干法刻蝕技術的應用與發(fā)展

1、 干法刻蝕技術的應用與發(fā)展摘要在半導體生產(chǎn)中，干法刻蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。而干法刻蝕是一個慣稱，它指的是在低氣壓下雨等離子體有關的腐蝕方法。經(jīng)過二十多年的發(fā)展，經(jīng)歷了多樣化的發(fā)展過程，使技術不斷完善和創(chuàng)新。一定程度上，干法刻蝕的水平?jīng)Q定了集成電路器件性能和生產(chǎn)規(guī)模。本課程設計主要討論半導體制造工藝中非常重要的步驟-刻蝕，詳細描述了干法刻蝕的物理方法和化學方法以與基本原理，重點講述干法刻蝕技術在半導體制造工藝中的應用和未來的發(fā)展。關鍵詞：半導體制造，刻蝕，干法刻蝕，金屬刻蝕20 / 20目錄摘要2目錄3第1章緒論4第2章干法刻蝕的機制和原理62.1刻蝕工藝62.2刻蝕作用62.

2、2.1物理刻蝕72.1.2化學刻蝕8第3章干法刻蝕的應用103.1介質的干法刻蝕103.1.1氧化物113.1.2氮化物123.2硅的干法刻蝕123.2.1多晶硅柵刻蝕123.2.2單晶硅的刻蝕133.3金屬的干法刻蝕133.3.1鋁和金屬復合層133.3.2鎢14第4章干法刻蝕設備的構成和主要性能指標154.1.干法刻蝕設備的概述154.2.干法刻蝕工藝流程164.3.設備的主要的組成部分164.4.干法刻蝕設備的主要性能指標17總結與展望19參考文獻20致21第1章 緒 論在微電子學領域中，自1948年發(fā)明晶體管，隨后出現(xiàn)集成電路，直到整個六十年代的二十年里，半導體器件光刻工藝中對各種材料

3、均采用不同的實際進行腐蝕，慣稱濕法腐蝕。然而，當器件集成度進入中規(guī)模。結構尺寸小于十微米時，慣用的濕法腐蝕由于毛細現(xiàn)象和各向同性的腐蝕性就難以保證精度和重復性，迫切需要尋找新的技術途徑。雖然人們早已認識到原子核游離基具有遠強于分子的化學活性，但一直沒有應用到對固體材料的腐蝕技術上。直至六十年代末才發(fā)現(xiàn)氧等離子體可用于去除殘留碳化物，并成功地用于等離子體去膠工藝中。隨后很快地發(fā)展了半導體器件工藝中的干法刻蝕技術。自七十年代初，以輝光放電產(chǎn)生的氣體等離子體進行腐蝕加工。至今三十多年，經(jīng)歷了多樣化的發(fā)展過程，使技術不斷得到完善和創(chuàng)新。它的發(fā)展是與集成電路的高速發(fā)展有著密切關系的。反過來說，干法刻蝕的

4、水平很大程度上決定了集成電路器件和生產(chǎn)規(guī)模。廣義而言，所謂的刻蝕技術，是將顯影后所產(chǎn)生的光阻圖案忠實地轉印到光阻下的材質上，形成由光刻技術定義的圖形。它包含了將材質整面均勻移除與圖案選擇性部分去除，可分為濕式刻蝕(wet etching)和干式刻蝕(dry etching)兩種技術。濕式刻蝕具有待刻蝕材料與光阻與下層材質良好的刻蝕選擇比（selectivity）。然而，由于化學反應沒有方向性，因而濕式刻蝕是各向同性刻蝕。當刻蝕溶液做縱向刻蝕時，側向的刻蝕將同時發(fā)生，進而造成底切（Undercut）現(xiàn)象，導致圖案線寬失真，如下圖所示。圖1-1 底切現(xiàn)象自1970年以來，元件制造首先開始采用電漿刻

5、蝕技術（也叫等離子體刻蝕技術），人們對于電漿化學性的了解與認識也就越來越深。在現(xiàn)今的半導體集成電路或LCD制造過程中，要求精確地控制各種材料尺寸至次微米大小，而且還必須具有極高的再現(xiàn)性，電漿刻蝕是現(xiàn)今技術中唯一能極有效率地將此工作在高良率下完成的技術，因此電漿刻蝕便成為半導體制造以與TFT LCD Array制造中的主要技術之一。干式刻蝕通常指利用輝光放電（glow discharge）方式，產(chǎn)生包含離子、電子等帶電粒子以與具有高度化學活性的中性原子、分子與自由基的電漿，來進行圖案轉印（pattern transfer）的刻蝕技術。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，廣泛應用于半導體或

