傳感器選擇題

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上1.己知某溫度傳感器為時(shí)間常數(shù)T =3s的一階系統(tǒng)，當(dāng)受到突變溫度作用后，傳感器輸出指示溫差的三分之一所需的時(shí)間為( C) sA、3 B、1 C、1.2 D、1/32.有一只溫度傳感器，其微分方程為式中，y為輸出電壓，mV；x為輸入溫度，°C。則該傳感器的時(shí)間常數(shù)為（D）。A、5s；B、8s；C、15s；D、10s；3.某溫度傳感器，其微分方程為式中，y為輸出電壓，mV；x為輸入溫度，°C。則該傳感器的靈敏度S為（B）。A、0.5s；B、0.05mv/°C；C、15s；D、0.15mv/°C；4.下列傳感器中的不屬于結(jié)構(gòu)型傳感器

2、的是(A)A、擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器。B、線繞電位器式傳感器。C、應(yīng)變片式壓力傳感器。D、金屬絲式傳感器。5.下列不屬于按傳感器的工作原理進(jìn)行分類的傳感器是(B )。A、應(yīng)變式傳感器 B、化學(xué)型傳感器C、壓電式傳感器 D、熱電式傳感器6.隨著人們對(duì)各項(xiàng)產(chǎn)品技術(shù)含量要求的不斷提高，傳感器也朝向智能化方面發(fā)展。其中，典型的傳感器智能化結(jié)構(gòu)模式是(B )。A、傳感器+通信技術(shù)B、傳感器+微處理器C、傳感器+多媒體技術(shù)D、傳感器+計(jì)算機(jī)7.傳感器主要完成兩方面的功能檢測(cè)和(D)。A、測(cè)量B、感知C、信號(hào)調(diào)節(jié)D、轉(zhuǎn)換8.（本題為多選題）傳感技術(shù)的作用主要體現(xiàn)在： (ABCD )。A、傳感技術(shù)是產(chǎn)品檢驗(yàn)和

3、質(zhì)量控制的重要手段B、傳感技術(shù)在系統(tǒng)安全經(jīng)濟(jì)運(yùn)行監(jiān)測(cè)中得到了廣泛應(yīng)用C、傳感技術(shù)及裝置是自動(dòng)化系統(tǒng)不可缺少的組成部分D、傳感技術(shù)的完善和發(fā)展推動(dòng)著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步9.傳感技術(shù)的研究?jī)?nèi)容主要包括：(ABC)A、信息獲取 B、信息轉(zhuǎn)換 C、信息處理D、信息傳輸10.一階傳感器輸出達(dá)到穩(wěn)態(tài)值的10%到90%所需的時(shí)間是( B)。A、延遲時(shí)間B、上升時(shí)間C、峰值時(shí)間D、響應(yīng)時(shí)間11.傳感器的下列指標(biāo)全部屬于靜態(tài)特性的是(C)。A、線性度、靈敏度、阻尼系數(shù)B、幅頻特性、相頻特性、穩(wěn)態(tài)誤差C、遲滯、重復(fù)性、漂移D、精度、時(shí)間常數(shù)、重復(fù)性12.傳感器的下列指標(biāo)全部屬于動(dòng)態(tài)特性的是(B )。A、遲滯、靈敏度

4、、阻尼系數(shù)B、幅頻特性、相頻特性C、重復(fù)性、漂移D、精度、時(shí)間常數(shù)、重復(fù)性13.利用霍爾片，我們可以測(cè)量一步到位哪些物理量（ ABCD）。A、磁場(chǎng)；B、電功率；C、載流子濃度；D、載流子類型。14.屬于傳感器動(dòng)態(tài)特性指標(biāo)的是( B)。A、重復(fù)性B、固有頻率 C、靈敏度D、漂移15.在整個(gè)測(cè)量過(guò)程中，如果影響和決定誤差大小的全部因素(條件)始終保持不變， 對(duì)同一被測(cè)量進(jìn)行多次重復(fù)測(cè)量，這樣的測(cè)量稱為( C )。A、組合測(cè)量 . B、靜態(tài)測(cè)量C、等精度測(cè)量D、零位式測(cè)量16.下列傳感器中的物性型傳感器的是(A)A、擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器。B、線繞電位器式傳感器。C、應(yīng)變片式壓力傳感器。D、金屬絲式

