最新4振蕩器的頻率穩(wěn)定度匯總

1、5. 4振蕩器的頻率穩(wěn)定度5.4振蕩器的頻率穩(wěn)定度滿足起振、平衡和穩(wěn)定三個條件產(chǎn)生等幅持續(xù)的振蕩波形。當受到外界或振蕩器內(nèi)部不穩(wěn)定因素干擾振蕩器的瞬時相位（或頻率）會在平衡點附近隨機變化。頻率穩(wěn)定度用于衡量實際振蕩頻率fosc與標稱頻率f0偏離的程度。頻率穩(wěn)定度是振蕩器最為重要的性能指標之一。現(xiàn)代電子技術的飛速發(fā)展對振蕩器的頻率穩(wěn)定度提由了越來越高的要求。通信系統(tǒng)的頻率不穩(wěn)定，就會因漏失信號而無法通信，如調(diào)頻廣播發(fā)射機的頻率不穩(wěn)，調(diào)頻接收機就不能準確接收，如調(diào)頻廣播發(fā)射機的頻率準確、穩(wěn)定，則接收機在不需要調(diào)諧的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)自動收聽和轉(zhuǎn)播；在數(shù)字電路中，時鐘不穩(wěn)會引起時序關系的混亂；測量儀器的

2、頻率不穩(wěn)定會引起較大的測量誤差；軍事保密通信及空間技術對頻率穩(wěn)定度提由了更為嚴格的要求。例如，要實現(xiàn)與火星通信，頻率的相對誤差不能大于1011數(shù)量級。倘若給距離地球5600萬千米衛(wèi)星定位，要求頻率的相對誤差不能大于1012數(shù)量級。1頻率準確度和頻率穩(wěn)定度評價振蕩頻率的主要指標是頻率準確度和頻率穩(wěn)定度。頻率準確度表明實際工作頻率偏離標稱頻率的程度，分為絕對頻率準確度和相對頻率準確度。絕對頻率準確度是實際工作頻率fosc與標稱頻率f0的偏ffoscf0(5.4.1)相對頻率準確度是頻率偏差f與標稱頻率之比(5.4.2)頻率穩(wěn)定度是在指定時間間隔內(nèi)頻率準確度變化的最大值。也分為絕對頻率穩(wěn)定度和相對頻

3、率穩(wěn)定度。最常用的是相對頻率穩(wěn)定度，簡稱頻率穩(wěn)定度，以表示foscf。maxf0時間間隔(5.4.3)其中foscf0max是某一間隔內(nèi)的最大頻率偏移。如某振蕩器標稱頻率為5MHz,在一天所測的頻率中，與標稱值偏離最大的一個頻率點為4.99995MHz,則該振蕩器的頻率穩(wěn)定度為foscf0maxday(4.999955)1065106day1105/day在頻率準確度與頻率穩(wěn)定度兩個指標中，頻率穩(wěn)定度更為重要。因為只有頻率穩(wěn)定，才能談得上頻率準確。頻率不穩(wěn)，準確度也就失去了意義。下面主要討論頻率穩(wěn)定度。頻率穩(wěn)定度按時間間隔分為長期頻率穩(wěn)定度：以月甚至年為觀測時間長度，觀測的是長時間的頻率漂移。

4、主要取決于構成振蕩器的有源、無源器件和石英晶體的老化特性。它主要用于評價天文臺或國家計量單位高精度頻率標準和計時設備；短期頻率穩(wěn)定度：以一天，小時、分鐘為測量時間間隔。短穩(wěn)主要取決于振蕩器的電源電壓、電路參數(shù)或環(huán)境溫度的穩(wěn)定性。用于評價通信電子設備和儀器中振蕩器頻率穩(wěn)定度。瞬時頻率穩(wěn)定度：在秒級時間內(nèi)，主要是振蕩器內(nèi)部干擾和噪聲作用引起的頻率起伏，是頻率的瞬間無規(guī)則變化。瞬時頻率穩(wěn)定度在頻域上又稱為相位抖動或相位噪聲。通常用得較多的是短期頻穩(wěn)度。由于頻率的變化是隨機的，不同的觀測時段，測由的頻率穩(wěn)定度往往是不同的，而且有時還由現(xiàn)某個局部時段內(nèi)頻率的漂移遠遠超過其它時間在相同間隔內(nèi)的漂移值，因此

