新第3章存儲(chǔ)器

1、第第2章章 存儲(chǔ)器基礎(chǔ)存儲(chǔ)器基礎(chǔ) 1.本章主要內(nèi)容：本章主要內(nèi)容： 存儲(chǔ)器概述、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、典型存儲(chǔ)器芯片。存儲(chǔ)器概述、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、典型存儲(chǔ)器芯片。 2.本章重點(diǎn)：本章重點(diǎn)： 典型存儲(chǔ)器芯片及其功能典型存儲(chǔ)器芯片及其功能 3.本章難點(diǎn)：本章難點(diǎn)： 典型存儲(chǔ)器芯片即功能典型存儲(chǔ)器芯片即功能 4.教學(xué)內(nèi)容如下教學(xué)內(nèi)容如下 存儲(chǔ)器是機(jī)器碼指令和數(shù)據(jù)的器件。CPU取指和執(zhí)行訪問存儲(chǔ)器的指令都需要與存儲(chǔ)器打交道。存儲(chǔ)器性能的好壞在很大程度上影響著微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能。 3.1微機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)微機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu) 分為四級：最內(nèi)一級為內(nèi)部寄存器組，第二級為高速緩沖存儲(chǔ)器(cache)，第三級為

2、內(nèi)存儲(chǔ)器，最外面一級為外存儲(chǔ)器。從上至下，它們在存儲(chǔ)容量上依次遞增，而在存取速度和單位價(jià)格上依次遞減。 3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM RAM又稱為讀寫存儲(chǔ)器。但斷電后RAM中存放的信息將丟失。RAM適宜存放原始數(shù)據(jù)、中間結(jié)果及最后的運(yùn)算結(jié)果，因此又稱為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM RAM又稱為讀寫存儲(chǔ)器。但斷電后RAM中存放的信息將丟失。RAM適宜存放原始數(shù)據(jù)、中間結(jié)果及最后的運(yùn)算結(jié)果，因此又稱為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 (1)SRAM(Static RAM) SRAM是一種靜

3、態(tài)RAM。存儲(chǔ)單元電路以雙穩(wěn)電路為基礎(chǔ)，故狀態(tài)穩(wěn)定，不掉電信息就不會(huì)丟失。 3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM RAM又稱為讀寫存儲(chǔ)器。但斷電后RAM中存放的信息將丟失。RAM適宜存放原始數(shù)據(jù)、中間結(jié)果及最后的運(yùn)算結(jié)果，因此又稱為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 (1)SRAM(Static RAM) SRAM是一種靜態(tài)RAM。存儲(chǔ)單元電路以雙穩(wěn)電路為基礎(chǔ)，故狀態(tài)穩(wěn)定，不掉電信息就不會(huì)丟失。 (2)DRAM(Dynamic RAM) DRAM是一種動(dòng)態(tài)RAM。存儲(chǔ)單元電路以電容為基礎(chǔ)。依靠電容存儲(chǔ)信息充電后為“1”，放電后為“0”。 由于電容存在泄漏電流的放電作

4、用，“1”的保持時(shí)間只有幾毫秒，為了不丟失信息，每隔12毫秒必須對保持“1”的電容重新充電，這稱為動(dòng)態(tài)RAM的定時(shí)刷新。 動(dòng)態(tài)RAM的電路簡單、集成度高、功耗小、價(jià)格便宜，但不掉電也會(huì)因電容放電而丟失信息，需為之設(shè)置專門的刷新電路。 3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM 2.ROM ROM是計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)只能執(zhí)行讀操作的存儲(chǔ)器。 掉電后ROM中存放的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。因此在微機(jī)系統(tǒng)中ROM適宜存放程序、常數(shù)、表格等，因此又稱為程序存儲(chǔ)器。 ROM有以下五類： (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器

5、(Programmable ROM，PROM)：它是ROM。前續(xù)字母P表示用戶通過其他技術(shù)手段可將程序?qū)懭隤ROM，但程序一經(jīng)寫入就不能改寫。PROM寫入程序的速度很慢，且要用到高壓，所以必須離線(脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))寫入，用特定的編程器將程序?qū)懭胫?(3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(Erasable PROM，EPROM)：首先它是PROM，具有PROM的一切特點(diǎn)。新的前續(xù)字母E表示可擦除。即它原先的程序可用紫外線擦除器擦去。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM)：這是近年發(fā)展起來的一種只讀存儲(chǔ)器，它具有PROM特征。

6、最前兩個(gè)前續(xù)字母EE表示它的用電擦除。即所謂電擦除方式。而且擦除、寫入、讀出的電源都用+5V，故能在線(不脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))改寫。3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM 2.ROM ROM是計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)只能執(zhí)行讀操作的存儲(chǔ)器。 掉電后ROM中存放的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。因此在微機(jī)系統(tǒng)中ROM適宜存放程序、常數(shù)、表格等，因此又稱為程序存儲(chǔ)器。 ROM有以下五類： (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM，PROM)：它是ROM。前續(xù)字母P表示用戶通過其他技術(shù)手段可將程

