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文檔簡介
1、目 錄第1章 緒 論11.1 電力電子技術(shù)的發(fā)展21.2 電力電子技術(shù)的應(yīng)用21.3 電力電子技術(shù)課程中的整流電路3第2章 系統(tǒng)方案及主電路設(shè)計(jì)42.1 方案的選擇42.2 系統(tǒng)流程框圖52.3 主電路的設(shè)計(jì)62.4 整流電路參數(shù)計(jì)算82.5 晶閘管元件的選擇9第3章 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)113.1 觸發(fā)電路簡介113.2 觸發(fā)電路設(shè)計(jì)要求113.3 集成觸發(fā)電路TCA789123.3.1 TCA785芯片介紹123.3.2 TCA785鋸齒波移相觸發(fā)電路15第4章 保護(hù)電路設(shè)計(jì)174.1 過電壓保護(hù)174.2 過電流保護(hù)184.3 電流上升率di/dt的抑制184.4 電壓上升率du/dt的抑制18
2、第5章 系統(tǒng)MATLAB仿真205.1 MATLAB軟件介紹205.2 系統(tǒng)建模與參數(shù)設(shè)置205.3 系統(tǒng)仿真結(jié)果及分析23設(shè)計(jì)體會(huì)28參考文獻(xiàn)29附錄A 系統(tǒng)電路圖30附錄B 元器件清單31第1章 緒 論1.1 電力電子技術(shù)的發(fā)展 晶閘管出現(xiàn)前的時(shí)期可稱為電力電子技術(shù)的史前期或黎明時(shí)期。晶閘管由于其優(yōu)越的電氣性能和控制性能,使之很快就取代了水銀整流器和旋轉(zhuǎn)變流機(jī)組。并且,其應(yīng)用范圍也迅速擴(kuò)大。電力電子技術(shù)的概念和基礎(chǔ)就是由于晶閘管及晶閘管變流技術(shù)的發(fā)展而確立的。晶閘管是通過對(duì)門極的控制能夠使其導(dǎo)通而不能使其關(guān)斷的器件,屬于半控型器件。對(duì)晶閘管電路的控制方式主要是相位控制式,簡稱相控方式。晶閘
3、管的關(guān)斷通常依靠電網(wǎng)電壓等外部條件來實(shí)現(xiàn)。這就使得晶閘管的應(yīng)用受到了很大的局限。70年代后期,以門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)、電力雙極型晶體管(BJT)和電力場效應(yīng)晶體管(Power-MOSFET)為代表的全控型器件迅速發(fā)展。全控型器件的特點(diǎn)是,通過對(duì)門極(基極、柵極)的控制既可使其開通又可使其關(guān)斷。在80年代后期,以絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT)為表的復(fù)合型器件異軍突起。它是MOSFET和BJT的復(fù)合,綜合了兩者的優(yōu)點(diǎn)。與此相對(duì),MOS控制晶閘管(MCT)和集成門極換流晶閘管(IGCT)復(fù)合了MOSFET和GTO。1.2 電力電子技術(shù)的應(yīng)用電力電子技術(shù)是一門新興技術(shù),它是由電力學(xué)、電子學(xué)和控
4、制理論三個(gè)學(xué)科交叉而成的,在電氣自動(dòng)化專業(yè)中已成為一門專業(yè)基礎(chǔ)性強(qiáng)且與生產(chǎn)緊密聯(lián)系的不可缺少的專業(yè)基礎(chǔ)課。本課程體現(xiàn)了弱電對(duì)強(qiáng)電的控制,又具有很強(qiáng)的實(shí)踐性。能夠理論聯(lián)系實(shí)際,在培養(yǎng)自動(dòng)化專業(yè)人才中占有重要地位。它包括了晶閘管的結(jié)構(gòu)和分類、晶閘管的過電壓和過電流保護(hù)方法、可控整流電路、晶閘管有源逆變電路、晶閘管無源逆變電路、PWM控制技術(shù)、交流調(diào)壓、直流斬波以及變頻電路的工作原理。在電力電子技術(shù)中,可控整流電路是非常重要的內(nèi)容,整流電路是將交流電變?yōu)橹绷麟姷碾娐罚鋺?yīng)用非常廣泛。工業(yè)中大量應(yīng)用的各種直流電動(dòng)機(jī)的調(diào)速均采用電力電子裝置;電氣化鐵道(電氣機(jī)車、磁懸浮列車等)、電動(dòng)汽車、飛機(jī)、船舶、電
