s微電子學(xué)與固體電子學(xué)_glsi多層銅布線cmp銅膜厚度均勻性研究

1、： 類分號(hào) 級(jí)：密U D C： 號(hào)編： I S線L布G銅層究多研性勻P均M度C厚膜銅尹康達(dá)王勝利教授河北工業(yè)大學(xué)師 導(dǎo)指教微電子學(xué)與固體電子學(xué)別：位級(jí)請(qǐng)申學(xué)： 名稱專業(yè)科學(xué)、期：交日提2102年11 月 期：辯日答2102年21 月：河北工業(yè)大學(xué)予 位學(xué)授員會(huì)辯答委： 評(píng)閱 ：人2102年21 月si sedhetTti mbuSoti ebytei sHr evi n U ygol onfhoce Tr oferheTt sa Meer ge Df osci nort cel eor ci Mdnadil oSsectiant oSrt cel EHCRAES ERRENPOPSOSCENK

2、CI HTYTI MROFI NUNPSISMECORPDETCENNOCRETNIREFYIOASLIGTLU MGNI RWIREPP OCy BnaidYgna K:r osi vr epuS.f or Pgna iWl gnehSreb mece D0221si h Tkrdoetrwoppust ynabterhotp mI l anoit a N ecnei c Sygol onhc&e Tcifi cepSst cej or Pf loanoait anmui de mo-tgnolmr etmar gor pcirfiotfnei csdnal aci gol onhc

3、et .t ne mpol eved. 80320.XoZN9002河北工業(yè)大學(xué)I S線L布G銅層究多研性勻P均M度C厚膜銅摘 要隨著器件集成度的不斷增加，布線層數(shù)已達(dá)到了十層以上，因此，保證銅布線過程中表面的高平整是非常關(guān)鍵的?；瘜W(xué)機(jī)械拋光P（MC）是實(shí)現(xiàn)全局平坦化的唯一技術(shù)。晶圓在不斷增大，保證P MC過程中的均勻性是保證 良率的關(guān)鍵。力動(dòng)械機(jī)，學(xué)究化研從的文入本深了行進(jìn)理機(jī)性勻均和除去P M料C材的中P MC要主的堿性拋光液采取以絡(luò)合與胺化為主的技術(shù)路線，可以實(shí)現(xiàn)低機(jī)械強(qiáng)度下的高去實(shí)的量大過通并目標(biāo)O/ 。AF除速率，本文重點(diǎn)研P究MC過程中的化學(xué)作用對(duì)速率及均勻性的影響。首先進(jìn)行了拋光

4、液各成分對(duì)去除速率影響的正交試驗(yàn)，來探索各成分對(duì)速率的影響規(guī)均度厚膜銅對(duì)面方個(gè)三從后然P M。C究研的以除去P M料C材的中拋握掌而從，律：究研行進(jìn)性勻及平坦化機(jī)理，對(duì)今后的理論和實(shí)驗(yàn)研究有很好的指導(dǎo)作用。通過研究取得了以下成果：P1、MC過程中絡(luò)合作用與氧化作用對(duì)材料去除的貢獻(xiàn)最大，當(dāng)氧化劑含量較高時(shí)，為絡(luò)合作用控制過程；當(dāng)氧化劑含量較低時(shí)，為氧化作用控制以可此因。程過從2、化學(xué)機(jī)械動(dòng)力學(xué)角度提出了堿性拋光液實(shí)現(xiàn)平坦化的機(jī)理，并得出適當(dāng)提高氧化劑含量可以提高拋光液的平坦化能力，有效消除臺(tái)階，提高局部均勻性。很好的解釋了去除速率和平坦化能力兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)之間的，并且提出了通過去除速率對(duì) 和溫度的

5、敏感性來坦平的液光拋、對(duì)小大的獻(xiàn)貢用作學(xué)化對(duì)遞傳量質(zhì)與度溫從3、化學(xué)作用中溫度分布與質(zhì)量傳遞之間的補(bǔ)償、機(jī)械作用分布與化學(xué)作用分布之間的補(bǔ)償角度P對(duì)MC過程的全局均勻性進(jìn)行研究，提出了提高全局均勻性的方法。4、影響片間均勻性的主要是雙氧水在堿性條件下的不穩(wěn)定性，對(duì)雙氧水在堿性拋光液中的反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了研究。：化學(xué)機(jī)械拋光，化學(xué)機(jī)械動(dòng)力學(xué)，均勻性，堿性拋光液，去除速率，平坦化能力，補(bǔ)償iGLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究RESEARCH ON COPPER THICKNESS UNIFORMITYIN CMP PROCESS OF GLSI MULTILAYER COPPER INTE

