有何影響?50如何消除玷污影響?什么是BT實(shí)驗(yàn)?51 SiO2中離子Si(固定表面電荷)有什么特征?(100)面上密度如何?52固定表面電荷對CV曲線有何影響?如何降低Qfc?53什么是快界面態(tài)?其分布如何?如何降低其密度?54晶體取向界面態(tài)密度有何影響?55試畫出MOSFET剖面圖,并表明位置及各電壓?56 MOS的溝道區(qū)存在那些電場?57寫出溝道內(nèi)x作用,溝區(qū)電荷式及x和y共同作用的溝區(qū)電荷式?58試推導(dǎo)MOS線性區(qū)電流表達(dá)式59何為“漸近溝道近似”它應(yīng)用于何處?60若溝區(qū)壓降為V,寫出耗盡區(qū)電荷表達(dá)式?61為什么說前節(jié)推導(dǎo)的電流式是簡化式?62 M
17、OS非簡化電流式與簡化式有何不同?63畫出MOS簡化和非簡化電流的IV曲線,并比較兩曲線?64試畫出飽和的MOSFET剖面圖,表明夾斷情況?65MOS的電流飽和條件是什么?寫出飽和區(qū)電流式?66從VDID關(guān)系討論飽和區(qū)電流。67從MOS有效溝長調(diào)制說明IDS隨VDS增加而增大原因?68寫出存在“溝長調(diào)制”時(shí)的飽和區(qū)電流式?69MOS飽和態(tài)時(shí)L受那些因素影響?70MOS在夾斷之后,漏溝之間的電容耦合作用是指什么?71MOS的小信號導(dǎo)納如何定義?寫出表達(dá)式?72試說明MOS的gdVG曲線?73MOS的gdVG是線性嗎?74為什么說MOS可做電壓控制的可變電阻?75 MOS的跨導(dǎo)如何定義?寫出表達(dá)式
18、?76試畫出MOS的跨導(dǎo)與電壓的關(guān)系式?77試畫出MOS源與襯底接地的等效電路及襯底不接地時(shí)等效電路?78試推導(dǎo)MOS截止頻率表達(dá)式?79提高M(jìn)OS截止頻率的辦法是什么?80MOS的襯底反偏電壓VBS降落在何處?對該區(qū)電荷有何影響?81MOS的襯底偏壓VBS對VTH有何影響?并gdVG用關(guān)系式表達(dá)此影響情況?82試畫出N溝MOS鋁柵工藝剖面圖及俯視圖,并標(biāo)出溝道的Z和L及X。83減小N溝鋁柵MOS溝道漏電的主要辦法是什么?84什么是MNOS工藝?85什么是硅柵工藝?其與鋁柵工藝主要區(qū)別是什么?86硅柵工藝最主要特點(diǎn)是什么?87什么是離子注入工藝?有何特點(diǎn)?88什么是SOS工藝?畫出SOS工藝M
19、OS管剖面示意圖?57思考題1試說明雙極管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)?2試從雙極管簡化模型說明其偏置情況?3正常工作偏置對雙極管能帶有何影響?4試畫出正常偏置時(shí)能帶情況?5試說明雙極管的“注入效應(yīng)”與“收集效應(yīng)“?6雙極管中注入與收集同時(shí)起作用的條件是如何?7雙極管中與何意義?8試說明雙極管共發(fā)特性?9雙極管中與IC有何關(guān)系?10從雙極與MOS對比說明為何雙極是電流器件,MOS是電壓器件?11雙極的IB與MOS的VG作用有何不同?12雙極的VCE與MOS的VDS作用相同嗎?為什么?13當(dāng)晶體管作開關(guān)作用時(shí),試畫圖說明雙極與MOS輸出特性曲線及工作點(diǎn)?14在開關(guān)工作時(shí),雙極與MOS有何相同之處?15在開關(guān)工作時(shí),
20、雙極與MOS有何不同之處?器件物理思考題第六章1什么是PN結(jié)?什么是平衡PN結(jié)?2畫出平衡PN結(jié)的能帶圖,并說明PN結(jié)平衡的標(biāo)志是什么?3平衡結(jié)的空間電荷區(qū)是如何建立的,作圖說明。4作圖說明PN結(jié)空間電荷區(qū)中的電荷分布情況。7試推導(dǎo)平衡PN結(jié)的自建電勢DV0表達(dá)式。8什么叫單邊突變結(jié)?10試證明單邊突變結(jié)的勢壘區(qū)最大電場式。11什么是非平衡結(jié)?12試作圖說明外加電壓對費(fèi)米能級的影響。13PN結(jié)正偏與反偏對勢壘區(qū)電場有何影響?14試寫出平衡結(jié)邊界上少子濃度表達(dá)式。15非平衡結(jié)正偏小注入條件下少子濃度表達(dá)式。16什么是正偏(小注入)的擴(kuò)散近似?17試從“擴(kuò)散近似”,推導(dǎo)正偏時(shí)空穴和電子的擴(kuò)散方程。