5、梯等交通運(yùn)輸工具中也廣泛采用整流電力電子技術(shù);各種電子裝置如通信設(shè)備中的程控交換機(jī)所用的直流電源、大型計(jì)算機(jī)所需的工作電源、微型計(jì)算機(jī)內(nèi)部的電源都可以利用整流電路構(gòu)成的直流電源供電,可以說有電源的地方就有電力電子技術(shù)的設(shè)備。1.3 電力電子技術(shù)課程中的整流電路整流電路按組成的器件不同,可分為不可控、半控與全控三種,利用晶閘管半導(dǎo)體器件構(gòu)成的主要有半控和全控整流電路;按電路接線方式可分為橋式和零式整流電路;按交流輸入相數(shù)又可分為單相、多相(主要是三相)整流電路。正是因?yàn)檎麟娐酚兄绱藦V泛的應(yīng)用,因此整流電路的研究無論在是從經(jīng)濟(jì)角度,還是從科學(xué)研究角度上來講都是很有價(jià)值的。本設(shè)計(jì)正是結(jié)合了Mat
6、lab仿真軟件對(duì)單相半控橋式晶閘管整流電路進(jìn)行分析。第2章 系統(tǒng)方案及主電路設(shè)計(jì)2.1 方案的選擇我們知道,單相整流電路形式是各種各樣的,可分為單相橋式相控整流電路和單相橋式半控整流電路,整流的結(jié)構(gòu)也是比較多的。因此在做設(shè)計(jì)之前我們主要考慮了以下幾種方案:方案一:單相橋式半控整流電路電路簡圖如下: 圖2-1 單相橋式半控整流電路對(duì)每個(gè)導(dǎo)電回路進(jìn)行控制,相對(duì)于全控橋而言少了一個(gè)控制器件,用二極管代替,有利于降低損耗!如果不加續(xù)流二極管,當(dāng)突然增大至180或出發(fā)脈沖丟失時(shí),由于電感儲(chǔ)能不經(jīng)變壓器二次繞組釋放,只是消耗在負(fù)載電阻上,會(huì)發(fā)生一個(gè)晶閘管導(dǎo)通而兩個(gè)二極管輪流導(dǎo)通的情況,這使ud成為正弦半波
7、,即半周期ud為正弦,另外半周期為ud為零,其平均值保持穩(wěn)定,相當(dāng)于單相半波不可控整流電路時(shí)的波形,即為失控。所以必須加續(xù)流二極管,以免發(fā)生失控現(xiàn)象。方案二:單相橋式全控整流電路電路簡圖如下:圖2-2 單相橋式全控整流電路 此電路對(duì)每個(gè)導(dǎo)電回路進(jìn)行控制,無須用續(xù)流二極管,也不會(huì)失控現(xiàn)象,負(fù)載形式多樣,整流效果好,波形平穩(wěn),應(yīng)用廣泛。變壓器二次繞組中,正負(fù)兩個(gè)半周電流方向相反且波形對(duì)稱,平均值為零,即直流分量為零,不存在變壓器直流磁化問題,變壓器的利用率也高。 方案三:單相半波可控整流電路:電路簡圖如下: 圖 2-3 單相半波可控整流電路 此電路只需要一個(gè)可控器件,電路比較簡單,VT的a 移相范
8、圍為180。但輸出脈動(dòng)大,變壓器二次側(cè)電流中含直流分量,造成變壓器鐵芯直流磁化。為使變壓器鐵心不飽和,需增大鐵心截面積,增大了設(shè)備的容量。實(shí)際上很少應(yīng)用此種電路。 方案四:單相全波可控整流電路:電路簡圖如下:圖 2-4 單相全波可控整流電路此電路變壓器是帶中心抽頭的,結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,只要用2個(gè)可控器件,單相全波只用2個(gè)晶閘管,比單相全控橋少2個(gè),因此少了一個(gè)管壓降,相應(yīng)地,門極驅(qū)動(dòng)電路也少2個(gè),但是晶閘管承受的最大電壓是單相全控橋的2倍。不存在直流磁化的問題,適用于輸出低壓的場合作電流脈沖大(電阻性負(fù)載時(shí)),且整流變壓器二次繞組中存在直流分量,使鐵心磁化,變壓器不能充分利用。而單相全控式整流電路
9、具有輸出電流脈動(dòng)小,功率因數(shù)高,變壓器二次電流為兩個(gè)等大反向的半波,沒有直流磁化問題,變壓器利用率高的優(yōu)點(diǎn)。相同的負(fù)載下流過晶閘管的平單相全控式整流電路其輸出平均電壓是半波整流電路2倍,在均電流減小一半;且功率因數(shù)提高了一半。 綜上所述,針對(duì)他們的優(yōu)缺點(diǎn),我們采用方案二,即單相橋式全控整流電路。 2.2 系統(tǒng)流程框圖根據(jù)方案選擇與設(shè)計(jì)任務(wù)要求,畫出系統(tǒng)電路的流程框圖如圖2-1所示。整流電路主要由驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和整流主電路組成。根據(jù)設(shè)計(jì)任務(wù),在此設(shè)計(jì)中采用單相橋式全控整流電路帶阻感性負(fù)載。輸入過電流保護(hù)整流主電路過電壓保護(hù)驅(qū)動(dòng)觸發(fā)電路輸出圖2-5 系統(tǒng)流程框圖2.3 主電路的設(shè)計(jì)圖2-6 主
