第二章-晶體缺陷

1、1第四章第四章 晶體結構缺陷晶體結構缺陷 n一一. 晶體結構缺陷的類型晶體結構缺陷的類型 n二二. 點缺陷點缺陷n三三. 非化學計量化合物非化學計量化合物n四四. 線缺陷線缺陷n五五. 面缺陷面缺陷n六六. 固溶體固溶體2缺陷的含義：通常把晶體點陣結構中周期性勢場缺陷的含義：通常把晶體點陣結構中周期性勢場的畸變稱為晶體的的畸變稱為晶體的結構缺陷結構缺陷。 理想晶體：質(zhì)點嚴格按照空間點陣排列。理想晶體：質(zhì)點嚴格按照空間點陣排列。 實際晶體：存在著各種各樣的結構的不完整實際晶體：存在著各種各樣的結構的不完整性。性。缺陷對材料性能的影響缺陷對材料性能的影響3研究缺陷的意義研究缺陷的意義 由于缺陷的存

2、在，才使晶體表現(xiàn)出各種各樣的由于缺陷的存在，才使晶體表現(xiàn)出各種各樣的性質(zhì)，使材料加工使用過程中的各種性能得以有性質(zhì)，使材料加工使用過程中的各種性能得以有效的控制和改變，使材料性能的改善和復合材料效的控制和改變，使材料性能的改善和復合材料的制備得以實現(xiàn)。因此，了解缺陷的形成及其運的制備得以實現(xiàn)。因此，了解缺陷的形成及其運動規(guī)律，對材料工藝過程的控制，對材料性能的動規(guī)律，對材料工藝過程的控制，對材料性能的改善，對于新型材料的設計、研究與開發(fā)具有重改善，對于新型材料的設計、研究與開發(fā)具有重要作用。要作用。4缺陷對材料性能的影響舉例缺陷對材料性能的影響舉例 材料的強化：如鋼材料的強化：如鋼-是鐵中滲碳

3、是鐵中滲碳 陶瓷材料的增韌陶瓷材料的增韌 硅半導體硅半導體 寶石類寶石類 半導體半導體5晶體結構缺陷的類型晶體結構缺陷的類型 分類方式：分類方式：幾何形態(tài)：幾何形態(tài)：點缺陷、線缺陷、面缺陷等點缺陷、線缺陷、面缺陷等形成原因：形成原因：熱缺陷、雜質(zhì)缺陷（固溶體）、非化學熱缺陷、雜質(zhì)缺陷（固溶體）、非化學計量化合物等計量化合物等6一、按缺陷的幾何形態(tài)分類一、按缺陷的幾何形態(tài)分類 1. 點缺陷點缺陷 2. 線缺陷線缺陷 3. 面缺陷面缺陷 4. 體缺陷體缺陷7 缺陷尺寸處于原子大小的數(shù)量級上，即三維方向上缺陷的尺缺陷尺寸處于原子大小的數(shù)量級上，即三維方向上缺陷的尺寸都很小。寸都很小。 1.1.類型類

4、型 根據(jù)根據(jù)點缺陷點缺陷對對理想晶格偏離理想晶格偏離的的幾何位置幾何位置分類分類 a. a. 空位（空位（vacancyvacancy） 沒有被占據(jù)沒有被占據(jù)的正常的正常結點結點的位置的位置 b. b. 間隙質(zhì)點（間隙質(zhì)點（interstitial particleinterstitial particle） 進入晶格進入晶格間隙間隙的質(zhì)點的質(zhì)點 c.c.雜質(zhì)質(zhì)點（雜質(zhì)質(zhì)點（foreign particleforeign particle） 占據(jù)占據(jù)正常結點正常結點位置或位置或間隙間隙位置的位置的外來質(zhì)點外來質(zhì)點一、點缺陷（零維缺陷）一、點缺陷（零維缺陷）8晶體中的點缺陷晶體中的點缺陷空位空位

5、雜質(zhì)質(zhì)點雜質(zhì)質(zhì)點間隙質(zhì)點間隙質(zhì)點9 按缺陷產(chǎn)生的按缺陷產(chǎn)生的原因原因分類分類 a. 熱缺陷熱缺陷 b.雜質(zhì)缺陷（固溶體）雜質(zhì)缺陷（固溶體） c. 非化學計量化合物非化學計量化合物 101.熱缺陷熱缺陷 定義定義:熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。（原子或離子）。類型類型:弗侖克爾缺陷（弗侖克爾缺陷（Frenkel defect）和肖特基缺陷（和肖特基缺陷（Schottky defect）熱缺陷濃度與溫度的關系熱缺陷濃度與溫度的關系:溫度升高時，溫度升高時，熱缺陷濃度增加熱缺陷濃度增加11圖