5、傳感器。17.影響金屬導(dǎo)電材料應(yīng)變靈敏度系數(shù)K的主要因素是(B )。A、導(dǎo)電材料電阻率的變化 B、導(dǎo)電材料幾何尺寸的變化C、導(dǎo)電材料物理性質(zhì)的變化D、導(dǎo)電材料化學(xué)性質(zhì)的變化20題圖18.100的應(yīng)變片在外力作用（0.05）下，電阻變化了1，則該應(yīng)變片的靈敏系數(shù)K為(A )。A、2 B、1.5C、2.5D、419.電阻應(yīng)變片的線路溫度補(bǔ)償方法有(B)。A、差動(dòng)電橋補(bǔ)償法B、補(bǔ)償塊粘貼補(bǔ)償應(yīng)變片電橋補(bǔ)償法C、補(bǔ)償線圈補(bǔ)償法D、恒流源溫度補(bǔ)償電路法20.如圖所示，對(duì)該壓力傳感器R1、R2的說(shuō)法中正確的是（B）。A、R1是工作片、R2是補(bǔ)償片；B、R2是工作片、R1是補(bǔ)償片；C、R1、R2都是工作片；

6、21.當(dāng)應(yīng)變片的主軸線方向與試件軸線方向一致，且試件軸線上受一維應(yīng)力作用時(shí)，應(yīng)變片靈敏系數(shù)K的定義是(C)。A、應(yīng)變片電阻相對(duì)變化與試件主應(yīng)力之比B、應(yīng)變片電阻與試件主應(yīng)力方向的應(yīng)變之比C、應(yīng)變片電阻相對(duì)變化與試件主應(yīng)力方向的應(yīng)變之比D、應(yīng)變片電阻相對(duì)變化與試件作用力之比22.由(A )、應(yīng)變片以及一些附件(補(bǔ)償元件、保護(hù)罩等)組成的裝置稱為應(yīng)變式傳感器。A、彈性元件B、調(diào)理電路C、信號(hào)采集電路D、敏感元件23.（本題為多選題）電阻應(yīng)變式傳感器具有悠久的歷史，是應(yīng)用最廣泛的傳感器之一。將電阻應(yīng)變片粘貼到各種彈性敏感元件上，可構(gòu)成測(cè)量各種參數(shù)的電阻應(yīng)變式傳感器，這些參數(shù)包括(ABCD)。A、位移

7、B、加速度C、力D、力矩24.關(guān)于右圖的電橋中的說(shuō)法正確的是（C）。A、 R1R2R,3R4時(shí)，電橋才為第二對(duì)稱電橋；B、 R1R2R,3R4時(shí)，電橋?yàn)榈诙?duì)稱電橋；C、 R1R2R,3R4時(shí)，電橋?yàn)榈诙?duì)稱電橋；D、 R1R2R,3R4時(shí)，電橋才為第二對(duì)稱電橋。25.如圖所示，令，則關(guān)于此電橋說(shuō)法正確的是（A）。A、 k1電橋輸出非線性誤差比等臂電橋大；B、 k1電橋輸出非線性誤差比等臂電橋大；C、 k1電橋輸出非線性誤差比等臂電橋大；D、 k1其非線性誤差比等臂電橋小。26.本題為多選題）如圖所示，令，則關(guān)于此電橋說(shuō)法正確的是（BD）。A、 k1電橋輸出非線性誤差比等臂電橋小；B、 k1電

