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文檔簡介
1、Get device SpecJudge whether device spec is reasonable Y/NYNModify device SpecDevice Key Sizes DecisionKey Process/Device ConditionOthersStartMeet Target Y/NStopYNAccept Y/NNYChannel length(L)/width(W);L: short channel effect and device reliability;W: narrow width effect LDD implant: for punch throu
2、gh and optimize HCI performance; Hallo/pocket implant for rolling-off and punch throughS/D: Xj(0.3um) and Na/Nd(1e20cm-3)Well: drive in well or retrograde well;Field implant: Field MOS VT adjust;APT : Against Punch through, but induce reverse short channel(TED) Gate oxide: for operation voltage and
3、reliabilityIsolation (junction breakdown & punch-through) or Field MOSDevice and process reliabilityOptimizationCMOS Device Design)R*I-)(VV(VCLWIdsddsthgsoxeffeffeffdsdchdsthgsoxefftotRRR)V(VCW)-(WL)-(LR1/2RdsDG1/2RdsSRchIdB影響：影響： 熱載流子被熱載流子被SiO2中電激活的陷阱俘獲，中電激活的陷阱俘獲，Qot改變，改變，Qit產(chǎn)生，增加庫倫散射，產(chǎn)生，增加庫倫散射，下降；使得下降；使得Vth升高，升高，gm降低，降低，S增大，增大，Idlin降低，降低，Idsat降低；降低； 高碰撞電離產(chǎn)生的高碰撞電離產(chǎn)生的Isub電流在流經(jīng)襯底電阻，其壓電流在流經(jīng)襯底電阻，其壓降降0.6v,源襯結(jié)正偏，載流子注入源襯結(jié)正偏，載流子注入snapback現(xiàn)象現(xiàn)象優(yōu)化方
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