錫須試驗(yàn)方案

1、一、關(guān)于錫須試驗(yàn)一、關(guān)于錫須試驗(yàn)三、使用標(biāo)準(zhǔn)及推薦方案三、使用標(biāo)準(zhǔn)及推薦方案四、錫須試驗(yàn)經(jīng)典案例四、錫須試驗(yàn)經(jīng)典案例錫須試驗(yàn)方案錫須試驗(yàn)方案二、錫須試驗(yàn)所用設(shè)備介紹二、錫須試驗(yàn)所用設(shè)備介紹蘇州市電子產(chǎn)品檢驗(yàn)所有限公司 地址：蘇州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓； 聯(lián)系人：陳蓉 電話手機(jī)；網(wǎng)址： 一、關(guān)于錫須試驗(yàn)一、關(guān)于錫須試驗(yàn)材料在焊接之后，經(jīng)過一段時(shí)間的存放，焊錫的晶體因?yàn)閮?nèi)應(yīng)力的原因開始發(fā)生材料在焊接之后，經(jīng)過一段時(shí)間的存放，焊錫的晶體因?yàn)閮?nèi)應(yīng)力的原因開始發(fā)生物理位移，產(chǎn)生錫須現(xiàn)象，對(duì)于一些很精密的元件

2、，除了元器件本身可能因?yàn)閼?yīng)物理位移，產(chǎn)生錫須現(xiàn)象，對(duì)于一些很精密的元件，除了元器件本身可能因?yàn)閼?yīng)力導(dǎo)致開裂外，產(chǎn)生的錫須會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的跳火和短路等故障。力導(dǎo)致開裂外，產(chǎn)生的錫須會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品的跳火和短路等故障。因此在生產(chǎn)工藝中，對(duì)錫須生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)就對(duì)元件可靠性驗(yàn)證愈發(fā)重要。因此在生產(chǎn)工藝中，對(duì)錫須生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)就對(duì)元件可靠性驗(yàn)證愈發(fā)重要。Whiskers Seen Right After Plating Incubation period reported in literatures : 3 weeks Can be as short as 80 min Very sensitive to curren

3、t density, especially in the initial stage Whisker growing depends on the stress at the interface of Plating / Base metal地址：蘇州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓；電話手機(jī)；網(wǎng)址： 二、錫須試驗(yàn)所用設(shè)備溫度范圍：溫度范圍：常溫+10+280溫度波動(dòng)度：溫度波動(dòng)度：0.5溫度均勻度：溫度均勻度：2作用：作用：模擬焊接過程中溫度應(yīng)力對(duì)材料內(nèi)應(yīng)力的激發(fā)溫度范圍溫度范圍: -60+170升降溫速

4、率升降溫速率：0.75/min波動(dòng)度波動(dòng)度/均勻度均勻度：0.5/2濕度范圍濕度范圍：常濕98%R.H濕度波動(dòng)濕度波動(dòng)： +2-3%用來觀察物體表面形貌，并對(duì)發(fā)現(xiàn)的異物進(jìn)行元素分析。應(yīng)用范圍包括晶圓，用來觀察物體表面形貌，并對(duì)發(fā)現(xiàn)的異物進(jìn)行元素分析。應(yīng)用范圍包括晶圓， 封裝材料封裝材料表面的微裂紋觀察，斷口觀察分析，引線鍵合失效和芯片內(nèi)部物理缺陷觀察分析，錫須量表面的微裂紋觀察，斷口觀察分析，引線鍵合失效和芯片內(nèi)部物理缺陷觀察分析，錫須量測(cè)等。測(cè)等。 用立體顯微鏡或者金相顯微鏡來對(duì)樣品進(jìn)行外觀觀察，常規(guī)可放大幾十幾千倍用立體顯微鏡或者金相顯微鏡來對(duì)樣品進(jìn)行外觀觀察，常規(guī)可放大幾十幾千倍地址：蘇