6、圖2-6 熱缺陷產(chǎn)生示意圖熱缺陷產(chǎn)生示意圖（a）弗侖克爾缺陷的形成）弗侖克爾缺陷的形成（空位與間隙質(zhì)點成對出現(xiàn)）（空位與間隙質(zhì)點成對出現(xiàn)）（b）單質(zhì)中的肖特基缺陷的）單質(zhì)中的肖特基缺陷的形成形成122.雜質(zhì)缺陷雜質(zhì)缺陷 定義定義:亦稱為組成缺陷，是由外加雜質(zhì)的引入亦稱為組成缺陷，是由外加雜質(zhì)的引入所產(chǎn)生的缺陷。所產(chǎn)生的缺陷。特征特征:如果雜質(zhì)的含量在固溶體的溶解度范圍如果雜質(zhì)的含量在固溶體的溶解度范圍內(nèi)，則雜質(zhì)缺陷的濃度與溫度無關。內(nèi)，則雜質(zhì)缺陷的濃度與溫度無關。雜質(zhì)缺陷對材料性能的影響雜質(zhì)缺陷對材料性能的影響133.非化學計量缺陷非化學計量缺陷 定義定義:指組成上偏離化學中的定比定律所形成的

7、指組成上偏離化學中的定比定律所形成的缺陷。它是由基質(zhì)晶體與介質(zhì)中的某些組分發(fā)缺陷。它是由基質(zhì)晶體與介質(zhì)中的某些組分發(fā)生交換而產(chǎn)生。生交換而產(chǎn)生。如如Fe1xO、Zn1+xO等晶體中等晶體中的缺陷。的缺陷。特點特點:其化學組成隨周圍氣氛的性質(zhì)及其分壓大其化學組成隨周圍氣氛的性質(zhì)及其分壓大小而變化。是一種半導體材料。小而變化。是一種半導體材料。4. 其它原因，如電荷缺陷，輻照其它原因，如電荷缺陷，輻照缺陷等缺陷等142.點缺陷的符號表征點缺陷的符號表征:Kroger-Vink（克羅格（克羅格-明克）符號明克）符號以以MX型化合物為例：型化合物為例： 空位空位（vacancy）用用V來表示，符號中的

8、右下標表示缺陷所來表示，符號中的右下標表示缺陷所在位置在位置，VM含義即含義即M原子位置是空的。原子位置是空的。 間隙原子間隙原子（interstitial）亦稱為填隙原子，亦稱為填隙原子，用用Mi、Xi來表示，來表示，其含義為其含義為M、X原子位于晶格間隙位置。原子位于晶格間隙位置。雜質(zhì)雜質(zhì)質(zhì)點質(zhì)點 （foreign particle ）雜質(zhì)質(zhì)點用雜質(zhì)質(zhì)點用NM表示表示, NM的含的含義是義是N質(zhì)點占據(jù)質(zhì)點占據(jù)M質(zhì)點的位置。因此該缺陷又稱為質(zhì)點的位置。因此該缺陷又稱為錯放質(zhì)點錯放質(zhì)點。 15 自由電子（自由電子（electron）與電子空穴）與電子空穴 (hole）分別用分別用e，和和h 來

9、表示。其中右上標中的一來表示。其中右上標中的一撇撇“，”代表一個單位代表一個單位負負電荷，一個圓點電荷，一個圓點“ ”代表一個單位代表一個單位正正電荷。電荷。 在某種光、電、熱的作用下，可以在晶體中運在某種光、電、熱的作用下，可以在晶體中運動，它們不屬于某一特定原子動，它們不屬于某一特定原子16 帶電缺陷帶電缺陷 在在NaCl晶體中，取出一個晶體中，取出一個Na+離子，會在離子，會在原來的位置上留下一個電子原來的位置上留下一個電子e，寫成寫成VNa ，即代表即代表Na+離子空位，帶一個單位負電荷。離子空位，帶一個單位負電荷。同理，同理，Cl離子空位記為離子空位記為VCl ，帶一個單位，帶一個單

