模擬電子技術(shù)高質(zhì)量課件

1、2-1第三章第三章 半導(dǎo)體二極管及其基本電路半導(dǎo)體二極管及其基本電路半導(dǎo)體的基本知識半導(dǎo)體的基本知識PN結(jié)的形成及特性結(jié)的形成及特性半導(dǎo)體二極管（半導(dǎo)體二極管（diode）二極管基本電路及其分析方法二極管基本電路及其分析方法特殊二極管特殊二極管2-2容易傳導(dǎo)電流的稱為導(dǎo)體。如金容易傳導(dǎo)電流的稱為導(dǎo)體。如金屬。屬。幾乎不傳導(dǎo)電流的稱為絕緣體。幾乎不傳導(dǎo)電流的稱為絕緣體。如橡膠，陶瓷。如橡膠，陶瓷。導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，并且受到外界光和熱的刺間，并且受到外界光和熱的刺激或加入微量的雜質(zhì)時(shí)，導(dǎo)電激或加入微量的雜質(zhì)時(shí)，導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著變化的物質(zhì)稱能力將發(fā)生顯著變化的

2、物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。如硅為半導(dǎo)體。如硅(Si )，鍺，鍺(Ge )。 2-3一、本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體 完全純凈的，結(jié)構(gòu)完整的半完全純凈的，結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。導(dǎo)體晶體稱為本征半導(dǎo)體。+4+4+4+4+44慣性核價(jià)電子Ge32Si14原子核電子軌道價(jià)電子(a)(b)(c) 圖 半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)示意圖 （a）硅原子；（b）鍺原子；（c）簡化模型 2-4+4+4+4+4+4 掙脫共價(jià)鍵的束縛自由活動的電子掙脫共價(jià)鍵的束縛自由活動的電子 束縛電子成為自由電子后，在共束縛電子成為自由電子后，在共價(jià)鍵中所留的空位。價(jià)鍵中所留的空位。2-5二、雜質(zhì)半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體電子

3、半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體(Negative) 空穴半導(dǎo)體空穴半導(dǎo)體(Positive ) 加加+5價(jià)元素磷價(jià)元素磷(P)、砷砷(As )、銻、銻(Sb) 加加+3價(jià)元素硼價(jià)元素硼(B )、鋁、鋁(Al )、銦、銦(In)、鎵、鎵(Ga )2-6元素周期表2-71、電子半導(dǎo)體、電子半導(dǎo)體(Negative) N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+5價(jià)元素磷價(jià)元素磷(P)、砷、砷(As )、銻、銻(Sb)等在硅晶體中等在硅晶體中給出一個(gè)多余電子，故叫施主原子。給出一個(gè)多余電子，故叫施主原子。 電子數(shù)目電子數(shù)目 = 空穴數(shù)空穴數(shù) + 正離子數(shù)正離子數(shù)（主要來自雜質(zhì)）（主要來自本征半導(dǎo)體）（主要來自雜質(zhì)）（主要來自本征半導(dǎo)體）

4、 （全部來自雜質(zhì)）（全部來自雜質(zhì)）多數(shù)載流子：電子多數(shù)載流子：電子少數(shù)載流子：空穴少數(shù)載流子：空穴4自由電子44454444施主原子2-82、空穴半導(dǎo)體、空穴半導(dǎo)體(Positive ) P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+3價(jià)元素硼價(jià)元素硼(B )、鋁、鋁(Al )、銦、銦(In )、鎵、鎵(Ga )等等在硅晶體中接受一個(gè)電子，故叫受主原子。在硅晶體中接受一個(gè)電子，故叫受主原子。 空穴數(shù)目空穴數(shù)目 = 電子數(shù)電子數(shù) + 負(fù)離子數(shù)負(fù)離子數(shù)（主要來自雜質(zhì)）（主要來自本征半導(dǎo)體）（主要來自雜質(zhì)）（主要來自本征半導(dǎo)體） （全部來自雜質(zhì)）（全部來自雜質(zhì)）多數(shù)載流子：空穴多數(shù)載流子：空穴少數(shù)載流子：電子少數(shù)載流子：電

5、子444434444受主原子鄰近的電子落入受主的空位留下可移動的空穴可移動的空穴受主獲得一個(gè)電子而形成一個(gè)負(fù)離子(b)2-93.2 PN結(jié)的形成及特性一、PN結(jié)1952年第一個(gè)年第一個(gè)PN結(jié)形成。結(jié)形成。PNPN內(nèi)電場PN結(jié) 在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì)在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì), ,分別形成分別形成N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N N型半型半導(dǎo)體和導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程: : 因濃度差因濃度差 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 內(nèi)電場促使少子漂移內(nèi)電場促使少子漂移 內(nèi)