5、用式（5.4.3）來表征頻率穩(wěn)定度不是十分合理，頻率穩(wěn)定度應建立在大量觀測基礎上的統(tǒng)計值來表征較為合理，常用的方法之一是均方根值將指定的時間劃分為n個等間隔，測得的各頻率準確度與其平均值的偏差的均方根值來表征的。即旦i石2nfo忖1片f。（5，.4）式中，fi為第i個間隔內(nèi)實測的頻率，（法）ififo為第i個間隔內(nèi)實測的絕對誤差。-1n一，、Af"（力fo）（5.4.5）為絕對頻差的平均值。曲越小，頻率準確度就越高。頻率穩(wěn)定度當然越高越好，但這樣的振蕩器造價高，使用者必須在性能和成本間折中考慮。不同場合，對振蕩器頻率穩(wěn)定度的要求不同。例如用于中波廣播電臺發(fā)射機的為105數(shù)量級，普通信

6、號發(fā)生器的為105N104數(shù)量級，電視發(fā)射機的為107數(shù)量級，高精度信號發(fā)生器的為107N109數(shù)量級，在標準計時，天文測量和太空通信中，要求有很高的長穩(wěn)和短1113穩(wěn)，相對頻率變化不大于1010o頻率穩(wěn)定度一般由實測確定。普通的LC電路的日頻率穩(wěn)定度可達2310-10；采用改進型的西勒振蕩電路，也只能達到104數(shù)量級，要求更高的話，采用石英諧振器。2造成頻率不穩(wěn)定的因素（了解即可，不做要求）1）LC回路參數(shù)的不穩(wěn)定性溫度變化是使LC回路參數(shù)不穩(wěn)定的主要因素。溫度改變會使電感線圈和回路電容幾何尺寸變形，因而改變電感L和電容C的數(shù)值。一般L具有正溫度系數(shù)，即L隨溫度的升高而增大。而電容由于介電材

7、料和結構的不同，電容器的溫度系數(shù)可正可負。另外，機械振動可使電感和電容產(chǎn)生變形，L和C的數(shù)值變化，因而引起振蕩頻率的改變。晶體管參數(shù)的不穩(wěn)定性當溫度變化或電源電壓變化時，必定引起靜態(tài)工作點和晶體管結電容的改變，從而導致振蕩頻率不穩(wěn)定。3穩(wěn)頻措施1）減小溫度的影響為了減少溫度變化對振蕩頻率的影響，最根本的辦法是將整個振蕩器或振蕩回路置于恒溫槽內(nèi)，以保持溫度的恒定。這種方法適用于技術指標要求較高的設備中。在要求不是特別高的情況下，為了減少溫度系數(shù)的影響，應該采取溫度系數(shù)較小的電感、電容。例如，鐵氧體的溫度系數(shù)很大，當對諧振回路的電感量提由高穩(wěn)定度要求的時候，應該避免采用鐵氧體心。此時，電感線圈可用

8、高頻磁豉架，它的溫度系數(shù)和損耗都較小。固定電容器比較好的是云母電容，它的溫度系數(shù)比其它類型電容的小?？勺冸娙菀撞捎脴O片和轉(zhuǎn)軸線膨脹系數(shù)小的金屬材料（如鐵鎂合金）制作。它們的溫度系數(shù)小，性能穩(wěn)定可靠。還可采用正、負溫度系數(shù)的元件相互補償。如瓷介電容具有正溫度系數(shù)，有的電容具有負溫度系數(shù)，而很多電感都具有正溫度系數(shù)。2）穩(wěn)定電源電壓電源電壓的波動，會使晶體管靜態(tài)工作點發(fā)生變化，從而改變晶體管的參數(shù)，降低頻率穩(wěn)定度。為了減小這個影響，采用性能良好的電壓源供電，并采取退耦措施避免高頻信號對電壓源穩(wěn)定性產(chǎn)生不良影響。如果是制作高性能指標的振蕩器，應當采用穩(wěn)壓電源。當振蕩器與整機其它部分公用一個電源時，往

9、往從公用電源取由電壓，再經(jīng)一次單獨穩(wěn)壓，以避免整機其它部分耗電的變化影響電源電壓的穩(wěn)定。另外，應采用具有穩(wěn)定靜態(tài)工作點的偏置電路。3）減少負載的影響振蕩器輸由信號需要加在負載上，負載的變動必然會引起振蕩頻率變化。為了減小這一影響，可在主振級及其負載之間加一緩沖級。為使緩沖級最大限度的起到緩沖作用，緩沖級從主振級所獲取的功率應盡可能的小。當負載所要求的功率一定時，緩沖級的功率增益越高，則要求主振級提供的功率越小。因此緩沖級的電路形式及工作狀態(tài)的選擇，應該從功率增益最大來考慮。即：a）緩沖放大級應工作于甲類，因甲類工作狀態(tài)的功率增益最高；b）共射電路比共基和共集（射級跟隨器）電路的功率增益大，所以