10、位正電荷。正電荷。 即即：VNa=VNae，VCl =VClh。 17 其它帶電缺陷：其它帶電缺陷：a. CaCl2加入加入NaCl晶體時，若晶體時，若Ca2+離子位于離子位于Na+離子位置離子位置上，其缺陷符號為上，其缺陷符號為CaNa ，此符號含義，此符號含義為為Ca2+離子占據(jù)離子占據(jù)Na+離子位置，帶有一個單位正電荷。離子位置，帶有一個單位正電荷。 b. CaZr,表示表示Ca2+離子占據(jù)離子占據(jù)Zr4+離子位置，此缺陷帶有二個離子位置，此缺陷帶有二個單位負電荷。單位負電荷。 其余的缺陷其余的缺陷VM、VX、Mi、Xi等都可以加上對應于原等都可以加上對應于原陣點位置的有效電荷來表示相應

11、的帶電缺陷。陣點位置的有效電荷來表示相應的帶電缺陷。 18 締合中心締合中心 電性相反的缺陷距離接近到一定程度電性相反的缺陷距離接近到一定程度時，在庫侖力作用下會締合成一組或一時，在庫侖力作用下會締合成一組或一群，產(chǎn)生一個群，產(chǎn)生一個締合中心締合中心， VM”和和VX.發(fā)生發(fā)生締合締合,記為（記為（VM”VX.）。）。193、缺陷反應表示、缺陷反應表示法法 對于雜質(zhì)缺陷而言，缺陷反應方程式的一般式： 產(chǎn)生的各種缺陷產(chǎn)生的各種缺陷雜質(zhì)雜質(zhì)基質(zhì)基質(zhì)20 寫缺陷反應方程式應遵循的原則寫缺陷反應方程式應遵循的原則 與一般的化學反應相類似，書寫缺陷反應方程式與一般的化學反應相類似，書寫缺陷反應方程式時，

12、應該遵循下列基本原則：時，應該遵循下列基本原則： a. 位置關系位置關系 b. 質(zhì)量平衡質(zhì)量平衡 c. 電中性電中性 3. 缺陷化學反應表示缺陷化學反應表示法法 21 a.位置關系：位置關系： 在化合物在化合物MaXb中，無論是否存在缺陷，其正中，無論是否存在缺陷，其正負離子位置數(shù)（即格點數(shù)）的之比始終是一負離子位置數(shù)（即格點數(shù)）的之比始終是一個常數(shù)個常數(shù)a/b，即：，即：M的格點數(shù)的格點數(shù)/X的格點數(shù)的格點數(shù) a/b。如如NaCl結構中，正負離子格點數(shù)之比為結構中，正負離子格點數(shù)之比為1/1，Al2O3中則為中則為2/3。 22 位置關系強調(diào)形成缺陷時，基質(zhì)晶體中正負離子位置關系強調(diào)形成缺陷

13、時，基質(zhì)晶體中正負離子格點數(shù)之比格點數(shù)之比保持不變，并非原子個數(shù)比保持不變。保持不變，并非原子個數(shù)比保持不變。 在上述各種缺陷符號中，在上述各種缺陷符號中，VM、VX、MM、XX、MX、XM等位于正常格點上，對等位于正常格點上，對格點數(shù)的多少格點數(shù)的多少有影響，有影響，而而Mi、Xi、e，、h等不在正常格點上，對格點數(shù)等不在正常格點上，對格點數(shù)的多少無影響。的多少無影響。 形成缺陷時，基質(zhì)晶體中的形成缺陷時，基質(zhì)晶體中的原子數(shù)原子數(shù)會發(fā)生變化，會發(fā)生變化，外加雜質(zhì)進入基質(zhì)晶體時，系統(tǒng)原子數(shù)增加，晶外加雜質(zhì)進入基質(zhì)晶體時，系統(tǒng)原子數(shù)增加，晶體尺寸增大；基質(zhì)中原子逃逸到周圍介質(zhì)中時，體尺寸增大；基

14、質(zhì)中原子逃逸到周圍介質(zhì)中時，晶體尺寸減小。晶體尺寸減小。 23 b. 質(zhì)量平衡：質(zhì)量平衡：與化學反應方程式相同，缺陷與化學反應方程式相同，缺陷反應方程式兩邊的質(zhì)量應該相等。需要注意反應方程式兩邊的質(zhì)量應該相等。需要注意的是缺陷符號的的是缺陷符號的右下標右下標表示缺陷所在的位置，表示缺陷所在的位置，對質(zhì)量平衡無影響。對質(zhì)量平衡無影響。 c.電中性：電中性：電中性要求缺陷反應方程式兩邊電中性要求缺陷反應方程式兩邊的的有效電荷數(shù)有效電荷數(shù)必須相等。必須相等。24 2.缺陷反應實例缺陷反應實例 （1）雜質(zhì)（組成）缺陷反應方程式）雜質(zhì)（組成）缺陷反應方程式雜質(zhì)在雜質(zhì)在基質(zhì)中的溶解過程基質(zhì)中的溶解過程 雜