10、電路原理圖圖2-7 主電路工作波形圖 電路如圖2-6和圖2-7所示。為便于討論,假設(shè)電路已工作于穩(wěn)態(tài)。(1) 工作原理 在電源電壓正半周期間,VT1、VT2承受正向電壓,若在時(shí)觸發(fā),VT1、VT2導(dǎo)通,電流經(jīng)VT1、負(fù)載、VT2和T二次側(cè)形成回路,但由于大電感的存在,過零變負(fù)時(shí),電感上的感應(yīng)電動(dòng)勢使VT1、VT2繼續(xù)導(dǎo)通,直到VT3、VT4被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí),VT1、VT2承受反相電壓而截止。輸出電壓的波形出現(xiàn)了負(fù)值部分。在電源電壓負(fù)半周期間,晶閘管VT3、VT4承受正向電壓,在時(shí)觸發(fā),VT3、VT4導(dǎo)通,VT1、VT2受反相電壓截止,負(fù)載電流從VT1、VT2中換流至VT3、VT4中在時(shí),電壓過零,
11、VT3、VT4因電感中的感應(yīng)電動(dòng)勢一直導(dǎo)通,直到下個(gè)周期VT1、VT2導(dǎo)通時(shí),VT3、VT4因加反向電壓才截止。值得注意的是,只有當(dāng)時(shí),負(fù)載電流才連續(xù),當(dāng)時(shí),負(fù)載電流不連續(xù),而且輸出電壓的平均值均接近零,因此這種電路控制角的移相范圍是。2.4 整流電路參數(shù)計(jì)算1.在阻感負(fù)載下電流連續(xù),整流輸出電壓的平均值為 (2-1)由設(shè)計(jì)任務(wù)有電感,電阻,則輸出電壓平均值的最大值可由下式可求得。 (2-2)可見,當(dāng)在范圍內(nèi)變化時(shí),整流器可在范圍內(nèi)取值。2.整流輸出電壓有效值為 (2-3)3.整流輸出電流平均值為: (2-4)4.在一個(gè)周期內(nèi)每組晶閘管各導(dǎo)通180,兩組輪流導(dǎo)通,整流變壓器二次電流是正、負(fù)對(duì)稱
12、的方波,電流的平均值和有效值相等,其波形系數(shù)為1。流過每個(gè)晶閘管的電流平均值與有效值分別為: (2-5) (2-6)5、晶閘管在導(dǎo)通時(shí)管壓降=0,故其波形為與橫軸重合的直線段;VT1和VT2加正向電壓但觸發(fā)脈沖沒到時(shí),VT3、VT4已導(dǎo)通,把整個(gè)電壓加到VT1或VT2上,則每個(gè)元件承受的最大可能的正向電壓等于;VT1和VT2反向截止時(shí)漏電流為零,只要另一組晶閘管導(dǎo)通,也就把整個(gè)電壓加到VT1或VT2上,故兩個(gè)晶閘管承受的最大反向電壓也為。2.5 晶閘管元件的選擇1、晶閘管的額定電流選擇晶閘管額定電流的原則是必須使管子允許通過的額定電流有效值大于實(shí)際流過管子電流最大有效值 ,即 =1.57 或
13、(2-7)考慮(1.52)倍的裕量: (2-8)此外,還需注意以下幾點(diǎn):當(dāng)周圍環(huán)境溫度超過+40時(shí),應(yīng)降低元件的額定電流值。當(dāng)元件的冷卻條件低于標(biāo)準(zhǔn)要求時(shí),也應(yīng)降低元件的額定電流值。關(guān)鍵、重大設(shè)備,電流裕量可適當(dāng)選大些。2、晶閘管的額定電壓晶閘管實(shí)際承受的最大峰值電壓乘以(23)倍的安全裕量,即可確定晶閘管的額定電壓:(23)(23)(622933) (2-9)取800V。由以上分析計(jì)算知選取晶閘管的型號(hào)為。3、晶閘管的具體參數(shù)額定通態(tài)平均電流(IT(AV):1A;斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(UDRM):500V;反向重復(fù)峰值電壓(URRM):1800V;斷態(tài)重復(fù)平均電流(IDR(AV):6mA;反向重