10、共射電路是緩沖級電路優(yōu)先考慮的電路形式。共射電路不足之處在于，其輸入阻抗不如共集電路的高，但可以通過緩沖級的輸入端和諧振回路以部分接入方式連接，以提高緩沖級對諧振回路的等效引入阻抗。射級跟隨器也是比較常用的緩沖級。4）晶體管與諧振回路之間采用松耦合減小晶體管和諧振回路之間的耦合，可以減小晶體管輸由、輸入電容的變化對諧振回路等效電容值的影響，從而使頻率穩(wěn)定度提高。減小晶體管和諧振回路之間耦合的常用方法是將晶體管以部分接入的方式接入諧振回路。前面介紹的克拉潑電路和西勒電路就是采用了這種方法。另外，應選擇打較高的晶體管。片越高，高頻性能就越好，可以保證在工作頻率范圍內(nèi)均有較高的跨導，電路容易起振；一

11、般選擇fT(3N1。)foscmax,foscmax是最高振蕩頻率。5)提高回路的品質(zhì)因數(shù)QLC諧振回路的相頻特性表達式ZarctanQ()(5.4.6)0根據(jù)式(5.4.6)可畫由不同Q值對應的相頻特性曲線，如圖533所示。由圖可見，相頻曲線的變化規(guī)律有如下特點。i) 越接近0,即00越小，相頻特性曲線的斜率就越大，則穩(wěn)頻能力越強；反之，失諧越嚴重就越小，頻率穩(wěn)定度越低。ii) Q值越大，在°附近的值越大，穩(wěn)頻能力越強。d所以提高回路的Q值，減小0,有利于改善振蕩器的頻率穩(wěn)定性。處1即圖5-33并聯(lián)諧振回路相頻特性曲線如何提高諧振回路的Q值？在繞制電感時應注意，平行密繞線圈的線間分

12、布電容較大，影響Q值。對于匝數(shù)較多的線圈，如振蕩頻率在2MHz以下，宜采用“蜂房式”繞法，并且最好用多股線，以減小趨附效應的影響，以便提高Q值。對諧振回路而言，電感的銅損耗電阻r構成了諧振回路的主要損耗，其品質(zhì)因數(shù)QUL。因此，在確定電感值時，應取得大一些，電容量取小一些，可得到較高的、值,但電容量太小時，晶體管的輸由、輸入電容對回路的等效電容和分布電容在回路中所占的比例將增大，使頻率穩(wěn)定度降低，所以必須兼顧這兩個方面。1)屏蔽、遠離熱源將LC回路屏蔽可以減少周圍電磁場的干擾。但加屏蔽后，電感量下降，損耗加大，因此，線圈Q值將下降。在可能的前提下，盡量將屏蔽罩做得大一些，這樣，電感量不致減小太

13、多，Q值所受影響也較小。振蕩器電路離開熱源（如電源變壓器、大功率管等）遠一些，可以減少溫度變化對振蕩器的影響。5.5晶體振蕩器23通常LC振蕩器的頻率穩(wěn)定度為1°1°,采取一些45措施和改進，可達到1°，但很難突破10。然而在通信設備，電子測量儀器儀表，電子對抗等應用5中，對頻率穩(wěn)定度的要求往往優(yōu)于1°,前面介紹的振蕩器都無法達到要求。石英晶體諧振器具有極高的品質(zhì)因素和穩(wěn)定的參數(shù)，利用石英諧振器代替一般的LC諧振系統(tǒng)，它的頻率穩(wěn)定度很容5易做到10。石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度隨采用的石英晶體、外部電路形式和穩(wěn)頻措施的不同而不同，一般在1°510

14、11范圍之間。如果采用低精度石英晶體，穩(wěn)定度可達到1°5數(shù)量級；如采用中等精度石英晶體，穩(wěn)定度可達到1°6數(shù)量級；如采用單層恒溫控制系統(tǒng)和中等精度晶體，穩(wěn)定度可以達到107N108數(shù)量級；如采用雙層恒溫控制系統(tǒng)和高精度晶體，穩(wěn)定度可以達到109/011數(shù)量級。石英晶體振蕩器定義用石英諧振器控制和穩(wěn)定振蕩頻率的振蕩器。石英晶體振蕩器之所以具有極高的頻率穩(wěn)定度，關鍵是采用了石英晶體這種具有極高Q值的諧振元件。下面首先了解石英晶體諧振器的基本特性。5.5.1石英晶體諧振器石英晶體諧振器是利用石英晶體(Quartz-Crystal)的壓電效應制成的一種諧振器件。石英晶體諧振器的內(nèi)部