15、質(zhì)進入基質(zhì)晶體時，一般遵循雜質(zhì)進入基質(zhì)晶體時，一般遵循雜質(zhì)的正負雜質(zhì)的正負離子分別進入基質(zhì)的正負離子位置離子分別進入基質(zhì)的正負離子位置的原則，這的原則，這樣基質(zhì)晶體的晶格畸變小，缺陷容易形成。在樣基質(zhì)晶體的晶格畸變小，缺陷容易形成。在不等價替換時，會產(chǎn)生間隙質(zhì)點或空位。不等價替換時，會產(chǎn)生間隙質(zhì)點或空位。25例例1寫出寫出NaF加入加入YF3中的缺陷反應方程式（低價中的缺陷反應方程式（低價取代高價）取代高價）n以以正離子正離子為基準，反應方程式為：為基準，反應方程式為：n以以負離子負離子為基準，反應方程式為：為基準，反應方程式為：.FF YYFV2F NaNaF3 F.i YYF3F2Na N

16、a3NaF3 26n以以正離子正離子為基準，缺陷反應方程式為：為基準，缺陷反應方程式為：n以以負離子負離子為基準，則缺陷反應方程式為：為基準，則缺陷反應方程式為：ClClCaCaCl iCl.KKCl2高價取低代價）高價取低代價）27基本規(guī)律：基本規(guī)律：q低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有置帶有負電荷負電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生，為了保持電中性，會產(chǎn)生負離子空位或間隙正離子。負離子空位或間隙正離子。q高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有置帶有正電荷正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生，為了保持電中性，會產(chǎn)生正離子

17、空位或間隙負離子。正離子空位或間隙負離子。 28例例3 MgO形成形成 MgO形成肖特基缺陷時，表面的形成肖特基缺陷時，表面的Mg2+和和O2-離離子遷移到表面新位置上，在晶體內(nèi)部留下空位子遷移到表面新位置上，在晶體內(nèi)部留下空位: MgMg +OO MgS+OS+ VMg”+VO. 以以（naught）代表無缺陷狀態(tài)，則：）代表無缺陷狀態(tài)，則： OVMg”+VO.29例例4 AgBr形成弗侖克爾缺陷形成弗侖克爾缺陷 其中半徑小的其中半徑小的Ag+離子進入晶格間隙，離子進入晶格間隙，在其格點上留下空位，方程式為：在其格點上留下空位，方程式為： AgAg Agi.+VAg30 當晶體中剩余空隙比較

18、小，如當晶體中剩余空隙比較小，如NaCl型型結構，容易形成肖特基缺陷；當晶體中剩結構，容易形成肖特基缺陷；當晶體中剩余空隙比較大時，如螢石余空隙比較大時，如螢石CaF2型結構等，型結構等，容易產(chǎn)生弗侖克爾缺陷。容易產(chǎn)生弗侖克爾缺陷。 31 熱缺陷濃度的計算熱缺陷濃度的計算 在一定溫度下，熱缺陷是處在不斷地產(chǎn)生在一定溫度下，熱缺陷是處在不斷地產(chǎn)生和消失的過程中，當單位時間產(chǎn)生和復合而消和消失的過程中，當單位時間產(chǎn)生和復合而消失的數(shù)目相等時，系統(tǒng)達到平衡，熱缺陷的數(shù)失的數(shù)目相等時，系統(tǒng)達到平衡，熱缺陷的數(shù)目保持不變。目保持不變。 根據(jù)質(zhì)量作用定律，可以利用化學平衡方根據(jù)質(zhì)量作用定律，可以利用化學平

19、衡方法計算熱缺陷的濃度。法計算熱缺陷的濃度。32化學平衡方法計算熱缺陷濃度化學平衡方法計算熱缺陷濃度 a. MX2型晶體肖特基缺陷濃度的計算型晶體肖特基缺陷濃度的計算 CaF2晶體形成肖特基缺陷反應方程式為：晶體形成肖特基缺陷反應方程式為：動態(tài)平衡動態(tài)平衡 平衡常數(shù)平衡常數(shù)K G=RTlnK 又又O=1， 則則. 2FCaVVO 2 .CaFVV 43 2. OVOVVKCaFCa)3exp(413 RTGVCa33b. 弗侖克爾缺陷濃度的計算弗侖克爾缺陷濃度的計算AgBr晶體形成弗侖克爾缺陷的反應方程式為：晶體形成弗侖克爾缺陷的反應方程式為： AgAg平衡常數(shù)平衡常數(shù)K為：為： 式中式中 A

