



下載本文檔
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、在你看這邊文章之前,我想作出幾點(diǎn)說明:(1)最近在看拉扎維的書,寫下來這些東西,這也只是我個(gè)人在學(xué)習(xí)過程中的一點(diǎn)總結(jié), 有什么觀點(diǎn)大家可以相互交流;(2)不斷的思考,不斷的理解,不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去!1、CS單管放大電路共 源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大,即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí),根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn),而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知,MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍,主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍,小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為 VIN-VTH,最大值約為 VDD,假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特
2、性,并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】,則確定的靜態(tài)工作 點(diǎn)約為VDS= (VIN-VTH+VDD) /2,但是CS電路的實(shí)際特性以及 MOS管所表現(xiàn) 出的非線性關(guān)系則限制了小信號(hào)的理想放大,主要表現(xiàn)在:【1】 電路在飽和區(qū)所能夠確定的增益比較高,但仍然是有限的,也就是說,在對(duì)輸入信號(hào)的可取范圍內(nèi),確定了電路的增益。電路的非線性以及MOS 管的跨導(dǎo)的 可變性決定了 CS電路對(duì)于輸入小信號(hào)的放大是有限的, 主要表現(xiàn)在輸入信號(hào)的幅度必須很小, 這樣才能保證 放大電路中晶體管的跨導(dǎo)近似看作常數(shù),電路的增益近似確定;【2】CS電路也反映了模擬 CMOS電路放大兩個(gè)普遍的特點(diǎn),一是電路的靜態(tài)工作點(diǎn)
3、將直接 影響小信號(hào)的放大特性,也就是說CMOS模擬放大電路的直流特性 和其交流特性之間有一 定的相互影響。從輸入-輸出特性所表現(xiàn)的特性曲線可以看出,MOSFET在飽和區(qū)的不同點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電路增益不同,這取決于器件的非線 性特性,但是在足夠小的范圍內(nèi)可以將非線性 近似線性化, 這就表現(xiàn)為在曲線的不同分段近似線性化的過程中電路的增益與電路的靜態(tài)工 作點(diǎn)有直接關(guān)系,可以看 出,靜態(tài)工作點(diǎn)的不同將決定了電路的本征增益。這一點(diǎn)表現(xiàn)在 計(jì)算中, CS 電路的跨導(dǎo)取決于不同的柵壓下所產(chǎn)生的靜態(tài)電流,因此電路的增益是可選擇 的,但是 其增益的可選擇性將間接限制了輸出電壓的擺幅。這些都反映了放大電路增益的 選擇和
4、電流、功耗、速度等其他因素之間的矛盾?!?】二是電路的靜態(tài)工作點(diǎn)將直接影響前一級(jí)和后一級(jí)的直流特性,因?yàn)镃S電路實(shí)現(xiàn)的放大是針對(duì)小信號(hào)的放大,但是電路的放大特性是基于靜態(tài)工作點(diǎn)的確定,換句話說,在電路中的中間級(jí) CS電路即需要根據(jù)前一級(jí)的靜態(tài)輸出來確定本級(jí)的工作點(diǎn),這也就導(dǎo)致了 前一級(jí)對(duì)后一級(jí)的影響,增加了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。但是電路設(shè)計(jì)中的 CD 電路可以實(shí)現(xiàn)直流電平移位特性, 交流信號(hào)的跟隨特性,這也就解決了靜態(tài)級(jí)間的影響, 總體來講, 這樣 簡化了設(shè)計(jì),但是增加了電路的面積?!?】分析方法:CMOS模擬電路的復(fù)雜特性也決定了電路的小信號(hào)分析的特殊方法,區(qū)別 于BJT,第一種方法即直接從大信