8、橋輸出非線性誤差比等臂電橋?。籆、 k1電橋輸出非線性誤差比等臂電橋大；D、 k1其非線性誤差等于等臂電橋。27.在金屬于箔式應(yīng)變片差動(dòng)單橋測(cè)力實(shí)驗(yàn)中不需要的實(shí)驗(yàn)設(shè)備是(B )。A、直流穩(wěn)壓電源B、低通濾波器 C、差動(dòng)放大器D、電壓表28.為了減小電容式傳感器的測(cè)量非線性誤差，我們應(yīng)該將兩個(gè)相同的電容式傳感器，聯(lián)接成（D）形式。A、串聯(lián)；B、并聯(lián)；C混合聯(lián)接；D、差動(dòng)。29.（本題為多選題）引起電容傳感器本身固有誤差的原因有（ABC）。A、溫度對(duì)結(jié)構(gòu)尺寸的影響；B、電容電場(chǎng)邊緣效應(yīng)的影響；C、分布電容的影響；D、后繼電路放大倍數(shù)的影響。A、串聯(lián)；B、并聯(lián)；C混合聯(lián)接；D、差動(dòng)。30.如將變面積

9、型電容式傳感器接成差動(dòng)形式，其靈敏度將(B )。A、保持不變B、增大為原來(lái)的一倍C、減小一倍D、增大為原來(lái)的兩倍31.當(dāng)變間隙式電容傳感器兩極板間的初始距離d增加時(shí)，將引起傳感器的( B )。A、靈敏度增加B、靈敏度減小C、非線性誤差增加D、非線性誤差不變32.用電容式傳感器測(cè)量固體或液體物位時(shí)，應(yīng)該選用（ C）。A、變間隙式B、變面積式C、變介電常數(shù)式D、空氣介質(zhì)變間隙式33.（本題為多選題）電容式傳感器中輸入量與輸出量的關(guān)系為線性的有（ AB）。A、變面積型電容傳感器B、變介質(zhì)型電容傳感器C、變電荷型電容傳感器D、變極距型電容傳感器34.（本題為多選題）關(guān)于差動(dòng)脈沖寬度調(diào)制電路的說(shuō)法正確的

10、是( BD)。A、適用于變極板距離和變介質(zhì)型差動(dòng)電容傳感器B、適用于變極板距離差動(dòng)電容傳感器且為線性特性C、適用于變極板距離差動(dòng)電容傳感器且為非線性特性D、適用于變面積型差動(dòng)電容傳感器且為線性特性35.關(guān)于運(yùn)算放大電路的說(shuō)法正確的是( D)。A、適用于單個(gè)變極板距離電容傳感器，輸出為非線性B、適用于變面積型差動(dòng)電容傳感器且輸出為線性特性C、適用于變極板距離差動(dòng)電容傳感器且輸出為非線性特性D、適用于單個(gè)變極板距離差動(dòng)電容傳感器且輸出為線性特性36.交流電橋的平衡條件為( B)。A、相鄰橋臂阻抗值乘積相等B、相對(duì)橋臂阻抗值乘積相等C、相對(duì)橋臂阻抗值比值相等D、相鄰橋臂阻抗值之和相等37.（本題為多

11、選題）以平行板電容器為例，我們可以利用原理做成（ ABC ）型傳感器。A、變間距；B、變介質(zhì)介電常數(shù)；C、變面積；變D、變電阻。38.下列說(shuō)法正確的是(D )。A、差動(dòng)整流電路可以消除零點(diǎn)殘余電壓，但不能判斷銜鐵的位置。B、差動(dòng)整流電路可以判斷銜鐵的位置和運(yùn)動(dòng)方向。C、相敏檢波電路可以判斷位移的大小，但不能判斷位移的方向。D、相敏檢波電路可以判斷位移的大小和位移的方向。39.（本題為多選題）下列說(shuō)法正確的是(AD )。A、變氣隙式電感傳感器不宜作為大移位測(cè)量。B、變氣隙式電感傳感器可以作為大移位測(cè)量。C、螺管式電感傳感器不宜作為大移位測(cè)量。D、螺管式電感傳感器宜作為大移位測(cè)量。40.（本題為多