20、gAg 1。又又 G=RTlnK ,則則式中式中 G為形成為形成1摩爾弗侖克爾缺陷的摩爾弗侖克爾缺陷的自由焓變化自由焓變化。 .AgiVAg .AgAgiAgVAgK )2exp( .RTGVAgAgi34 注意注意:在計算熱缺陷濃度時，由形成缺陷而引發(fā)的周圍原在計算熱缺陷濃度時，由形成缺陷而引發(fā)的周圍原子振動狀態(tài)的改變所產(chǎn)生的子振動狀態(tài)的改變所產(chǎn)生的振動熵變振動熵變，在多數(shù)情況下可以，在多數(shù)情況下可以忽略不計。且形成缺陷時晶體的忽略不計。且形成缺陷時晶體的體積變化體積變化也可忽略，故熱也可忽略，故熱焓變化可近似地用內(nèi)能來代替。所以，實際計算熱缺陷濃焓變化可近似地用內(nèi)能來代替。所以，實際計算熱

21、缺陷濃度時，一般都用度時，一般都用缺陷形成能缺陷形成能代替計算公式中的代替計算公式中的自由焓自由焓變化。變化。 因此熱缺陷的計算公式可以簡寫為：因此熱缺陷的計算公式可以簡寫為： 熱缺陷濃度熱缺陷濃度-n/N=exp(-Gf/2KT),其中其中Gf為缺陷形成為缺陷形成能；能； k1.3810-23（玻爾茲曼常數(shù)）；（玻爾茲曼常數(shù)）；T開氏溫度開氏溫度35作業(yè)：n1. 在在CaF2晶體中，弗侖克爾缺陷形成能是晶體中，弗侖克爾缺陷形成能是2.8ev，肖特基缺，肖特基缺陷形成能是陷形成能是5.5ev，計算在，計算在25和和1600時熱缺陷的濃度。時熱缺陷的濃度。n2. 寫出下列缺陷方程（分別寫出兩個合

22、理的方程）寫出下列缺陷方程（分別寫出兩個合理的方程）364.2 固溶體固溶體 將外來組元引入晶體結構，占據(jù)主晶相將外來組元引入晶體結構，占據(jù)主晶相質(zhì)點位置一部分或間隙位置一部分，仍保持一質(zhì)點位置一部分或間隙位置一部分，仍保持一個晶相，這種晶體稱為固溶體個晶相，這種晶體稱為固溶體(即溶質(zhì)溶解在即溶質(zhì)溶解在溶劑中形成固溶體），也稱為固體溶液。溶劑中形成固溶體），也稱為固體溶液。一、固溶體的分類一、固溶體的分類二、置換型固溶體二、置換型固溶體三、間隙型固溶體三、間隙型固溶體四、形成固溶體后對晶體性質(zhì)的影響四、形成固溶體后對晶體性質(zhì)的影響五、固溶體的研究方法五、固溶體的研究方法37 固溶體、化合物和混

23、合物的比較固溶體、化合物和混合物的比較固溶體固溶體化合物化合物機械混合物機械混合物形成方式形成方式摻雜、溶解摻雜、溶解化學反應化學反應機械混合機械混合反應式反應式AO+B2O3AB2O4AO+B2O3均勻混合均勻混合化學組成化學組成B2-xAxO3-x/2AB2O4AO+B2O3混合尺度混合尺度原子（離子）尺度原子（離子）尺度原子（離子）尺度原子（離子）尺度晶體顆粒態(tài)晶體顆粒態(tài)結構結構與與B2O3相同相同AB2O4型型AO結構結構+B2O3結構結構相組成相組成均勻單相均勻單相均勻單相均勻單相兩相有界面兩相有界面381.固溶體類型固溶體類型n 根據(jù)外來組元在主晶相中所處位置根據(jù)外來組元在主晶相中

24、所處位置 n 置換型固溶體置換型固溶體 n 間隙型固溶體間隙型固溶體n 根據(jù)外來組元在主晶相中的固溶度根據(jù)外來組元在主晶相中的固溶度 n 連續(xù)型（無限型、完全互溶型）固溶體、有限型連續(xù)型（無限型、完全互溶型）固溶體、有限型（部分互溶型）固溶體。（部分互溶型）固溶體。 39（一）、根據(jù)溶質(zhì)原子在主晶相中所處（一）、根據(jù)溶質(zhì)原子在主晶相中所處位置位置可分可分為：為：1、置換式固溶體，亦稱替代固溶體，其溶質(zhì)原、置換式固溶體，亦稱替代固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣結點上，替代（置換）了部分溶劑原子位于點陣結點上，替代（置換）了部分溶劑原子。子。 金屬和金屬形成的固溶體都是置換式的。如，金屬和金屬形成的固溶