14、復(fù)平均電流(IRR(AV):6mA;門極觸發(fā)電流(IGT):60mA;門極觸發(fā)電壓(UGT):1.8V;斷態(tài)電壓臨界上升率(du/dt):50V/uS維持電流(IH):60mA;額定結(jié)溫(TjM):110第3章 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)3.1 觸發(fā)電路簡介電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路是電力電子主電路與控制電路之間的接口,是電力電子的重要環(huán)節(jié),對(duì)整個(gè)裝置的性能有很大的影響。采用良好的性能的驅(qū)動(dòng)電路??梢允闺娏﹄娮悠骷ぷ髟诒容^理想的開關(guān)狀態(tài),縮短開關(guān)時(shí)間,對(duì)裝置的運(yùn)行效率,可靠性和安全性都有很大的意義。對(duì)于相控電路這樣使用晶閘管的場合,在晶閘管陽極加上正向電壓后,還必須在門極與陰極之間加上觸發(fā)電壓,晶閘管才能從截
15、止轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通,習(xí)慣上稱為觸發(fā)控制。提供這個(gè)觸發(fā)電壓的電路稱為晶閘管的觸發(fā)電路。它決定每一個(gè)晶閘管的觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)刻,是晶閘管裝置中不可缺少的一個(gè)重要組成部分。晶閘管相控整流電路,通過控制觸發(fā)角的大小即控制觸發(fā)脈沖起始位來控制輸出電壓的大小,為保證相控電路的正常工作,很重要的一點(diǎn)是應(yīng)保證觸發(fā)角的大小在正確的時(shí)刻向電路中的晶閘管施加有效的觸發(fā)脈沖。3.2 觸發(fā)電路設(shè)計(jì)要求晶閘管的型號(hào)很多,其應(yīng)用電路種類也很多,不同的晶閘管型號(hào),應(yīng)用電路對(duì)觸發(fā)信號(hào)都會(huì)有不同的要求。但是,歸納起來,晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā),過零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。不管是哪種觸發(fā)電路,對(duì)它產(chǎn)生的觸發(fā)脈沖都有如下要求:1、觸發(fā)信號(hào)為直流
16、、交流或脈沖電壓,由于晶閘管導(dǎo)通后,門極觸發(fā)信號(hào)即失去了控制作用,為了減小門極的損耗,一般不采用直流或交流信號(hào)觸發(fā)晶閘管,而廣泛采用脈沖觸發(fā)信號(hào)。2、觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的功率(觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流)。觸發(fā)信號(hào)功率大小是晶閘管元件能否可靠觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。由于晶閘管元件門極參數(shù)的分散性很大,且隨溫度的變化也大,為使所有合格的元件均能可靠觸發(fā),可參考元件出廠的試驗(yàn)數(shù)據(jù)或產(chǎn)品目錄來設(shè)計(jì)觸發(fā)電路的輸出電壓、電流值,并有一定的裕量。 3、觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度,脈搏沖的前沿盡可能陡,以使元件在觸發(fā)信號(hào)導(dǎo)通后,陽極電流能迅速上升超過掣住電流而維持導(dǎo)通。普通晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間約法為6,故觸發(fā)電路的寬度至少應(yīng)有以
17、上,對(duì)于電感性負(fù)載,由于 電感會(huì)抑制電流的上升,觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)更大一些,通常為0.5至1,此外,某些具體電路對(duì)觸發(fā)脈沖寬度會(huì)有一定的要求,如三相全控橋等電路的觸發(fā)脈沖寬度要大于60或采用雙窄脈沖。為了快速而可靠地觸發(fā)大功率晶閘管,常在觸發(fā)脈沖的前沿疊加一個(gè)強(qiáng)觸發(fā)脈沖,強(qiáng)觸發(fā)脈沖的電流波形如圖4-1所示。強(qiáng)觸發(fā)電流的幅值可達(dá)到最大觸發(fā)電流的5倍。前沿約為幾。圖3-1 強(qiáng)觸發(fā)電流波形4、觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽極電壓同步,脈沖稱相范圍必須滿足電路要求。為保證控制的規(guī)律性,要求晶閘管在每個(gè)陽極電壓周期都在相同控制角觸發(fā)導(dǎo)通,這就要求脈沖的頻率必須與陽極電壓同步。同時(shí),不同的電路或者相同的電路在不同
