三極管放大電路習(xí)題

1、三極管放大電路 一、在括號(hào)內(nèi)用“Ö”或“×”表明下列說(shuō)法是否正確。 （1）可以說(shuō)任何放大電路都有功率放大作用；（ ） （2）放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的；（ ） （3）電路中各電量的交流成份是交流信號(hào)源提供的；（ ） （4）放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作；（ ） （5）由于放大的對(duì)象是變化量，所以當(dāng)輸入信號(hào)為直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無(wú)變化；（ ） （6）只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（ ）解：（1） （2）× （3）× （4） （5）× （6）×二、試分析圖T2.2所示各電

2、路是否能夠放大正弦交流信號(hào)，簡(jiǎn)述理由。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。圖T2.2 解：（a）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被VBB短路。 （b）可能。 （c）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用于基極與地之間，不能馱載在靜態(tài)電壓之上，必然失真。 （d）不能。晶體管將因發(fā)射結(jié)電壓過(guò)大而損壞。 （e）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被C2短路。 （f）不能。因?yàn)檩敵鲂盘?hào)被VCC短路，恒為零。 （g）可能。 （h）不合理。因?yàn)镚-S間電壓將大于零。 （i）不能。因?yàn)門截止。 三、在圖T2.3所示電路中， 已知VCC12V，晶體管的b100，100k。填空：要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)。 （1）當(dāng)0V時(shí)，測(cè)得UBEQ0.7V，若要基極電

3、流IBQ20A， 則 和RW之和Rb k；而若測(cè)得UCEQ6V，則Rc k。（2）若測(cè)得輸入電壓有效值=5mV時(shí)，輸出電壓有效值0.6V， 則電壓放大倍數(shù) 。若負(fù)載電阻RL值與RC相等 ，則帶上負(fù)載 圖T2.3 后輸出電壓有效值 V。 解：（1） 。（2） 。 四、已知圖T2.3所示電路中VCC12V，RC3k，靜態(tài)管壓降UCEQ6V；并在輸出端加負(fù)載電阻RL，其阻值為3k。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。 （1）該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom ； A.2V B.3V C.6V （2）當(dāng)1mV時(shí)，若在不失真的條件下，減小RW，則輸出電壓的幅值將 ； A.減小 B.不變 C.增大 （3）在1

4、mV時(shí)，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將 ； A.頂部失真 B.底部失真 C.為正弦波 （4）若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將 。 A.RW減小 B.Rc減小 C.VCC減小解：（1）A （2）C （3）B （4）B 五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下： A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路 D.共源電路 E.共漏電路 它們的電路分別如圖2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；設(shè)圖中Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。 選擇正確答案填入空內(nèi)，只需填A(yù)、B、 （1）輸入電阻最小的電路是 ，最大的是

5、 ； （2）輸出電阻最小的電路是 ； （3）有電壓放大作用的電路是 ； （4）有電流放大作用的電路是 ； （5）高頻特性最好的電路是 ； （6）輸入電壓與輸出電壓同相的電路是 ；反相的電路是 。解：（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E， A D 六、未畫完的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路如圖T2.6所示，試將合適的場(chǎng)效應(yīng)管接入電路，使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。 解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管，如解圖T2.6所示。 圖T2.6 解圖T2.6習(xí) 題2.1按要求填寫下表。電路名稱連接方式（e、c、b）性能比較（大、中、?。?/p>

6、公共極輸入極輸出極R iR o其它共射電路共集電路共基電路 解：答案如表所示。電路名稱連接方式性能比較（大、中、小）公共端輸入端輸出端R iR o其它共射電路ebc大大小大共集電路cbe小大大小共基電路bec大小小大頻帶寬 2.2分別改正圖P2.2所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波信號(hào)。要求保留電路原來(lái)的共射接法和耦合方式。圖P2.2 解：（a）將VCC改為VCC 。 （b）在VCC 與基極之間加Rb。 （c）將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC與集電極之間加Rc。 2.3 畫出圖P2.3所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為

7、短路。圖P2.3解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。圖P2.3所示各電路的交流通路如解圖P2.3所示；解圖P2.3 2.4 電路如圖P2.4（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí)UBEQ0.7V。利用圖解法分別求出RL和RL3k時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom（有效值）。圖P2.4 解：空載時(shí)：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V，有效值約為3.75V。帶載時(shí)：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V，有效值約為1.63V。如解圖P2.4所示。解圖P2.4 2.5在圖P2.5所示電路中，已

8、知晶體管的b80，rbe1k，20mV；靜態(tài)時(shí)UBEQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。判斷下列結(jié)論是否正確，凡對(duì)的在括號(hào)內(nèi)打“Ö”，否則打“×”。圖P2.5 （1）（ ） （2）（ ） （3）（ ） （4）（ ） （5）（ ） （6） （ ） （7）（ ） （8）（ ）（9）（ ） （10）（ ） （11）20mV ( ) （12）60mV ( ) 解：（1）× （2）× （3）× （4） （5）× （6）×（7）× （8） （9） （10）× （11）× （12） 2.6 電路如圖P2.

9、6所示，已知晶體管b50，在下列情況下，用直流電壓表測(cè)晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少？設(shè)VCC12V，晶體管飽和管壓降UCES0.5V。 （1）正常情況 （2）Rb1短路 （3）Rb1開路 （4）Rb2開路 （5）RC短路圖P2.6解：設(shè)UBE0.7V。則（1） 基極靜態(tài)電流 （2）由于UBE0V，T截止，UC12V。（3）臨界飽和基極電流 實(shí)際基極電流 由于IBIBS，故T飽和，UCUCES0.5V。 （4）T截止，UC12V。（5）由于集電極直接接直流電源，UCVCC12V2.7電路如圖P2.7所示，晶體管的b80，=100。分別計(jì)算RL和RL3k時(shí)的Q點(diǎn)、Ri 和Ro。圖P2.7解2.

