擴散前表面處理辦法

1、擴散前表面處理辦法化學清洗用主要設(shè)備的操作規(guī)程化學清洗用主要設(shè)備的操作規(guī)程（清洗機，甩干機）（清洗機，甩干機） 概述概述化學腐蝕液的配制化學腐蝕液的配制工藝過程和工藝條件（操作示范）工藝過程和工藝條件（操作示范）各化學清洗液的濃度檢測，調(diào)整各化學清洗液的濃度檢測，調(diào)整注意事項注意事項形成起伏不平的絨面，增加硅片對形成起伏不平的絨面，增加硅片對太陽光的吸收太陽光的吸收去除硅片表面的機械損傷層去除硅片表面的機械損傷層清除表面油污和金屬雜質(zhì)清除表面油污和金屬雜質(zhì)硅片表面處理的目的：硅片表面處理的目的：單晶硅多晶硅硅片機械損傷層（10微米）單晶硅片表面的金字塔狀絨面單晶硅片表面反射率九槽清洗機九槽清洗

2、機注：注：純水是電阻率為18Mcm的去離子水九槽清洗機九槽清洗機超聲波清洗超聲波清洗單晶硅片的表面油污比較嚴重，需要在60清洗劑的水溶液中，利用超聲波震蕩清洗15分鐘。2322H2SiONaOHNaOH2Si 熱的熱的NaOH溶液去除硅片表面機械損傷層：溶液去除硅片表面機械損傷層： HF去除硅片表面氧化層：去除硅片表面氧化層：OH2SiFHHF6SiO2622 HCl去除硅片表面金屬雜質(zhì)：去除硅片表面金屬雜質(zhì)： 鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金屬離子形成可溶于水的絡(luò)合物。 各槽設(shè)定時間（分鐘）各槽設(shè)定時間（分鐘）

3、注：單晶硅制絨過程中，3號槽須用蓋子密封，減少乙醇的揮發(fā)。 滴定管是滴定時準確測量溶液體積的容器，分酸式和堿式兩種。酸式滴定管的下部帶有磨口玻璃活塞，用于裝酸性、氧化性、稀鹽類溶液；堿式滴定管的下端用橡皮管連接一個帶尖嘴的小玻璃管，橡皮管內(nèi)有一玻璃球，以控制溶液的流出速度。NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOHV NaOH ： M HClV HClHClHClNaOHNaOHVMVM5 .3640其中M HCl已知，V NaOH=10毫升，V HCl通過測量可知，則未知的氫氧化鈉溶液濃度M NaOH可以由計算得到。M NaOH=0.11M HClV H

4、Cl（克/升） NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOH V NaOH ： M HClV HClHClHClNaOHNaOHVMVM5 .3640其中M NaOH已知為80克/升，V HCl=10毫升， V NaOH通過測量可知，則未知的鹽酸溶液濃度M HCl可以由計算得到。M HCl = 7.3V NaOHNaOH + HF = NaF + H2O 40 ： 20 M NaOHV NaOH ： M HFV HFHFHFNaOHNaOHVMVM2040其中M NaOH = 80克/升，V HF = 10 ml，V NaOH通過測量可知，則未知的氫氟酸溶液濃度M HF可以由計算得到。M HF = 4V NaOH（克/升） NaOH、HCl、HF都是強腐蝕性的化學藥品，其固體顆粒、溶液、蒸汽會傷害到人的皮膚、眼睛、呼吸道，所