6、LCD前段制程。和其他一些技術。比如氣相腐蝕、激光誘導腐蝕，以與無掩膜的聚焦離子束腐蝕等，雖然亦有別于“濕法”，但已自成體系，一般不列入干法刻蝕之中。經(jīng)過二十多年的發(fā)展，出現(xiàn)多種干法刻蝕結構形式，她們具有各自的時代背景，也有各自的特點。第2章 干法刻蝕的機制和原理2.1 刻蝕工藝在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露與其他中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開除的殘空，與硅片發(fā)生物理或者化學反應（或這兩種反應），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方方法。而濕法腐蝕一般只用于尺寸較大的情況下（大于3微米）。濕法腐蝕仍然用來腐

7、蝕硅片上的某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。干法刻蝕也可以根據(jù)被刻蝕的材料類型來分類。按材料分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。接觸空和通孔結構制作需要刻蝕介質，從而在ILD中刻蝕出窗口，而具有高深度寬比（窗口的深于寬的比值）的窗口刻蝕具有一定的挑戰(zhàn)性。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層，制作出互聯(lián)線。刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形的刻蝕采用掩蔽層（有圖形的光刻膠）來定義要刻蝕掉的表面材料區(qū)域，只有硅片上被選擇的這一部分在刻蝕過程中刻掉，有圖

8、形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互聯(lián)線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕、反過來或剝離是在整個硅片沒有掩膜的情況下進行的，這種刻蝕工藝用于剝離掩蔽層（如STI氮化硅剝離和用于制備近體館注入側墻的硅化物工藝后鈦的剝離）。反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面是需要見效形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子?？偟膩碚f。有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術來實現(xiàn)。2.2 刻蝕作用干法刻蝕系統(tǒng)中，刻蝕作用是通過化學作用或物理作用，或者是化學和物理的共同作用來實現(xiàn)的。在純化學機理中，等離子體產(chǎn)生的反應元素（自由基和反應原子）與硅片表面的物

9、質發(fā)生反應。為了獲得高的選擇比（即為了與光刻膠或下層材料的化學反應最?。?，進入腔體的氣體（一般含氯或氟）都經(jīng)過了慎重選擇。等離子體化學刻蝕由于它是各向同性的，因而線寬控制差。反應中產(chǎn)生的揮發(fā)性生成物被真空泵抽走。為了獲得物理機理的刻蝕，等離子體產(chǎn)生的帶能粒子（轟擊的正離子）在強電場下朝硅片表面加速，這些離子通過濺射刻蝕作用去除未被保護的硅片表面材料。一般是用惰性氣體，如氬。這種機械刻蝕的好處在于它有很強的刻蝕方向性，從而可以獲得高的各向異性刻蝕剖面，以達到好的線寬控制目的。這種濺射刻蝕速率高，然而選擇比差。另外一個問題是被濺射作用去除的元素是非揮發(fā)性的，可能會從新淀積到硅片表面，帶來顆粒和化學

10、污染。還有一種是物理和化學混合作用機理，其中離子轟擊改善化學刻蝕作用?？涛g剖面可以通過調節(jié)等離子體條件和氣體組分從各向同性向異性改變。這種物理和化學混合作用機理刻蝕能獲得好的線寬控制并有不錯的選擇比，因而在打多少數(shù)干法刻蝕工藝中被采用。干法刻蝕系統(tǒng)可以是各向同性或各向異性的刻蝕機，這取決于RF電場相對于硅片表面的方向。意思是指正離子濺射的發(fā)生是硅片表面還是硅片的邊緣。如果這個電場是垂直于硅片表面，刻蝕作用就是重正離子濺射和一些基本的化學反應，如果這個電場平行于硅片表面，物理的濺射作用就很弱，因此刻蝕作用主要是表面材料和活性元素之間的化學反應。2.2.1 物理刻蝕純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(