6、電場阻止多子擴(kuò)散內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散 最后最后, ,多子的多子的擴(kuò)散擴(kuò)散和少子的和少子的漂移漂移達(dá)到達(dá)到動態(tài)平衡動態(tài)平衡。多子的擴(kuò)散運(yùn)動多子的擴(kuò)散運(yùn)動由由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) 對于對于P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的成的空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)稱為稱為PN結(jié)結(jié)。 在空間電荷區(qū)，由在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱于缺少多子，所以也稱耗盡層耗盡層。2-11二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)的單向?qū)щ娦允瞧浠咎匦越Y(jié)的單向?qū)щ娦允瞧浠咎匦?、外加正向電壓、外加正向電壓外加電場方向與內(nèi)電場外加電場方向與內(nèi)電場方向方向PN內(nèi)電場外電場IF

7、2-122、外加反向電壓、外加反向電壓外加電場方向與內(nèi)電場外加電場方向與內(nèi)電場方向方向PN內(nèi)電場外電場IS IS很小，就可以看作很小，就可以看作PN結(jié)在外加反向結(jié)在外加反向偏置時(shí)呈現(xiàn)出很大的阻值。偏置時(shí)呈現(xiàn)出很大的阻值。2-133、PN結(jié)的反向擊穿結(jié)的反向擊穿 PN結(jié)的外加反向電壓增大到一定的數(shù)值時(shí)，結(jié)的外加反向電壓增大到一定的數(shù)值時(shí)，反向電流會突然增加，這個(gè)現(xiàn)象稱為反向電流會突然增加，這個(gè)現(xiàn)象稱為PN結(jié)的結(jié)的反向擊穿。反向擊穿。反向擊穿反向擊穿熱擊穿熱擊穿電擊穿電擊穿可利用的，可逆的可利用的，可逆的有害的，易燒壞有害的，易燒壞PN結(jié)結(jié)根據(jù)產(chǎn)生擊穿的原因可分為：根據(jù)產(chǎn)生擊穿的原因可分為：雪崩擊

8、穿雪崩擊穿齊納擊穿齊納擊穿外加電場作用產(chǎn)生外加電場作用產(chǎn)生，形成倍增效應(yīng)。形成倍增效應(yīng)。在雜質(zhì)濃度特別大的在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)中，結(jié)中，外加電場直接破壞共價(jià)鍵，產(chǎn)外加電場直接破壞共價(jià)鍵，產(chǎn)生電子空穴對。生電子空穴對。2-144、PN結(jié)的結(jié)的VI特性特性PN結(jié)的結(jié)的 V-I 特性如圖所示特性如圖所示vDiDISVBR)1(/TDvvDeIsi注注:VD為為PN結(jié)的外加電壓結(jié)的外加電壓, VT為溫度的電壓為溫度的電壓當(dāng)量當(dāng)量,約為約為0.026V, IS為反向飽和電流為反向飽和電流。e=2.71828 5、PN 結(jié)的電容效應(yīng)結(jié)的電容效應(yīng)1. 勢壘電容 PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)

9、生變化，結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其有電荷的積累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容等效電容稱為勢壘電容Cb。2. 擴(kuò)散電容 PN結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散路程中載流子結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容過程，其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。dbjCCC結(jié)電容：結(jié)電容： 結(jié)電容不是常量！若結(jié)電容不是常量！若PNPN結(jié)外加電壓頻率高結(jié)外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向?qū)щ娦?！到一定程?/p>

10、，則失去單向?qū)щ娦裕?-16問題為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料為什么將自然界導(dǎo)電性能中等的半導(dǎo)體材料制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻制成本征半導(dǎo)體，導(dǎo)電性能極差，又將其摻雜，改善導(dǎo)電性能？雜，改善導(dǎo)電性能？為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子為什么半導(dǎo)體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？還是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？為什么半導(dǎo)體器件有最高工作頻率？2-173.3半導(dǎo)體二極管（半導(dǎo)體二極管（diode）半導(dǎo)體二極管就是一個(gè)半導(dǎo)體二極管就是一個(gè)PN結(jié)。結(jié)。一、一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型面

