ONFI和togglenandflash的區(qū)別

1、閃存的接口協(xié)議介紹首先，閃存是分為很多標(biāo)準(zhǔn)的。其中，以英特爾、美光、海力士為首的NAND廠商所主打制定的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)為“ONFI”，而以三星和東芝陣營為首的NAND廠商當(dāng)前所主打的則是“Toggle DDR”。toggle是samsung和toshiba推的一個(gè)協(xié)議，用的技術(shù)也是DDR技術(shù)，不過是全異步的方式，不像ONFI 2.X使用的是源同步的方式，所以toggle功耗比ONFI要低，而且速度也很快，跟ONFI不相上下吧。在toggle 2.0之后，ONFI 3.0也出臺了，我看了一下，與toggle2.0方式很像了，也是異步的方式，感覺這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)有點(diǎn)融合的趨勢。Toshiba，Samsun

2、g等的NAND Flash Toggle協(xié)議與Intel，Micron等的ONFI協(xié)議大部分都是一樣的，不同點(diǎn)如下：信號： Toggle同步模式下不用clock，寫數(shù)據(jù)用DQS差分信號跳變沿觸發(fā)，讀數(shù)據(jù)用Host發(fā)的REN差分信號跳變沿發(fā)讀request，DQS跳變沿輸出數(shù)據(jù)。 ONFI同步模式下有Clock，數(shù)據(jù)、命令、地址都要與Clock同步。但是DQS，Clock都不是差分信號，所以邊沿容易受干擾。ONFI 3.0里面有NV DDR2模式，就和Toggle一樣了，不再用Clock，用DQS和REN差分信號。閃存肯定很重要：那么現(xiàn)在我們就來談?wù)勀壳笆惺跾andForce

3、 SF-2281固態(tài)硬盤經(jīng)常采用哪幾種MLC NAND閃存顆粒。英特爾25納米ONFI 2.2標(biāo)準(zhǔn)的MLC NAND閃存目前基于SandForce SF-2281主控固態(tài)硬盤多采用ONFI 2.2標(biāo)準(zhǔn)的閃存，其帶寬達(dá)到166MT/s200MT/s，并增加了“同步和異步”模式，簡單來說，主控可以通過發(fā)送同步指令激活NAND閃存上的同步時(shí)鐘信號，以工作在同步模式。從性能測試來看，工作在同步模式下的固態(tài)硬盤在持續(xù)性的讀寫操作上有著更好的性能表現(xiàn)，目前中高端SandForce SF-2281固態(tài)硬盤均使用的是同步時(shí)鐘。東芝32納米Toggle DDR Mode 1.0 MLC NAND閃存Toggle DDR Mode標(biāo)準(zhǔn)源自三星和東芝于2010年6月聯(lián)合制定的全新NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)。這里所謂的“DDR”其實(shí)和DDR內(nèi)存的道理是一樣的，利用DQS信號的上升沿和下降沿都進(jìn)行一次數(shù)據(jù)的傳輸，速度自然翻倍。目前東芝32納米Toggle DDR Mode 1.0的標(biāo)準(zhǔn)其接口帶寬可以達(dá)到133MT/s，而最新的2.0標(biāo)準(zhǔn)和ONFI 3.0一樣可以達(dá)到400MT/s的接口帶寬。但目前采用Toggle DDR Mode 1