相圖與相平衡

1、第三章第三章 相圖與相平衡相圖與相平衡 相圖中的點、線、面相圖中的點、線、面 相、相平衡與相律相、相平衡與相律 固溶體與平衡凝固固溶體與平衡凝固 相圖在晶體生長中的應用相圖在晶體生長中的應用主要知識點主要知識點: : 相圖是描述多相平衡體系中相的存在相圖是描述多相平衡體系中相的存在狀態(tài)和變化規(guī)律與成分、溫度及壓力等之狀態(tài)和變化規(guī)律與成分、溫度及壓力等之間關系的一種熱力學圖示。相圖是將晶體間關系的一種熱力學圖示。相圖是將晶體生長與熱力學聯(lián)系起來的媒介，具有直觀生長與熱力學聯(lián)系起來的媒介，具有直觀性和整體性的優(yōu)點。性和整體性的優(yōu)點。 它的重要意義就在于推動了化學熱力它的重要意義就在于推動了化學熱力

2、學及整個物理化學的發(fā)展，也成為相關領學及整個物理化學的發(fā)展，也成為相關領域諸如冶金學和地質學等的重要理論工具。域諸如冶金學和地質學等的重要理論工具。 相圖的作用：相圖的作用： 預示不同條件下可能出現(xiàn)的各種組態(tài)以及條件預示不同條件下可能出現(xiàn)的各種組態(tài)以及條件 改變時改變時, ,各種組態(tài)可能發(fā)生轉變的方向和限度；各種組態(tài)可能發(fā)生轉變的方向和限度； 了解體系在不同條件下的相轉變及相平衡存在了解體系在不同條件下的相轉變及相平衡存在 的狀態(tài)；的狀態(tài)； 為提高已有材料的性能及設計、開發(fā)和研制新為提高已有材料的性能及設計、開發(fā)和研制新 材料提供重要依據(jù)；材料提供重要依據(jù)； 預測材料的性能，為制定材料的制備、

3、合成和預測材料的性能，為制定材料的制備、合成和 加工工藝提供參考依據(jù)。加工工藝提供參考依據(jù)。 1 1 相圖中的點、線、面相圖中的點、線、面 點：點：表示平衡相中某相的溫度與成分，亦稱相點表示平衡相中某相的溫度與成分，亦稱相點 同成分點、臨界點、共晶點、包晶點同成分點、臨界點、共晶點、包晶點 線：線：相轉變時溫度與平衡相成分的關系相轉變時溫度與平衡相成分的關系 固相線、液相線、固溶度線、匯溶線、水平反應線固相線、液相線、固溶度線、匯溶線、水平反應線 面：面：相型相同的一種狀態(tài)區(qū)域相型相同的一種狀態(tài)區(qū)域 單相區(qū)、兩相區(qū)、三相區(qū)單相區(qū)、兩相區(qū)、三相區(qū) v在二元系相圖中，除點接觸外相鄰相區(qū)的相數(shù)差永在

4、二元系相圖中，除點接觸外相鄰相區(qū)的相數(shù)差永遠是遠是“1”1”。（相區(qū)接觸法則）（相區(qū)接觸法則）v在三相點處的相線曲率，必須使其延長線所表示的在三相點處的相線曲率，必須使其延長線所表示的亞穩(wěn)相位于其他兩條平衡相線之間，而不是任意的。亞穩(wěn)相位于其他兩條平衡相線之間，而不是任意的。（曲率原則）（曲率原則）v三相區(qū)的形狀是一條水平線，其上三點是平衡相的三相區(qū)的形狀是一條水平線，其上三點是平衡相的成分點。成分點。v若兩個三相區(qū)中有若兩個三相區(qū)中有2 2個相同的相，則兩條水平線之個相同的相，則兩條水平線之間必是由這兩相組成的兩相區(qū)。間必是由這兩相組成的兩相區(qū)。 二元系相圖中的幾何規(guī)律二元系相圖中的幾何規(guī)律

