第十二章 硅和鍺的化學(xué)制備_第1頁(yè)
第十二章 硅和鍺的化學(xué)制備_第2頁(yè)
第十二章 硅和鍺的化學(xué)制備_第3頁(yè)
第十二章 硅和鍺的化學(xué)制備_第4頁(yè)
第十二章 硅和鍺的化學(xué)制備_第5頁(yè)
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0SLCKC0SeffLCKC0SLCKC 對(duì)確定的溶液系統(tǒng)，平衡分凝系數(shù) ko是常數(shù)，故有效分凝系數(shù) keff與晶體生長(zhǎng)速率f，溶質(zhì)在溶液中的擴(kuò)散系數(shù)D，邊界層厚度有關(guān)。而又和溶液的自然對(duì)流和攪拌有關(guān)。22/( )( )0LLfx Dd CxdCzDfdxdxdCAedx運(yùn)動(dòng)坐標(biāo)系中一維溶質(zhì)擴(kuò)散方程)exp()1 (DvkkkCCkoooLseff1231(初始區(qū)域)：由于ko1，熔區(qū)中溶質(zhì)濃度逐漸，直至CL/ko2(均勻區(qū)域)：進(jìn)入熔化材料與離開(kāi)熔區(qū)的濃度相等3(最后區(qū)域)：熔區(qū)長(zhǎng)度減小，使溶質(zhì)濃度上升（等價(jià)于溶質(zhì)保守系統(tǒng)的分凝）00SLdsC dxC dxC dxKC dx01 (1)KxlSCCK eLSVrrGrG23434031282VlsrGrrrdrGdVls*Gr2r23*)(316VlsrGrG*rGSiC:生長(zhǎng)卷線NaCl:蒸發(fā)卷線汽相生長(zhǎng)的汽相生長(zhǎng)的SiCSiC雙卷線雙卷線連續(xù)生長(zhǎng)置”任何位置都是“生長(zhǎng)位粗糙面位錯(cuò)機(jī)制：提供臺(tái)階生長(zhǎng)不連續(xù)扭折臺(tái)階二維成核奇異面

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