15、結構如圖535所7Ko(a)晶體外形；(b)橫斷面圖534晶體的形狀及橫斷面圖535石英諧振器的內(nèi)部結構1石英晶體的等效電路石英片的振動具有多諧性，除基頻(FundamentalFrequency)振動外，還有奇次諧波的泛音(Overtones)振動。泛音振動的頻率接近于基頻的整數(shù)倍，但不是嚴格的整數(shù)倍。對于一個石英諧振器，既可以利用其基頻振動，也可以利用其泛音振動。利用基音振動實現(xiàn)對頻率控制的晶體稱為基音晶體，其余稱為泛音晶體。采用AT切割石英片的基頻頻率一般都限制在20MHz以下。因為此時石英片的厚度僅有0.041mm,頻率再高，石英片的厚度太薄，不足以提供必要的強度。因此，要求更高的工作

16、頻率時，一般均是泛音晶體。泛音晶體一般利用3次和5次的泛音振動，而很少使用7次以上的泛音振動。泛音次數(shù)太高，晶體的性能也將顯著下降。圖5-36給由石英諧振器的等效電路。比比寸氏qC%Lvrr-TnT符號基期等效電跖5r-Tn看V2£U/?T-TnT111zcru?T-Tn_完整等效電路圖536石英諧振器的等效電路。圖（b）中石英晶體片等效為Lq、Cq、rq串聯(lián)的諧振電路。Lq是石英晶體的動態(tài)電感，表征晶體的質(zhì)量，值較大，通常在幾十個毫亨的量級；Cq是動態(tài)電容，表征晶體的彈性，值很小，通常在3一10pF量級；rq是動態(tài)電阻，表征晶體振動時分子間互相摩擦而引起的能量損耗，阻抗很小，通常在

17、幾十歐左右。C0為靜態(tài)電容和支架、引線等分布電容之和，其中靜態(tài)電容是以石英晶片為介質(zhì)，兩個電極為極板而形成的電容，它是C0的主要成分。通常為幾個皮法。石英具有多諧性，每次泛音都對應一個串聯(lián)諧振電路：基音等效為LqCqr(的串聯(lián)諧振支路，該支路的諧振頻率等于基音頻率。3次泛音等效為Lq3、Cq3、rq3的串聯(lián)諧振支路，該支路的諧振頻率等于3次泛音頻率，如此等等。當工作頻率等于某串聯(lián)諧振支路諧振頻率時，串聯(lián)阻抗等于rq,近似于短路，其他支路失諧，可近似于開路。所以對于工作頻率，石英諧振器都用圖536(b)所示的電路等效。2石英晶體的參數(shù)溫度系數(shù)：溫度變化1C引起固有振動頻率的相對變化量。拐點溫度：

18、與溫度系數(shù)最小值相對應的溫度。若需要將晶體置于恒溫槽內(nèi)，槽內(nèi)溫度就應控制在這個拐點溫度上。負載電容：對晶體而言的總外部電容。晶體必須在規(guī)定的負載電容下工作，才能保證標稱頻率的準確性和穩(wěn)定性。3石英晶體諧振器的特點石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度非常高，主要是因為用于穩(wěn)頻的石英晶體諧振器具有如下特點。i）石英晶體的物理性能和化學性能都十分穩(wěn)定。因此,其等效諧振電路中的元件參數(shù)都非常穩(wěn)定。ii）石英晶體諧振器具有非常高的品質(zhì)因素Qq,因為：q561010量級），維持振蕩頻QqyrqQq值可達幾萬到幾百萬（率穩(wěn)定不變的能力極強。iii）石英晶體諧振器與晶體管之間的耦合很弱，即,品體管對諧振回路的接入系數(shù)很

19、小。pCqJCoCqCo104103('qCo)外電路對石英諧振器的接入系數(shù)很小，對改善振蕩器的頻率穩(wěn)定度有什么益處?外電路對石英諧振器的接入系數(shù)很小意味著石英諧振器與外電路的耦合非常弱，外電路中不穩(wěn)定參量對石英諧振器的影響很小，使石英晶體振蕩器的振蕩頻率基本不受外界不穩(wěn)定因素的影響。因此，由石英諧振器構成的石英晶體振蕩器具有極高的頻率穩(wěn)定度。iv）石英晶體諧振器的二個諧振頻率a）當Lq,Cq,q支路發(fā)生串聯(lián)諧振時，其串聯(lián)諧振頻率fsLqCq(5.5.1)b）當頻率大于fs時,Lq,Cq,rq支路呈現(xiàn)感性，與Co發(fā)生并聯(lián)諧振，其并聯(lián)諧振頻率1般CoCq,(5.5.2)CCq=(0.00