5、2 2 相平衡及相律相平衡及相律v相平衡：相平衡： 在一定條件下，多相系統(tǒng)中各相的種類、在一定條件下，多相系統(tǒng)中各相的種類、數(shù)目、性質和分布均不再隨時間而改變。數(shù)目、性質和分布均不再隨時間而改變。相平相平衡屬于一種動態(tài)的平衡，衡屬于一種動態(tài)的平衡，是有條件的、暫時的是有條件的、暫時的和相對的和相對的。v相平衡相平衡三要素：三要素： 力學平衡力學平衡 熱平衡熱平衡 合力為零合力為零 化學平衡化學平衡 任一組元在各相任一組元在各相 中的中的 相等相等 0T1. 1. 相平衡與三要素相平衡與三要素2. 2. 四個普適定律（理）：四個普適定律（理）：相律相律: : 對于一個達到相平衡的系統(tǒng)而言，定有：

6、對于一個達到相平衡的系統(tǒng)而言，定有： 杠桿定理杠桿定理: : 計算兩相區(qū)內平衡存在的兩個相的相計算兩相區(qū)內平衡存在的兩個相的相 對質量。對質量。相平衡定律相平衡定律: : 體系中各相的數(shù)量并不影響這些相體系中各相的數(shù)量并不影響這些相 的平衡組成和性質。的平衡組成和性質。質量作用定律質量作用定律: : 單位時間從相（單位時間從相（1 1）轉化到相（）轉化到相（2 2）的分子數(shù)應當與該組分在相（的分子數(shù)應當與該組分在相（1 1）中的有效濃度）中的有效濃度成正比；反向轉化的分子數(shù)應當與它在相（成正比；反向轉化的分子數(shù)應當與它在相（2 2）中的有效濃度成正比。中的有效濃度成正比。FCPn3. Gibb

7、s 3. Gibbs 相律：相律： 在平衡系統(tǒng)中，由于受到平衡條件的在平衡系統(tǒng)中，由于受到平衡條件的制約，使得系統(tǒng)的自由度數(shù)（制約，使得系統(tǒng)的自由度數(shù)（ F F ）和獨）和獨立組元數(shù)（立組元數(shù)（ C C ）、相數(shù)（）、相數(shù)（ P P ）以及對系）以及對系統(tǒng)平衡狀態(tài)能夠產生影響的外界因素數(shù)統(tǒng)平衡狀態(tài)能夠產生影響的外界因素數(shù)（ n n ）之間存在一定關系，這一關系即）之間存在一定關系，這一關系即是相律。是相律。FCPn）相相 相：相：指物質系統(tǒng)中具有穩(wěn)定和相同的指物質系統(tǒng)中具有穩(wěn)定和相同的化學組成、晶體結構、聚集狀態(tài)以及相同化學組成、晶體結構、聚集狀態(tài)以及相同物理、化學性質的物理、化學性質的完全均

8、勻完全均勻一致的所有部一致的所有部分分的總和。相可以是單質，也可以是由幾的總和。相可以是單質，也可以是由幾種物質組成的均勻液相或化合物。種物質組成的均勻液相或化合物。 “完全均勻完全均勻”是指物質在分子或離子是指物質在分子或離子水平上的均勻混合狀態(tài)。水平上的均勻混合狀態(tài)。 特點：特點：不同相之間有明顯界面；機械不同相之間有明顯界面；機械方法可分開；通過不同相的宏觀界面性質方法可分開；通過不同相的宏觀界面性質發(fā)生突變；與數(shù)量多少無關；與是否連續(xù)發(fā)生突變；與數(shù)量多少無關；與是否連續(xù)無關。無關。v不同的相之間必然有界面將其截然分開，但有不同的相之間必然有界面將其截然分開，但有界面分開的就一定是兩個不