6、RCONNECTED WIRINGABSTRACTWith the increase of the device integration level, the wiring layers have reached more than ten. Therefore, it is very critical to ensure the high flatness of the surface in the wiring process. Chemical mechanical polishing (CMP) is the unique technology to achieve global pl

7、anarization. The wafer size is increasing, so ensuring the uniformity in the CMP process is the key to ensure the yield of products.In this paper, the mechanism of material removal and uniformity were deeply researched from the perspective of chemical mechanical kinetics, which was verified through

8、plenty of experiments. To achieve high material removal rate and flat surface was the goal of CMP. The alkaline slurry adopted the way of complexation and amination, which could achieve high removal rate under low mechanical strength. Thus, the impact of chemical reaction on the removal rate and uni

9、formity was mainly researched in the CMP process.Firstly, the orthogonal experiment of the impact of slurry components on the removal rate was conducted, through which the impact law of slurry components on the removal rate was explored. So the properties of slurry could be grasped, which could guid

10、e the research of copper pattern wafer CMP process. Then the copper film uniformity was researched through the following three aspects: local uniformity, global uniformity and wafer-to-wafer uniformity. And the mechanism of material removal and planarization was proposed, which was a good guide for

11、future theoretical and experimental research.Achievements obtained in the research were as follows: 1. Complexation and oxidation of the CMP made the largest contribution to the material removal in the CMP process. When the oxidant concentration was higher, the complexation was the control process;

12、when the oxidant concentration was lower, the oxidation was the control process. Therefore the control of the removal rate was achieved by adjusting the concentration ratio of chelating agent and oxidizing agent. 2. The mechanism of planarization was proposed from the perspective of chemicalmechanic

13、al kinetics. We concluded that the planarization capability was strengthened while theii河北工業(yè)大學(xué)concentration of oxidizing agent was increased, by which the step height was eliminated and the local uniformity was improved. The relationship between the two key parameters of the removal rate and planari

14、zation capability was well explained. And the method of evaluating the planarization capability of slurry through pressure sensitivity and temperature sensitivity of the removal rate was proposed. 3. The CMP global uniformity was researched from the following three aspects: the contribution of tempe

15、rature and mass transfer to the chemical reaction, the compensation of temperature distribution and mass transfer, and the compensation of mechanical function distribution and chemical function distribution. And the method of improving global uniformity was proposed. 4. The instability of hydrogen p

16、eroxide in alkaline condition was the main factor which influenced the wafer-to-wafer uniformity. Thus, the reaction mechanism ofhydrogen peroxide in alkaline slurry was researched.KEYWORDS: chemical mechanical polishing, chemical mechanicalalkaline slurry, removal rate, planarization capability, co

17、mpensationkinetics,uniformity,iiiGLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究iv河北工業(yè)大學(xué)目錄第一章 緒論1§1-1 集成電路發(fā)展及制造工藝概述11-1-1 集成電路發(fā)展現(xiàn)狀11-1-2 集成電路制造工藝概述3的31-1-3 集成電路制造技術(shù)§1-2 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)介紹41-2-1 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的發(fā)展41-2-2 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的原理51-2-3 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備與耗材簡(jiǎn)介51-2-4 銅布線制造工藝與化學(xué)機(jī)械拋光的應(yīng)用6§1-3 CMP 膜厚均勻性研究與現(xiàn)狀分析71-3-1 CMP 膜厚均勻性簡(jiǎn)介71-3-2 CMP

18、 均勻性研究現(xiàn)狀8§1-4 課題研究目的及主要內(nèi)容9第二章 銅布線 CMP 及均勻性機(jī)理研究10§2-1 銅的性質(zhì)10§2-2 銅布線堿性拋光液簡(jiǎn)介10§2-3 銅布線 CMP 均勻性機(jī)理研究142-3-1 CMP 中銅去除機(jī)理研究142-3-2 銅布線 CMP 均勻性機(jī)理研究15§2-4 本章小結(jié)16第三章 銅布線 CMP 設(shè)備及檢測(cè)設(shè)備17第四章 銅 CMP 去除速率實(shí)驗(yàn)研究19§4-1 速率可控的重要性19§4-2 速率正交試驗(yàn)19§4-3 本章小結(jié)23第五章 銅布線 CMP 均勻性實(shí)驗(yàn)研究24§5