7、序?qū)懭隤ROM，但程序一經(jīng)寫入就不能改寫。PROM寫入程序的速度很慢，且要用到高壓，所以必須離線(脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))寫入，用特定的編程器將程序?qū)懭胫?(3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(Erasable PROM，EPROM)：首先它是PROM，具有PROM的一切特點(diǎn)。新的前續(xù)字母E表示可擦除。即它原先的程序可用紫外線擦除器擦去。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM)：這是近年發(fā)展起來的一種只讀存儲(chǔ)器，它具有PROM特征。最前兩個(gè)前續(xù)字母EE表示它的用電擦除。即所謂電擦除方式。而且擦除、寫入、讀出的電源都用+5V，故能在

8、線(不脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))改寫。3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM 2.ROM ROM是計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)只能執(zhí)行讀操作的存儲(chǔ)器。 掉電后ROM中存放的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。因此在微機(jī)系統(tǒng)中ROM適宜存放程序、常數(shù)、表格等，因此又稱為程序存儲(chǔ)器。 ROM有以下五類： (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM，PROM)：它是ROM。前續(xù)字母P表示用戶通過其他技術(shù)手段可將程序?qū)懭隤ROM，但程序一經(jīng)寫入就不能改寫。PROM寫入程序的速度很慢，且要用到高壓，所以必須離線(脫

9、離它所在的微機(jī)系統(tǒng))寫入，用特定的編程器將程序?qū)懭胫?(3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(Erasable PROM，EPROM)：首先它是PROM，具有PROM的一切特點(diǎn)。新的前續(xù)字母E表示可擦除。即它原先的程序可用紫外線擦除器擦去。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM)：這是近年發(fā)展起來的一種只讀存儲(chǔ)器，它具有PROM特征。最前兩個(gè)前續(xù)字母EE表示它的用電擦除。即所謂電擦除方式。而且擦除、寫入、讀出的電源都用+5V，故能在線(不脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))改寫。3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的

10、分類 。 1.RAM 2.ROM ROM是計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)只能執(zhí)行讀操作的存儲(chǔ)器。 掉電后ROM中存放的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。因此在微機(jī)系統(tǒng)中ROM適宜存放程序、常數(shù)、表格等，因此又稱為程序存儲(chǔ)器。 ROM有以下五類： (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM，PROM)：它是ROM。前續(xù)字母P表示用戶通過其他技術(shù)手段可將程序?qū)懭隤ROM，但程序一經(jīng)寫入就不能改寫。PROM寫入程序的速度很慢，且要用到高壓，所以必須離線(脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))寫入，用特定的編程器將程序?qū)懭胫?(3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(

11、Erasable PROM，EPROM)：首先它是PROM，具有PROM的一切特點(diǎn)。新的前續(xù)字母E表示可擦除。即它原先的程序可用紫外線擦除器擦去。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM)：這是近年發(fā)展起來的一種只讀存儲(chǔ)器，它具有PROM特征。最前兩個(gè)前續(xù)字母EE表示它的用電擦除。即所謂電擦除方式。而且擦除、寫入、讀出的電源都用+5V，故能在線(不脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))改寫。3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM 2.ROM ROM是計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)只能執(zhí)行讀操作的存儲(chǔ)器。 掉電后ROM中存放的

12、數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。因此在微機(jī)系統(tǒng)中ROM適宜存放程序、常數(shù)、表格等，因此又稱為程序存儲(chǔ)器。 ROM有以下五類： (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM，PROM)：它是ROM。前續(xù)字母P表示用戶通過其他技術(shù)手段可將程序?qū)懭隤ROM，但程序一經(jīng)寫入就不能改寫。PROM寫入程序的速度很慢，且要用到高壓，所以必須離線(脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))寫入，用特定的編程器將程序?qū)懭胫?(3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(Erasable PROM，EPROM)：首先它是PROM，具有PROM的一切特點(diǎn)。新的前續(xù)字母E表

13、示可擦除。即它原先的程序可用紫外線擦除器擦去。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM)：這是近年發(fā)展起來的一種只讀存儲(chǔ)器，它具有PROM特征。最前兩個(gè)前續(xù)字母EE表示它的用電擦除。即所謂電擦除方式。而且擦除、寫入、讀出的電源都用+5V，故能在線(不脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))改寫。3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM 2.ROM (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM，PROM)：它是ROM。前續(xù)字母P表示

14、用戶通過其他技術(shù)手段可將程序?qū)懭隤ROM，但程序一經(jīng)寫入就不能改寫。PROM寫入程序的速度很慢，且要用到高壓，所以必須離線(脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))寫入，用特定的編程器將程序?qū)懭胫?(3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(Erasable PROM，EPROM)：首先它是PROM，具有PROM的一切特點(diǎn)。新的前續(xù)字母E表示可擦除。即它原先的程序可用紫外線擦除器擦去。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM)：這是近年發(fā)展起來的一種只讀存儲(chǔ)器，它具有PROM特征。最前兩個(gè)前續(xù)字母EE表示它的用電擦除。即所謂電擦除方式。而且擦除、寫入、讀