20、2-0.003),因此fs,fp非常接近。例Co如，5MHz晶振Cq2.6103，求得fpfs6.5KCoC)石英晶體諧振器的標稱頻率fN在實際振蕩電路中，晶體兩端往往并接有外部電容Cl,如圖538所示。在這種情況下，晶體等效電路中的并接電容為ClCo,相應的晶體的頻率為fNfs(11Cq)2ClC。)(5.5.3)(a)(,b)圖538石英晶體諧振器的標稱頻率標在晶體外殼上的振蕩頻率(即晶體的標稱頻率)就是并接CL時石英晶振的振蕩頻率fN。CL的電抗頻率曲線如圖539中虛線所示。負載電容CL的值載于生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品說明書中，通常高頻晶體Cl30pF,低頻晶體CL100PF.L對于串聯(lián)型晶體振蕩

21、器的石英諧振器，CL的值標識為Cl,即無需外接負載電容。4石英晶體諧振器的電抗特性由圖536可知，忽略rq時，晶體兩端呈現(xiàn)的阻抗為純電抗，具值近似為ZejXe(T2()2(5.5.4)1式中sjLqCq為串聯(lián)諧振頻率,p為并聯(lián)諧振頻率由式（5.5.4）可畫由石英諧振器的電抗特性曲線如圖539中兩條實線所示。比較（5.5.2）和（5.5.3）可知介于fs和fp之間，顯然，晶體的負載電容CL越大,fN就越靠近fs。掩:/1/I'1fC的電在曲設圖5-39石英諧振器的電抗特性曲線由圖539可看由石英諧振器的電抗特性具有如下特點i）當ffs時，等效電抗呈現(xiàn)容性。該部分電抗特性曲線平坦，頻率穩(wěn)定

22、度差，通常不采用。ii）當ffs時，Lq,Cq支路串聯(lián)諧振，近似于短路。Xe0Diii）當fsffp時，石英晶體諧振器的等效電抗呈現(xiàn)感性，石英諧振器具有極強的電抗補償能力。從圖539可知，當fsffp時，石英諧振器等效為一數(shù)值隨頻率變化的非線性電感L（），當，從L變化至fp時，電感從0變到無窮大，在極其狹窄的fs與fp之間，存在著一條極其陡峭的感抗曲線，由于該感抗曲線對頻率具有極大的變化速率。因此對頻率的變化具有極靈敏的補償作用，是晶體振蕩電路頻率穩(wěn)定度非常高的原因之一。若外部因素使諧振頻率增大，則根據(jù)晶振電抗特性，必然使等效電感L增大，但由于振蕩頻率與L的平方根成反比，所以又促使諧振頻率下降

23、，趨近于原來的值。iv）當ffp時，產(chǎn)生并聯(lián)諧振，Xev）當ffp時，Co呈現(xiàn)的容性起主要作用，Xe0。該頻段電抗特性曲線平坦，頻率穩(wěn)定性差，通常不工作于該區(qū)段。5.5.2晶體振蕩器電路根據(jù)晶體在振蕩電路中的作用不同，晶體振蕩器可分為并聯(lián)型和串聯(lián)型兩種電路。石英晶體在電路中可以起兩種作用：一種是石英晶體等效為電感元件，與其它回路元件一起按照三點式振蕩器的構成原則組成三點式振蕩器。這類振蕩器稱為并聯(lián)型晶體振蕩器。在并聯(lián)型晶體振蕩器電路中，晶體必須作為感性元件，振蕩頻率在sp之間，靠近p另一種是石英晶體作為短路元件，串聯(lián)在正反饋支路上，用以控制反饋的強弱，它工作在石英晶體的串聯(lián)諧振頻率s上，稱為串

24、聯(lián)型晶體振蕩器。1并聯(lián)型晶體振蕩器并聯(lián)型晶體振蕩器中，石英晶體等效為感抗元件，用于代替三點式電路中的某個電感。并聯(lián)型晶體振蕩器有兩種形式。如圖5-40所示皮爾跖映）密勒（Miller）電路圖（a）中，石英晶體接在晶體管的C、B極之間構成的電容點式振蕩器，稱皮爾斯（Peerce）振蕩器；圖（b）中，石英晶體接在晶體管的Re極之間構成的電容三點式振蕩器，稱密勒（Miller）振蕩器。i）皮爾斯電路中的石英晶體接在晶體管C、B之間，無需再外接線圈，且頻率穩(wěn)定度高，得到廣泛應用，圖541給由皮爾斯晶體振蕩器實用電路。路41、&2、Re構成分壓式自偏壓偏置電路。Lc為高頻扼流圈，Cb為旁路電容，