10、7 在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、rbe均相等，它們分別為 空載時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為 RL5k時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為 2.8 在圖P2.7所示電路中，由于電路參數(shù)不同，在信號(hào)源電壓為正弦波時(shí)，測(cè)得輸出波形如圖P2.8（a）、（b）、（c）所示，試說(shuō)明電路分別產(chǎn)生了什么失真，如何消除。圖P2.8 解：（a）飽和失真，增大Rb，減小Rc 。 （b）截止失真，減小Rb 。 （c）同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真，應(yīng)增大VCC。 2.9 若由PNP型管組成的共射電路中，輸出電壓波形如圖P2.8（a）、（b）、（c）所示，則分別產(chǎn)生了什么失真？解：（a）截

11、止失真；（b）飽和失真；（c）同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真。 2.10 已知圖P2.10所示電路中晶體管的b 100，rbe=1k。 （1）現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ6V，估算Rb約為多少千歐； （2）若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少千歐？圖P2.10 解：（1）求解Rb （2）求解RL： 2.11 在圖P2.10所示電路中，設(shè)靜態(tài)時(shí)ICQ2mA，晶體管飽和管壓降UCES0.6V。試問(wèn)：當(dāng)負(fù)載電阻RL和RL3k時(shí)電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？解：由于ICQ2mA，所以UCEQVCCICQRc6V。空載時(shí)，輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故 時(shí)，當(dāng)

12、輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故 2.12在圖P2.10所示電路中，設(shè)某一參數(shù)變化時(shí)其余參數(shù)不變，在表中填入增大減小或基本不變。參數(shù)變化IBQUCEQRiRoRb增大Rc增大RL增大解：答案如解表P2.12所示。解表P2.12所示參數(shù)變化IBQUCEQRiRoRb增大Rc增大RL增大 2.13 電路如圖P2.13所示，晶體管的b100，=100。 （1）求電路的Q點(diǎn)、Ri和Ro； （2）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？圖P2.13解：（1）靜態(tài)分析： 動(dòng)態(tài)分析： （2）Ri增大，Ri4.1k；減小，1.92。2.14 試求出圖P2.3（a）所示電路

13、Q點(diǎn)、Ri和Ro 的表達(dá)式。解：Q點(diǎn)為 、Ri和Ro的表達(dá)式分別為 2.15 試求出圖P2.3（b）所示電路Q點(diǎn)、Ri和Ro的表達(dá)式。設(shè)靜態(tài)時(shí)R2中的電流遠(yuǎn)大于T的基極電流。解: Q點(diǎn)： 、Ri和Ro的表達(dá)式分別為 2.16 試求出圖P2.3（c）所示電路Q點(diǎn)、Ri和Ro的表達(dá)式。設(shè)靜態(tài)時(shí)R2中的電流遠(yuǎn)大于T2管的基極電流且R3中的電流遠(yuǎn)大于T1管的基極電流。 解：兩只晶體管的靜態(tài)電流、管壓降分析如下： 、Ri和Ro的表達(dá)式分析如下： 2.17 設(shè)圖P2.17所示電路所加輸入電壓為正弦波。試問(wèn)： 圖P2.17 （1）=/? =/?（2）畫出輸入電壓和輸出電壓ui、uo1、uo2 的波形； 解：

14、（1）因?yàn)橥ǔ?，所以電壓放大倍數(shù)分別應(yīng)為 （2） 兩個(gè)電壓放大倍數(shù)說(shuō)明 uo1ui，uo2ui。波形如解圖P1.17所示。解圖P1.17 2.18 電路如圖P2.18所示，晶體管的b80，rbe=1k。 （1）求出Q點(diǎn)； （2）分別求出RL和RL3k時(shí)電路的和Ri； （3）求出Ro。圖P2.18解：（1）求解Q點(diǎn)： （2）求解輸入電阻和電壓放大倍數(shù)： RL時(shí) RL3k時(shí) （3）求解輸出電阻： 2.19 電路如圖P2.19所示，晶體管的b60，=100。 （1）求解Q點(diǎn)、Ri和Ro； （2）設(shè)10mV（有效值），問(wèn)？若C3開路，則？圖P2.19解：（1）Q點(diǎn)： 、Ri和Ro的分析： （2）設(shè)1

15、0mV（有效值），則 若C3開路，則 2.20 改正圖P2.20所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波電壓。要求保留電路的共漏接法。圖P2.20 解：（a）源極加電阻RS。 （b）漏極加電阻RD。 （c）輸入端加耦合電容。 （d）在Rg支路加VGG，VDD改為VDD改正電路如解圖P2.20所示。解圖P2.202.21 已知圖P2.21(a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖（b）(c)所示。 （1）利用圖解法求解Q點(diǎn)； （2）利用等效電路法求解、Ri和Ro 。 圖P2.21 解：（1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGSiDRS，與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。如解圖P2.21（a）所示。解圖P2.21在輸出特性中作直流負(fù)載線uDSVDDiD（RDRS），與UGSQ2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為Q點(diǎn)，UDSQ3V。如解圖P2.21（b）所示。（2）首先畫出交流等效電路（圖略），然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。 2.22 已知圖P2.22（a）所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖（b）所示。求解電路的Q點(diǎn)和。圖P2.22解：（1）求Q點(diǎn)：根據(jù)電路圖可知， UGSQVGG3V。從轉(zhuǎn)移特性查得，當(dāng)UGSQ3V時(shí)的漏極電流 IDQ1mA 因此管壓降 UDSQVDDIDQRD5V。 （2）求電壓放大倍數(shù)： 2.23電路如圖P.23所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管的