15、出的電源都用+5V，故能在線(不脫離它所在的微機(jī)系統(tǒng))改寫。 (5)閃速存儲(chǔ)器( Flash Memory)：簡稱FLASH，是20世紀(jì)80年代中期推出的新型器件。它可以在在線條件下，即在計(jì)算機(jī)內(nèi)進(jìn)行擦除、改寫。因而稱為快擦寫型存儲(chǔ)器或閃速存儲(chǔ)器。它具有芯片整體電擦除或分區(qū)電擦除和可再編程功能，從而使它成為性能價(jià)格比和可靠性最高的可讀寫、非易失性存儲(chǔ)器。 3.2半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 。3.2.1 存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器的分類 。 1.RAM 2.ROM (1)掩模ROM：在半導(dǎo)體工廠生產(chǎn)時(shí)，已經(jīng)用掩模技術(shù)將程序嵌入芯片。 (2)可編程只讀存儲(chǔ)器(Programmable ROM，PROM) (

16、3)紫外線擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM(Erasable PROM，EPROM)。 (4)電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM(Electrically Erasable PROM) (5)閃速存儲(chǔ)器( Flash Memory)，簡稱FLASH。磁盤磁帶ROMRAM存儲(chǔ)器外存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)RAM靜態(tài)RAM閃存Flash Memory電擦除EEPROM紫外線擦除EPROM可編程PROM掩模式ROM3.2.2 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo) 1.存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量用“存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)每個(gè)單元的存儲(chǔ)位數(shù)”來表示。例如，存儲(chǔ)器有256個(gè)單元，每個(gè)單元存放8位二進(jìn)制數(shù)，那么該存儲(chǔ)器酌容量為25

17、6 x8位。 存儲(chǔ)器芯片的容量Q，地址線為N位，數(shù)據(jù)線為M位，則Q=M 。 2.存取速度 (1)存取時(shí)間：一次存儲(chǔ)器讀/寫操作時(shí)間。 (2)存取周期：是指連續(xù)兩次存儲(chǔ)器讀/寫操作之間所需要的最小時(shí)間間隔。 3.功耗功耗 反映了存儲(chǔ)器耗電的多少，同時(shí)也相應(yīng)地反映了它的發(fā)熱程度（溫度會(huì)限制集成度的提高）。通常要求是功耗小，這有利于存儲(chǔ)器的工作穩(wěn)定性。雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的功耗高于MOS型存儲(chǔ)器。 4.可靠性可靠性通常以平均無故障時(shí)間(Mean Time between Failures,MTBF)來衡量。平均無故障時(shí)間可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。平均無故障時(shí)間越長，則可靠性越高。 5.性能

18、/價(jià)格比 性能/價(jià)格比用于衡量存儲(chǔ)器的經(jīng)濟(jì)性能，它是存儲(chǔ)容量、存取速度、可靠性、價(jià)格等因素的綜合指標(biāo)，其中的價(jià)格還應(yīng)包括系統(tǒng)中因使用存儲(chǔ)器而附加的線路的價(jià)格。 2N3.2.2 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo) 1.存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量用“存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)每個(gè)單元的存儲(chǔ)位數(shù)”來表示。例如，存儲(chǔ)器有256個(gè)單元，每個(gè)單元存放8位二進(jìn)制數(shù)，那么該存儲(chǔ)器酌容量為256 x8位。 存儲(chǔ)器芯片的容量Q，地址線為N位，數(shù)據(jù)線為M位，則Q=M 。 2.存取速度 (1)存取時(shí)間：一次存儲(chǔ)器讀/寫操作時(shí)間。 (2)存取周期：是指連續(xù)兩次存儲(chǔ)器讀/寫操作之間所需要的最小時(shí)間間隔。 3.功耗功耗 反映了存儲(chǔ)器耗電的

19、多少，同時(shí)也相應(yīng)地反映了它的發(fā)熱程度（溫度會(huì)限制集成度的提高）。通常要求是功耗小，這有利于存儲(chǔ)器的工作穩(wěn)定性。雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的功耗高于MOS型存儲(chǔ)器。 4.可靠性可靠性通常以平均無故障時(shí)間(Mean Time between Failures,MTBF)來衡量。平均無故障時(shí)間可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。平均無故障時(shí)間越長，則可靠性越高。 5.性能/價(jià)格比 性能/價(jià)格比用于衡量存儲(chǔ)器的經(jīng)濟(jì)性能，它是存儲(chǔ)容量、存取速度、可靠性、價(jià)格等因素的綜合指標(biāo)，其中的價(jià)格還應(yīng)包括系統(tǒng)中因使用存儲(chǔ)器而附加的線路的價(jià)格。 3.2.2 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo) 1.存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量用

20、“存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)每個(gè)單元的存儲(chǔ)位數(shù)”來表示。例如，存儲(chǔ)器有256個(gè)單元，每個(gè)單元存放8位二進(jìn)制數(shù)，那么該存儲(chǔ)器酌容量為256 x8位。 存儲(chǔ)器芯片的容量Q，地址線為N位，數(shù)據(jù)線為M位，則Q=M 。 2.存取速度 (1)存取時(shí)間：一次存儲(chǔ)器讀/寫操作時(shí)間。 (2)存取周期：是指連續(xù)兩次存儲(chǔ)器讀/寫操作之間所需要的最小時(shí)間間隔。 3.功耗 反映了存儲(chǔ)器耗電的多少，同時(shí)也相應(yīng)地反映了它的發(fā)熱程度（溫度會(huì)限制集成度的提高）。通常要求是功耗小，這有利于存儲(chǔ)器的工作穩(wěn)定性。雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的功耗高于MOS型存儲(chǔ)器。 4.可靠性可靠性通常以平均無故障時(shí)間(Mean Time between Failures