19、-1 局部均勻性實(shí)驗(yàn)24§5-2 全局均勻性實(shí)驗(yàn)295-2-1 溫度與質(zhì)量傳遞對(duì)全局均勻性的影響295-2-2 拋光工藝對(duì)全局均勻性的影響31§5-3 片間均勻性實(shí)驗(yàn)32§5-4 本章小結(jié)33vGLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究第六章 結(jié)論與創(chuàng)新性成果35參考文獻(xiàn)36致謝40攻讀學(xué)位期間所取得的相關(guān)科研成果41vi河北工業(yè)大學(xué)符號(hào)說明R-Preston 方程中的拋光速率，Å/min。K-Preston 系數(shù)。P-拋光片所承受的，psi。V-拋光墊與拋光片的相對(duì)轉(zhuǎn)速，rpm。VRR-銅的去除速率，Å/min。t-拋光時(shí)間，min。T-

20、環(huán)境溫度，。viiGLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究viii河北工業(yè)大學(xué)第一章 緒論§1-1 集成電路發(fā)展及制造工藝概述1-1-1 集成電路發(fā)展現(xiàn)狀隨著科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的飛速發(fā)展，集成電路制造技術(shù)已廣泛應(yīng)用于人們的生產(chǎn)和生活當(dāng)中，成為微電子行業(yè)的技術(shù)，并帶動(dòng)了其他支柱產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。集成電路技術(shù)的不斷進(jìn)步，使得電子元器件向大規(guī)模、微細(xì)化方向發(fā)展，集成電路制造技術(shù)已經(jīng)成為競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)1-3。根據(jù)摩爾定律，摩爾定律指出，每三年器件科技和經(jīng)濟(jì)實(shí)力的標(biāo)志，日益成為世界強(qiáng)國(guó)經(jīng)濟(jì)縮小 2/3，面積增加 1.5 倍，集成度翻兩番，這就要求線條寬度不斷減小，布線層數(shù)不斷增加。如圖 1.1 所示，近

21、 20 年來，集成電路密度已飛速增長(zhǎng)，同時(shí)成本在不斷降低，動(dòng)態(tài)隨機(jī)器每比特位的價(jià)格每年下降 27%，并且將來 65nm 及以下技術(shù)不斷縮小4-9。節(jié)點(diǎn)仍會(huì)保持這一趨勢(shì)。光刻和圖形布線領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，使器件的圖 1.1和邏輯器件發(fā)展趨勢(shì)Fig.1.1 Trends in memory and logic devices隨著集成電路向著大規(guī)模、微細(xì)化方向發(fā)展，鋁布線會(huì)因電遷移而失效。由于銅的抗電遷移特性強(qiáng)， 電阻率低，信號(hào)延遲小，在極大規(guī)模集成電路銅布線中已逐步取代鋁10。但銅膜無法用刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，因此使用大馬士革工藝形成銅互連。大馬士革工藝首先是在硅襯底上淀積介質(zhì)層，然后平坦 化，再光刻

22、圖形。為金屬連線和通孔刻蝕溝槽和孔，然后將金屬電鍍到溝槽上，最后進(jìn)行平坦化到介質(zhì)層，形成銅互連11。大馬士革結(jié)構(gòu)如圖1.2所示1GLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究圖1.2 大馬士革銅互連結(jié)構(gòu)Fig.1.2 Structure of damascene copper interconnects1997 年 IBM 用大馬士革工藝制成了第一個(gè) copper chip，銅已經(jīng)開始取代鋁和鎢，成為互連線的主要材料12。如圖 1.3 所示，在亞 0.5 微米特征互連線結(jié)構(gòu)中，RC 時(shí)間延遲會(huì)有顯著的增加13-14。從兩層金屬布線開始，布線層數(shù)在 2001 年已增加到 8 層。多層金屬互連技術(shù)