11、Sputter)方式，它是利用輝光放電，將氣體如Ar，解離成帶正電的離子，再利用自偏壓（self bias）將離子加速，濺擊在被蝕刻物的表面，而將被蝕刻物質原子擊出。此過程乃完全利用物理上能量的轉移，故謂之物理性蝕刻。利用下電極所產(chǎn)生的自偏壓會吸引電漿中的正離子轟擊基板表面，達到破壞膜層表面的刻蝕目的，這種刻蝕的好處在于它很強的刻蝕方向性，從而可以獲得高的各相異性刻蝕剖面，以達到好的線寬控制目的。其特點有： 圖2-1物理濺射（sputter）機理1、 各相異性刻蝕。2、 低刻蝕選擇比。 3、 并且因轟擊效應使得被刻蝕膜層表面產(chǎn)生損傷。4、 反應副產(chǎn)物多為非揮發(fā)性，容易累積于腔體部。2.1.2

12、化學刻蝕純化學反應性蝕刻，則是利用各式能量源（RF，DC，microwave等）給予氣體能量，產(chǎn)生電漿，進而產(chǎn)生化學活性極強的原(分)子團，原(分)子團擴散至待蝕刻物質的表面，與待蝕刻物質反應產(chǎn)生揮發(fā)性之反應生成物，最后揮發(fā)性生成物被真空設備抽離反應腔。因這種反應完全利用化學反應來達成，故謂之化學反應性蝕刻。這種蝕刻方式相近于濕式蝕刻，只是反應物與產(chǎn)物的狀態(tài)由液態(tài)改變?yōu)闅鈶B(tài)，并利用電漿來促進蝕刻的速率。因此純化學反應性蝕刻擁有類似于濕式蝕刻的優(yōu)點與缺點，特點有：1、各向同性刻蝕2、高刻蝕選擇比3、高刻蝕速率4、低表面損傷5、反應腔體潔凈度較易維持 圖2-2化學反應性刻蝕機理在半導體以與LCD制

13、程中，純化學反應性蝕刻應用的情況通常為不需做圖形轉換的步驟，如光阻的去除等。圖2-3 基于化學反應機制的理想乾蝕刻過程如圖2-3所示，一個僅基于化學反應機制的理想乾蝕刻過程可分為以下幾個步驟：（1）刻蝕氣體進入腔體，在電場作用下產(chǎn)生電漿形態(tài)之蝕刻物種，如離子與自由基(Radicals)；（2）蝕刻物種藉由擴散、碰撞或場力移至待蝕刻物表面；（3）蝕刻物種吸附在待蝕刻物表面一段時間；（4）進行化學反應并產(chǎn)生揮發(fā)性之生成物；（5）生成物脫離表面；（6）脫離表面之生成物擴散至氣體中并排出。上述步驟中若其中一個停止發(fā)生，則整個反應將不再進行。而其中生成物脫離表面的過程最為重要，大部份的反應物種皆能與待蝕

14、刻物表面產(chǎn)生快速的反應，但除非生成物有合理的氣壓以致讓其脫離表面，否則反應將不會發(fā)生。第3章 干法刻蝕的應用在集成電路制造過程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，這些應用涉與在生產(chǎn)線上用到的所有材料。我們將按被刻蝕材料的種類：介質、硅和金屬，來闡述干法刻蝕。隨著關鍵尺寸的縮小、較高的深寬比窗口以與新材料砸硅片制造過程的應用對這三類的刻蝕提出了挑戰(zhàn)。優(yōu)化刻蝕條件是產(chǎn)品開發(fā)人員要解決的關鍵問題。一般來說，一個成功的干法刻蝕要求：1、對不需要刻蝕的材料（主要是光刻膠和下層材料）的高選擇比。2、獲得可接受的產(chǎn)能的刻蝕速率。3、好的側壁剖面控制、4、好的片均勻性。5、低的期間損傷。6、寬的工藝制造窗口。對于每