12、選題）電感式傳感器可以對(duì)(ABCD)等物理量進(jìn)行測(cè)量。A、位移B、振動(dòng)C、壓力D、流量41.（本題為多選題）下列說(shuō)法正確的是(AD )。A、變氣隙式電感傳感器不宜作為大移位測(cè)量。B、變氣隙式電感傳感器可以作為大移位測(cè)量。C、螺管式電感傳感器不宜作為大移位測(cè)量。D、螺管式電感傳感器宜作為大移位測(cè)量。42.對(duì)變壓器式電感傳感器而言，要使非線性誤差減小，應(yīng)該使兩個(gè)副線圈（B）。A、正向串聯(lián)；B、反向串聯(lián)；C、正向并聯(lián)；D、反向并聯(lián)。43.（本題為多選題）電渦流式傳感器有如下何種工作形式（AB）。A、高頻反射式；B、低頻透射式；C、直流反射式；D、直接接觸式。44.對(duì)電感變壓器式傳感器，為了得到與銜鐵

13、位移大小和方向相關(guān)的信息，我們應(yīng)該（B）。A、將兩個(gè)副線圈同向串聯(lián)；B、將兩個(gè)副線圈反向串聯(lián)；C、將兩個(gè)互線圈并聯(lián)；D、將兩個(gè)互線圈并聯(lián)后接入相敏檢波電路。45.電感式傳感器的常用測(cè)量電路不包括(C )。A、交流電橋B、變壓器式交流電橋C、脈沖寬度調(diào)制電路D、諧振式測(cè)量電路46.對(duì)電感變壓器式傳感器，為了得到與銜鐵位移大小和方向相關(guān)的信息，我們應(yīng)該（B）。A、將兩個(gè)副線圈同向串聯(lián)；B、將兩個(gè)副線圈反向串聯(lián)；C、將兩個(gè)互線圈并聯(lián)；D、將兩個(gè)互線圈并聯(lián)后接入相敏檢波電路。47.聚偏二氟乙烯薄膜之所以能作為人造皮膚是因?yàn)椋?A）A、 其阻抗與人的皮膚阻抗相接近；B、 它是晶體；C、 它具有完全各向異

14、性的特性；D、完全各向同性的特性。48.關(guān)于壓電式傳感器的下列說(shuō)法正確的是（C）。A、測(cè)量頻率越高，壓電式傳感器測(cè)量精度越高；B、測(cè)量頻率越低，壓電式傳感器測(cè)量精度越高；C、我們期望壓電式傳感器測(cè)量測(cè)量精度與測(cè)量的工作頻率無(wú)關(guān)；D、測(cè)量頻率可以無(wú)限提高。49.對(duì)石英晶體，下列說(shuō)法正確的是( A)。A、沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也沒(méi)有電荷產(chǎn)生B、沿光軸方向施加作用力，不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，但會(huì)有電荷產(chǎn)生C、沿光軸方向施加作用力，會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，但沒(méi)有電荷產(chǎn)生D、沿光軸方向施加作用力，會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)，也會(huì)有電荷產(chǎn)生50.石英晶體和壓電陶瓷的壓電效應(yīng)對(duì)比正確的是( B )。A、壓電陶瓷比石

15、英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性也比石英晶體好B、壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如石英晶體好C、石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性也比壓電陶瓷好D、石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯，穩(wěn)定性不如壓電陶瓷好51.用于厚度測(cè)量的壓電陶瓷器件利用了(C )原理。A、磁阻效應(yīng)B、壓阻效應(yīng) C、正壓電效應(yīng)D、逆壓電效應(yīng)52.石英晶體在沿電軸X方向的力作用下會(huì)( D )。A、不產(chǎn)生壓電效應(yīng)B、產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng) C、產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)D、產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)53.（本題為多選題）以下因素在選擇合適的壓電材料時(shí)必須考慮的有( ABCD )。A、轉(zhuǎn)換性能B、電性能C、時(shí)間穩(wěn)定性D、溫度穩(wěn)定性54.為了得到

