抑制電源電磁干擾用固定電容器新舊版標(biāo)準(zhǔn)差異_第1頁(yè)
抑制電源電磁干擾用固定電容器新舊版標(biāo)準(zhǔn)差異_第2頁(yè)
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1、附件1:新舊版標(biāo)準(zhǔn)主要差異及試驗(yàn)要求、GB/T4724-20仃與 GB/T4724/992 的主要差異舊版標(biāo) 準(zhǔn)章節(jié)名稱舊版標(biāo)準(zhǔn)要求內(nèi)容新版標(biāo)準(zhǔn)早節(jié)新版標(biāo)準(zhǔn)要求內(nèi)容無(wú)修改標(biāo)準(zhǔn)名 稱印制電路用覆銅箔環(huán)氧紙層壓板無(wú)印制電路用覆銅箔復(fù)合基層壓板1修改適用范 圍單雙面覆銅箔纖維素紙浸以環(huán)氧樹(shù)脂、兩面貼附或不貼附無(wú) 堿玻璃布層壓板1厚度為0.5mm及以上的單面或雙面覆銅箔纖維素紙芯玻纖布貼 面層壓板和覆銅箔玻纖紙芯玻纖布貼面層壓板3.1修改產(chǎn)品型 號(hào)CEPCP-22F CEPCP( G) -23F ;3增加了 5 款型號(hào),分別為 CEPCP( G) -24F , CEPCP( G -25F , CEPG

2、MG) -41F , CEPGMG) -42F , CEPGMG) -43F ,將 CEPCP-22F 改為 CPFCP( G)-22F3. 2修改材料和 結(jié)構(gòu)要求定義了材料和結(jié)構(gòu),絕緣基材,銅箔及產(chǎn)品標(biāo)志的要求4定義了銅箔,增強(qiáng)材料,樹(shù)脂體系的要求。取消了舊標(biāo)準(zhǔn)中產(chǎn) 品標(biāo)志的要求修改外觀要 求對(duì)常規(guī)外表外觀及咼質(zhì)量外表外觀進(jìn)行描述5.1對(duì)銅箔面,未覆銅箔面及蝕刻后絕緣基材外觀進(jìn)行描述修改標(biāo)稱面 積及偏差1000X 1000,1200 X 1000,詳見(jiàn)表 3整張板長(zhǎng) 度和寬度及偏差,增力口 915 X 1220,1020 X 1220 ,1070 X 1220,偏差未變無(wú)剪板板長(zhǎng)度 和寬度及

3、其偏差無(wú)剪切板尺寸及偏差應(yīng)符合表3規(guī)疋,或由供需雙方商疋422.2修改厚度要 求厚度范圍:0.56.4mm厚度范圍:0.056.4mm修改翹曲度 要求描述了厚度0.86.4mm的單面及雙面覆銅箔板的要求值名稱改為弓曲和扭曲,規(guī)定了不同標(biāo)稱厚度及試樣尺寸的弓曲 和扭曲要求表7修改剝離強(qiáng) 度要求5s、10s浸焊后、100C干熱后、暴露于化學(xué)溶劑蒸汽后、經(jīng)模擬電鍍條件處理后的剝離強(qiáng)度符合表7要求5.3表6/表7CPFCP ( G) -22F ;廠廠;熱應(yīng)力后的剝離強(qiáng)度應(yīng)符合表6要求CEPCP( G) -23F ;CEPCP( G) -24F ;CEPCP( G) -25F ;CEPG(G) -4仆;

4、CEPG( G) -42F ;CEPG( G) -43F ;熱應(yīng)力后、105 C下、暴露于工藝溶液后的剝離強(qiáng)度應(yīng)符合表 7要求無(wú)增加尺寸穩(wěn) 定性要求無(wú)5.3表6/表7增加尺寸穩(wěn)定性要求表8修改彎曲強(qiáng) 度要求適用于厚度?1.0mm厚度 1.0mm CEPCP-22F > 110MPa,CEPCP( G) -23F220MPa厚度 1.5mm 1.6mm:CEPCP-22F > 110MPa, CEPCP( G) -23F200MPa;厚度 2.0mm CEPCP-22F > 110MPa,CEPCP( G) -23F : > 180MPa5.3表6/表7適用于厚度?0.8

5、mm,其中,CPFCP( G) -22F230MPa(縱向),CEPCP( G) -23F242MPa(縱向),CPFCP(G) -22F172MPa(橫向)CEPCP(G) -23F : > 172MPa(橫向)其他基材彎曲強(qiáng)度要求見(jiàn)表6和表7表7修改熱沖擊 起泡試驗(yàn)要 求不蝕刻銅箔5.3表6/表7熱應(yīng)力替代了熱沖擊起泡試驗(yàn), 未蝕刻銅箔、蝕刻銅箔的都要測(cè)試無(wú)增加玻璃化 溫度測(cè)試無(wú)5.3表6/表7增加玻璃化溫度測(cè)試4.1 表 2修改介質(zhì)損 耗要求CEPCP( G) -22F : W 0.050 , CPFCP( Q -23F : < 0.0455.3表6/表7CPFCP( G)