23、的未來趨勢(shì)如圖 1.4 所示4圖 1.3 時(shí)間延遲與特征的關(guān)系Fig.1.3 The relationship between Delay time and feature size圖 1.4 金屬互連發(fā)展趨勢(shì)Fig.1.4 The trends in metal interconnects現(xiàn)在，集成電路制造技術(shù)發(fā)展到了一個(gè)新時(shí)期，隨著柵極線寬（即特征）的不斷減小，對(duì)相關(guān)材料和工藝的要求越來越高。指出在 6 年后，集成電路上一個(gè)柵長(zhǎng)將只有幾個(gè)納米，這意味著2河北工業(yè)大學(xué)集成電路制造技術(shù)的發(fā)展將到物理規(guī)律的極限和技術(shù)、材料以及傳統(tǒng)理論方面的限制。針對(duì)這些問題， 按照集成電路發(fā)展的摩爾定律和等比例

24、縮小定律15-16，科研者必須提升材料的物理性質(zhì)和工藝能力。高 K 金屬柵極和超微細(xì)光刻等集成電路技術(shù)的出現(xiàn)，和工藝的提升，為集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步開創(chuàng)了新途徑，集成電路制造技術(shù)也在向著多模式改變。1-1-2 集成電路制造工藝概述IC 制造技術(shù)是微電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵，IC 制造技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致了極大規(guī)模集成電路的誕生。1952 年， 科學(xué)家 G. W. A. Dummer 首次提出了設(shè)計(jì)集成電路的構(gòu)想。1958 年以德州儀器的科學(xué)家 Clair Kilby 為首的科研小組設(shè)計(jì)并且研制出了第一塊集成電路，于 1959 年向世界公布了這一結(jié)果。IC 制造分 4 個(gè)不同的階段：材料準(zhǔn)備、晶體生長(zhǎng)與晶圓準(zhǔn)

25、備、 制造以及封裝。集成電路工藝的分類如下：（1）前工序：指從原始的晶片到最終測(cè)試前的所有工序，包括：圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)：包括光刻、刻蝕等。薄膜：包括外延、氧化、PVD 、CVD。摻雜技術(shù)：包括離子注入、擴(kuò)散等。（2） 后工序：指最終測(cè)試直至集成電路出廠的工序，包括:劃片、封裝、測(cè)試、篩選等。（3） 輔助工序：保證前后工序能夠順利進(jìn)行的輔助工藝。包括:超凈廠房、高純氣體、超純水等。CMOS 集成電路工藝流程如圖 1.5 所示圖 1.5 CMOS 工藝Fig.1.5 The CMOS process1-1-3 集成電路制造技術(shù)（1）大直徑硅的通常用的硅單晶片直徑已到 200mm，300mm 的硅單晶片

26、也已大規(guī)模量產(chǎn)。美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)硅單晶片作出了估計(jì)：在 22×22mm 的區(qū)域里局部平整度必須達(dá)到 0.23um，在 1um 以上的顆粒物必須3GLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究要控制在每平方厘米小于 0.2 個(gè)，表面微粗糙度應(yīng)為 0.2nm；晶體內(nèi)重金屬等雜質(zhì)的含量必須大幅度降低；硅晶片少數(shù)載流子復(fù)合和產(chǎn)生的為 500us 和 2000us；單晶中的位錯(cuò)要消除。200mm 的硅單晶片已經(jīng)滿足了器件加工的要求。但隨著硅片的不斷增大，如何控制 400mm 晶片上的點(diǎn)缺陷是一個(gè)很大的。單晶增加會(huì)使成本增加，如：200mm 的單晶片，0.25$/cm2，而 300mm 的單晶片

27、，1.21$/cm2，那么，未來 400mm 的單晶片，成本也將大幅度增加。（2） 光刻光刻在微電子制造技術(shù)中是非常關(guān)鍵的。目前，0.13um 光刻仍采用 193nm 光學(xué)光源，而 90nm、50nm 以至 20nm 的線寬對(duì)光刻技術(shù)和光源的要求會(huì)更高17。（3） 制造工藝當(dāng)器件的特征縮小到 0.1um 時(shí)，開始逼近傳統(tǒng)半導(dǎo)體物理的極限。隨柵氧化層的不斷減薄，傳統(tǒng)的 SiO2 柵氧化層難以保證器件性能。因此，超薄柵氧化層是工藝領(lǐng)域的熱門課題；當(dāng)器件特征縮小時(shí)，MOSFET 源漏的垂向也會(huì)縮小，來減小溝道效應(yīng)影響，提高制造工藝也變得很重要。特征。此外， 多層布線§1-2 化學(xué)機(jī)械拋光技