25、Cc為耦合電容。圖（b）給由高頻交流通路，(b)高頻交流通路其中虛線框內(nèi)為石英晶體諧振器的等效電路oG和C2兩個電容串接后，并接在晶體兩端，構成晶體的負載電容。如果其值等于晶體規(guī)定的CL值，那么振蕩電路的振蕩頻率就是晶體的標稱頻率。實際上，在一些振蕩頻率準確度要求很高的場合，振蕩電路中必須設置頻率微調(diào)元件，圖542給由一個電路實例。（a）實際電路（b）諧振回路等效電路圖中C4為微調(diào)電容，用于改變并接在晶體上的負載電容，從而微調(diào)振蕩器的振蕩頻率，達到要求的標稱頻率。下面將分析幾個與其工作特性相關的問題。1）為什么要加微調(diào)電容？首先，實際應用中，外接負載電容不一定正好等于規(guī)定的Cl值，因此晶體振蕩

26、器的振蕩頻率fosc一般不會正好等于石英晶體諧振器的標稱頻率fN,有一個較小的偏差。通過在電路中接入微調(diào)電容C4,使晶體的外接電容達到規(guī)定的CL,以確保晶體振蕩器的foscfN,通常C4C1,C4C2；其次，雖然晶體的物理、化學性能穩(wěn)定，但是溫度的變化仍會改變它的參數(shù)，還有晶體老化等原因，都會導致振蕩頻率的緩慢變化，需要通過微調(diào)負載電容CL對振蕩頻率進行校正。2)改變微調(diào)電容，晶體振蕩器頻率的變化范圍圖5-42(b)給曲諧振回路等效電路,d諧振回路等效電路圖中可變電容Ct由C3、C4并聯(lián)構成。忽略晶體的損耗，得圖543所示等效振蕩回路。I02圖5-43諧振回路等效電路由圖543可見，振蕩回路中

27、的總電容C由CtC1、C2串聯(lián)，再與C0并聯(lián)，最后與Cq串聯(lián)構成。所以有其中ClCqCo1CtC11C2(5.5.5)1CtC1CL為并接在晶體兩端總的外部電容，稱為晶體的負載電容晶體的負載電容Cl中包括與C1、C2并接的晶體管極間電容，而極間電容是極易隨溫度變化的不穩(wěn)定參數(shù)。顯然Cl成為不穩(wěn)定量，進一步導致晶體振蕩器頻率的不穩(wěn)定。為此，接入微調(diào)電容，且使孰Ci，CtC2,則ClCt0只要選擇溫度系數(shù)較小的電容構成Ct,就可改善Cl的穩(wěn)定性，使其等于規(guī)定的負載電容值將式(5.5.5)簡化為111cCqCoCt諧振回路總電容Cq(CoCt)CqCoCtfosc晶體振蕩器的頻率(5.5.6)卜面分

28、析石英晶體振蕩器的振蕩頻率變化范圍(a) 當ct，代入式(5.5.6)得foscminfs(5.5.7)(b) 士Ct0,代入式(5.5.6)得foscmaxLqCqCofP(5.5.8)CqCo結論：改變微調(diào)電容Ct可使晶體振蕩器的頻率產(chǎn)生微小變化取Ct,得到晶體振蕩器頻率的的最小值oscmaxfpfoscminfs；取Ct0,得到晶體振蕩器頻率的的最大值無論怎樣調(diào)節(jié)Ct,總有fsfoscfp,也就是說振蕩頻率總是介于晶體串聯(lián)諧振頻率與并聯(lián)諧振頻率之間。由于只有在并聯(lián)諧振頻率fP附近時，晶體的電抗頻率特性曲線較陡，斜率大，晶體才有很強的電抗補償能力，使晶體具有很高的頻率穩(wěn)定度。因此，Ct的取

29、值應較小。2）諧振回路與晶體管之間的耦合很弱，那么能否滿足振幅的起振條件呢？（這部分內(nèi)容了解即可）以Pierce電路為例。因為CtCi,CtC2,Ct是與Co數(shù)量級相同的小電容，分析接入系數(shù)時可將Ct并入CoCt的接入使晶體管的接入系數(shù)減小，即減弱了晶體管與石英晶體之間的耦合，有利于提高頻率穩(wěn)定度)，得圖544(c)所示的等效電路。(a)等效交流通路(b)等效諧振回路-ICE(c)求接入系數(shù)的簡化諧振回路圖544Pierce電路等效交流通路由第二章的學習我們知道，石英晶體諧振器的品質(zhì)因素Qq為QqqLqLqrqVLqCqrq1rqLqCq(5.5.9)石英晶體諧振器的特性阻抗C,石英晶體的并聯(lián)