21、18試從空穴(少子)的擴(kuò)散方程推導(dǎo)正偏下的空穴電流式。19推導(dǎo)電流公式時(shí)采用了哪些假設(shè)條件?21PN結(jié)的電流中少子電流與多子電流是如何轉(zhuǎn)換的?22試畫出PN電流的分布圖象(包括少子與多子的電流)?23試畫出PN結(jié)的I-V曲線,并從電流式進(jìn)行說明?24在正偏PN結(jié)中,可出現(xiàn)PN>ni有何影響?25勢壘區(qū)的復(fù)合最大速率在什么情況下產(chǎn)生?26在反偏PN結(jié)中,可出現(xiàn)第七章1半導(dǎo)體的光吸收有幾種類型?與光電器件有關(guān)的吸收屬什么類型?2什么是“本征吸收”,作圖說明?3什么是“直接躍遷”與“間接躍遷”?作圖說明?4吸收的光子能量如何確定?5什么是光通量?光吸收與光通量有何關(guān)系?6簡述光生伏特效應(yīng)的過程
22、?7光電池的開路電壓是怎樣產(chǎn)生的?8光照能使PN結(jié)的平衡Ef發(fā)生變化嗎?為什么?9試說明光伏效應(yīng)的光電流及結(jié)電流?10在恒定光照下,二極管(PN結(jié))電流表達(dá)式如何?11在太陽電池材料均勻吸收情況下光電流式如何?12試推導(dǎo)太陽電池的開路電壓表達(dá)式。13太陽電池的輸出功率與襯底濃度有關(guān)嗎?有何關(guān)系?14從太陽電池的IV曲線說明“短路電流”、“開路電壓”,最大輸出功率矩形對應(yīng)的Imp和Vmp?15太陽電池的光子吸收效率與什么有關(guān)?16太陽電池一般為什么采用Si式GaAs?17什么是電致發(fā)光?并說明PN結(jié)電致發(fā)光的過程?(用能帶圖)18寫出電流注入效應(yīng)表達(dá)式,并說明各項(xiàng)含義?19為什么對電致發(fā)光有主要
23、貢獻(xiàn)的是電子擴(kuò)散電流?20試用能帶圖表示復(fù)合途徑,并說明那些有輻射作用?21什么是輻射效率?寫出其表達(dá)式?22什么是內(nèi)量子效應(yīng)?與那些因素有關(guān)?23什么是外量子效應(yīng)?與那些因素有關(guān)?24提高est的主要辦法有那些?為什么?25發(fā)光管設(shè)計(jì)中對結(jié)深xj有何要求?26發(fā)光管設(shè)計(jì)中對P區(qū)雜質(zhì)濃度有何要求?27對LED表面保護(hù)層設(shè)計(jì)有何要求?GaAs的LED采用何種窗口材料?28LED的襯底材料對LED有影響嗎?舉例說明?29試畫出金屬及半導(dǎo)體相對真空能級的能帶圖,并標(biāo)出有關(guān)電勢符號加以說明?30當(dāng)金屬半導(dǎo)體緊密接觸以后,如何建立統(tǒng)一的費(fèi)米能級Ef?31說明bms的物理意義是什么?32什么是“肖特基勢壘
24、”?寫出其表達(dá)式?33金屬半導(dǎo)體結(jié)的正偏如何?34金屬半導(dǎo)體結(jié)的反偏特性如何?35試簡述金-半I-V的電流輸運(yùn)理論?36什么是歐姆接觸(非整流的MS結(jié))?37畫出N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體形成歐姆接觸能帶圖,并作說明。38獲得良好的歐姆接觸的工藝措施是什么?39PN勢壘電容的含義是什么?40寫出勢壘電容C與Nd及VR關(guān)系的表達(dá)式?41如何利用曲線求雜質(zhì)分布?42變?nèi)荻O管有何特征?43什么是PN結(jié)擊穿?PN結(jié)擊穿時(shí)均發(fā)生燒毀嗎?44試說明PN結(jié)的“齊納擊穿”機(jī)理?45什么是PN結(jié)的雪崩擊穿?46反偏PN結(jié)中載流子“倍增效因”是什么意思?47“電離率”如何定義?48“雪崩擊穿”與“齊納擊穿”有何區(qū)別
