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1、12 dBPPA21log103 LA/ LPP21log10光纖的損耗1310 nm : 0.30 0.5 dB/Km1550 nm : 0.2 0.3dB/Km850 nm : 2.3 3.4 dB/Km塑料多模光纖300dB/km光纖熔接點(diǎn)損耗:0.2dB/點(diǎn)光纖熔接點(diǎn) 1點(diǎn)/1km56發(fā) 射端光 纖接 收端q反映光信號(hào)損失的特性反映光信號(hào)損失的特性q限制了傳輸?shù)木嚯x限制了傳輸?shù)木嚯x光纖的衰減光纖的衰減8紫外吸收區(qū)吸收損耗 吸收衰減是由于光纖對(duì)光能的固有吸收并轉(zhuǎn)換成吸收衰減是由于光纖對(duì)光能的固有吸收并轉(zhuǎn)換成損耗引起。吸收損耗機(jī)理與光纖材料的共振有關(guān)。共損耗引起。吸收損耗機(jī)理與光纖材料的共
2、振有關(guān)。共振是指入射的光波使材料中的電子在不同能級(jí)之間或振是指入射的光波使材料中的電子在不同能級(jí)之間或原子在不同振動(dòng)態(tài)之間發(fā)生量子躍遷的現(xiàn)象。原子在不同振動(dòng)態(tài)之間發(fā)生量子躍遷的現(xiàn)象。10)/(12EEhc衰減的原因衰減的原因紅外吸收紅外吸收(IRIR)是光通過(guò))是光通過(guò)SiOSiO2 2構(gòu)成的石英玻構(gòu)成的石英玻璃時(shí)引起璃時(shí)引起SiOSiO2 2分子振動(dòng)共振分子振動(dòng)共振E EV V、外層電子躍遷、外層電子躍遷E Ee e、轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷、轉(zhuǎn)動(dòng)躍遷E Er r和轉(zhuǎn)換成動(dòng)能和轉(zhuǎn)換成動(dòng)能E Et t引起的光能被引起的光能被吸收現(xiàn)象,起主要作用的是吸收現(xiàn)象,起主要作用的是分子振動(dòng)共振分子振動(dòng)共振。13衰減的原
3、因15衰減的原因衰減的原因衰減的原因光纖制造中存在一種吸收損耗非常大的光纖制造中存在一種吸收損耗非常大的OHOH羥基吸收離羥基吸收離子,對(duì)低損耗光纖吸收峰值起著唯一決定性作用,子,對(duì)低損耗光纖吸收峰值起著唯一決定性作用,19202122232425262728293031323334BRRAe3536微彎的原因:微彎的原因: 光纖的生產(chǎn)過(guò)程中的帶來(lái)的不均;光纖的生產(chǎn)過(guò)程中的帶來(lái)的不均;成纜時(shí)受到壓力不均;成纜時(shí)受到壓力不均;使用過(guò)程中由于光纖各個(gè)部分熱脹冷縮的不同。使用過(guò)程中由于光纖各個(gè)部分熱脹冷縮的不同。導(dǎo)致的后果:造成能量輻射損耗導(dǎo)致的后果:造成能量輻射損耗高階模功率損耗高階模功率損耗低階模功率耦合到高階模低階模功率耦合
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