28、術(shù)介紹1-2-1 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的發(fā)展近年來，隨著極大規(guī)模集成電路趨于高速化、高集成化和高性能化，對(duì)于平坦化技術(shù)的要求不斷提 高。在實(shí)現(xiàn)多層布線立體結(jié)構(gòu)中，獲得高平坦的表面形貌非常關(guān)鍵。銅互連和低 K 材料的引入，以及大馬士革鑲嵌工藝的應(yīng)用，使得多種材料在同一平面實(shí)現(xiàn)平坦化的難度越來越大。采用低 K 材料，可以降低 RC 互連延遲，但是造成了絕緣層介質(zhì)抗機(jī)械強(qiáng)度的降低，因此如何實(shí)現(xiàn)低壓下銅互連全局平坦化，消除低 K 介質(zhì)膜層劃傷和剝離，已成為國(guó)際亟待攻克的技術(shù)難題。光技術(shù)（CMP）產(chǎn)生并快速發(fā)展18-19?；瘜W(xué)機(jī)械拋光技術(shù)是由 IBM 公司提出來的20-22，隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，化學(xué)機(jī)

29、械拋光已成為深亞微米集成電路制造中實(shí)現(xiàn)全局平坦化的唯一方法，并帶動(dòng)了半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展?，F(xiàn)代半導(dǎo)體邏輯和器件制作都需要化學(xué)機(jī)械拋光來實(shí)現(xiàn)多層互連。在器件整個(gè)制程中，每個(gè)硅著諸多，化學(xué)機(jī)械拋晶元都需要 15 步或的化學(xué)機(jī)械拋光過程?；瘜W(xué)機(jī)械拋光技術(shù)在集成電路制造中得到了廣泛的應(yīng)用，可以用來在前道加工工藝(FEOL：front end of process)中生產(chǎn)電子元器件；在后道加工工藝(BEOL：backend of process)中產(chǎn)生通路、層間介電質(zhì)和封裝等，如圖 1.6 所示，隨著特征的不斷減小，CMP 步驟明顯增加。隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的應(yīng)用已從介電質(zhì)平坦化擴(kuò)展到

30、鑲嵌金屬鎢CMP、鑲嵌鋁 CMP、鑲嵌銅 CMP 及多晶硅 CMP 等集成電路制造工藝23-24?，F(xiàn)在，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)已經(jīng)成為 IC 制造中實(shí)現(xiàn)全局平坦化的唯一技術(shù)，隨著微電子的不斷進(jìn)步，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)也會(huì)應(yīng)用到其他表面加工領(lǐng)域中。4河北工業(yè)大學(xué)圖 1.6 CMP 步驟隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)的變化Fig.1.6 Variation of CMP process steps at different technology nodes1-2-2 化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的原理化學(xué)機(jī)械拋光是機(jī)械研磨和化學(xué)腐蝕結(jié)合在一起平坦化技術(shù)25?；瘜W(xué)作用可以減少由單純機(jī)械作 用造成的物理損傷，保證研磨表面的光潔度；而機(jī)械作用又

31、能保證拋光一致性、平整度和高速率。所以二者結(jié)合在一起提供了一種最佳的平坦化方法。如圖 1.7 所示，在 CMP 過程中，晶圓被壓在一個(gè)旋轉(zhuǎn)地拋光墊上26，通過拋光液的化學(xué)作用以及磨料和拋光墊的機(jī)械作用相協(xié)調(diào)，來實(shí)現(xiàn)晶圓的平坦化。在 旋轉(zhuǎn)研磨的同時(shí)，需要通過自動(dòng)加入系統(tǒng)提供拋光液，確保在研磨過程中拋光墊上的拋光液分布均勻。CMP 過程中，拋光液中的納米磨料均勻分布在晶圓和拋光墊之間，成為了傳遞能量的載體，拋光液中的絡(luò)合劑和氧化劑可以與拋光材質(zhì)產(chǎn)生化學(xué)作用，產(chǎn)物為可溶物質(zhì)，并隨著旋轉(zhuǎn)和拋光液的而在機(jī)械作用和化學(xué)作用相互協(xié)調(diào)下，實(shí)現(xiàn)材料的高效去除。帶走，從圖 1.7 CMP 過程示意圖Fig.1.7