16、盡可能大的電荷輸出，我們應(yīng)該將多個(gè)壓電晶片（B ）使用。A、串聯(lián)；B、并聯(lián)；C、后接電荷放大電路；C、后接電壓放大電路；55.如果將3個(gè)單片電壓為U、電荷為q的壓電晶片并聯(lián)使用后，關(guān)于輸出電壓與輸出電荷的說(shuō)法中，正確的是（C）。A、U´3U，q´3q； B、U´U/3，q´q/3；C、U´U，q´3q； D、U´U，q´q/3；56.在運(yùn)算放大器放大倍數(shù)很大時(shí)，壓電傳感器輸入電路中的電荷放大器的輸出電壓與(A )成正比。 A、輸入電荷B、反饋電容 C、電纜電容D、放大倍數(shù) 57.壓電式傳感器不能

17、用于靜態(tài)力的測(cè)量，是因?yàn)椋?D）。A、靜態(tài)的力不能產(chǎn)生壓電效應(yīng)；B、壓電晶體的壓電效應(yīng)喪失了；C、因?yàn)楹罄^放大電路的輸入阻抗太大了；D、因?yàn)楫a(chǎn)生的電荷通過(guò)后繼放大電路放電了。58.關(guān)于石英晶體的結(jié)構(gòu)下列說(shuō)法正確的是（C）。A、 石英晶體具有完全各向異性的特性；B、 石英晶體具有完全各向同性的特性；C、 石英晶體是介于各向異性和石英晶體具有完全各向異性的晶體；以上說(shuō)法都不對(duì)。59.熱電偶的最基本組成部分是( A )。 A、熱電極 B、保護(hù)管 C、絕緣管 D、接線盒 60.為了減小熱電偶測(cè)溫時(shí)的測(cè)量誤差，需要進(jìn)行的溫度補(bǔ)償方法不包括(D )。 A、補(bǔ)償導(dǎo)線法B、電橋補(bǔ)償法C、冷端恒溫法D、差動(dòng)放大

18、法 61.熱電偶測(cè)量溫度時(shí)(D )。 A、需加正向電壓B、需加反向電壓 C、加正向、反向電壓都可以D、不需加電壓 62.在實(shí)際的熱電偶測(cè)溫應(yīng)用中，引用測(cè)量?jī)x表而不影響測(cè)量結(jié)果是利用了熱電偶的哪 個(gè)基本定律(A )。 A、 中間導(dǎo)體定律 B、中間溫度定律C、標(biāo)準(zhǔn)電極定律 D、均質(zhì)導(dǎo)體定律 63（本題為多選題）熱電偶近年來(lái)被廣泛采用，以下屬于熱電偶具有的優(yōu)點(diǎn)有( ABCD)。 A、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單B、精度高 C、熱慣性小D、可測(cè)局部溫度、便于遠(yuǎn)距離傳送與集中檢測(cè) 64（本題為多選題）半導(dǎo)體熱敏電阻包括: ( ABC) A、正溫度系數(shù)熱敏電阻B、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻 C、臨界溫度系數(shù)熱敏電阻D、非溫度系數(shù)熱敏

