電子學(xué) 第二章 二極體特性之學(xué)習(xí)單_第1頁
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文檔簡介

1、電子學(xué) 第二章 二極體特性之學(xué)習(xí)單一、是非題(10題)( ) 1. 電子的移動速率比電洞為快。( ) 2. 價電子脫離原來的軌道所留下之空缺,稱為電洞。( ) 3. 當溫度升高時,一般金屬導(dǎo)體電阻會增加,但半導(dǎo)體電阻會下降。( ) 4. 半導(dǎo)體中之導(dǎo)電性會隨溫度之升高而提高。( ) 5. 在N型半導(dǎo)體中,導(dǎo)電的多數(shù)載子為電子。( ) 6. PN接合面所形成的空乏區(qū)中含有正離子和負離子。( ) 7. 二極體的符號,其箭頭所指的方向,表示電流的流動方向。( ) 8. 通常矽質(zhì)二極體較鍺質(zhì)二極體能承受較高之溫度。( ) 9. 矽二極體的順向偏壓,一般須超過0.50.7V以上電流才會急劇上升。( )1

2、0. 理想二極體順向電阻為零,逆向電阻為無限大。二、單選題( ) 1. 在本質(zhì)半導(dǎo)體中,摻入五價雜質(zhì)元素,則可形成何種半導(dǎo)體型態(tài)?(A)P型半導(dǎo)體(B)N型半導(dǎo)體(C)PN二極體(D)五型半導(dǎo)體。( ) 2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體內(nèi)部的電流載子有幾種?(A)1(B)2(C)3(D)4種。( ) 3. 所謂理想二極體,下列敘述何者錯誤?(A)順向時視為短路,逆向時視為開路(B)順向電阻等於零,逆向電阻無限大(C)無順向電壓降,無逆向電流(D)順向電壓等於零,逆向電流無限大。( ) 4. 在N型半導(dǎo)體內(nèi),少數(shù)載子為(A)電子(B)電洞(C)質(zhì)子(D)中子。( ) 5. 障壁電勢乃是其區(qū)域內(nèi)有(A)電子(B)

3、電洞(C)正離子及負離子(D)正負電壓。( ) 6. 二極體的空乏區(qū)寬度,隨著逆偏電壓的增加而產(chǎn)生何種變化?(A)增加(B)減少(C)變(D)先減後增。( ) 7. PN二極體接合面附近所形成接觸電勢的極性為(A)視偏壓而定(B)視溫度而定(C)P端正,N端負(D)P端負,N端正。( ) 8. PN二極體,欲使達到順向偏壓,則應(yīng)在(A)P加正極、N加正極(B)P加負極、N加正極(C)P加正極、N加負極(D)P加負極、N加負極。( ) 9. 下列有關(guān)價電子與自由電子的敘述,何者錯誤?(A)價電子位於原子核最外層軌道(B)價電子成為自由電子會釋放熱能(C)自由電子位於傳導(dǎo)帶(D)價電子脫離原來的軌

4、道所留下之空缺,稱為電洞。( )10. 矽或鍺二極體,溫度每增加多少度時,其逆向飽和電流將增加一倍?(A)10(B)20(C)30(D)40。( )11. 一般二極體的雜質(zhì)和本質(zhì)濃度比約為(A)1:108(B)1:109(C)1:103(D)1:102。( )12. 在矽晶體中,欲使電子由共價鍵釋放出來而成自由電子,至少需要多少能量?(A)0.45(B)0.72(C)1.1(D)1.6eV。 解析 室溫時,矽晶體之能隙=1.1eV,鍺晶體之能隙=0.785eV。( )13. 在本質(zhì)半導(dǎo)體中,摻雜加入下列何種雜質(zhì)元素,即可成為P型半導(dǎo)體?(A)磷(B)硼(C)砷(D)銻。( )14. 電子伏特e

5、V是下列何者表示的使用單位?(A)電壓(B)電流(C)能量(D)電量。( )15. 一般矽質(zhì)PN二極體兩端的順向電壓,隨溫度變化的情形為(A)2.5mV/(B)25mV/(C)2.5mV/(D)25mV/。( )16. 如圖所示為典型二極體之電流ID對電壓VD在三種不同溫度下之特性曲線,何者正確?(A)T2T1T0(B) T0T1T2(C) T2T0T1(D) T1T2T0。 解析 溫度愈高,切入電壓愈小。( )17. 假設(shè)有一鍺質(zhì)二極體,在室溫25時的順向電壓降為0.3V,若溫度上升至65時,則此時二極體之順向電壓值為(A)0.28(B)0.26(C)0.24(D)0.22V。 解析 鍺質(zhì)二

6、極體的順向電壓,隨溫度變化為1mV/( )18. 在一矽二極體,在溫度25時的逆向飽和電流為3nA,則溫度升高至65時,逆向飽和電流為(A)6(B)18(C)30(D)48nA。( )19. 通常使一LED發(fā)亮至少應(yīng)通過多少電流?(A)1015mA(B)500600 mA (C)100200 mA(D)1015 mA。( )20. LED工作時通常施加(A)逆向偏壓(B)順向偏壓(C)逆、順向偏壓(D)零偏壓。( )21. 稽納二極體常應(yīng)用於(A)放大(B)濾波(C)整流(D)穩(wěn)壓電路。( )22. 稽納二極體使用於穩(wěn)壓時,是操作在(A)順向工作區(qū)(B)零偏壓(C)逆向崩潰區(qū)(D)順、逆向偏壓皆可以達成。三、選擇題&含計算過程( )1. 如圖所示,其中二極體為理想二極體,則電路中的電流I為(A)40(B)20(C)10(D)5mA。( )2. 如圖所示,已知Vi = 30 V,稽納二極體的VZ = 15 V,則輸出電壓Vo為(A)5(B)10(C)15(D)30V。( )3. 如圖所示,已知稽納二極體的崩潰電壓為6 V,則IZ為(A) 0.05(B) 0.1(C) 0.25(D) 0.5A。( )4. 如圖所示,若欲使稽納二極體正常工作,且電流IZ8mA,則電路R值應(yīng)為(A)2(B)2.5(C)3(D)4kW。 ( )5. 如圖所示,已知稽

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