9、同的相嗎？界面分開的就一定是兩個不同的相嗎？（相界（相界與晶界）與晶界）v相同的組成成分，可以形成不同的物質形態(tài)。相同的組成成分，可以形成不同的物質形態(tài)。（同素異形體（同素異形體）分界面：分界面：水晶（單晶）水晶（單晶）玻璃（非晶）玻璃（非晶）石英（多晶）石英（多晶） 在外界條件發(fā)生變化時，物相狀態(tài)將于某一特定在外界條件發(fā)生變化時，物相狀態(tài)將于某一特定的條件（臨界值）時發(fā)生突變，其表現(xiàn)為：的條件（臨界值）時發(fā)生突變，其表現(xiàn)為：v 從一種結構轉變?yōu)榱硪环N結構；從一種結構轉變?yōu)榱硪环N結構；v 化學成分的不連續(xù)變化；化學成分的不連續(xù)變化；v 更深層次序結構的變化并引起物理性質的突變。更深層次序結構的

10、變化并引起物理性質的突變。 實際材料中發(fā)生的相轉變形式可以是上述形式中實際材料中發(fā)生的相轉變形式可以是上述形式中的一種，也可以是它們之間的復合，如脫溶沉淀往的一種，也可以是它們之間的復合，如脫溶沉淀往往是結構和成分變化同時發(fā)生。往是結構和成分變化同時發(fā)生。相變：相變： ）（獨立）組元）（獨立）組元 系統(tǒng)中能單獨分離出來并能系統(tǒng)中能單獨分離出來并能獨立存在的化學獨立存在的化學均勻物質稱為組元。而決定一個相平衡系統(tǒng)的均勻物質稱為組元。而決定一個相平衡系統(tǒng)的成分所必需的能獨立存在和成分所必需的能獨立存在和獨立變化獨立變化的最少物的最少物質（元素或化合物），則稱為獨立組元。質（元素或化合物），則稱為獨

11、立組元。v 一個相中可以包含幾種物質（組元）一個相中可以包含幾種物質（組元）v 一種物質可以形成幾個相一種物質可以形成幾個相 通常將具有通常將具有 n n 個獨立組元的系統(tǒng)稱為個獨立組元的系統(tǒng)稱為 n n 元元系統(tǒng)。只有在特定條件下，獨立組元和組元的系統(tǒng)。只有在特定條件下，獨立組元和組元的含義才相同。即含義才相同。即v 系統(tǒng)中不存在化學反應系統(tǒng)中不存在化學反應v 同一相內不存在濃度制約關系同一相內不存在濃度制約關系 ）自由度（數(shù)）自由度（數(shù)） 在不引起舊相消失和新相產生的前提下，在不引起舊相消失和新相產生的前提下，可以在一定范圍內獨立改變的可以在一定范圍內獨立改變的 ( (如相數(shù)、相如相數(shù)、相

12、態(tài)、組成、溫度和壓力等態(tài)、組成、溫度和壓力等) )的最大數(shù)目稱為相的最大數(shù)目稱為相平衡體系在指定相態(tài)下的自由度數(shù)。平衡體系在指定相態(tài)下的自由度數(shù)。 自由度只取零或零以上的正值，不能取負自由度只取零或零以上的正值，不能取負值，如出現(xiàn)負值，則說明體系可能處于非平值，如出現(xiàn)負值，則說明體系可能處于非平衡狀態(tài)。衡狀態(tài)。 注意：注意： 相律推導的條件是平衡狀態(tài)，故相律是相律推導的條件是平衡狀態(tài)，故相律是 各種相平衡體系都必須遵守的規(guī)律；各種相平衡體系都必須遵守的規(guī)律； 相律是熱力學推論，有普適性和局限性；相律是熱力學推論，有普適性和局限性； 相律只表示體系中組分和相的數(shù)目，不相律只表示體系中組分和相的數(shù)