18、的負(fù)載、不同的用途時(shí),要求的變化的范圍(移相范圍)亦即觸發(fā)脈沖前沿與陽極電壓的相位變化范圍不同,所用觸發(fā)電路的脈沖移相范圍必須滿足實(shí)際的需要。3.3 集成觸發(fā)電路TCA7893.3.1 TCA785芯片介紹 TCA785是德國西門子(Siemens)公司于1988年前后開發(fā)的第三代晶閘管單片移相觸發(fā)集成電路,它是取代TCA780及TCA780D的更新?lián)Q代產(chǎn)品,其引腳排列與TCA780、TCA780D和國產(chǎn)的KJ785完全相同,因此可以互換。目前,它在國內(nèi)變流行業(yè)中已廣泛應(yīng)用。與原有的KJ系列或KC系列晶閘管移相觸發(fā)電路相比,它對(duì)零點(diǎn)的識(shí)別更加可靠,輸出脈沖的齊整度更好,而移相范圍更寬,且由于它
19、輸出脈沖的寬度可人為自由調(diào)節(jié),所以適用范圍較廣。(1)引腳排列、各引腳的功能及用法TCA785是雙列直插式16引腳大規(guī)模集成電路。它的引腳排列如圖3-2所示。圖3-2 TCA785的引腳排列各引腳的名稱、功能及用法如下: 引腳16(VS):電源端。使用中直接接用戶為該集成電路工作提供的工作電源正端。 引腳1(OS):接地端。應(yīng)用中與直流電源VS、同步電壓VSYNC及移相控制信號(hào)V11的地端相連接。 引腳4(Q1)和2(Q2):輸出脈沖1與2的非端。該兩端可輸出寬度變化的脈沖信號(hào),其相位互差180,兩路脈沖的寬度均受非脈沖寬度控制端引腳13(L)的控制。它們的高電平最高幅值為電源電壓VS,允許最
20、大負(fù)載電流為10mA。若該兩端輸出脈沖在系統(tǒng)中不用時(shí),電路自身結(jié)構(gòu)允許其開路。 引腳14(Q1)和15(Q2):輸出脈沖1和2端。該兩端也可輸出寬度變化的脈沖,相位同樣互差180,脈沖寬度受它們的脈寬控制端引腳12(C12)的控制。兩路脈沖輸出高電平的最高幅值為5VS。 引腳13(L):非輸出脈沖寬度控制端。該端允許施加電平的范圍為-0.5V5VS,當(dāng)該端接地時(shí),Q1、Q2為最寬脈沖輸出,而當(dāng)該端接電源電壓VS時(shí),Q1、Q2為最窄脈沖輸出。 引腳12(C12):輸出Q1、Q2脈寬控制端。應(yīng)用中,通過一電容接地,電容C12的電容量范圍為1504700pF,當(dāng)C12在1501000pF范圍內(nèi)變化時(shí)
21、,Q1、Q2輸出脈沖的寬度亦在變化,該兩端輸出窄脈沖的最窄寬度為100s,而輸出寬脈沖的最寬寬度為2000s。引腳11(V11):輸出脈沖Q1、Q2或Q1、Q2移相控制直流電壓輸入端。應(yīng)用中,通過輸入電阻接用戶控制電路輸出,當(dāng)TCA785工作于50Hz,且自身工作電源電壓Vs為15V時(shí),則該電阻的典型值為15k,移相控制電壓V11的有效范圍為0.2VVs-2V,當(dāng)其在此范圍內(nèi)連續(xù)變化時(shí),輸出脈沖Q1、Q2及Q1,Q2的相位便在整個(gè)移相范圍內(nèi)變化,其觸發(fā)脈沖出現(xiàn)的時(shí)刻為:trr=(V11R9C10)/(VREFK)式中 R9、C10、VREF分別為連接到TCA785引腳9的電阻、引腳10的電容及
22、引腳8輸出的基準(zhǔn)電壓;K常數(shù)。 為降低干擾,應(yīng)用中引腳11通過0.1F的電容接地,通過2.2F的電容接正電源。 引腳10(C10):外接鋸齒波電容連接端。C10的實(shí)用范圍為500pF1F。該電容的最小充電電流為10A。最大充電電流為1mA,它的大小受連接于引腳9的電阻R9控制,C11兩端鋸齒波的最高峰值為VS-2V,其典型后沿下降時(shí)間為80s。 引腳9(R9):鋸齒波電阻連接端。該端的電阻R9決定著C10的充電電流,其充電電流可按下式計(jì)算:I10=VREFK/R9 連接于引腳9的電阻亦決定了引腳10鋸齒波電壓幅度的高低,鋸齒波幅值為: V10=VREFK/(R9C10) ,電阻R9的應(yīng)用范圍為
23、3300k。 引腳8(VREF):TCA785自身輸出的高穩(wěn)定基準(zhǔn)電壓端。負(fù)載能力為驅(qū)動(dòng)10塊CMOS集成電路,隨著TCA785應(yīng)用的工作電源電壓VS及其輸出脈沖頻率的不同,VREF的變化范圍為2.83.4V,當(dāng)TCA785應(yīng)用的工作電源電壓為15V,輸出脈沖頻率為50Hz時(shí),VREF的典型值為3.1V,如用戶電路中不需要應(yīng)用VREF,則該端可以開路。 引腳7(QZ)和3(QV):TCA785輸出的兩個(gè)邏輯脈沖信號(hào)端。其高電平脈沖幅值最大為VS-2V,高電平最大負(fù)載能力為10mA。QZ為窄脈沖信號(hào),它的頻率為輸出脈沖Q2與Q1或Q1與Q2的兩倍,是Q1與Q2或Q1與Q2的或信號(hào),QV為寬脈沖信