25、?49什么是穿通電壓?50什么是異質(zhì)結(jié)?第八章 1試說明雙極管結(jié)構(gòu)特點(diǎn)?2正常工作偏置對雙極管能帶有何影響?3試畫出正常偏置時(shí)能帶情況?4試說明雙極管的“注入效應(yīng)”與“收集效應(yīng)“?5雙極管中注入與收集同時(shí)起作用的條件是如何?6雙極管中與何意義?7雙極管中與IC有何關(guān)系?8從雙極與MOS對比說明為何雙極是電流器件,MOS是電壓器件?9雙極的IB與MOS的VG作用有何不同?10雙極的VCE與MOS的VDS作用相同嗎?為什么?11當(dāng)晶體管作開關(guān)作用時(shí),試畫圖說明雙極與MOS輸出特性曲線及工作點(diǎn)?12在開關(guān)工作時(shí),雙極與MOS有何相同之處?13在開關(guān)工作時(shí),雙極與MOS有何不同之處?第十章 1結(jié)型場效
26、應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)如何?與晶體管有何區(qū)別?2試從JFET和PNP二種晶體管特性曲線說明二者主要區(qū)別是什么?(為什么說JEFT是電壓控制器件?)3試分別說明JEFT的漏電壓和柵電壓對溝道的調(diào)制作用如何?4什么是JEFT的夾斷電壓?5試說明JEFT的工作原理。6JEFT的電流式如何求得的?7寫出線性區(qū)的I-V關(guān)系式,并作說明。8寫出夾斷點(diǎn)的電壓關(guān)系式,并說明夾斷點(diǎn)電壓的不同。9寫出飽和區(qū)的飽和電流簡化式,并作說明。10JEFT的飽和區(qū)電流在實(shí)際上并不飽和,為什么?11MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)如何?為什么分增強(qiáng)型與耗盡型?12試說明N溝MOS晶體管的工作原理?13為簡化討論,理想MOS的假設(shè)包括那些?14外加
27、電壓在MOS三層結(jié)構(gòu)中分布如何?作圖說明?15外加電壓在深入半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生的電場有何影響?16什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子積累態(tài)?(從濃度公式說明)17發(fā)生積累態(tài)時(shí),半導(dǎo)體能帶如何?18什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子耗盡態(tài)?19發(fā)生耗盡態(tài)時(shí),半導(dǎo)體能帶如何?20什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子反型態(tài)?21發(fā)生反型態(tài)時(shí),半導(dǎo)體能帶如何?22為什么我們對反型層更有興趣研究?23試說明強(qiáng)反型的“臨界條件”為什么是Si2f?24強(qiáng)反型時(shí)空間電荷區(qū)如何?(Wdm)25為什么說強(qiáng)反型后,電荷QI為外加?xùn)烹妷旱暮瘮?shù)?26在理想的MOS結(jié)構(gòu)中,推導(dǎo)下式:VGQS/C0VS27在MOS電容式中,Cs有幾種情況