5、號(hào)的分析入手,MOS管在模擬IC中主要工作在線性區(qū)和飽和區(qū),結(jié)合 MOS管的柵壓和漏源電壓所確定的不同區(qū)域的電流電壓關(guān)系進(jìn)而確定電路的大信號(hào)工作特性,而大信號(hào)的特性曲線一方面 可以確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn),另一方面也間 接反映了電路的交流特性, 因?yàn)閺拇笮盘?hào)到小信號(hào)的電路特性分析也就是實(shí)現(xiàn)電路的非線性 到線性分析,交流特性或者小 信號(hào)特性是一個(gè)微變化量的分析,而大信號(hào)特性是全擺幅的 分析或者整體的分析,因此,小信號(hào)是大信號(hào)在工作點(diǎn)附近的一種近似,一種線性化。也就是說,實(shí)現(xiàn)大 信號(hào)到小信號(hào)的分析在數(shù)學(xué)上表現(xiàn)為微分關(guān)系。第二種方法則類似于 BIT 分 析時(shí)的小信號(hào)等效模型分析,這樣從器件級(jí)建立信號(hào)的等
6、效模型表現(xiàn)在電路級(jí)只能提供 一 種簡易的計(jì)算方法,不能實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的直觀理解。因此,在低頻狀態(tài)下表現(xiàn)為: CS 電路能 夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的電壓放大,其電壓增益較高,輸入阻抗無窮大,輸 出阻抗較小。【5】MOS 管構(gòu)成的二極管等效于一個(gè)低阻器件,作為共源級(jí)的負(fù)載,代替了電阻實(shí)現(xiàn)小信 號(hào)的放大,但是,電路的增益受到了限制。總的來說,利用電阻或者 MOS 管構(gòu)成的有源二 極管作為負(fù)載無法實(shí)現(xiàn)高增益的放大特性?!?】 電流源負(fù)載的共源級(jí)放大電路實(shí)現(xiàn)了電壓的高增益放大、電路的大輸出擺幅, 但是也在一定程度上帶來新的問題,可以看出,高增益源于等效的輸出阻抗較 大,大輸出擺幅可 以通過調(diào)節(jié)靜態(tài) NMOS和PM
7、OS的最低工作電壓實(shí)現(xiàn), 但是GD的電容效應(yīng)和較高的輸出阻 抗導(dǎo)致電路的響應(yīng)速度下降。在低頻工作狀態(tài)下電 路能夠?qū)崿F(xiàn)較好的電壓轉(zhuǎn)換,但是在高 頻工作區(qū)域, 電路的速度受限。 另一方面, 電路實(shí)現(xiàn)的高增益特性表現(xiàn)在輸出端漏源電壓的 變化幅度較大,這就要求在靜態(tài)時(shí)盡可能使漏端的輸出電壓保證NMOS和PMOS在臨界飽和點(diǎn)處電壓和的一半, 這樣保證其輸出的擺幅對(duì)稱, 不會(huì)產(chǎn)生失真, 這就要求電路在靜態(tài)時(shí) 輸入的柵電壓 更穩(wěn)定,即使得輸出漏電壓處于臨界飽和點(diǎn)處電壓和的一半?!?】理解誤區(qū):靜態(tài)時(shí)電路各點(diǎn)工作電壓是確定的。例電流源負(fù)載的CS電路, 放大管工作在飽和區(qū)條件下漏源電壓具有很大的變化范圍,但是電
8、路在工作時(shí),其靜態(tài)電流相等,漏端的電壓相等, 即可唯一確定漏端的靜態(tài)輸出電壓, 表現(xiàn)在特性曲線上可理解為放大管的 NMOS和負(fù)載管的PMOS在輸入唯一的情況下具有唯一確定的交點(diǎn),反映了唯一的漏電壓。這樣類比的結(jié)果,在MOS管構(gòu)成的復(fù)雜電路中是可以確定其各個(gè)MOS管在飽和狀態(tài)下的漏電壓的?!?】CS電路+源級(jí)負(fù)反饋。負(fù)反饋的引入使得電路結(jié)構(gòu)發(fā)生了根本的變化,表現(xiàn)在無源器 件所構(gòu)成的反饋網(wǎng)絡(luò)將聯(lián)系著輸入柵壓和輸出漏壓,因此隨著反饋深度的增加,對(duì)于輸入的信號(hào)變化量將主要反映在反饋的電阻上, 也就是說輸入小信號(hào)的變化量將主要體現(xiàn)在反饋 的電阻上,這種反饋的作用使得IDS和VGS的非線 性關(guān)系減弱,近似