11、接觸型面接觸型：適用于高頻檢波和：適用于高頻檢波和數(shù)字電路開關(guān)。數(shù)字電路開關(guān)。：適用于整流：適用于整流對稱對稱PN型型P+N型型PN+型型2-18有硅二極管有硅二極管,鍺二極管和砷化鎵二極鍺二極管和砷化鎵二極管等。管等。有整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、發(fā)光、光電、有整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、發(fā)光、光電、變?nèi)?、阻尼等二極管。變?nèi)?、阻尼等二極管。有塑封及金屬封等二極管。有塑封及金屬封等二極管。有大功率、中功率及小功率等二極有大功率、中功率及小功率等二極管管點(diǎn)接觸型：點(diǎn)接觸型：結(jié)面結(jié)面積小，結(jié)電容小，積小，結(jié)電容小，故結(jié)允許的電流故結(jié)允許的電流小，最高工作頻小，最高工作頻率高。率高。面接觸型：面接觸型：結(jié)面結(jié)面積大，結(jié)

12、電容大，積大，結(jié)電容大，故結(jié)允許的電流故結(jié)允許的電流大，最高工作頻大，最高工作頻率低。率低。平面型：平面型：結(jié)面積可結(jié)面積可小、可大，小的工小、可大，小的工作頻率高，大的結(jié)作頻率高，大的結(jié)允許的電流大。允許的電流大。2-202AP2CP2CZ542CZ132CZ30(c)二極管外形二極管外形2-21常見二極管外形2-222-23二、二極管的二、二極管的VI特性特性0.20.40.60.8O5101530 U(BR)CCDDIRAABB硅鍺iV / mAuV / V(A)5 圖圖 二極管伏安特性曲線二極管伏安特性曲線二極管兩端加正向電壓時(shí)二極管兩端加正向電壓時(shí),就產(chǎn)生就產(chǎn)生正向電流正向電流,當(dāng)正

13、向電壓較小時(shí)當(dāng)正向電壓較小時(shí),正向正向電流極?。◣缀鯙榱悖╇娏鳂O?。◣缀鯙榱悖?這一部分這一部分稱為死區(qū)稱為死區(qū),相應(yīng)的相應(yīng)的A(A)點(diǎn)的電壓稱點(diǎn)的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓為死區(qū)電壓或門檻電壓(也稱閾值也稱閾值電壓電壓),硅管約為硅管約為0.5V,鍺管約為鍺管約為0.1V,如圖中如圖中OA(OA)段。段。當(dāng)正向電壓超過門檻電壓時(shí)當(dāng)正向電壓超過門檻電壓時(shí),正向正向電流就會急劇地增大電流就會急劇地增大,二極管呈現(xiàn)二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導(dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)很小電阻而處于導(dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)硅管的正向?qū)▔航导s為硅管的正向?qū)▔航导s為0.60.7V,鍺管約為鍺管約為0.20.3V,如圖中如圖中AB(AB)段。

14、段。二極管兩端加上反向電壓時(shí)二極管兩端加上反向電壓時(shí),在開在開始很大范圍內(nèi)始很大范圍內(nèi),二極管相當(dāng)于非常二極管相當(dāng)于非常大的電阻大的電阻,反向電流很小反向電流很小,且不隨反且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為反向飽和電流反向飽和電流IR,見圖中見圖中OC（OC）段。段。二極管反向電壓加到一定數(shù)值時(shí)二極管反向電壓加到一定數(shù)值時(shí),反向電流急劇增大反向電流急劇增大,這種現(xiàn)象稱這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。此時(shí)對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿。此時(shí)對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓為反向擊穿電壓,用用UBR表示表示,如圖如圖中中CD(CD)段。段。2-24UI導(dǎo)通壓降導(dǎo)通壓降: : 硅硅管管0.

15、60.7V,鍺鍺管管0.20.3V。反向擊穿電反向擊穿電壓壓U(BR)死區(qū)電壓死區(qū)電壓 硅管硅管0.5V,鍺管鍺管0.2V。UIE+-反向漏電流反向漏電流（很小，（很小， A級）級）2-25三、二極管的參數(shù)三、二極管的參數(shù)1、最大整流電流最大整流電流IF：指二極管長期運(yùn)行時(shí)允許：指二極管長期運(yùn)行時(shí)允許通過的最大正向平均電流。通過的最大正向平均電流。2、最高反向工作電壓最高反向工作電壓：VBD= VBR （VBR為反向擊穿電壓。）為反向擊穿電壓。）3、極間電容極間電容：在高頻時(shí)要考慮極間電容。：在高頻時(shí)要考慮極間電容。 勢壘電容勢壘電容CB在反向偏置時(shí)較大在反向偏置時(shí)較大 擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容CD在