28、?28試說明半導(dǎo)體表面在積累態(tài)時(shí)C-V曲線?29試說明半導(dǎo)體表面在耗盡態(tài)時(shí)C-V曲線?30試說明半導(dǎo)體表面在強(qiáng)反型態(tài)時(shí)C-V曲線?31試說明MOS的C-V曲線在VG0時(shí)情況?32理想MOS晶體管的閾值電壓如何?33試說明MOS管的溝道電導(dǎo)與柵壓之間關(guān)系?34理想MOS管的“平帶”條件是什么?35金半功函數(shù)差對MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線有何影響?36MOS的絕緣柵(SiO2)中的正電荷對MOS的C-V曲線有何影響?37當(dāng)功函數(shù)差及SiO2中正電荷兩因素同時(shí)對MOS的C-V曲線影響,如何反應(yīng)在“平帶電壓”上?38若要MOS在開啟之前呈強(qiáng)反型,柵上應(yīng)加什么電壓?39理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么
29、?40非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓物理意義是什么?41非理想MOS結(jié)構(gòu)的閾值電壓表達(dá)式如何?42試比較MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何相似之處?43試說明MOS管與JFET兩者之間在結(jié)構(gòu)上有何不同?44試說明MOS管與JFET兩者在I-V曲線上有何相似?43試說明MOS管與JFET兩者在I-V曲線上有何不同?44MOS管的開啟電壓是指什么?45試畫出MOSFET剖面圖,并表明位置及各電壓?46 MOS的溝道區(qū)存在那些電場?47寫出溝道內(nèi)x作用,溝區(qū)電荷式及x和y共同作用的溝區(qū)電荷式?48試推導(dǎo)MOS線性區(qū)電流表達(dá)式49何為“漸近溝道近似”它應(yīng)用于何處?50若溝區(qū)壓降為V,寫出耗盡區(qū)電荷表達(dá)式?51為什么說前節(jié)推導(dǎo)的電流式是簡化式?52 MOS非簡化電流式與簡化式有何不同?53MOS的電流飽和條件是什么?寫出飽和區(qū)電流式?54從VDID關(guān)系討論飽和區(qū)電流。55從MOS有效溝長調(diào)制說明IDS隨VDS增加而增大原因?56MOS飽和態(tài)時(shí)L受那些因素影響?57MOS的小信號導(dǎo)納如何定義?寫出表達(dá)式?58MOS的跨導(dǎo)如何定義?寫出表達(dá)式?59試求出MOS的跨導(dǎo)與電壓的關(guān)系式
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 跨界合作與共贏策略計(jì)劃
- 《計(jì)算機(jī)繪圖原理》課件
- 《骨科常規(guī)操作規(guī)范》課件
- 《供應(yīng)鏈管理緒論》課件
- 《側(cè)抽芯模具設(shè)計(jì)》課件
- 《認(rèn)識辦公室的綠色》課件
- 醫(yī)保政策解讀與策略
- 《支票的填寫與使用》課件
- 《銷售人員回款培訓(xùn)》課件
- 《保安職業(yè)發(fā)展介紹》課件
- 《2025酒店預(yù)算的進(jìn)與退》
- 《中國政治思想史》課程教學(xué)大綱
- 施工項(xiàng)目經(jīng)理述職報(bào)告
- 2025年中國野生動(dòng)物園行業(yè)市場現(xiàn)狀、發(fā)展概況、未來前景分析報(bào)告
- DZT0203-2020礦產(chǎn)地質(zhì)勘查規(guī)范稀有金屬類
- 廣東省廣州市2023-2024學(xué)年七年級上學(xué)期語文期末試卷(含答案)
- 立式儲罐課課程設(shè)計(jì)
- 吉林省長春市南關(guān)區(qū)2024-2025學(xué)年八年級上學(xué)期10月期中考試語文試題(含答案)
- 珠寶玉石鑒定學(xué)習(xí)通超星期末考試答案章節(jié)答案2024年
- DB11T 1194-2015 高處懸吊作業(yè)企業(yè)安全生產(chǎn)管理規(guī)范
- 管理學(xué)(A)(2022-2023-1學(xué)期)學(xué)習(xí)通超星期末考試答案章節(jié)答案2024年
評論
0/150
提交評論