13、目，不 能指明組分和相的類型、結構、含量以能指明組分和相的類型、結構、含量以 及之間的函數(shù)關系等及之間的函數(shù)關系等 ； 自由度的值不得小于零；自由度的值不得小于零； 不能預告反應動力學不能預告反應動力學（即反應速度）（即反應速度） 。 3 3 平衡態(tài)與平衡凝固平衡態(tài)與平衡凝固 在沒有外界影響的條件下，系統(tǒng)各部分的宏在沒有外界影響的條件下，系統(tǒng)各部分的宏觀性質長時間內不發(fā)生變化的狀態(tài)。沒有外界影觀性質長時間內不發(fā)生變化的狀態(tài)。沒有外界影響，是指系統(tǒng)與外界之間不通過響，是指系統(tǒng)與外界之間不通過作功作功或或傳熱傳熱的方的方式交換能量，否則系統(tǒng)就不能達到并保持平衡態(tài)。式交換能量，否則系統(tǒng)就不能達到并保

14、持平衡態(tài)。 實際中并不存在完全不受外界影響、宏觀性實際中并不存在完全不受外界影響、宏觀性質絕對保持不變的系統(tǒng)，所以平衡態(tài)只是一個理質絕對保持不變的系統(tǒng)，所以平衡態(tài)只是一個理想化的概念，它是在一定條件下對實際情況的抽想化的概念，它是在一定條件下對實際情況的抽象和概括。只要系統(tǒng)狀態(tài)的變化很小而可以忽略，象和概括。只要系統(tǒng)狀態(tài)的變化很小而可以忽略，就可以近似看成平衡態(tài)。就可以近似看成平衡態(tài)。 固溶體固溶體 以某一組元為溶劑，其他組元為溶質，所形成的以某一組元為溶劑，其他組元為溶質，所形成的與溶劑有相同晶體結構、晶格常數(shù)稍有變化的與溶劑有相同晶體結構、晶格常數(shù)稍有變化的均勻均勻單相晶體單相晶體材料。固

15、溶體成分可在一定范圍內存在變材料。固溶體成分可在一定范圍內存在變化，性能可隨成分的變化而連續(xù)變化?；阅芸呻S成分的變化而連續(xù)變化。 根據(jù)固溶體的結構特點，可分為不同的類型，如：根據(jù)固溶體的結構特點，可分為不同的類型，如： 置換固溶體與間隙固溶體置換固溶體與間隙固溶體 有限固溶體與無限固溶體有限固溶體與無限固溶體 有序固溶體與無序固溶體有序固溶體與無序固溶體 置換固溶體中溶質與溶劑可以有限固溶也可置換固溶體中溶質與溶劑可以有限固溶也可以無限固溶，其溶解度與尺寸等因素有關。以無限固溶，其溶解度與尺寸等因素有關。 無論溶質原子是以何種方式進入晶格，總會無論溶質原子是以何種方式進入晶格，總會對溶劑晶

16、格造成一定程度的畸變。這種點陣畸變對溶劑晶格造成一定程度的畸變。這種點陣畸變會使晶體能量升高，即晶格畸變能。會使晶體能量升高，即晶格畸變能。 畸變能越高，晶格越不穩(wěn)定。單位體積畸變畸變能越高，晶格越不穩(wěn)定。單位體積畸變能的大小與溶質原子溶入的數(shù)量以及溶質、溶劑能的大小與溶質原子溶入的數(shù)量以及溶質、溶劑原子的相對尺寸差別有關。原子的相對尺寸差別有關。 此外，溶解度還與晶體結構類型、電負性和此外，溶解度還與晶體結構類型、電負性和電子濃度等因素有關。電子濃度等因素有關。 固溶體的凝固是在一個溫度區(qū)間內進行固溶體的凝固是在一個溫度區(qū)間內進行的。固溶體的平衡凝固是指凝固過程中的每的。固溶體的平衡凝固是指

17、凝固過程中的每個階段都能達到組分和溫度的平衡，故在每個階段都能達到組分和溫度的平衡，故在每一溫度下，平衡凝固均實質包括三個過程：一溫度下，平衡凝固均實質包括三個過程： 液相中的擴散過程液相中的擴散過程 固相的持續(xù)長大固相的持續(xù)長大 固相中的擴散過程固相中的擴散過程 關鍵是每一階段必須有足夠的時間供組元關鍵是每一階段必須有足夠的時間供組元進行擴散。進行擴散。 在非平衡凝固過程中，固、液兩相的在非平衡凝固過程中，固、液兩相的成分將偏離平衡相圖的固相線和液相線，成分將偏離平衡相圖的固相線和液相線，偏離程度與冷卻速度有關。偏離程度與冷卻速度有關。 通過通過“均勻化退火均勻化退火”或稱或稱“擴散退火擴散