21、,MTBF)來衡量。平均無故障時(shí)間可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。平均無故障時(shí)間越長，則可靠性越高。 5.性能/價(jià)格比 性能/價(jià)格比用于衡量存儲(chǔ)器的經(jīng)濟(jì)性能，它是存儲(chǔ)容量、存取速度、可靠性、價(jià)格等因素的綜合指標(biāo)，其中的價(jià)格還應(yīng)包括系統(tǒng)中因使用存儲(chǔ)器而附加的線路的價(jià)格。 3.2.2 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo) 1.存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量用“存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)每個(gè)單元的存儲(chǔ)位數(shù)”來表示。例如，存儲(chǔ)器有256個(gè)單元，每個(gè)單元存放8位二進(jìn)制數(shù)，那么該存儲(chǔ)器酌容量為256 x8位。 存儲(chǔ)器芯片的容量Q，地址線為N位，數(shù)據(jù)線為M位，則Q=M 。 2.存取速度 (1)存取時(shí)間：一次存儲(chǔ)器讀/寫操作

22、時(shí)間。 (2)存取周期：是指連續(xù)兩次存儲(chǔ)器讀/寫操作之間所需要的最小時(shí)間間隔。 3.功耗功耗 反映了存儲(chǔ)器耗電的多少，同時(shí)也相應(yīng)地反映了它的發(fā)熱程度（溫度會(huì)限制集成度的提高）。通常要求是功耗小，這有利于存儲(chǔ)器的工作穩(wěn)定性。雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的功耗高于MOS型存儲(chǔ)器。 4.可靠性可靠性通常以平均無故障時(shí)間(Mean Time between Failures,MTBF)來衡量。平均無故障時(shí)間可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。平均無故障時(shí)間越長，則可靠性越高。 5.性能/價(jià)格比 性能/價(jià)格比用于衡量存儲(chǔ)器的經(jīng)濟(jì)性能，它是存儲(chǔ)容量、存取速度、可靠性、價(jià)格等因素的綜合指標(biāo)，其中的價(jià)格還應(yīng)包括系統(tǒng)中

23、因使用存儲(chǔ)器而附加的線路的價(jià)格。 3.2.2 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo) 1.存儲(chǔ)容量 存儲(chǔ)容量用“存儲(chǔ)單元個(gè)數(shù)每個(gè)單元的存儲(chǔ)位數(shù)”來表示。例如，存儲(chǔ)器有256個(gè)單元，每個(gè)單元存放8位二進(jìn)制數(shù)，那么該存儲(chǔ)器酌容量為256 x8位。 存儲(chǔ)器芯片的容量Q，地址線為N位，數(shù)據(jù)線為M位，則Q=M 。 2.存取速度 (1)存取時(shí)間：一次存儲(chǔ)器讀/寫操作時(shí)間。 (2)存取周期：是指連續(xù)兩次存儲(chǔ)器讀/寫操作之間所需要的最小時(shí)間間隔。 3.功耗功耗 反映了存儲(chǔ)器耗電的多少，同時(shí)也相應(yīng)地反映了它的發(fā)熱程度（溫度會(huì)限制集成度的提高）。通常要求是功耗小，這有利于存儲(chǔ)器的工作穩(wěn)定性。雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的

24、功耗高于MOS型存儲(chǔ)器。 4.可靠性可靠性通常以平均無故障時(shí)間(Mean Time between Failures,MTBF)來衡量。平均無故障時(shí)間可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。平均無故障時(shí)間越長，則可靠性越高。 5.性能/價(jià)格比 性能/價(jià)格比用于衡量存儲(chǔ)器的經(jīng)濟(jì)性能，它是存儲(chǔ)容量、存取速度、可靠性、價(jià)格等因素的綜合指標(biāo)，其中的價(jià)格還應(yīng)包括系統(tǒng)中因使用存儲(chǔ)器而附加的線路的價(jià)格。 3.2.2 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo) 1.存儲(chǔ)容量 2.存取速度 3.功耗功耗 4.可靠性 5.性能/價(jià)格比 用戶選用存儲(chǔ)器時(shí)，應(yīng)針對具體的用途，側(cè)重考慮要滿足某種性能，以利于用戶選用存儲(chǔ)器時(shí)

25、，應(yīng)針對具體的用途，側(cè)重考慮要滿足某種性能，以利于降低整個(gè)系統(tǒng)的價(jià)格。例如，選用外存儲(chǔ)器要求它有較大的存儲(chǔ)容量，但對于存降低整個(gè)系統(tǒng)的價(jià)格。例如，選用外存儲(chǔ)器要求它有較大的存儲(chǔ)容量，但對于存取是否高速則不作要求；高速緩存要求較高的存取速度，但對于其存儲(chǔ)容量則不取是否高速則不作要求；高速緩存要求較高的存取速度，但對于其存儲(chǔ)容量則不過高要求。過高要求。3.3典型存儲(chǔ)器芯片典型存儲(chǔ)器芯片在微型計(jì)算機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，常用的存儲(chǔ)器類型主要有SRAM、EPROM等。3.3.1 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 一般采用CMOS工藝制造，由單一的+5V電源供電，額定功耗為200mW左右。存儲(chǔ)速度較快，一般為