15、一種特殊的干法刻蝕應用，關鍵的刻蝕工藝參數(shù)通過工藝優(yōu)化來確定。其中一些參數(shù)在表（3-1），在許多情況下，優(yōu)化是通過工藝設備的計算機模擬來實現(xiàn)的。因為用硅片進行實際的樣機測試需要很高的成本。表3-1 干法刻蝕中的關鍵參數(shù)設備參數(shù)設備設計、電源、電源頻率、壓力、溫度、氣流速率、真空狀況、工藝菜單工藝參數(shù)等離子體-表面相互作用：表面材料、復合金屬的不同層、表面溫度、表面電荷、表面形貌；化學和無理要求；時間質量指標刻蝕速率、選擇比、均與性、特性曲線、關鍵尺寸、殘留物其他相關因素凈化間規(guī)、操作過程、維護過程、預防維護計劃3.1 介質的干法刻蝕對于200mm硅片，介質的干法刻蝕是最復雜的刻蝕過程；而對于3

16、00mm硅片，介質刻蝕將遇到最大的挑戰(zhàn)。氧化物刻蝕的最大困難在于隨著特征尺寸縮小，在通互連中用于雙層大馬士革技術的層間介質的新的溝槽刻蝕工藝以與需要刻蝕低K層間介質所帶來的更嚴格的工藝規(guī)。3.1.1 氧化物刻蝕氧化物通常是為了制作接觸孔和通孔。這些事很關鍵的應用，要求在氧化物中刻蝕出具有高深寬比的窗口。對于DRAM應用中的0.18um圖形，深寬比希望能達到6:1，對下層的硅和硅化物、多晶硅的選擇比要求大約50:1。有一些新的氧化物刻蝕應用，如有新溝槽刻蝕和高深寬比刻蝕要求的雙大馬士革結構，也有低的深寬比通孔刻蝕，如非關鍵性的氧化物刻蝕應用。3.1.1.1 下層材料的選擇比氧化物刻蝕的主要困難之

17、一是獲得對下層材料（通常是硅、氮化硅或者一層抗反射圖層）的高的選擇比。獲得對硅的高選擇比的一種方法是通過在化學氣體中加入洋氣來控制氧化物和硅之間的選擇比。少量洋氣能改善氧化物刻蝕和硅刻蝕的速率。當氧氣濃度大至大約20%時，氧化物刻蝕比硅刻蝕要更快，增大了選擇比，減少了對下層硅的刻蝕。另一種提高選擇比的方法是在氣體混合物中加入氫氣，減少硅的刻蝕速率，當氫氣濃度達到大約40%是，硅刻蝕的速率幾乎為零。同時，氧化物刻蝕速率在氫氣濃度地獄40%的時候幾乎不受什么影響。3.1.1.2 光刻膠選擇比 為了防止形成傾斜的側墻，獲得高的氧化硅/光刻膠選擇比是很重要的。光刻膠用于定義要刻蝕的圖形。在接觸孔和通孔

18、的刻蝕中，數(shù)百萬的孔被同時刻蝕，每個孔中都需要去除精確數(shù)量的表層材料，而孔常常位于不同的深度，一種見效光刻膠選擇比的因素是在高密度等離子體重活性氟原子的有效生成。自由的氟原子會刻蝕掉有機的光刻膠的選擇比。另外，需要刻蝕抗反射涂層，這延長了刻蝕時間，進一步減小了光刻膠的厚度。3.1.1.3 側壁剖面在局部（LI）氧化層介質中的接觸窗口尺寸通常與具有高深寬比的最小特征尺寸相等。對于這種類型的應用，需要高度各項異性的垂直側壁剖面。一個重要的因素是高密度等離子體重高方向性的離子轟擊。3.1.2 氮化物在硅片制造過程中用到兩種基本的氮化硅。一種是在700800攝氏度下用LPCVD頂級的，它產(chǎn)生按組成比的

19、氮化硅膜。另外一種低密度的氮化硅膜是在低于350攝氏度下用PECVD淀積。由于它的低密度，PECVD生長的氮化硅膜的刻蝕速率較快。可用不同的化學氣體來刻蝕氮化硅，常用的氣體是并與和混合使用。增加/的含量來西施氟基的濃度并降低對下層氧化物的刻蝕速率。另外可能用于氮化硅刻蝕的主要氣體有、和。3.2 硅的干法刻蝕3.2.1 多晶硅柵刻蝕硅的等離子體干法刻蝕是硅片制造中的一項關鍵工藝技術，用等離子體刻蝕的兩個主要硅層是制作MOS柵結構的多晶硅柵和制作器件隔離或DRAM電容結構中的單晶硅槽。在MOS器件中，摻雜的LPCVD多晶硅是用做柵極的導電材料。摻雜多晶硅線寬決定了有源器件的柵長，并會影響晶體管的性