24、號(hào),它的寬度為移相控制角+180,它與Q1、Q2或Q1、Q2同步,頻率與Q1、Q2或Q1、Q2相同,該兩邏輯脈沖信號(hào)可用來提供給用戶的控制電路作為同步信號(hào)或其它用途的信號(hào),不用時(shí)可開路。 引腳6(I):脈沖信號(hào)禁止端。該端的作用是封鎖Q1、Q2及Q1、Q2的輸出脈沖,該端通常通過阻值10k的電阻接地或接正電源,允許施加的電壓范圍為-0.5VVS,當(dāng)該端通過電阻接地,且該端電壓低于2.5V時(shí),則封鎖功能起作用,輸出脈沖被封鎖。而該端通過電阻接正電源,且該端電壓高于4V時(shí),則封鎖功能不起作用。該端允許低電平最大灌電流為0.2mA,高電平最大拉電流為0.8mA。引腳5(VSYNC):同步電壓輸入端。
25、應(yīng)用中需對(duì)地端接兩個(gè)正反向并聯(lián)的限幅二極管,該端吸取的電流為20200A,隨著該端與同步電源之間所接的電阻阻值的不同,同步電壓可以取不同的值,當(dāng)所接電阻為200k時(shí),同步電壓可直接取AC220V。(2)基本設(shè)計(jì)特點(diǎn) TCA785的基本設(shè)計(jì)特點(diǎn)有:能可靠地對(duì)同步交流電源的過零點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別,因而可方便地用作過零觸發(fā)而構(gòu)成零點(diǎn)開關(guān);它具有寬的應(yīng)用范圍,可用來觸發(fā)普通晶閘管、快速晶閘管、雙向晶閘管及作為功率晶體管的控制脈沖,故可用于由這些電力電子器件組成的單管斬波、單相半波、半控橋、全控橋或三相半控、全控整流電路及單相或三相逆變系統(tǒng)或其它拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)電路的變流系統(tǒng);它的輸入、輸出與CMOS及TTL電平兼容,
26、具有較寬的應(yīng)用電壓范圍和較大的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,每路可直接輸出250mA的驅(qū)動(dòng)電流;其電路結(jié)構(gòu)決定了自身鋸齒波電壓的范圍較寬,對(duì)環(huán)境溫度的適應(yīng)性較強(qiáng),可應(yīng)用于較寬的環(huán)境溫度范圍(-25+85C)和工作電源電壓范圍(-0.5+18V)。(3)極限參數(shù)電源電壓:+818V或49V;移相電壓范圍:0.2VVS-2V;輸出脈沖最大寬度:180;最高工作頻率:10500Hz;高電平脈沖負(fù)載電流:400mA;低電平允許最大灌電流:250mA;輸出脈沖高、低電平幅值分別為VS和0.3V;同步電壓隨限流電阻不同可為任意值;最高工作頻率:10500Hz;工作溫度范圍:軍品 -55+125,工業(yè)品 -25+85,民品
27、 0+70。3.3.2 TCA785鋸齒波移相觸發(fā)電路由于TCA785自身的優(yōu)良性能,決定了它可以方便地用于主電路為單個(gè)晶閘管或晶體管,單相半控橋、全控橋和三相半控橋、全控橋及其它主電路形式的電力電子設(shè)備中觸發(fā)晶閘管或晶體管,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)用戶需要的整流、調(diào)壓、交直流調(diào)速、及直流輸電等目的。西門子TCA785觸發(fā)電路,它對(duì)零點(diǎn)的識(shí)別可靠,輸出脈沖的齊整度好,移相范圍寬;同時(shí)它輸出脈沖的寬度可人為自由調(diào)節(jié)。西門子TCA785外圍電路如圖3-3 所示。圖3-3 TCA785鋸齒波移相觸發(fā)電路原理圖鋸齒波斜率由電位器RP1 調(diào)節(jié),RP2 電位器調(diào)節(jié)晶閘管的觸發(fā)角。交流電源采用同步變壓器提供,同步變壓器與整
