電容觸摸屏的原理及工藝制

1、電容觸摸屏的原理及工藝制程電容觸摸屏的原理及工藝制程電容屏工作簡單數(shù)學(xué)模型當(dāng)手指或?qū)w觸摸到TP時(shí)，電容值Cp就會(huì)產(chǎn)生變化工作原理概括1.觸摸TP，寄生電容產(chǎn)生變化2. 發(fā)射極發(fā)射信號(hào)，經(jīng)過容抗，阻抗后，信號(hào)產(chǎn)生滯后或超前，接收極接受信號(hào)后計(jì)算出具體數(shù)值，掃描整屏，產(chǎn)生數(shù)據(jù)矩陣3. 和基準(zhǔn)數(shù)據(jù)矩陣對比，產(chǎn)生DIFF值矩陣，使用重心算法映射到LCD分辨率，得出具體坐標(biāo)值，賦予ID號(hào)4. 產(chǎn)生中斷，主控使用IIC讀走數(shù)據(jù)電容觸摸屏分類CTP（Capacity Touch Panel） 表面電容式 投射電容式自電容：檢測通道與地之間的寄生電容變化，有手指存在時(shí)寄生電容會(huì)增加，IC 通道pin 既是發(fā)

2、射極 又是接收極互電容：檢測發(fā)射通道和接受通道交叉處的互電容（也就是耦合電容）的變化，有手指存在時(shí)互電容會(huì)減小，IC 通道pin 發(fā)射極和接受極是分開的自電容觸摸屏結(jié)構(gòu)串行驅(qū)動(dòng)/感應(yīng)特點(diǎn)lM+N個(gè)電容lM+N條連線 l模擬多點(diǎn)（2點(diǎn)） 互電容觸摸屏結(jié)構(gòu)串行驅(qū)動(dòng) 并行感應(yīng)特點(diǎn)l M*N個(gè)電容l M+N條連線l真實(shí)多點(diǎn)互電容 VS 自電容電容式觸摸屏常見工藝結(jié)構(gòu) G/F G/F/F G/F2 GIF G/G（G/G S , G/G D） OGS（TOL） On Cell In CellG/F結(jié)構(gòu)解析 蓋板/Lens/Cover Glass/Cover Lens作用：保護(hù)/功能/裝飾要求：強(qiáng)度/硬度

3、/透光率 OCA（固態(tài)光學(xué)膠，LOCA液態(tài)光學(xué)膠）要求：透光率/粘性 Film Sensor特點(diǎn)：單層/單點(diǎn)+手勢/或者單層多點(diǎn)，支持最大尺寸5寸G/G結(jié)構(gòu)解析 結(jié)構(gòu)同于G/F，區(qū)別在于Film Sensor變?yōu)镚lass Sensor 特殊的兩種情況：G/G D雙面玻璃工藝（eg.:Apple）G/G S單面搭橋工藝（Metal Jump）電容式觸摸屏堆疊結(jié)構(gòu)比較Cover LensCover LensCover LensITO GlassITO Film: RXITO Film: TXITO GlassCover LensITO Film: RXCover LensPET G/F/FG/F

4、G/G DG/G SG2TP TypeG/F/FG/G SG/G DG/FG2Thickness1.1-1.3mm1.3-1.4mm1.3-1.4mm0.9-1.1mm1.1 mmTransmittance85%89%89%88%90.8%WeightLightHeaviestHeaviestLightestHeavyStrengthBestAverageAverageGoodGoodSensitivityGoodAverageGoodAverageAverageCostHighHighAverageLowLowCover LensITO Film: RXP/FITO 銦錫氧化物 圖形方案菱形

5、+Cypress條形+ Synaptics 網(wǎng)形+Atmel 自電容三角形 三角形+ Atmel圖形方案實(shí)物菱形菱形長條形長條形三角形三角形G/G S工藝通常使用搭橋工藝 只需要一片只需要一片ITO玻璃玻璃 一面搭橋做一面搭橋做ITO層另一層另一面做屏蔽層面做屏蔽層 主要用于小尺寸的屏主要用于小尺寸的屏 藝少，成本、良率好藝少，成本、良率好控制控制電容式觸摸屏新工藝 OGS/TOL（One Glass Solution/Touch On Lens） 單層多點(diǎn) On Cell（觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光板之間） In Cell（觸摸面板功能嵌入到液晶像素中）控制芯片廠家 Cypres

6、s Synaptics 新思 4層結(jié)構(gòu) Atmel 2層結(jié)構(gòu) 敦泰、匯頂、威盛、聯(lián)發(fā)科 瀚瑞、義隆電控制芯片廠家LOGO電容式觸摸屏幾種工藝制程的特點(diǎn) 酸堿脫膜：效率高、成本低、精度低 蝕刻膏蝕刻：與酸堿脫膜一樣，效率高、成本低、精度低。工藝更簡單，工藝圖案與酸堿脫膜相反，難點(diǎn)是涂布不勻容易造成蝕刻不凈，更難清洗等 激光蝕刻：精度較高，30 m ，效率低，成本低，工藝簡單，良率高，環(huán)保 黃光工藝：精度最高，對位精度 5 m ，蝕刻精度 5 m ，能蝕刻5 m，一般量產(chǎn)用20m 使用激光工藝時(shí)常見的工藝流程（GFF/酸堿+Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片

7、材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護(hù)膜）絲印耐酸（保護(hù)要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護(hù)可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會(huì)印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會(huì)在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（SheetPiece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）使用激光工藝時(shí)常見的工藝流程（GFF/Laser ）來料（卷材，較好的ITO基

8、材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護(hù)膜）絲印耐酸（保護(hù)要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護(hù)可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會(huì)印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測） ITO+Ag蝕刻貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會(huì)在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（SheetPiece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）使用激光工藝時(shí)常見的工藝

9、流程（GF/酸堿+Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護(hù)膜）絲印耐酸（保護(hù)要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護(hù)可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會(huì)印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會(huì)在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（SheetPiece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功

10、能測試，出廠）使用激光工藝時(shí)常見的工藝流程（GF/Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護(hù)膜）絲印耐酸（保護(hù)要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護(hù)可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會(huì)印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測） ITO+Ag蝕刻貼OCA光學(xué)膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會(huì)在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（SheetPiece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）使用激光工藝時(shí)常見的工藝流程（GF/單層多點(diǎn)）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護(hù)膜）絲印耐酸（保護(hù)要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學(xué)殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護(hù)可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會(huì)印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測） ITO Sensor蝕刻貼OCA光學(xué)膠（