16、正向偏置時(shí)較大在正向偏置時(shí)較大4、最高工作頻率最高工作頻率：指二極管能保持單向?qū)щ姡褐付O管能保持單向?qū)щ娦缘淖畲箢l率。超過了這個(gè)頻率二極管就失性的最大頻率。超過了這個(gè)頻率二極管就失去了單向?qū)щ娦浴Ｈチ藛蜗驅(qū)щ娦?。小知識小知識:二極管的簡易測試二極管的簡易測試 將萬用表置于將萬用表置于R100或或R1k()擋（擋（R1擋電流太大擋電流太大,用用R10k()擋電壓太高擋電壓太高,都易損壞管子）。如圖所示都易損壞管子）。如圖所示表頭(a)(b)黑表棒紅表棒黑表棒紅表棒電池 圖圖 萬用表簡易測試二極管示意圖萬用表簡易測試二極管示意圖 (a)電阻??；電阻??；(b)電阻大電阻大2-273.4 二極管基本

17、電路及其分析方法二極管基本電路及其分析方法一、四種建模一、四種建模 1、理想模型、理想模型正向偏置時(shí)，管壓降為正向偏置時(shí)，管壓降為0V， 反向偏置時(shí)，電阻為無窮大。反向偏置時(shí)，電阻為無窮大。iDvDiD+ vD 2、恒壓降模型、恒壓降模型正向偏置時(shí)，管壓降為恒定正向偏置時(shí)，管壓降為恒定,一般為一般為0.7V， 反向偏置時(shí)，反向偏置時(shí)，電阻為無窮大。電阻為無窮大。iD+ vD iDvD2-283、折線模型、折線模型 認(rèn)為二極管的壓降隨著認(rèn)為二極管的壓降隨著電流的增加而增加?？捎秒娏鞯脑黾佣黾印？捎靡粋€(gè)電池和一個(gè)電阻近似。一個(gè)電池和一個(gè)電阻近似。電池壓降為二極管的門坎電池壓降為二極管的門坎電壓。

18、電壓。DthDDiVvriDvDiD+ vD VthrD2-294、小信號模型、小信號模型 在靜態(tài)工作點(diǎn)在靜態(tài)工作點(diǎn)Q附近附近工作時(shí)，可以將二極管工作時(shí)，可以將二極管V-I特性看作一條直線，特性看作一條直線，其斜率的倒數(shù)就是二極其斜率的倒數(shù)就是二極管小信號模型的微變電管小信號模型的微變電阻。阻。vDiDiDvDDDDdDDDdImVdidvreIsiivrTVDv26)1(/ +vD_iDrdIDQ2-30二、分析方法應(yīng)用二、分析方法應(yīng)用例例1電路如圖所示，分別用理想模型，恒壓降電路如圖所示，分別用理想模型，恒壓降模型和折線模型來求電路的模型和折線模型來求電路的ID和和VD。VDD +10V1

19、0KR解解首先標(biāo)出參考方向首先標(biāo)出參考方向+vD_ID1)理想模型理想模型VD=0V, ID=VDD/R=1mA2)恒壓降模型恒壓降模型VD=0.7V, ID=(VDD-VD)/R=0.93mA3）折線模型）折線模型VKmArIVVmAKVrRVVIKmAVViVVrDDthDDthDDDDthDD69.02.0931.05.0931.0)2.010()5.010(2.015.07.02-31例例2 設(shè)二極管是理想的，分析圖中各二極管的設(shè)二極管是理想的，分析圖中各二極管的導(dǎo)通或截止情況，并求導(dǎo)通或截止情況，并求AO兩端的電壓兩端的電壓UAO。+ VD -D15VR=3K12VA +O -解解

20、分析方法：先將要分析分析方法：先將要分析的二極管斷開，求的二極管斷開，求VDVD=(-15V)-(-12V)=-3VVD2 管壓降大的管子優(yōu)先導(dǎo)通管壓降大的管子優(yōu)先導(dǎo)通,二極管二極管D1先導(dǎo)通從而導(dǎo)致二極管先導(dǎo)通從而導(dǎo)致二極管D2截止截止VAO=0VVD1=5V0 所以二極管所以二極管D1導(dǎo)通導(dǎo)通VD2=5V-3V=2V0 所以二極管所以二極管D2導(dǎo)通導(dǎo)通2-33例例 設(shè)二極管是理想的，分析圖中各二極管的設(shè)二極管是理想的，分析圖中各二極管的導(dǎo)通或截止情況。導(dǎo)通或截止情況。解解 分析方法：先將要分析分析方法：先將要分析的二極管斷開，求的二極管斷開，求VD_+15V10V18KO25K140K10