18、退火”，可使之趨近于平衡組織?？墒怪吔谄胶饨M織。距離距離固液固液界面界面液相液相固相固相濃濃度度1a1b1a1bA AB B1.1.單元系相圖與克勞修斯單元系相圖與克勞修斯- -克拉珀龍方程克拉珀龍方程液相液相汽相汽相固相固相固相固相12PT0mVTHdTdP4 4 幾種典型平衡相圖幾種典型平衡相圖 低壓下水的相圖中只有一個三相點，而在低壓下水的相圖中只有一個三相點，而在高壓下可能出現(xiàn)同質多晶現(xiàn)象，不過這些三相高壓下可能出現(xiàn)同質多晶現(xiàn)象，不過這些三相點不出現(xiàn)蒸氣相罷了。水在高壓下共有六種不點不出現(xiàn)蒸氣相罷了。水在高壓下共有六種不同結晶形式的冰，即同結晶形式的冰，即、（普通冰以（普通冰以表示

19、，冰表示，冰不穩(wěn)定）不穩(wěn)定）水在各三相點時的溫度和壓力水在各三相點時的溫度和壓力相相T T（）P P (kPa)(kPa)（）、水、氣）、水、氣水、水、水、水、水、水、水、水、+0.0099+0.0099-22.0-22.0-17.0-17.0+0.16+0.16+51.6+51.6-34.7-34.7-24.3-24.30.6100.6102.0732.07310105 53.4593.45910105 56.2526.25210105 52.1952.19510106 62.1272.12710105 53.4403.44010105 5 二元體系可以認為在液相時兩相是完二元體系可以認為在

20、液相時兩相是完全互溶的。而當從液相冷卻成為固態(tài)晶全互溶的。而當從液相冷卻成為固態(tài)晶體時，組元之間的相互作用可有下列四體時，組元之間的相互作用可有下列四種類型：種類型： ） 形成無限互溶固溶體形成無限互溶固溶體 ） 兩組元固相完全不互溶兩組元固相完全不互溶 ） 兩組元各具有有限溶解度兩組元各具有有限溶解度 ） 形成化合物形成化合物2.2.二元系相圖二元系相圖 ）形成以任何比例混合的均勻一致的固溶體形成以任何比例混合的均勻一致的固溶體, 即無限互溶固溶體。即無限互溶固溶體。 兩者的晶體結構相同兩者的晶體結構相同 原子尺寸相近，尺寸原子尺寸相近，尺寸差小于差小于1515 兩者有相同的原子價兩者有相同

21、的原子價和相似的電負性和相似的電負性 ）兩組元固相完全不互溶。兩組元固相完全不互溶。） 兩組元各具有有限溶解度，當組分濃度大于兩組元各具有有限溶解度，當組分濃度大于該溶解度時，就形成兩種固溶體的混合物。該溶解度時，就形成兩種固溶體的混合物。 共晶型共晶型包晶型包晶型 ）形成化合物。形成的化合物可能是在熔化以形成化合物。形成的化合物可能是在熔化以前不分解的，也可能是在熔化以前分解的。化合前不分解的，也可能是在熔化以前分解的?；衔锉旧硪部赡軐蓚€組元來說，都具有一定的溶物本身也可能對兩個組元來說，都具有一定的溶解度。解度。mnA B不穩(wěn)定型不穩(wěn)定型穩(wěn)定型穩(wěn)定型mnA BABAB二元系各類恒溫轉變