26、200ns左右。 3.3.1 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (腳號與腳名解釋) RAM邏輯符號1.SRAM功能表 當(dāng) 輸入1時(shí)，表示SRAM未被選中，本芯片不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中，此時(shí) 和 輸入都為1，本芯片雖被選中，但沒有收到任何操作信號，本芯片仍不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是 數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入0、 輸入1，本片被選中同時(shí)收到讀操作信號，本片響應(yīng)：將本片的，由 Ak-1A0輸入的地址確定的某單元中的數(shù)據(jù)從D7D0送出。功能表中的Dout扼要表示此意。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中，

27、 輸入1、 輸入0，本片被選中同時(shí)收到寫操作信號，本片響應(yīng)：將D7D0上的數(shù)據(jù)輸入由Ak-1A0輸入的地址確定的本片某單元。功能表中的Din扼要表示此意。 功能表中沒有列出地址線功能表中沒有列出地址線Ak-1A0，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如上述、提及），沒有必要列入表中。上述、提及），沒有必要列入表中。 當(dāng) 輸入1時(shí)，表示SRAM未被選中，本芯片不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中，此時(shí) 和 輸入都為1，本芯片雖被選中，但沒有收到任何操作信號，本芯片仍不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是 數(shù)據(jù)線D7D0對外呈

28、高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入0、 輸入1，本片被選中同時(shí)收到讀操作信號，本片響應(yīng)：將本片的，由 Ak-1A0輸入的地址確定的某單元中的數(shù)據(jù)從D7D0送出。功能表中的Dout扼要表示此意。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入1、 輸入0，本片被選中同時(shí)收到寫操作信號，本片響應(yīng)：將D7D0上的數(shù)據(jù)輸入由Ak-1A0輸入的地址確定的本片某單元。功能表中的Din扼要表示此意。 功能表中沒有列出地址線功能表中沒有列出地址線Ak-1A0，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如上述、提及），沒有必要列入表中。上述、提及），沒有必要列

29、入表中。 1.SRAM功能表 當(dāng) 輸入1時(shí)，表示SRAM未被選中，本芯片不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中，此時(shí) 和 輸入都為1，本芯片雖被選中，但沒有收到任何操作信號，本芯片仍不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是 數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入0、 輸入1，本片被選中同時(shí)收到讀操作信號，本片響應(yīng)：將本片的，由 Ak-1A0輸入的地址確定的某單元中的數(shù)據(jù)從D7D0送出。功能表中的Dout扼要表示此意。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入1、 輸入0，本片被選中同時(shí)收到寫操作信號，本片響應(yīng)：將D7D0上的數(shù)據(jù)輸入由Ak-1

30、A0輸入的地址確定的本片某單元。功能表中的Din扼要表示此意。 功能表中沒有列出地址線功能表中沒有列出地址線Ak-1A0，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如上述、提及），沒有必要列入表中。上述、提及），沒有必要列入表中。 1.SRAM功能表 當(dāng) 輸入1時(shí)，表示SRAM未被選中，本芯片不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中，此時(shí) 和 輸入都為1，本芯片雖被選中，但沒有收到任何操作信號，本芯片仍不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是 數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入0、 輸入1，本片被選

31、中同時(shí)收到讀操作信號，本片響應(yīng)：將本片的，由 Ak-1A0輸入的地址確定的某單元中的數(shù)據(jù)從D7D0送出。功能表中的Dout扼要表示此意。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入1、 輸入0，本片被選中同時(shí)收到寫操作信號，本片響應(yīng)：將D7D0上的數(shù)據(jù)輸入由Ak-1A0輸入的地址確定的本片某單元。功能表中的Din扼要表示此意。 功能表中沒有列出地址線功能表中沒有列出地址線Ak-1A0，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如上述、提及），沒有必要列入表中。上述、提及），沒有必要列入表中。 1.SRAM功能表 當(dāng) 輸入1時(shí)，表示SRAM未被選中，本芯片

32、不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中，此時(shí) 和 輸入都為1，本芯片雖被選中，但沒有收到任何操作信號，本芯片仍不響應(yīng)，具體表現(xiàn)是 數(shù)據(jù)線D7D0對外呈高阻態(tài)。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入0、 輸入1，本片被選中同時(shí)收到讀操作信號，本片響應(yīng)：將本片的，由 Ak-1A0輸入的地址確定的某單元中的數(shù)據(jù)從D7D0送出。功能表中的Dout扼要表示此意。 當(dāng) 輸入0時(shí)，表示SRAM被選中， 輸入1、 輸入0，本片被選中同時(shí)收到寫操作信號，本片響應(yīng)：將D7D0上的數(shù)據(jù)輸入由Ak-1A0輸入的地址確定的本片某單元。功能表中的Din扼要表示此意。 功能表中