21、K2K5KVVKKVA115)10140(10 VVKKVKKVVVOBOB5 . 315)525(510)218(2 因?yàn)橐驗(yàn)閂BVA所以所以D截止截止.2-34圖圖 二極管半波整流電路二極管半波整流電路 (a)電路；電路；(b)輸出波形輸出波形 Uim sintRuiuoVDuot023(a)(b)三、晶體二極管應(yīng)用電路舉例三、晶體二極管應(yīng)用電路舉例 1. 整流電路整流電路2-352. 門電路門電路 圖圖 二極管門電路二極管門電路 a1a2VD1VD2b2b15 V5.1 kuo(a)1V0a1a2Ua1b1 4 Vb2b15 V5.1 kuo(b)Ua2b2 5 V1V03. 二極管限幅

22、電路二極管限幅電路圖圖 二極管限幅電路二極管限幅電路 (a)電路電路; (b)波形波形 10 sin t (V)VDuo(a)10 k5 V0510510uiuoui t(b)uo / V2-373.5特殊二極管一、穩(wěn)壓二極管一、穩(wěn)壓二極管二極管可分為：普通二極、穩(wěn)壓管、變?nèi)莨?、二極管可分為：普通二極、穩(wěn)壓管、變?nèi)莨堋?光電管、發(fā)光管、隧道管、微波管、恒流管等。光電管、發(fā)光管、隧道管、微波管、恒流管等。穩(wěn)壓管又稱為齊納二極管，它的雜質(zhì)濃度較穩(wěn)壓管又稱為齊納二極管，它的雜質(zhì)濃度較大，空間電荷區(qū)很窄，容易形成強(qiáng)電場。產(chǎn)大，空間電荷區(qū)很窄，容易形成強(qiáng)電場。產(chǎn)生反向擊穿時(shí)反向電流急增。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓生反

23、向擊穿時(shí)反向電流急增。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用在于，電流增量很大，只引起很小的電作用在于，電流增量很大，只引起很小的電壓變化。壓變化。 圖中的圖中的VZ表示反向擊穿電壓，表示反向擊穿電壓，即穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓即穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用在于，電流增管的穩(wěn)壓作用在于，電流增量量IZ很大，只引起很小的電很大，只引起很小的電壓變化壓變化VZ。曲線愈陡，動。曲線愈陡，動態(tài)電阻態(tài)電阻rz=VZ/IZ愈小，穩(wěn)愈小，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能愈好。一般壓管的穩(wěn)壓性能愈好。一般地說，地說，VZ為為8V左右的穩(wěn)壓管左右的穩(wěn)壓管的動態(tài)電阻較小，低于這個(gè)的動態(tài)電阻較小，低于這個(gè)電壓的，電壓的，rZ隨齊納電壓的下隨齊納電壓

24、的下降迅速增加，因而低壓穩(wěn)壓降迅速增加，因而低壓穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能較差。穩(wěn)壓管管的穩(wěn)壓性能較差。穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓的穩(wěn)定電壓VZ，低的為，低的為3V，高的可達(dá)高的可達(dá)300V，它的正向壓，它的正向壓降約為降約為0.6V。 2-39二、變?nèi)荻O管二、變?nèi)荻O管 二極管結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工二極管結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)外，還與外加電壓有關(guān)。結(jié)電容隨反向藝有關(guān)外，還與外加電壓有關(guān)。結(jié)電容隨反向電壓的增加而減小，這種效應(yīng)顯著的二極管稱電壓的增加而減小，這種效應(yīng)顯著的二極管稱為變?nèi)荻O管。為變?nèi)荻O管。 圖圖a為變?nèi)荻O管的代表符號，圖為變?nèi)荻O管的代表符號，圖b是變?nèi)菔亲內(nèi)荻O管的特性曲線。不同型號的管子，其電容二極管的特性曲線。不同型號的管子，其電容最大值可能是最大值可能是5300pF。最大電容與最小電容。最大電容與最小電容之比約為之比約為5:1。變?nèi)荻O管在高頻技術(shù)中應(yīng)用較。變?nèi)荻O管在高頻技術(shù)中應(yīng)用較多。多。2-40ak(a)0510152025125102050C / pF(b)U / V 圖圖 變?nèi)荻O管變?nèi)荻O管（a）圖形符號）圖形符號;（b）結(jié)電容與電壓的關(guān)系（縱坐