30、諧振電阻RpRpLq4(5.5.10)由圖544(c)的c、e端看進去的諧振阻抗為2222.Rp(%)(%)Rp(%)(%)Qq(5.5.11)一一C2式中，nce丁不為振蕩管c、e端對回路C、b端的接入系CC2數(shù)；CqncbCCC為外電路對石英晶體諧振回的接入系C0CLCq數(shù)；其中ClCQCiC2ncb103104例：BA12型2.5MHz精密石英諧振器，其參數(shù)Lq19.5H,Cq2.1104pF,rq110,C05pFo假定振蕩管輸由端對諧振回路的接入系數(shù)nnce%b104,求與振蕩管相耦合的等效阻抗Rp。初2L6解Qq2.810rqF3.04108,CqRpQq8.51014pqRp(n

31、cb)2Qq8.5106()可見，由于石英晶體的Q、非常之大，Rp高達1010以上,盡管回路的接入系數(shù)只有萬分之一，Rp折合到晶體管輸由端的等效阻抗仍很大，完全可以保證晶體管增益滿足振幅起振條件。ii)密勒振蕩器圖545給由密勒振蕩器電路。Ub）等效振蕩回路問題：振蕩器的振蕩頻率fosc和Ll、Cl、回路的固有諧振頻率應滿足怎樣的關系，該電路才能產(chǎn)生振蕩？石英晶體諧振器連接在晶體管的b、e極之間。該電路實質(zhì)上是個雙回路振蕩電路，Li、Ci、是集電極回路元件，由于基極與發(fā)射極之間接入感性元件的晶體，根據(jù)相位平衡條件的判斷準則，Li、Ci、回路必須等效為感性。如何保證回路等效為感性？必須牢記這張圖

32、，必考!可變電容a作為集電極回路的調(diào)諧電容，必須使回路的固有諧振頻率f1滿足f1fosc,以確保諧振回路呈現(xiàn)感性。由于石英晶體諧振器連接在晶體管的b、e極之間，正向偏置時，發(fā)射結電阻很小，并接在諧振回路二端對其Q值影響很大，從而影響振蕩器的頻率穩(wěn)定度。鑒于此，密勒振蕩器通常不采用雙極型晶體管，而是用輸入阻抗很高的場效應管。如圖5-46所示。C2通常由極間電容Cgd構成，這樣構成電感三點式振蕩器。Cgd又稱為密勒電容。P00302圖5-46場效應管密勒振蕩器iii）并聯(lián)型泛音晶體振蕩器基音晶體的標稱頻率與晶體的厚度近似成反比關系。目前廣泛采用的AT切割型石英諧振器，當固有機械振蕩頻率（基頻）為1

33、.615MHz時，晶片厚度為1mm；當固有機械振蕩頻率（基頻）達15MHz時，晶片厚度為為0.08mm,即諧振頻率越高，晶體越薄，強力的機械振動會導致晶片的損壞，而且晶片越薄，加工越困難。采用泛音諧振模式，提高晶振電路的頻率為了提高晶振電路的頻率，多采用泛音諧振模式，使電路振蕩頻率工作在晶體的諧波（一般為3次到七次諧波）頻率上，泛音次數(shù)太高，晶體的性能也會顯著下降。解釋泛音，是指石英晶片振動的機械諧波。它與電氣諧波的主要區(qū)別在于：電氣諧波與基頻是整數(shù)倍的關系，且諧波和基波同時存在；而泛音是在基頻奇數(shù)倍附近，泛音晶體只有奇次泛音晶體，而無偶次泛音晶體，且基頻和奇次泛音不能共存。泛音晶體是一種特制

34、的晶體，例如JA12型。泛音晶體的使用，可使幾十兆赫基頻的晶片產(chǎn)生上百兆赫的穩(wěn)定振蕩。石英晶體工作于泛音時與基音晶振電路有些不同在泛音晶振電路中，所需泛音可能獲得的機械振動和相應的電振蕩均相對較弱，且對于較高的振蕩頻率，器件的放大能力和諧振阻抗都比較小。結論：基音和低次泛音會因滿足振蕩條件更易于起振。應采取什么措施有效地抑制基音和低次諧波的寄生振蕩，保證晶體振蕩器電路能準確地工作于所需要的奇次諧波上，而不是基波或其它諧波？1) 高次諧波的抑制正確的調(diào)節(jié)環(huán)路增益AF,使其在需要的諧波頻率上略大于1,滿足振幅起振條件，而在更高次的諧波頻率上都小于1,不滿足振幅起振條件。這樣可以有效地抑制不需要的高