33、沒有列出地址線功能表中沒有列出地址線Ak-1A0，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如，不是此線不起作用，而是因?yàn)樽饔蔑@而易見（如上述、提及），沒有必要列入表中。上述、提及），沒有必要列入表中。 1.SRAM功能表 時(shí)刻為第一個(gè)激勵(lì)信號輸入時(shí)間；時(shí)刻為最后一個(gè)激勵(lì)信號輸入時(shí)間；時(shí)刻為本芯片響應(yīng)穩(wěn)定，開始輸出穩(wěn)定數(shù)據(jù)的時(shí)間；和之間的延時(shí)，它是SRAM對讀激勵(lì)的響應(yīng)時(shí)間，稱為讀取時(shí)間。 2.SRAM時(shí)序 (1)“讀”時(shí)序：縱軸為信號電壓，橫軸為時(shí)間。 時(shí)刻為第一個(gè)激勵(lì)信號輸入時(shí)間；時(shí)刻為最后一個(gè)激勵(lì)信號輸入時(shí)間；時(shí)刻激勵(lì)信號開始撤銷，亦即第一個(gè)“激勵(lì)信號撤銷”時(shí)間；一個(gè)時(shí)段是指時(shí)刻和之間的延

34、時(shí)，它是SRAM對寫激勵(lì)的響應(yīng)時(shí)間，稱為存儲(chǔ)時(shí)間。 2.SRAM時(shí)序 (1)“寫”時(shí)序：縱軸為信號電壓，橫軸為時(shí)間。3.3.2 EPROM (腳號與腳名解釋) 1.EPROM功能表在線為ROM，可“Read”離線為EPROM，可“Programmable” (可“Erasable”)EPROM怎么知道自己是否“在線”呢：Vpp輸入5v為在線；輸入12.5v為離線。 1.EPROM功能表在線為ROM，可“Read”離線為EPROM，可“Programmable” (可“Erasable”) EPROM離線功能很重要，但與構(gòu)建微機(jī)系統(tǒng)無關(guān)。略去功能表相關(guān)行列得: 在線EPROM功能表 EPROM功

35、能表與邏輯符號 在線EPROM邏輯符號在線EPROM功能表 EPROM與與SRAM比對比對 在線EPROM邏輯符號在線EPROM功能表 SRAM功能表 SRAM邏輯符號 EPROM與與SRAM比對比對 在線EPROM邏輯符號在線EPROM功能表 SRAM功能表 SRAM邏輯符號 EPROM與與SRAM比對結(jié)比對結(jié)論：論： 兩者兩者“讀讀”功能完全相功能完全相同同“讀讀” 時(shí)序完全相同。時(shí)序完全相同。 EPROM無在線無在線“寫寫”功能而功能而SRAM有，故有，故SRAM多一根控制輸入線，功能表多一根控制輸入線，功能表多一行；而多一行；而EPROM數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線為單向線，為單向線，SRAM數(shù)據(jù)線為

36、數(shù)據(jù)線為雙向線。雙向線。 SRAM功能表蘊(yùn)含了功能表蘊(yùn)含了EPROM的在線功能表。的在線功能表。3.3.3EEPROM(電擦除可編程電擦除可編程ROM) EPROM擦除、編程都要離線，起來仍然不太方便。EEPROM的主要特點(diǎn)是能在線寫。 NMC98C64A見下圖2-6。 1.芯片引腳芯片引腳名稱和功能一如前述芯片，I/O70即前面芯片的D70。 2.讀寫功能基本符合SRAM功能表 (1)讀功能一如SRAM。 (2)寫功能與SRAM略有不同：每寫一次后應(yīng)檢測1號腳，為高時(shí)方可進(jìn)行下一次寫。 SRAM邏輯圖功能表3.3.4Flash EEPROM優(yōu)點(diǎn)很多，但是其寫入時(shí)間太長。人們希望寫入速度快似S

37、RAM，掉電后存儲(chǔ)內(nèi)容又不丟失的存儲(chǔ)器。為此，“閃存”(Flash Memory)應(yīng)運(yùn)而生。 1.TMS28F040的引腳排列如圖 ：19條地址線A0A18 ，8條數(shù)據(jù)線DQ0DQ7 該芯片的容量為512K8位，寫允許信號 ，輸出允許信號 SRAM邏輯圖功能表 2.讀寫 必須先寫入所謂命令到該芯片才能讀寫。讀寫功能基本符合SRAM功能表 3.4抽象存儲(chǔ)器抽象存儲(chǔ)器 提出抽象存儲(chǔ)器概念是為了提出將存儲(chǔ)器接入總線的通用方法。提出抽象存儲(chǔ)器概念是為了提出將存儲(chǔ)器接入總線的通用方法。ABCBDB CPU 外部設(shè)備1 .Bus I/O接口1 外部設(shè)備2 I/O接口2 外部設(shè)備n I/O接口n 存儲(chǔ)器3.