25、體都是置換式的。如，Cu-Zn系中的系中的和和固溶體都是置換式固溶體。固溶體都是置換式固溶體。 在金屬氧化物中，主要發(fā)生在金屬離子位在金屬氧化物中，主要發(fā)生在金屬離子位置上的置換置上的置換，如：，如：MgO-CaO，MgO-CoO，PbZrO3-PbTiO3，Al2O3-Cr2O3等。等。402、間隙式固溶體，亦稱填隙式固溶體，其溶、間隙式固溶體，亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。質(zhì)原子位于點陣的間隙中。 金屬和非金屬元素金屬和非金屬元素H、B、C、N等形成等形成的固溶體都是間隙式的。如，在的固溶體都是間隙式的。如，在Fe-C系的系的固溶體中，碳原子就位于鐵原子的固溶體中，碳原子就

26、位于鐵原子的BCC點陣點陣的八面體間隙中。的八面體間隙中。41（二）、根據(jù)外來組元在主晶相中的固溶度（二）、根據(jù)外來組元在主晶相中的固溶度 1、有限固溶體（不連續(xù)固溶體、部分互溶、有限固溶體（不連續(xù)固溶體、部分互溶固溶體），其固溶度小于固溶體），其固溶度小于100%。 兩種晶體結構不同或相互取代的離子半兩種晶體結構不同或相互取代的離子半徑差別較大，只能生成有限固溶體。徑差別較大，只能生成有限固溶體。如如MgO-CaO系統(tǒng)，雖然都是系統(tǒng)，雖然都是NaCl型結構，但型結構，但陽離子半徑相差較大，陽離子半徑相差較大，rM g 2 +=0.80埃，埃，rCa2+=1.00埃，取代只能到一定限度。埃，取

27、代只能到一定限度。422、無限固溶體（連續(xù)固溶體、完全互溶固溶、無限固溶體（連續(xù)固溶體、完全互溶固溶體），是由兩個體），是由兩個(或多個或多個)晶體機構相同的組元晶體機構相同的組元形成的，任一組元的成分范圍均為形成的，任一組元的成分范圍均為0100%。 Cu-Ni 系、系、Cr-Mo 系、系、Mo-W系、系、Ti-Zr系系等在室溫下都能無限互溶，形成連續(xù)固溶體。等在室溫下都能無限互溶，形成連續(xù)固溶體。 MgO-CoO系統(tǒng)，系統(tǒng)，MgO、CoO同屬同屬NaCl型結構，型結構，rCo2+=0.80埃，埃，rMg2+=0.80埃，形成無埃，形成無限固溶體，分子式可寫為限固溶體，分子式可寫為MgxNi

28、1-xO，x=01； PbTiO3與與PbZrO3也可形成無限固溶體，也可形成無限固溶體，分子式寫成：分子式寫成：Pb（ZrxTi1-x）O3，x=01。43二、置換型固溶體二、置換型固溶體 （一）、形成置換固溶體的影響因素（一）、形成置換固溶體的影響因素 1. 原子或離子尺寸的影響原子或離子尺寸的影響-Hume- Rothery經(jīng)驗規(guī)則經(jīng)驗規(guī)則 2、晶體結構類型的影響、晶體結構類型的影響 3、離子類型和鍵性、離子類型和鍵性 4、電價因素、電價因素441. 原子或離子尺寸的影響原子或離子尺寸的影響-Hume-Rothery經(jīng)驗經(jīng)驗規(guī)則規(guī)則 以以r1和和r2分別代表半徑大和半徑小的溶劑分別代表半

29、徑大和半徑小的溶劑(主主晶相晶相)或溶質(zhì)或溶質(zhì)(雜質(zhì)雜質(zhì))原子原子(或離子或離子)的半徑，的半徑，n當當 時，溶質(zhì)與溶劑之間可以時，溶質(zhì)與溶劑之間可以形成連續(xù)固溶體。形成連續(xù)固溶體。n當當 時，溶質(zhì)與溶劑之間時，溶質(zhì)與溶劑之間只能形成有限型固溶體，只能形成有限型固溶體，n當當 時，溶質(zhì)與溶劑之間很難形時，溶質(zhì)與溶劑之間很難形成成 固溶體或不能形成固溶體或不能形成 固溶體，而容易形成中間固溶體，而容易形成中間相或化合物。因此相或化合物。因此r愈大，則溶解度愈小。愈大，則溶解度愈小。 15. 0121rrrr%30121rrrr%30%15121rrrr這是形成連續(xù)固溶體的必要條件，這是形成連續(xù)固