35、次諧波。2) 抑制基波振蕩可采用圖547(a)給由的實際電路，Rbl氏2(a)實際電路圖5-47(b)給由泛音晶體振蕩器的等效交流電路,t(他K盡加)交流等效電路采取的措施:在三點式振蕩電路中，用選頻回路來代替某支路的電抗元件，使這一支路在基音和低次諧波頻率上呈現(xiàn)的電抗特性不滿足三點式振蕩器的組成法則，不能起振，而在所需要的諧波頻率上呈現(xiàn)電抗特性恰好滿足組成法則，符合起振條件而產(chǎn)生振蕩。泛音晶體振蕩電路與基音振蕩電路的不同：1）用電感L1和電容C1組成的并聯(lián)諧振回路代替了基音晶體振蕩器中的電容Cio（與只適用于產(chǎn)生基音振蕩的圖5-42（b）相比）2）這個諧振回路的固有諧振頻率必須設計在該電路所

36、需要的n次諧波和（n-2）次諧波之間。結果：對所需的其次泛音LiCi回路呈現(xiàn)容性，振蕩電路滿足三點式組成法則“射同基反”；而對于基頻和三次泛音頻率來說，LiCi回路呈現(xiàn)感性，振蕩電路不符合三點式組成法則，不能起振；7次及其以上泛音頻率上，LG回路雖然呈現(xiàn)容性，滿足“射同基反”的相位平衡條件，但LiCi對f7失諧嚴重，從而使電壓的放大倍數(shù)減小，環(huán)路增益AFi,不滿足振幅起振條件，不能產(chǎn)生振蕩。舉例：假設泛音晶振為5次泛音，標稱頻率為5MHz,基頻為1MHz,則L1C1回路必須調(diào)諧在513泛音之間。這樣在5MHz頻率上，LiCi回路呈現(xiàn)容性，振蕩電路滿足三點式組成法則“射同基反”，能夠起振，而在高

37、次泛音，因LiCi諧振回路失諧嚴重，AF1,不滿足振幅起振條件，不能產(chǎn)生振蕩。圖548LiCi回路的電抗特性1圖中LiCi諧振回路的固有諧振頻率為fi2c,且滿足f3fif5oLiCi對f3呈現(xiàn)感性，對f5呈現(xiàn)容性。2、串聯(lián)型晶體振蕩器定義：串聯(lián)型晶體振蕩器是將石英晶體串接于正反饋支路中，利用其串聯(lián)諧振時等效為短路元件的特性，使反饋電壓信號最強，滿足振幅起振條件，振蕩器在晶體串聯(lián)諧振頻率fs上起振。圖5-49串聯(lián)型晶體振蕩器的實際電路(a)實際電路(b)串聯(lián)型晶體振蕩器高頻等效交流電路RXe將石英晶體短路，它就是一個電容三點式振蕩器。1）當振蕩器的工作頻率foscfs時，晶體以很小的電阻rq接

38、通正反饋通路產(chǎn)生振蕩；2）當振蕩器的工作頻率偏離晶體串聯(lián)諧振頻率，即foscfs,晶體將呈現(xiàn)很大阻抗，使反饋電壓振幅減小，相移增大，不能滿足起振條件。結果：電路的振蕩頻率受到石英晶體諧振器控制，具有很高的頻率穩(wěn)定度。必須注意的問題：雖然串聯(lián)型晶體振蕩器的振蕩頻率fosc是由晶體諧振器的fs決定。其穩(wěn)定性也是由晶體諧振器決定，而不是由選頻網(wǎng)絡決定的。這并不意味著其選頻網(wǎng)絡LCiC2c3可取任何值。如果由這幾個元件決定的固有頻率fo與fs相差很大，則這個振蕩器不能起振。所以應該合理選擇LCiC2c3的數(shù)值，使其調(diào)諧在fs上或附近。同樣，可利用串聯(lián)型泛音晶體振蕩電路來提高振蕩頻率。圖550串聯(lián)型泛音晶體振蕩器的高頻等效交流電路。用電感L1和電容C1組成的并聯(lián)諧振回路代替圖5-49(b)所示基音晶體振蕩器中的電容C1和C3。工作原理與并聯(lián)型泛音晶體振蕩器相同，不再贅述。5. 5.4使用石英晶體諧振器時應注意的事項(了解一下，對設計晶振有幫助)(i)石英晶體諧振器上所標志的標稱頻率，負載電容Cl。并聯(lián)在石英晶體諧振器二端總的外部電容值，稱為晶體的負載電容。晶體上的標稱頻率都是成品由廠之前，在晶振兩端并接特定的負載電