38、4抽象存儲(chǔ)器抽象存儲(chǔ)器 提出抽象存儲(chǔ)器概念是為了提出將存儲(chǔ)器接入總線的通用方法。提出抽象存儲(chǔ)器概念是為了提出將存儲(chǔ)器接入總線的通用方法。 存儲(chǔ)器雖然種類繁多，但是其讀寫功能基本類同。從簡化概念便于理解出發(fā)，將各類存儲(chǔ)器抽象成下圖。 對于SRAM，此圖完全吻合其功能；對于EPROM，此圖吻合其在線功能；對于EEPROM(NMC98C64A)此圖幾乎完全吻合其功能；對于Flash(TMS28F040),對其寫入命令后，其讀寫功能吻合此圖。 由此可見提出此圖目的可以達(dá)到：提出抽象存儲(chǔ)器概念是為了提出將存儲(chǔ)器提出抽象存儲(chǔ)器概念是為了提出將存儲(chǔ)器接入總線的通用方法。接入總線的通用方法。微機(jī)系統(tǒng)工作原理再

39、理解微機(jī)系統(tǒng)工作原理再理解 3.4存儲(chǔ)器與總線的連接存儲(chǔ)器與總線的連接 3.4.1 存儲(chǔ)器接入總線方法存儲(chǔ)器接入總線方法 存儲(chǔ)器用于存放程序與數(shù)據(jù)。一般用非易失性存儲(chǔ)器ROM來存放程序，用易失性存儲(chǔ)器RAM存放數(shù)據(jù)。 計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器有兩種體系結(jié)構(gòu)：普林斯頓體系結(jié)構(gòu)和哈佛體系結(jié)構(gòu)。 普林斯頓結(jié)構(gòu)，它的特點(diǎn)是計(jì)算機(jī)只有一個(gè)存儲(chǔ)器地址空間，ROM和RAM被安排在這一地址空間的不同區(qū)域，CPU訪問ROM和訪問RAM使用相同的指令，因此總線上也就只有一種存儲(chǔ)器讀激勵(lì)。 8086、奔騰、ARM等計(jì)算機(jī)系統(tǒng)采用的是普林斯頓結(jié)構(gòu)。 哈佛結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是計(jì)算機(jī)的ROM和RAM被安排在兩個(gè)不同的地址空間，ROM和RA

40、M可以有相同的地址，CPU訪問ROM和訪問RAM使用的是不同的訪問指令，于是總線上也就有兩種存儲(chǔ)器讀激勵(lì)。兩種讀激勵(lì)的區(qū)別體現(xiàn)在控制總線上：RAM的讀控制信號 和ROM的讀控制信號MCS-51系列單片機(jī)采用的是哈佛結(jié)構(gòu)。RDRDWR 將總線CB上的激勵(lì)(控制信號)化為存儲(chǔ)器激勵(lì) 、 將存儲(chǔ)器響應(yīng)(由D7D0輸出)接入總線DB。 (1)存儲(chǔ)器與總線連接方法 存儲(chǔ)器接入總線的理論基礎(chǔ)是化總線激勵(lì)為存儲(chǔ)器激勵(lì)，化存儲(chǔ)器響應(yīng)為總線響應(yīng)： 將總線AB上的激勵(lì)(地址信號)化為存儲(chǔ)器激勵(lì) 和Ak-1A0RDWR 將總線CB上的激勵(lì)(控制信號)化為存儲(chǔ)器激勵(lì) 、 將存儲(chǔ)器響應(yīng)(由D7D0輸出)接入總線DB。

41、依此將存儲(chǔ)器接入總線，見圖。依此將存儲(chǔ)器接入總線，見圖。 注意：圖中芯片內(nèi)的字母表示芯片的引腳，芯片外的字母表示總線的引腳。注意：圖中芯片內(nèi)的字母表示芯片的引腳，芯片外的字母表示總線的引腳。ABL為為AB的低的低k位，位，ABH為為AB中中ABL之外的高若干位之外的高若干位 (1)存儲(chǔ)器與總線連接方法 存儲(chǔ)器接入總線的理論基礎(chǔ)是化總線激勵(lì)為存儲(chǔ)器激勵(lì)，化存儲(chǔ)器響應(yīng)為總線響應(yīng)： 將總線AB上的激勵(lì)(地址信號)化為存儲(chǔ)器激勵(lì) 和Ak-1A0 (2)存儲(chǔ)器與CPU工作速度匹配考慮 響應(yīng)時(shí)間是存儲(chǔ)器的重要參數(shù)，它是獲得全部激勵(lì)到做出響應(yīng)之間的時(shí)間。這可以從該從片技術(shù)資料查得。 CPU工 作速度亦為兩個(gè)

42、參數(shù)：讀延時(shí)和寫延時(shí)，。 讀延時(shí)必須大于讀取時(shí)間，寫延時(shí)必須大于存儲(chǔ)時(shí)間。 例1：CPU工作在第I步：從存儲(chǔ)器取指。分析微機(jī)系統(tǒng)工作過程。 例2：CPU工作第步：執(zhí)行“寫I/O接口”指令。分析微機(jī)系統(tǒng)工作過程。 上述方法適合于普林斯頓體系。而對于哈佛體系，比如MCS-51單片機(jī)，存儲(chǔ)器接入總線方法見圖b)和c)。 圖3-10中存儲(chǔ)器各引腳接入總線的接法基本是確定的： 依下標(biāo)對應(yīng)原則，D7D0與8位DB連接、Ak-1A0與ABL連接； 存儲(chǔ)器的讀寫使能輸入腳、與總線對應(yīng)引腳相連。 抽象部分僅存儲(chǔ)器片選輸入腳和與地址總線引腳ABH的連接，更具體的說抽象在譯碼器。一個(gè)設(shè)計(jì)正確的譯碼器會(huì)將ABH上的某