28、流變壓器為同一輸入,根據(jù)TCA785能可靠地對(duì)同步交流電源的過零點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別,從而可保證觸發(fā)脈沖與晶閘管的陽極電壓保持同步。同步變壓器的變比選為。第4章 保護(hù)電路設(shè)計(jì)在電力電子電路中,除了電力電子器件參數(shù)選擇合適、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)良好外,采用合適的過電壓、過電流、du/dt保護(hù)和di/dt 保護(hù)也是必要的。4.1 過電壓保護(hù)以過電壓保護(hù)的部位來分,有交流側(cè)過壓保護(hù)、直流側(cè)過電壓保護(hù)和器件兩端的過電壓保護(hù)三種。(1)交流側(cè)過電壓保護(hù)可采用阻容保護(hù)或壓敏電阻保護(hù)。 阻容保護(hù)(即在變壓器二次側(cè)并聯(lián)電阻R和電容C進(jìn)行保護(hù))單相阻容保護(hù)的計(jì)算公式如下: (4-1) (4-2)S:變壓器每相平均計(jì)算容量(VA)
29、;:變壓器副邊相電壓有效值(V);%:變壓器激磁電流百分值;%:變壓器的短路電壓百分值。當(dāng)變壓器的容量在(10000)KVA里面取值時(shí)%=(410)在里面取值,%=(510)里面取值。電容C的單位為F,電阻的單位為。電容C的交流耐壓1.5U。U:正常工作時(shí)阻容兩端交流電壓有效值。根據(jù)公式算得電容值為4.8F,交流耐壓為165V,電阻值為12.86,在設(shè)計(jì)中我們?nèi)‰娙轂?F,電阻值為13。 壓敏電阻的計(jì)算=1.3220=404.4V (4-3)流通量取5KA。選MY31-440/5型壓敏電阻(允許偏差+10)作交流側(cè)浪涌過電壓保護(hù)。(2)直流側(cè)過電壓保護(hù)直流側(cè)保護(hù)可采用與交流側(cè)保護(hù)相同保護(hù)相同的
30、方法,可采用阻容保護(hù)和壓敏電阻保護(hù)。但采用阻容保護(hù)易影響系統(tǒng)的快速性,并且會(huì)造成加大。因此,一般不采用阻容保護(hù),而只用壓敏電阻作過電壓保護(hù)。(1.82)=(1.82.2)198=356.4435.6V (4-4) 選MY31-440/5型壓敏電阻(允許偏差+10)作直流側(cè)過壓保護(hù)。(3)晶閘管兩端的過電壓保護(hù) 抑制晶閘管關(guān)斷過電壓一般采用在晶閘管兩端并聯(lián)阻容保護(hù)電路方法,可查下面的經(jīng)驗(yàn)值表確定阻容參數(shù)值。表4-1 阻容保護(hù)的數(shù)值(一般根據(jù)經(jīng)驗(yàn)選定)晶閘管額定電流/A1020501002005001000電容/F0.10.150.20.250.512電阻/1008040201052由于,由上表可
31、知選取C=0.1F,R=100。4.2 過電流保護(hù)快速熔斷器的斷流時(shí)間短,保護(hù)性能較好,是目前應(yīng)用最普遍的保護(hù)措施。快速熔斷器可以安裝在直流側(cè)、交流側(cè)和直接與晶閘管串聯(lián)。 接阻感負(fù)載的單相全控橋電路,通過晶閘管的有效值A(chǔ) (4-5)選取RLS-1快速熔斷器,熔體額定電流1A。4.3 電流上升率di/dt的抑制 晶閘管初開通時(shí)電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密很大,然后以0.1mm/s的擴(kuò)展速度將電流擴(kuò)展到整個(gè)陰極面,若晶閘管開通時(shí)電流上升率di/dt過大,會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)擊穿,必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內(nèi)。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯(lián)入電感。如圖4-1所示。圖
32、4-1 串聯(lián)電感抑制回路4.4 電壓上升率du/dt的抑制 加在晶閘管上的正向電壓上升率du/dt也應(yīng)有所限制,如果du/dt過大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。為抑制du/dt的作用,可以在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收回路。如圖4-2所示。圖4-2 并聯(lián)R-C阻容吸收回路第5章 系統(tǒng)MATLAB仿真5.1 MATLAB軟件介紹本次系統(tǒng)仿真采用目前比較流行的控制系統(tǒng)仿真軟件MATLAB,使用MATLAB對(duì)控制系統(tǒng)進(jìn)行計(jì)算機(jī)仿真的主要方法有兩種,一是以控制系統(tǒng)的傳遞函數(shù)為基礎(chǔ),使用MATLAB的S