22、相圖二元系各類恒溫轉變相圖5 5 相圖在晶體生長中的應用相圖在晶體生長中的應用 熱力學因素熱力學因素 相圖相圖 動力學因素動力學因素 晶體學因素晶體學因素 晶體生長晶體生長 界面效應界面效應 設備和人為因素設備和人為因素 原料問題原料問題 其他因素其他因素 固溶體與化合物固溶體與化合物 同成分點與臨界點同成分點與臨界點 反應類型反應類型 固溶度固溶度 相區(qū)分布相區(qū)分布 多形性相變多形性相變 相變類型相變類型 脫溶沉淀脫溶沉淀 包（共）晶反應包（共）晶反應 有序無序轉變有序無序轉變特別關注特別關注： 從熔體中生長晶體，一般有三種類型：從熔體中生長晶體，一般有三種類型：v形成無限互溶固溶體形成無限

23、互溶固溶體v兩組元各具有有限互溶度兩組元各具有有限互溶度 同成分熔融同成分熔融v可形成化合物可形成化合物 非同成分熔融非同成分熔融 mnA B1.1. 制備方法的選擇制備方法的選擇( (以熔體生長為例）以熔體生長為例）LMLGPGMPMGLPL20301970187518651835MPG23Y O23Al O232323232323: 35: 2PYOAl O YAPGYOAl O YAGMYOAl O摩爾分數(shù)摩爾分數(shù)）提拉）提拉法生長法生長 ( (穩(wěn)定化合物穩(wěn)定化合物) )2323Y OAl O二元系相圖（部分）二元系相圖（部分）助熔劑法生長助熔劑法生長 ( (穩(wěn)定化合物、固態(tài)相變）穩(wěn)定化

24、合物、固態(tài)相變）BaO2TiO170016001500140013001563146013201612405060 70立方立方助熔劑助熔劑 （64646767）生長溫度生長溫度 1450 1450 1330 1330 3BaTiO2TiO二元系相圖（部分）二元系相圖（部分）2BaOTiO摩爾分數(shù)摩爾分數(shù)24BaB O2Na O500700900110020406080755846摩爾分數(shù)摩爾分數(shù)242BaB ONa O二元系相圖二元系相圖573BBO22032Na O）水熱法與水溶液法生長）水熱法與水溶液法生長 生長溫度低，可避開固態(tài)相變，關鍵是選擇合生長溫度低，可避開固態(tài)相變，關鍵是選擇合

25、 適溶劑適溶劑 石英石英 鱗石英鱗石英 方石英方石英 熔融石英熔融石英 石英石英 鱗石英鱗石英 方石英方石英 石英玻璃石英玻璃 鱗石英鱗石英670573171314701631171802902. 2. 配料指導原則配料指導原則BSTSTm CC生長基元供應率：生長基元供應率： 配料成分配料成分 應盡量靠近晶體成分應盡量靠近晶體成分 BCSC ）同成分點生長）同成分點生長 優(yōu)良的電光、雙折射、非線性光學、聲光、優(yōu)良的電光、雙折射、非線性光學、聲光、光彈、光彈、 光折變、壓電、熱釋電、鐵電與光生光折變、壓電、熱釋電、鐵電與光生伏打效應等物理特性；伏打效應等物理特性； 實施不同摻雜后可呈現(xiàn)各種各樣

26、的特殊性能實施不同摻雜后可呈現(xiàn)各種各樣的特殊性能; ; 易于生長大尺寸晶體、易加工、成本低；易于生長大尺寸晶體、易加工、成本低； 機械性能穩(wěn)定、耐高溫、抗腐蝕；機械性能穩(wěn)定、耐高溫、抗腐蝕；LiNbOLiNbO3 3 晶體晶體- - 如硅單晶一樣是不可多得的人工晶體如硅單晶一樣是不可多得的人工晶體 二元系相圖（部分）二元系相圖（部分）摩爾分數(shù)摩爾分數(shù)1200110010004648505225Nb O2Li O225Li ONb O同成分點同成分點:48.448.451.651.6 固溶體結構式固溶體結構式:2Li O25Nb O0.9382.969LiNbO非化學計量比非化學計量比 !鐵鐵電