43、地址碼譯成0送存儲(chǔ)器片選輸入腳，作為存儲(chǔ)器片選信號。 3.4.2地址譯碼方法地址譯碼方法 1 譯碼器譯碼器 譯碼器是一個(gè)多輸入單輸出的邏輯器件。其定義是：輸入端輸入某代碼時(shí)，輸出端輸出有效信號的邏輯器件叫譯碼器。 下圖譯碼器有3位輸入線，1位輸出線。當(dāng)輸入為3位某代碼某代碼時(shí)輸出端輸出有有效信號效信號。輸入3位其他代碼時(shí)輸出端輸出無效信號無效信號。 有效信號為高電平(邏輯1)叫譯中為高譯碼器，有效信號為低電平(邏輯0)叫譯中為低譯碼器。 將8個(gè)譯中為低譯碼器封裝在一起，加上三個(gè)譯碼控制端，構(gòu)成74LS138譯碼器，見左下圖，相應(yīng)引腳分布圖見右下圖。74LS138譯碼器邏輯圖與真值表 1.G1G

44、2AG2B輸入有假時(shí)，輸入有假時(shí)，138不譯碼：輸出端不譯碼：輸出端Y0Y7全全1； 2.G1G2AG2B輸入全真時(shí)，輸入全真時(shí)，138譯碼：輸入碼譯碼：輸入碼CBAi時(shí)，有且僅有時(shí)，有且僅有Yi輸出輸出0 2.地址譯碼方法地址譯碼方法 主芯片CPU是根據(jù)地址訪問從片的，即由地址線上送出的地址信息選中某一芯片的某個(gè)單元進(jìn)行讀寫。由圖(a)AB與從片的連接方式可知，芯片選擇 是由高位地址ABH譯碼實(shí)現(xiàn)的，選中的芯片中的單元選擇直接由低位地址ABL確定。 地址譯碼方法即由ABH產(chǎn)生 的方法，具體有線選法、全地址譯碼法、局部地址譯碼法三種。 (1) 線選法線選法所謂線選法就是用ABH中某一位地址線作

45、為片選信號直接接到從芯片的片選端 。此法一般用于擴(kuò)展少量的從片。 優(yōu)點(diǎn)：節(jié)省了硬件譯碼器，結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉。 缺點(diǎn)：各從片地址空間是斷續(xù)的，每個(gè)接口電路的地址空間又可能是重疊的 (地址重疊指一個(gè)從片單元占的地址多于一個(gè))。 (2) 全地址譯碼法全地址譯碼法 “全地址”指全部地址線參與從芯片的連接，即 AB的位數(shù)=ABH的位數(shù)+ABL的位數(shù) 優(yōu)點(diǎn)：各從片地址空間連續(xù)，無地址重疊現(xiàn)象。 缺點(diǎn)：譯碼電路復(fù)雜，成本較高。 (3) 局部地址譯碼法局部地址譯碼法 指部分地址線參與從芯片的連接，即 AB的位數(shù)ABH的位數(shù)+ABL的位數(shù) 優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)介于上述二者之間，是用的較多的一種方法。 讀圖 ：芯片中的字母

46、表示該芯片引腳。芯片外的字母表示地址總線的引腳，相同字母表示同一引腳。AB的位數(shù)為16；DB、CB略去沒畫。譯碼芯片為138。 0#芯片屬于局部地址譯碼法，參與連接的地址總線7位：ABL為3位，A2、A1、A0；ABH為4位A15、A14、A13、A12。 AB的位數(shù)ABH的位數(shù)+ABL的位數(shù)。 1#芯片屬于全地址譯碼：ABL為12位，A11A0；ABH為4位A15、A14、A13、A12。 AB的位數(shù)=ABH的位數(shù)+ABL的位數(shù)。 2#芯片為線譯碼，直接由A15作為其片選 輸入。3.4.3 地址位圖地址位圖 地址位圖是由地址總線和地址信息構(gòu)建的一張圖。不管是圖(a)的譯碼環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)，還是(b

47、)的閱讀，地址位圖都是很有用的。 地址位圖的作用如下： 讀圖。由已有微機(jī)硬件電路填寫地址位圖，獲悉微機(jī)系統(tǒng)各芯片地址。 硬件設(shè)計(jì)。由微機(jī)系統(tǒng)的地址要求填寫地址位圖，由地址位圖設(shè)計(jì)出譯碼電路，從而完成各從片與地址總線AB的連接。完成微機(jī)硬件設(shè)計(jì)。在以后章節(jié)我們將實(shí)踐?，F(xiàn)在我們實(shí)踐一下：讀出圖(b)各芯片地址。 讀出圖(b)各芯片地址。求0#芯片地址位圖。 (1)由譯碼器分析片選由譯碼器分析片選信號的產(chǎn)生條件。信號的產(chǎn)生條件。 依138的真值表知，只有A15輸出1，譯碼器才譯碼；只有A14、A13、A12都輸出0，才輸出0到0#芯片的 腳。即主片通過A15A14A13A12輸,出1000，選中0#芯片。 (2)從片被選中后從片被選中后ABL輸出地址分析。輸出地址分析。 0#芯片被選中( 輸入0)，此時(shí)的AB