mos管的匹配精

1、mos管的匹配精度1. 電流成比例關(guān)系的MOS管，應(yīng)使電流方向一致，版圖中晶體管盡量同向，開關(guān)管可以忽略。 2. 配置dummy器件，使版圖周邊條件一致，結(jié)構(gòu)更加對稱。下圖是dummy電容的使用。dummy器件的配置：為了使得器件B周邊的電特性比較一致，會在版圖中加入dummy cell（如圖4中右邊的電容），盡管它在電路中是多余的。3.在處理匹配性要求高的對管（如差分輸入對管）時，采用交叉對稱的結(jié)構(gòu)比較好 。下圖為晶體管交叉對稱：4. MOS器件的匹配主要有四方面影響因素：（1）柵面積：匹配度與有源區(qū)面積（S=WL）成反比關(guān)系。 （2）柵氧化層厚度：一般薄柵氧化層的管子的匹配度較高； （3）

2、溝道長度調(diào)制：管子的不匹配與VGS的不匹配成正比，與溝道長度成反比； （4）方向（orientation）：沿晶體不同軸向制作的管子的遷移率不同，這就會 影響管子跨導(dǎo)的匹配度；把需要匹配的一組管子放在一個cell中 ，避免因旋轉(zhuǎn)cell而產(chǎn)生的方向不匹配 。5，dummy器件的詳細(xì)講述： 如果周邊環(huán)境不同，會使工藝中的刻蝕率不同，比如：線寬大，刻蝕率大，刻蝕的快?？涛g的快慢會影響線電阻等電學(xué)參數(shù)。例子：尺寸較大的管子被拆成小管子并聯(lián)時，要在兩端的小管的柵旁加上dummy gate，這樣可以保證比較精確的電流匹配。而且這種dummy gate的寬度可以比實際的柵寬小。各個小管子的gate 最好用

3、metal聯(lián)起來，如果用poly連會引起刻蝕率的偏差。詳細(xì)圖例如下：6.主要單元電路的匹配：差分對的管子位置和連線長短都要對稱，能合為一條線的連線就要合；差分對主要使VGS匹配，而電流鏡主要使ID匹配。7. MOS匹配的幾點注意：Acontact孔、metal走線不要放在有源區(qū)內(nèi) ，如果metal一定要跨過有源區(qū)的話，就應(yīng)該加入dummy 走線。 B最好把匹配管子放在遠(yuǎn)離深擴(kuò)散邊緣的地方，至少要兩倍結(jié)深。N-well屬于深擴(kuò)散，PMOS也要放在阱內(nèi)距離阱邊較遠(yuǎn)處。C盡量使用NMOS管來作匹配管，因為NMOS比PMOS更易達(dá)到匹配 。 D為避免由gradient引起的mismatch，采用con

4、mmon-centroid layout同心結(jié)構(gòu)，且盡量緊密，差分對可用cross-coupled pairs結(jié)構(gòu)。 E匹配器件要遠(yuǎn)離功率器件擺放，功耗大于50mw的就屬于功率器件。8.大功率供電的版圖及W、L比較大的器件的版圖 （1）W較大的管子應(yīng)拆成小單元并聯(lián)，拆成多少個單元。原則是：每個單元的電阻要小于所有單元連起來后的總的。（2）如果拆成的單元數(shù)過多，應(yīng)分兩排擺放。 （3）大功率供電：一般問題出現(xiàn)在有大電流的地方，避免電遷移。9.電源線、地線、信號線的布線 a.不同電路的電源線和地線之間會有一些噪聲影響，比如模擬電路和數(shù)字電路的電源和地線，還有一些敏感電路的電源線、地線。這就需要把他們

5、保護(hù)起來，保證它們不互相影響。b.數(shù)字電路和模擬電路的gnd要分開。c.信號線的布線 ：*如果兩條信號線的走向平行，平行線間的寄生電容會把兩個信號耦合，產(chǎn)生噪聲。*兩臨近信號線上的信號相互影響稱為串繞（crosstalk）。減少串繞的方法：采用差分結(jié)構(gòu)把crosstalk化為共模擾動。*對敏感信號線進(jìn)行保護(hù) ，方法：把敏感信號線屏蔽起來。例如：在模擬信號線的兩邊用同層金屬畫兩條地線，這就對該信號線進(jìn)行了橫向平面的保護(hù)。*將敏感電路部分與易產(chǎn)生噪聲的地方（如：襯底注入極）間距加大。 d.地線、電源線上盡量多的打孔，以保證P型襯底良好接地和Nwell的良好接觸。 七.一般性注意事項1. Grid網(wǎng)格的大小不宜隨意改動 。2. 引線孔千萬不要疊在一起，應(yīng)該并排放在一起 ，影響成品率 。3. 走線相接觸的地方，最好是overlap一下，以保證良好接觸。4. 不要處處要求最小尺寸，應(yīng)該略有冗余。5. 引腳的命名需要規(guī)范化，盡量都用英文字母 。走線盡量多用M3、M4（電流承受能力強(qiáng)，電阻率?。?/p>