9、線性化。同時(shí),電路的等效跨導(dǎo)也將隨著反饋的引入有界化。 負(fù)反饋一方面改變了電路的線性度, 另一方面增加 了增益的恒定性,但是這些性能的 改善以犧牲電壓增益為前提。2、CD/CG單管放大電路【1】源級(jí)跟隨器在電路中主要用于實(shí)現(xiàn)電壓的緩沖,電平的移位。主要表現(xiàn)在:電路的電壓增益約等于 1,這樣實(shí)現(xiàn)輸出近似跟隨輸入;飽和條件下輸出與輸入的變化為:輸出電壓等于輸入電壓 -閾值電壓;電路的輸入阻抗趨于無窮大,輸出阻抗很小,這樣電路可以驅(qū) 動(dòng)更小的負(fù)載,以保持電路在結(jié)構(gòu)上的匹配。因此 CD 電 路在大信號(hào)中表現(xiàn)為直流電平的 移位特性,在小信號(hào)中表現(xiàn)為交流信號(hào)的跟隨特性。而CG電路相對(duì)較低的輸入阻抗在電路中
10、用于實(shí)現(xiàn)匹配特性。3、Cascode 電路【1】 套筒式的共源共柵結(jié)構(gòu)在一定程度上限制了輸出的電壓擺幅,也就是說電路的最小輸出必須保證共源共柵結(jié)構(gòu)的MOSFET工作在飽和條件,即輸出的最小電平約為兩個(gè)過驅(qū)動(dòng)電壓之和, 但是卻極大的提高了電路的輸出阻抗。 共源共柵結(jié)構(gòu)將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電 流,而電流又作為 CS電路的輸入。而折疊式的共源 共柵結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)電路的放大時(shí)表現(xiàn)為較 好的低壓特性。4 、電路是計(jì)算出來的【1】直流工作點(diǎn)的確定依據(jù)其輸入的靜態(tài)電壓或靜態(tài)電流確定,換句話說,電路中各點(diǎn)的 靜態(tài)電壓和電流都是可以計(jì)算出來的, 因?yàn)槠潇o態(tài)電路各點(diǎn)的 IV 關(guān)系滿足基本的電路定理, 電路結(jié)構(gòu)的不同
11、所表現(xiàn)的電流、 電壓表達(dá)式是唯一確定的, 即電路的靜態(tài)參數(shù)是唯一確定的?!?】 在直流工作點(diǎn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行的交流分析也就是對(duì)輸入小信號(hào)的分析,所實(shí)現(xiàn)的放大是對(duì)疊加在工作點(diǎn)上的小信號(hào)進(jìn)行放大?;蛘哒f,直流電平提供了小信號(hào)工作的穩(wěn)態(tài)條件,而交流特性則反映了信號(hào)的動(dòng)態(tài)變換, 即放大特性, 這樣在直流電平上疊加的交流小信號(hào)共 同作為輸入作用于電路實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。總的來說,電路的交流特性可以通過小信號(hào)分析得到,或者通過等效的電路模型簡化分析,因此,電路的增益、輸入阻抗、輸出阻抗都是可 以進(jìn)行計(jì)算的。5、MOSFET小信號(hào)模型直觀理解MOSFET 在飽和條件下的工作狀態(tài)可以通過小信號(hào)等效電路圖進(jìn)行分析,但是
12、小信號(hào)等效電路分析也只是提供了一種較為簡化的計(jì)算方法。電路中的MOS管通過柵源電壓的微變化轉(zhuǎn)換為漏源電流的變化, 在交流通路中流過相應(yīng)的負(fù)載即可產(chǎn)生交流輸出電壓, 而直流和交流 的疊加產(chǎn)生最終的輸出電壓,產(chǎn)生這一現(xiàn)象的根源 在于器件的非線性特性。因此,對(duì)于直 流通路的分析根據(jù)其靜態(tài)工作電壓和電流關(guān)系即可得到, 而對(duì)于交流通路仍然可以建立交流 等效電路,但是對(duì)于有源器件來 講,其電流和電壓的非線性導(dǎo)致器件自身的交直流阻抗分 離,這就導(dǎo)致交流通路的某些參數(shù)發(fā)生變化, 這樣電路的交流分析應(yīng)當(dāng)注意器件阻抗的變化, 這正是源于有 源器件的非線性導(dǎo)致的交直流阻抗分離。從MOSFET的小信號(hào)等效電路可以看出
