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CMOS集成電路設(shè)計(jì)第一、二章作業(yè)注意：作業(yè)題的參數(shù)一律以書上表2.1為準(zhǔn) 推導(dǎo)工作在線性區(qū)的MOSFET的跨導(dǎo)和輸出阻抗的表達(dá)式。畫出這些量以及gmrO相對(duì)于VDS為自變量的函數(shù)圖形，要求圖形包括線性區(qū)和飽和區(qū)。 畫出PMOS的小信號(hào)電路圖。并解釋每一項(xiàng)的具體含義。 如右圖所示，VDD=1.8V。設(shè)定Id= 1mA。試確定Vb1的范圍使得M1 和M2工作在飽和區(qū)。4. W/L=50/0.5,ID =0.5mA, 計(jì)算NMOS的跨導(dǎo)和輸出阻抗，以及本征增益gmrO 。5. 請(qǐng)參照半導(dǎo)體器件（孟慶巨）第六章。試解釋閾值電壓VTH= MS+2 F+Qdep/Cox 中每一項(xiàng)的含義。6.試著了解gm，rO，Cox，以及各個(gè)電容的量級(jí)。大小并比較gm/1和rO的大小。

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