20、能?？涛g多晶硅（硅）通常是一個三步工藝工程。這使得在不同的刻蝕步驟中能對各向異性刻蝕和選擇比進行優(yōu)化。這三個步驟是：（A）、第一步是預刻蝕，用于去除自然氧化層、硬的掩蔽層和表面污染物來獲得均勻的刻蝕。（B）、接下來的是刻蝕至終點的主刻蝕。這一步用來刻蝕掉大部分的多晶硅膜，并不損傷柵氧化層和獲得理想的各向異性的側壁剖面。（C）、最后一步是過刻蝕，用于去除刻蝕殘留物和剩余的多晶硅，并保證對柵氧化層的高選擇比，這一步應避免在多晶硅周圍的柵氧化層形成微槽。多晶硅柵是難以刻蝕的結構，在刻蝕過程中需要仔細且精密。具有0.15m特征尺寸器件的柵氧化層厚度是2030（等6 10個氧化硅原子層的厚度）。氧化硅厚

21、度 的 損傷 不得超過5（大約1.5個氧化硅原子層）。為了防止柵氧化層的穿透，刻蝕的選擇比要大于150:1；為了去除刻蝕殘留物和多余的多晶硅，過刻的選擇比要大于250:1。3.2.2 單晶硅的刻蝕單晶硅刻蝕主要用于制作溝槽，如器件隔離溝槽或高密度。DRAMIC中的垂直電容的制作。在集成電路中硅槽的刻蝕要求對每一個溝槽都進行精確地控制。在微米甚至亞微米構中，每個溝槽都要求一致的光潔度、接近垂直的側壁、正確的深度和圓滑的溝槽頂角和底角。3.3 金屬的干法刻蝕金屬刻蝕的一個主要應用是作為金屬互聯(lián)線的鋁合金刻蝕。金屬刻蝕的要求主要有以下幾點：1、高刻蝕速率（大于1000nm/min）。2、對下面層的高

22、選擇比，對掩蔽層（大于4:1）和層間介質層（大于20:1）。3、高的均勻性，且CD控制很好，沒有微負載效應（在硅片上的任何位置小8%）。4、沒有等離子體誘導充電帶來的期間損傷。5、殘留污染少（如銅硅殘留物、顯影液侵蝕和表面缺陷）。6、快速去膠，通常是在一個專用的去膠腔體中進行，不會帶來殘留物污染。7、不會腐蝕金屬。3.3.1 鋁和金屬復合層通常用氯基氣體來刻蝕鋁。為了得到各向異性的刻蝕工藝，必須在刻蝕氣體中加入聚合物（如CHF3或從光刻膠中獲得的碳）來對側壁進行鈍化。典型步驟：1、取出自然氧化層的預刻蝕。2、刻蝕ARC層（可能與上一步結合起來）。3、刻鋁的主刻蝕。4、去除殘留物的過刻蝕，它可能

23、是主刻蝕的延續(xù)。5、阻擋層的刻蝕。6、為防止侵蝕殘留物的選擇性去除。7、去除光刻膠。3.3.2 鎢鎢是在多層金屬結構中常用的一種用于通孔填充的重要金屬。可用氟基或氯基氣體來刻蝕鎢。常常在氟基的刻蝕氣體中加入來獲得對光刻膠的好的選擇比；有時加入來減少碳的沉積。氯基氣體（如和）能用來刻蝕鎢并改善各向異性特性和選擇比。第4章 干法刻蝕設備的構成和主要性能指標4.1. 干法刻蝕設備的概述刻蝕是用化學或物理的方法有選擇地從基材表面去除不需要的材料的過程，其中干法刻蝕（Dry Etching）具有很好的各向異性刻蝕和線寬控制，在微電子技術中得到廣泛的應用。在TFT-LCD制造過程中，Island，Chan

24、nel和Contact的刻蝕一般使用的是干法刻蝕中RIE模式（Reactive Ion Etching Mode），圖4-1是TEL（Tokyo Electron Limited）生產(chǎn)的干刻機的簡單示意圖。其設備的主體是工藝腔室（Process Chamber），其他的輔助設備有產(chǎn)生工藝必需的真空之真空泵（Pump），調節(jié)極板和腔體的溫度之調節(jié)器（Chiller），判斷刻蝕終點之終點檢測器（EPD, End-point Detector），處理排出廢氣的尾氣處理裝置（Scrubber），以與搬運玻璃基板的搬送裝置（比如馬達，機械手）。下面的容將對其中工藝腔室、真空泵、溫度調節(jié)器和終點檢測器進行