27、電相相變變 LiNb 同成分生長會給晶體帶來大量的本征缺陷，如同成分生長會給晶體帶來大量的本征缺陷，如高達摩爾分數(shù)高達摩爾分數(shù) 的反位鈮（的反位鈮（ ）和摩爾分數(shù)）和摩爾分數(shù) 的鋰空位（的鋰空位（ ）以及大量的小極化子、雙極化子、）以及大量的小極化子、雙極化子、氫離子、局域鈦鐵礦結構等缺陷，使晶體的許多性氫離子、局域鈦鐵礦結構等缺陷，使晶體的許多性能有所降低。能有所降低。LiV1 14 4 當前對鈮酸鋰晶體研究的一大熱點在于當前對鈮酸鋰晶體研究的一大熱點在于近化近化學計量比學計量比（ ）晶體的生長，其中反位鈮的）晶體的生長，其中反位鈮的數(shù)量為數(shù)量為 ，有的甚至達到了，有的甚至達到了 。與。與通

28、常同成分晶體相比，近化學計量比晶體的物理通常同成分晶體相比，近化學計量比晶體的物理性質發(fā)生了諸多改變。性質發(fā)生了諸多改變。1:1LiNb0.10.10.3 0.3 0.010.01 近化學計量比鈮酸鋰晶體性能的提高是近化學計量比鈮酸鋰晶體性能的提高是全方位的。性能固然優(yōu)異，但晶體的生長全方位的。性能固然優(yōu)異，但晶體的生長要比同成分晶體的困難得多。從目前的研要比同成分晶體的困難得多。從目前的研究報道來看，近化學計量比鈮酸鋰晶體的究報道來看，近化學計量比鈮酸鋰晶體的生長方法主要有四種，即助熔劑法、雙坩生長方法主要有四種，即助熔劑法、雙坩堝法、汽相輸運平衡法及區(qū)熔法。其中雙堝法、汽相輸運平衡法及區(qū)熔

29、法。其中雙坩堝技術最為復雜，但也最為成功。坩堝技術最為復雜，但也最為成功。 在充分利用近化學計量比晶體優(yōu)異性能在充分利用近化學計量比晶體優(yōu)異性能的同時，也應清楚地看到，近化學計量比的同時，也應清楚地看到，近化學計量比鈮酸鋰晶體還有諸如生長缺陷、摻雜不均鈮酸鋰晶體還有諸如生長缺陷、摻雜不均勻以及氧組分偏離等許多問題急待解決勻以及氧組分偏離等許多問題急待解決。）非同成分點配料）非同成分點配料 無限互溶體系生長無限互溶體系生長3KNbO3KTaOKTNCC140013001200110010001350 二元系相圖二元系相圖33KNbOKTaO摩爾分數(shù)摩爾分數(shù)13xxKTa NbO光電效應光電效應光

30、折變光折變包晶體系生長一般不易完成！包晶體系生長一般不易完成！ 包晶體系生長包晶體系生長二元系相圖（部分）二元系相圖（部分）11001000900706050402K O25Nb O225K ONb O摩爾分數(shù)摩爾分數(shù)包晶范圍包晶范圍: : 52.5 52.5 66mol66mol 最佳配料范圍最佳配料范圍: : 52.5 52.5 55mol55mol2K O3KNbO2K OPTP 配料成分應在配料成分應在 點以點以左，生長溫度應在左，生長溫度應在 以下，從液相中直接析以下，從液相中直接析出出 固溶體晶體。固溶體晶體。PPT) ) 摻雜配料摻雜配料 在近似的情況下在近似的情況下, ,晶體的成分和摻雜配料的成分可用下式表示晶體的成分和摻雜配料的成分可用下式表示: : C C( (料料)= )= C C( (晶晶)/)/K Kefef 基質基質 摻質摻質 K Kefef C C( (晶晶) )摩爾分數(shù)摩爾分數(shù) 摻質量摻質量 0.17 10.17 1 2.952.95 0.20.2