33、imulink工具箱對(duì)其進(jìn)行計(jì)算機(jī)仿真研究。另外一種是面向控制系統(tǒng)電氣原理結(jié)構(gòu)圖,使用Power System工具箱進(jìn)行調(diào)速系統(tǒng)仿真的新方法。本次系統(tǒng)仿真采用后一種方法。5.2 系統(tǒng)建模與參數(shù)設(shè)置單相全控橋式整流電路模型主要由交流電源、同步觸發(fā)脈沖、晶閘管全控橋、電感負(fù)載、測量等部分組成。采用MATLAB面向電氣原理結(jié)構(gòu)圖方法構(gòu)成的單相全控橋式整流電路仿真模型如圖5-1所示。圖5-1 單相全控橋式整流電路仿真模型圖5-2 交流電壓源參數(shù)設(shè)置相應(yīng)的參數(shù)設(shè)置:(1) 、 交流電壓源參數(shù)U=220V(幅值為V),f=50Hz;、晶閘管參數(shù)Rn=0.001,Lon=0H,Vf=0.8V,Rs=10,C
34、s=250e-6F;負(fù)載參數(shù)R=10,L=0H,C=inf;圖5-3 晶閘管參數(shù)設(shè)置(2) 、 脈沖發(fā)生器觸發(fā)信號(hào)1、2的振幅為5V,周期為0.02s(即頻率為50Hz),脈沖寬度為2。當(dāng)觸發(fā)角為0時(shí),設(shè)置觸發(fā)信號(hào)1的初相位為0s(即0),觸發(fā)信號(hào)2的初相位為0.01s(即180);圖5-3 觸發(fā)角為0時(shí),觸發(fā)信號(hào)參數(shù)設(shè)置當(dāng)觸發(fā)角為45時(shí),設(shè)置觸發(fā)信號(hào)1的初相位為0.0025s(即45),觸發(fā)信號(hào)2的初相位為0.0125s(即225);圖5-4 觸發(fā)角為45時(shí),觸發(fā)信號(hào)參數(shù)設(shè)置當(dāng)觸發(fā)角為60時(shí),設(shè)置觸發(fā)信號(hào)1的初相位為0.0033s(即60),觸發(fā)信號(hào)2的初相位為0.0133s(即240);圖
35、5-5 觸發(fā)角為60時(shí),觸發(fā)信號(hào)參數(shù)設(shè)置當(dāng)觸發(fā)角為90時(shí),設(shè)置觸發(fā)信號(hào)1的初相位為0.005s(即90),觸發(fā)信號(hào)2的初相位為0.015s(即270);圖5-6 觸發(fā)角為90時(shí),觸發(fā)信號(hào)參數(shù)設(shè)置(4) 、本系統(tǒng)選擇的仿真算法為ode23tb,仿真Start time設(shè)為0,Stop time設(shè)為0.06s。(5) 、示波器相關(guān)參數(shù)的設(shè)定:“Number of axes”設(shè)置為7,“Time range”設(shè)置為auto,“Tick labels”設(shè)置為 bottom axis only,“sampling”設(shè)置為Decimation1。圖5-7 示波器相關(guān)參數(shù)的設(shè)定5.3 系統(tǒng)仿真結(jié)果及分析當(dāng)建
36、模和參數(shù)設(shè)置完成后,即可開始進(jìn)行仿真。圖6-2是單相全控橋式整流電路仿真模型在觸發(fā)角分別為0、45、60、90時(shí)的輸出曲線。從仿真結(jié)果可以看出,它非常接近于理論分析的波形。 (a) 觸發(fā)角為0(b) 觸發(fā)角為45(c) 觸發(fā)角為60(d)觸發(fā)角為90圖5-2 單相全控橋式整流電路仿真模型曲線圖5-3 單相全控橋式整流電路理論波形下面分析一下仿真的結(jié)果:1、 由圖5-2(a)知,在電源電壓正半周期,晶閘管TV1(和TV4)承受正向電壓,在時(shí)施加觸發(fā)信號(hào)CF1,使晶閘管TV1(和TV4)導(dǎo)通,則電源電壓通過TV1和TV4加至負(fù)載上,晶閘管TV1兩端的電壓近視為0(忽略管壓降)。當(dāng)電源電壓過零變負(fù)時(shí),由于電感的存在,TV1(和TV4)仍繼續(xù)導(dǎo)通,負(fù)載電流Zi和電壓Zu連續(xù)。2、 由圖5-2(b)、(c)知,與理論波形圖5-3相
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