30、溶體的必要條件，而不是充分必要條件。而不是充分必要條件。452、晶體結構類型的影響、晶體結構類型的影響 若溶質(zhì)與溶劑晶體結構類型相同，能形成若溶質(zhì)與溶劑晶體結構類型相同，能形成連續(xù)固溶體，這也是形成連續(xù)固溶體的必要條連續(xù)固溶體，這也是形成連續(xù)固溶體的必要條件，而不是充分必要條件。件，而不是充分必要條件。 NiO-MgO都具有面心立方結構，且都具有面心立方結構，且r螢石螢石TiO2MgO實驗證明是符合實驗證明是符合的。的。 51四、形成固溶體后對晶體性四、形成固溶體后對晶體性質(zhì)的影響質(zhì)的影響 n1、 穩(wěn)定晶格，阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生穩(wěn)定晶格，阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生n2、活化晶格、活化晶格 n3、

31、固溶強化、固溶強化n4、形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的影響、形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的影響521、穩(wěn)定晶格，阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)、穩(wěn)定晶格，阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生生 ZrO2是一種高溫耐火材料，熔點是一種高溫耐火材料，熔點2680，但發(fā)，但發(fā)生相變時生相變時伴隨很大的體積收縮，這對高溫結構材料是致命伴隨很大的體積收縮，這對高溫結構材料是致命的。若加入的。若加入CaO，則和，則和ZrO2形成固溶體，無晶型形成固溶體，無晶型轉(zhuǎn)變，體積效應減少，使轉(zhuǎn)變，體積效應減少，使ZrO2成為一種很好的高成為一種很好的高溫結構材料。溫結構材料。 四方單斜C1200532、活化晶格、活化晶格 形成固溶體后，晶格結

32、構有一定畸變，處形成固溶體后，晶格結構有一定畸變，處于高能量的活化狀態(tài)，有利于進行化學反應。于高能量的活化狀態(tài)，有利于進行化學反應。如如，Al2O3熔點高（熔點高（2050），不利于燒結，），不利于燒結，若加入若加入TiO2，可使燒結溫度下降到，可使燒結溫度下降到1600，這，這是因為是因為Al2O3 與與TiO2形成固溶體形成固溶體，Ti4+置換置換Al3+后，后， 帶正電，為平衡電價，產(chǎn)生了正離子空帶正電，為平衡電價，產(chǎn)生了正離子空位，加快擴散，有利于燒結進行位，加快擴散，有利于燒結進行。 AlTi543、固溶強化、固溶強化定義：固溶體的強度與硬度往往高于各組元，而定義：固溶體的強度與硬度

33、往往高于各組元，而塑性則較低，稱為固溶強化。塑性則較低，稱為固溶強化。固溶強化的特點和規(guī)律：固溶強化的程度固溶強化的特點和規(guī)律：固溶強化的程度(或效或效果果)不僅取決與它的成分，還取決與固溶體的類不僅取決與它的成分，還取決與固溶體的類型、結構特點、固溶度、組元原子半徑差等一系型、結構特點、固溶度、組元原子半徑差等一系列因素。列因素。 1）間隙式溶質(zhì)原子的強化效果一般要比置換）間隙式溶質(zhì)原子的強化效果一般要比置換式溶質(zhì)原子更顯著。式溶質(zhì)原子更顯著。 2）溶質(zhì)和溶劑原子尺寸相差越大或固溶度越）溶質(zhì)和溶劑原子尺寸相差越大或固溶度越小，固溶強化越顯著。小，固溶強化越顯著。55實際應用：鉑、銠單獨做熱電

34、偶材料使用，實際應用：鉑、銠單獨做熱電偶材料使用，熔點為熔點為1450，而將鉑銠合金做其中的一根，而將鉑銠合金做其中的一根熱電偶，鉑做另一根熱電偶，熔點為熱電偶，鉑做另一根熱電偶，熔點為1700，若兩根熱電偶都用鉑銠合金而只是鉑銠比例若兩根熱電偶都用鉑銠合金而只是鉑銠比例不同，熔點達不同，熔點達2000以上。以上。 564、形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的、形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的影響影響 固溶體的電學、熱學、磁學等物理性質(zhì)也固溶體的電學、熱學、磁學等物理性質(zhì)也隨成分而連續(xù)變化，但一般都不是線性關系。隨成分而連續(xù)變化，但一般都不是線性關系。固溶體的強度與硬度往往高于各組元，而塑性固溶體的強度與