5、州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓；電話傳真網(wǎng)址： 三、參考標(biāo)準(zhǔn)及推薦方案三、參考標(biāo)準(zhǔn)及推薦方案序號(hào)序號(hào)No.檢測(cè)項(xiàng)目檢測(cè)項(xiàng)目Description計(jì)價(jià)單位計(jì)價(jià)單位Unit數(shù)量數(shù)量QTY備注備注Remark1過回流焊爐過回流焊爐小時(shí)小時(shí)1樣品數(shù)為樣品數(shù)為20個(gè)個(gè).2過回流焊爐后電鏡觀察過回流焊爐后電鏡觀察樣品樣品20共共20個(gè)樣品個(gè)樣品,建議應(yīng)用建議應(yīng)用.3過回流焊爐后光學(xué)顯微鏡觀察過回流焊爐后光學(xué)顯微鏡觀察樣品樣品20客戶自選客戶自選.4TCT（1000循環(huán)循環(huán))小時(shí)小時(shí)834共共1000cyle.本

6、次試驗(yàn)樣品總數(shù)為本次試驗(yàn)樣品總數(shù)為10個(gè)個(gè).注意：注意：500個(gè)循環(huán)的時(shí)候進(jìn)行電鏡觀察一次錫須個(gè)循環(huán)的時(shí)候進(jìn)行電鏡觀察一次錫須生長(zhǎng)情況，后續(xù)在生長(zhǎng)情況，后續(xù)在1000個(gè)循環(huán)的時(shí)候用電鏡觀個(gè)循環(huán)的時(shí)候用電鏡觀察一次錫須生長(zhǎng)情況。察一次錫須生長(zhǎng)情況。5分別在分別在TCT500循環(huán)和循環(huán)和1000循環(huán)后的循環(huán)后的電鏡觀察電鏡觀察樣品樣品20共共10個(gè)樣品個(gè)樣品,每個(gè)樣品電鏡觀察每個(gè)樣品電鏡觀察2次次,樣品數(shù)即為樣品數(shù)即為20個(gè)計(jì)算個(gè)計(jì)算.6高溫高濕存儲(chǔ)高溫高濕存儲(chǔ)小時(shí)小時(shí)4320試驗(yàn)時(shí)間試驗(yàn)時(shí)間:6個(gè)月個(gè)月.注意注意:試驗(yàn)試驗(yàn)1個(gè)月的時(shí)候進(jìn)行電個(gè)月的時(shí)候進(jìn)行電鏡觀察一次錫須生長(zhǎng)情況鏡觀察一次錫須生長(zhǎng)

7、情況,后續(xù)在進(jìn)行后續(xù)在進(jìn)行6個(gè)月時(shí)個(gè)月時(shí)候用電鏡再次觀察一次錫須生長(zhǎng)情況候用電鏡再次觀察一次錫須生長(zhǎng)情況.7分別在高溫高濕存儲(chǔ)分別在高溫高濕存儲(chǔ)1個(gè)月后和個(gè)月后和6個(gè)個(gè)月后的電鏡觀察月后的電鏡觀察樣品樣品20共共10個(gè)樣品個(gè)樣品,每個(gè)樣品電鏡觀察每個(gè)樣品電鏡觀察2次次, 樣品數(shù)即為樣品數(shù)即為20個(gè)計(jì)算個(gè)計(jì)算.參考標(biāo)準(zhǔn)：JEDEC地址：蘇州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓；電話手機(jī)；網(wǎng)址： 1. 根據(jù)ANSI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行抽樣2. 對(duì)樣品進(jìn)行觀察，將焊點(diǎn)開裂、焊點(diǎn)刮傷或者焊絲的現(xiàn)象剔除3. 對(duì)真正的錫須(多晶和單晶)和焊絲掛連、毛刺進(jìn)行辨別）進(jìn)行拍照分析驗(yàn)證四、錫須試驗(yàn)案例四、錫須試驗(yàn)案例地址：蘇州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓；電話手機(jī)；網(wǎng)址： 1. 某元器件公司的錫須案例Whisker seen in Cerquad package地址：蘇州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓；電話手機(jī)；網(wǎng)址： 五、錫須試驗(yàn)案例五、錫須試驗(yàn)案例2. 某半導(dǎo)體公司的錫須案例地址：蘇州市吳中大道1168號(hào)國(guó)際教育園電子樓；電話：0512-8957