19、電阻65、要形成測(cè)溫?zé)犭娕嫉南铝心膫€(gè)條件可以不要（C）。A、必須使用兩種不同的金屬材料；B、熱電偶的兩端溫度必須不同；C、熱電偶的冷端溫度一定要是零；D、熱電偶的冷端溫度沒(méi)有固定要求。66、下列關(guān)于測(cè)溫傳感器的選擇中合適的是（B）。A、要想快速測(cè)溫，應(yīng)該選用利用PN結(jié)形成的集成溫度傳感器；B、要想快速測(cè)溫，應(yīng)該選用熱電偶溫度傳感器；C、要想快速測(cè)溫，應(yīng)該選用熱電阻式溫度傳感器；D、沒(méi)有固定要求。67、用熱電阻測(cè)溫時(shí)，熱電阻在電橋中采用三線制接法的目的是(C )。 A、接線方便B、減小引線電阻變化產(chǎn)生的測(cè)量誤差 C、減小橋路中其他電阻對(duì)熱電阻的影響 D、減小橋路中電源對(duì)熱電阻的影響68、在分析熱

20、電偶直接插入熱水中測(cè)溫過(guò)程中，我們得出一階傳感器的實(shí)例，其中用到了（D）。A、動(dòng)量守恒；B、能量守恒；C、機(jī)械能守恒；D、電荷量守恒；69、下列光電器件中，基于光電導(dǎo)效應(yīng)工作的是( B)。 A、光電管B、光敏電阻 C、光電倍增管D、光電池 70、構(gòu)成CCD的基本單元是( D)。 A、 P型硅B、PN結(jié) C、光敏二極管D、MOS電容器 70、（本題為多選題）下列說(shuō)法正確的是（CD）：A、要產(chǎn)生外光電效應(yīng)，應(yīng)該使入射光子的能量小于逸出功； B、若入射光能產(chǎn)生光電效應(yīng)，則入射光強(qiáng)度相同的條件下，入射光的頻率越高，打出的光電子數(shù)越多；C、要形成光電流，光電倍增管的陰極應(yīng)該接電源的負(fù)極。D、若入射光能產(chǎn)

21、生光電效應(yīng)，則入射光強(qiáng)度相同的條件下，入射光的頻率越高，打出的光電子數(shù)越少；73、（本題為多選題）下列關(guān)于電荷耦合器件的說(shuō)法正確的是（ABD）。A、沒(méi)有物質(zhì)的光電效應(yīng)就沒(méi)有電荷耦合器件；B、電荷耦合器件工作過(guò)程之一就是電荷定向轉(zhuǎn)移；C、電荷耦合器件的信號(hào)輸出必須要有光電管；D、電荷耦合器件的信號(hào)輸出不要光電管。74、下列關(guān)于光敏二極管和光敏晶體管的對(duì)比不正確的是(D )。 A、光敏二極管的光電流很小，光敏晶體管的光電流則較大 B、光敏二極管與光敏晶體管的暗電流相差不大 C、工作頻率較高時(shí)，應(yīng)選用光敏二極管；工作頻率較低時(shí)，應(yīng)選用光敏晶體管 D、光敏二極管的線性特性較差，而光敏晶體管有很好的線性

22、特性 75、制作霍爾元件最合適的材料是（D）。A、銅；B、石英晶體；C、鎳；D、半導(dǎo)體76、空霍爾片不等位電勢(shì)是產(chǎn)生的原因是（C）。A、由于高頻交流的作用；B、霍爾傳感器沒(méi)有放在中間位置；C、霍爾電極不能焊接在同一等位面上；D、導(dǎo)線焊接不牢固；77、（本題為多選題）減小不等位電勢(shì)可以采用的方法是（ABC）。A、機(jī)械修磨；B、化學(xué)腐蝕；C、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行補(bǔ)償；D、無(wú)法解決。78、在使用霍爾片時(shí)，減小霍爾片不等位電勢(shì)通常最行之有效采用的方法是（ C）。A、機(jī)械修磨；B、化學(xué)腐蝕；C、補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行補(bǔ)償；D、無(wú)法解決。79、（本題為多選題）利用霍爾片，我們可以測(cè)量一步到位哪些物理量（ ABCD）。A、磁場(chǎng)；B、電功率；C、載流子濃度；D、載流子類型。80