35、硬度往往高于各組元，而塑性則較低。則較低。575. 固溶體的研究方法固溶體的研究方法VWd晶晶胞胞體體積積的的晶晶胞胞質(zhì)質(zhì)量量（含含有有雜雜質(zhì)質(zhì)的的）固固溶溶體體理理論論密密度度理理 0NiiiWii阿阿佛佛加加德德羅羅常常數(shù)數(shù)的的原原子子量量實實際際所所占占分分數(shù)數(shù)的的晶晶胞胞分分子子數(shù)數(shù)質(zhì)質(zhì)點點質(zhì)質(zhì)量量 1、理論密度計算、理論密度計算 計算方法計算方法1）先寫出可能的缺陷反應方程式；）先寫出可能的缺陷反應方程式； 2）根據(jù)缺陷反應方程式寫出固溶體）根據(jù)缺陷反應方程式寫出固溶體 可能的化學式可能的化學式3）由化學式可知晶胞中有幾種質(zhì)點，計算出）由化學式可知晶胞中有幾種質(zhì)點，計算出晶胞中晶胞中

36、i質(zhì)點的質(zhì)點的質(zhì)量：質(zhì)量：據(jù)此，計算出晶胞質(zhì)量據(jù)此，計算出晶胞質(zhì)量W： niWiW1582. 固溶體化學式的寫法固溶體化學式的寫法59n例題：例題：在在ZrOZrO2 2中加入中加入CaOCaO，生成固溶體，在，生成固溶體，在16001600，該固溶，該固溶體具有螢石結構，經(jīng)體具有螢石結構，經(jīng)XRDXRD分析，當溶入分析，當溶入0.150.15分子分子CaOCaO時，晶胞時，晶胞參數(shù)參數(shù)a a0.513nm0.513nm，測得密度，測得密度D=5.447g/cmD=5.447g/cm, ,求計算密度，并求計算密度，并判斷固溶體的種類。判斷固溶體的種類。6061三、非化學計量化合物三、非化學計量

37、化合物n1.定義定義：n組成上偏離了化學計量的化合物稱非化學計量化合物。組成上偏離了化學計量的化合物稱非化學計量化合物。n2.2.類型類型n負離子缺位型負離子缺位型nTi02、ZrO2會產(chǎn)生這種缺陷，分子式可寫為會產(chǎn)生這種缺陷，分子式可寫為TiO2-x， ZrO2-x。n產(chǎn)生原因：環(huán)境中缺氧，晶格中的氧逸出到大氣中，使產(chǎn)生原因：環(huán)境中缺氧，晶格中的氧逸出到大氣中，使晶體中出現(xiàn)了氧空位。晶體中出現(xiàn)了氧空位。62TiO2-x結構缺陷示意圖結構缺陷示意圖（I） TiO2-x結構缺陷結構缺陷在氧空位上捕獲兩個電子，成在氧空位上捕獲兩個電子，成為一種色心（為一種色心（F色心色心)。色心上。色心上的電子能

38、吸收一定波長的光，的電子能吸收一定波長的光，使氧化鈦從黃色變成藍色直至使氧化鈦從黃色變成藍色直至灰黑色。灰黑色。在外電場的作用下，自由電子在外電場的作用下，自由電子可移動而使晶體具有導電性，可移動而使晶體具有導電性，成為成為n型半導體。型半導體。63n 正離子填隙型正離子填隙型nZn1+xO和和Cdl+xO屬于這種類型。過剩的金屬離子進屬于這種類型。過剩的金屬離子進入間隙位置，帶正電，為了保持電中性，等價的電入間隙位置，帶正電，為了保持電中性，等價的電子被束縛在間隙位置金屬離子的周圍，這也是一種子被束縛在間隙位置金屬離子的周圍，這也是一種色心。例如色心。例如ZnO在鋅蒸汽中加熱，顏色會逐漸加深，在鋅蒸汽中加熱，顏色會逐漸加深，就是形成這種缺陷的緣故。就是形成這種缺陷的緣故。 在外電場的作用下，自由電子可移動而使晶體具有在外電場的作用下，自由電子可移動而使晶體具有導電性，成為導電性，成為n型半導體。型半導體。6