6、-22F: W 0.06 , CEPCP( G) -23F : W 0.035 其他材質(zhì)要求見(jiàn)表 6和表74.1 表 2修改體積電 阻率測(cè)試要 求C-96/40/90 恢復(fù)后,CEPCP-22F > 2000MQ m,CEPCP( G) -23F : > 5000MQ m在咼溫下,CEPCP-22F CEPCP( G) -23F > 100 Mm5.3表6/表7C-96/35/90 恢復(fù)后,6CPFCP( G) -22F、CEPC( G) -23F : > 10MQ cm; 在咼溫下,3CPFCP( G) -22F、CEPC( G) -23F : > 10MQ m

7、 其他材質(zhì)要求見(jiàn)表 6和表74.1 表 2修改外表電 阻率測(cè)試要求C-96/40/90恢復(fù)后,外表電阻:CPFCP-22F > 20000MQ, CPFCP( G) -23F30000MQ;在咼溫下,CPFCP-22F CPFCP(G) -23F1000 MQ5.3表6/表7C-96/35/90 恢復(fù)后,外表電阻率:4CPFCP( G) -22F、CEPC( G) -23F : > 10 MQ ; 在咼溫下,CPFCP( G) -22F、CEPC( G) -23F : > 10 MQ其他材質(zhì)要求見(jiàn)表 6和表74.1 表 2刪除銅箔電 阻測(cè)試工程對(duì)18卩m 35卩m 70卩m銅

8、箔作出限值無(wú)刪除銅箔電阻測(cè)試工程無(wú)增加耐電弧性測(cè)試工程無(wú)5.3表6/表7增加耐電弧性測(cè)試工程無(wú)增加擊穿電壓測(cè)試工程無(wú)5.3表6/表7增加擊穿電壓測(cè)試工程無(wú)增加CTI測(cè)試工程無(wú)5.3表6/表7增加CTI測(cè)試工程供選,供需雙方商定表8吸水性吸水性,mg5.3表6/表7吸水率代替了吸水性,吸水率,%無(wú)增加熱分解 溫度測(cè)試無(wú)5.3表6/表7增加熱分解溫度測(cè)試無(wú)增加Z軸膨 脹系數(shù)無(wú)5.3 表7增加Z軸膨脹系數(shù),供需雙方商定無(wú)增加熱分層 時(shí)間測(cè)試無(wú)5.3表6/表7增加熱分層時(shí)間測(cè)試無(wú)增加鹵素含 量測(cè)試無(wú)5.3表6/表7增加鹵素含量測(cè)試表7刪除拉脫強(qiáng) 度測(cè)試工程有要求無(wú)無(wú)4.1 表 2刪除外表腐蝕測(cè)試工程有

9、要求無(wú)無(wú)4.1 表 2刪除邊緣腐 蝕測(cè)試工程有要求無(wú)無(wú)剛性多層印制板自愿性認(rèn)證新舊版標(biāo)準(zhǔn)換版試驗(yàn)要求變更內(nèi)容涉及條款新、舊版標(biāo)準(zhǔn)差異說(shuō)明補(bǔ)充試驗(yàn)說(shuō)明增加尺寸穩(wěn)定性要求5.3 表6增加尺寸穩(wěn)定性要求企業(yè)如有需求,做補(bǔ)充試驗(yàn)修改彎曲強(qiáng)度要求要求5.3 表6舊版標(biāo)準(zhǔn)適用于厚度?1.0mm,新標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)厚度適用于 厚度?0.8mm。CEPCP( G) -23F彎曲強(qiáng)度要求不冋核查原型式報(bào)告檢驗(yàn)結(jié)果值,如符 合新標(biāo)準(zhǔn)要求,不做補(bǔ)充試驗(yàn);如 不符合新標(biāo)準(zhǔn)要求,做補(bǔ)充試驗(yàn)。修改熱應(yīng)力要求5.3 表6新標(biāo)準(zhǔn)增加蝕刻銅箔的測(cè)試CEPCP(G) -23蝕刻銅箔,補(bǔ)充試 驗(yàn)增加玻璃化溫度測(cè)試5.3 表6增加玻璃化溫度測(cè)

10、試CEPCP( G) -23補(bǔ)充試驗(yàn)修改介質(zhì)損耗要求5.3 表6舊標(biāo)準(zhǔn)中 CPFCPG) -23F : < 0.045 ,新標(biāo)準(zhǔn)中 CEPCF(G) -23F : < 0.035核查原型式報(bào)告檢驗(yàn)結(jié)果值,如符 合新標(biāo)準(zhǔn)要求,不做補(bǔ)充試驗(yàn);如 不符合新標(biāo)準(zhǔn)要求,做補(bǔ)充試驗(yàn)。修改體積電阻率測(cè)試要求5.3 表6將外表電阻率和體積電阻率的濕熱處理?xiàng)l件C-96/40/90改為C-96/35/90,同時(shí)修改相應(yīng)限值要求核查原型式報(bào)告檢驗(yàn)結(jié)果值,如符 合新標(biāo)準(zhǔn)要求,不做補(bǔ)充試驗(yàn);如 不符合新標(biāo)準(zhǔn)要求,做補(bǔ)充試驗(yàn)。修改外表電阻率測(cè)試要求5.3 表6增加耐電弧性測(cè)試工程5.3 表6增加耐電弧性測(cè)試工程CEPCP( G) -23補(bǔ)充試驗(yàn)增加擊穿電壓測(cè)試工程5.3 表6增加擊穿電壓測(cè)試工程CEPCP( G) -23補(bǔ)充試驗(yàn)增加CTI測(cè)試工程5.3 表6增加CTI測(cè)試工程企業(yè)如有需求,

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