25、介紹，以期對干法刻蝕設備的構成和主要性能指標有一個基本的了解。圖4-1 TEL干刻機臺的概貌圖4-2 玻璃基板在干刻機臺中的基本流程4.2. 干法刻蝕工藝流程玻璃基板的基本流程（圖4-2）：玻璃基板（Glass Panel）先存放在S/R中，通過機械手經(jīng)由A/A傳送到L/L，然后到T/C，接著基板被分配到各個P/C中去進行等離子體刻蝕處理。在刻蝕過程中由EPD裝置確定刻蝕的終點，如果達到刻蝕終點，則停止刻蝕，基板經(jīng)由原來的路徑傳送到設備外進行下一段工序。4.3. 設備的主要的組成部分玻璃基板在干刻工序的整個流程中，處于工藝腔（P/C）才是真正進行刻蝕，其他的動作只是基板從設備外大氣狀態(tài)下傳送到

26、工藝腔（真空狀態(tài)）以與刻蝕前后進行的一些輔助程序。所以整個干法刻蝕設備的核心部分是工藝腔?；逯糜诠に嚽缓?，刻蝕氣體由MFC控制供給到工藝腔，利用RF發(fā)生器產(chǎn)生等離子體，等離子體中的陽離子和自由基對需要刻蝕的薄膜進行物理和化學的反應，膜的表面被刻蝕，得到所需的圖形，揮發(fā)性的生成物通過管道由真空系統(tǒng)抽走。整個刻蝕過程就是這樣的（圖4-3）。通過控制壓力，RF功率，氣體流量，溫度等條件使得等離子體刻蝕能順利進行。圖4-3 工藝腔（Process Chamber）的示意圖MFC: Mass Flow Controller, 質量流量控制器；CM: Capacitance Manometer, 電容式

27、壓力計；APC: Adaptive Pressure Controller, 壓力調節(jié)器；TMP: Turbo Molecular Pump, 渦輪分子泵4.4. 干法刻蝕設備的主要性能指標干法刻蝕設備的功能是在薄膜上準確復制特征圖形，從生產(chǎn)產(chǎn)品的角度講可以歸于兩方面：產(chǎn)量和良率。具體到設備上就對其性能指標提出一些要求。簡單的講，產(chǎn)量，對應的是干法刻蝕設備的刻蝕速率和機臺的稼動力；良率，對應的是干法刻蝕的刻蝕均勻性、刻蝕選擇性、損傷和污染。這里只對干法刻蝕設備這些性能指標作一個籠統(tǒng)的介紹。蝕刻材料刻蝕速率a-Si2000/minn+ a-Si1000/minSiNx3000/min表4-1刻蝕

28、速率和稼動力上表給出的是干法刻蝕工藝中需刻蝕的材料與其刻蝕速率。但這只是單純的指膜材料刻蝕的速率，并且這個數(shù)值可以通過修改工藝參數(shù)進行調節(jié)。實際上，刻蝕前的準備（上下物料，抽真空等等）和刻蝕后的處理都要占用時間而影響產(chǎn)量。所以在工藝過程中，真空設備的抽氣時間、吹掃時間，物料的傳送等等動作都是需要考量的。另，TEL機臺的刻蝕稼動力為85%。 刻蝕均勻性 面積保證值 單片 10%片對片 5%腔對腔 4SiNx/Mo 10 顆粒污染顆粒物大小顆粒物含量 1m 3m 50表4-2 良率相關的參數(shù)上面三個表給出了干法刻蝕機臺的刻蝕均勻性、選擇性和污染的性能指標。刻蝕均勻性的計算是在基板上選取13個點，測量數(shù)值，然后由 （max-min）/（max+min）*100這個公式得到。在工藝中，等離子體的刻蝕輻射損傷對器件的影響不是很明顯，所以我們沒有去考量?？偨Y與展望一、總結本文簡單描述了干法刻蝕的機理和原理，了解干法刻蝕的在集成電路制造工藝的一些