13、, 柵源電壓對(duì)于漏源電流的控制起主導(dǎo)作用,也就是說漏源 電壓和襯底效應(yīng)對(duì)器件工作狀態(tài)的影響可以忽略,因此可以看出, MOS 管的漏源電流受三方面的影響,從柵端口看,柵壓對(duì)電流的影響gm*vgs,漏源電壓對(duì)電流的影響gd*vds,襯底的影響gmb*vbs。那么 從電流的角度來講,二級(jí)效應(yīng)表現(xiàn)為gm*vgs、gd*vds和 gd*vds 電流的總和。一般條件下,在電路的初始分析過程中忽略溝道長度調(diào)制和體效應(yīng) 的 影響,這樣簡化的 MOS模型僅受柵壓的影響,因此從源到柵的等效阻抗約為1/gm。簡化的電路分析往往因?yàn)楹雎缘拇渭?jí)效應(yīng)而產(chǎn)生誤差, 但是對(duì)于電路的直觀 理解是很重要的。6、SPICE模型sp
14、ice模型晶體管級(jí)的連接決定了電路的結(jié)構(gòu), 但是電路的性能卻取決于具體的參數(shù)設(shè)置。 提供了器件的具體參數(shù)化過程,即對(duì)電路的仿真分析需要進(jìn)行參數(shù)的 設(shè)置,即在工藝過程 中的所約束的各種參數(shù)提供了一個(gè)較為完整的器件級(jí)的參數(shù)模型,例如溝道長度調(diào)制系數(shù)、 寄生的電容、柵氧層的厚度等等,這些都是為了將晶 體管的參數(shù)進(jìn)行量化,即在器件層次 的某些參數(shù)也是可以計(jì)算出來的!7、電路分析【等效方法 直觀理解】8、五管差分對(duì)【全對(duì)稱結(jié)構(gòu)】輸 入信號(hào)是直流和交流的疊加, 直流電平用于確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn), 根據(jù) IV 特性曲線可 知,基本差分結(jié)構(gòu)在輸入直流電平相等的條件下所表現(xiàn)的線性關(guān)系最好, 并且其線性范圍 最大,這樣增大了輸入交流小信號(hào)的動(dòng)態(tài)范圍。 但是直流工作點(diǎn)的選取依賴于基本的電路結(jié) 構(gòu),也具有一定的范圍:保證尾電流管處于飽和區(qū),同時(shí) 不能使得放大管進(jìn)入線性區(qū),這 樣就近似確定的輸入共模電平的選擇范圍。 靜態(tài)下的五管差分對(duì), 其節(jié)點(diǎn)的電流電壓是完全
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 采購專員崗位面試問題及答案
- 太空站物資管理師崗位面試問題及答案
- 湖北省十堰市張灣區(qū)東風(fēng)高中2025屆高二化學(xué)第二學(xué)期期末達(dá)標(biāo)檢測試題含解析
- 2025屆山東省煙臺(tái)市萊州市一中化學(xué)高一下期末學(xué)業(yè)水平測試試題含解析
- 供電公司計(jì)劃管理辦法
- 農(nóng)村鄉(xiāng)鎮(zhèn)街區(qū)管理辦法
- 老年護(hù)理服務(wù)優(yōu)化-洞察及研究
- 團(tuán)青志愿服務(wù)管理辦法
- 民航企業(yè)準(zhǔn)入管理辦法
- 杭州企業(yè)年金管理辦法
- 2025年吉林省中考語文試卷真題(含答案)
- 20250628紅餐產(chǎn)業(yè)研究院粥品品類發(fā)展報(bào)告2025284mb
- 2025至2030量子點(diǎn)增強(qiáng)膜顯示行業(yè)產(chǎn)業(yè)運(yùn)行態(tài)勢及投資規(guī)劃深度研究報(bào)告
- 企業(yè)品牌形象設(shè)計(jì)與宣傳服務(wù)合同
- 2025年原片玻璃市場調(diào)查報(bào)告
- 2025年中海油招聘筆試參考題庫附帶答案詳解
- 2025年陜西省中考數(shù)學(xué)真題試卷及答案解析
- 2025年甘肅省普通高中學(xué)業(yè)水平合格性考試模擬(六)歷史試題(含答案)
- 2025年全國新高考I卷高考全國一卷真題英語試卷(真題+答案)
- 2025年高考河北物理真題+解析在卷尾
- eXTP能譜聚焦陣列X射線探測器與讀出電子學(xué):原理、技術(shù)及應(yīng)用探索
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論