32、 Schematic digram of the CMP process1-2-3 化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備與耗材簡(jiǎn)介CMP 是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)表面平坦化重要工藝過程，CMP 工藝設(shè)備及耗材包括：拋光機(jī)、拋光墊、拋光液、終點(diǎn)測(cè)試、工藝控制設(shè)備、拋光后設(shè)備、拋光液提供系統(tǒng)、以及測(cè)量設(shè)備等27。其中，拋光液和拋光墊等耗材用量非常大，拋光液的消耗量接近 50%28。CMP 系統(tǒng)組成如圖 1.8 所示5GLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究圖 1.8 CMP 系統(tǒng)Fig.1.8 CMP systemCMP 設(shè)備及耗材簡(jiǎn)介：（1）拋光機(jī)CMP 拋光設(shè)備（拋光機(jī)）主要有兩種：旋轉(zhuǎn)式和直線型。供應(yīng)商主

33、要有：法國(guó) Alpsitec 公司、美商應(yīng)用材料（Applied Materials）、荏原（Ebra）、Speedfam-IPEC 和 Strabaugh 等。當(dāng)前，市場(chǎng)占有率最高的拋光機(jī)為 Applied Materials 和 Ebra 公司生產(chǎn)的旋拋光設(shè)備。另外，目前應(yīng)用的還有Novellus 軌道式拋光機(jī)和 LamResearch 直線型拋光機(jī)29-31。隨著特征的不斷減小，對(duì) CMP 設(shè)備要求越來越高，設(shè)備集成、自動(dòng)、干進(jìn)干出、終點(diǎn)測(cè)試已成為 CMP 設(shè)備的主流。（2）拋光墊拋光墊是 CMP 主要耗材之一，根據(jù)拋光墊的材質(zhì)不同，可以分為軟墊和硬墊兩種33。拋光時(shí)， 使用較軟拋光墊可

34、以使拋光表面光滑，減少劃痕。但軟墊在加壓過程中容易發(fā)生形變，不易獲得 較好的平坦化效果；若使用硬質(zhì)拋光墊，可以大大降低凹陷處材料的去除，有利于消除晶圓表面的臺(tái) 階，提高平坦化效率，但硬質(zhì)拋光墊硬度很高，會(huì)增大表面粗糙度34-35。因此，根據(jù)拋光工藝和拋光片 材質(zhì)的不同，應(yīng)選取不同的拋光墊。（3）拋光液拋光液是 CMP 制程中最主要的耗材。集成電路制造過程中包括幾十道 CMP 工序，要消耗大量的拋光液，因此拋光液的性能與可靠性也是集成電路制造的關(guān)鍵因一。根據(jù)拋光材料和拋光工藝的不同，所選用的拋光液也有所不同。如硅、氧化硅、銅、阻擋層、藍(lán)寶石等都需要相應(yīng)的拋光液。根 據(jù)pH 值不同，拋光液可以分為

35、酸性和堿性兩種。目前國(guó)際主流拋光液為酸性拋光液，最具代表性的就是美國(guó)Cabot 公司生產(chǎn)的酸性拋光液。一般拋光液的組成包括：磨料、絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑、表面活性劑、氧化劑等。每個(gè)成分都有各自 獨(dú)特的作用，并在 CMP 動(dòng)態(tài)條件下有機(jī)的結(jié)合在一起，實(shí)現(xiàn)材料的柔和去除，獲得光滑平整的表面。拋光液在化學(xué)機(jī)械拋光制程中用量很大，隨著集成電路制造領(lǐng)域的不斷進(jìn)步，拋光液的市場(chǎng)也充滿了激 烈的競(jìng)爭(zhēng)。1-2-4 銅布線制造工藝與化學(xué)機(jī)械拋光的應(yīng)用根據(jù)摩爾定律，器件集成度不斷提高，特征不斷減小，這就要求柵極線寬越來越細(xì)。隨著技術(shù)6河北工業(yè)大學(xué)的不斷進(jìn)步，銅已逐步取代鋁成為互連線的主要材料，并采用大馬士革工藝實(shí)現(xiàn)銅

36、互連。隨著集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步，要求在更小的面積上集成的器件，為了使器件間互連線不出現(xiàn)交疊，多層布線立體結(jié)構(gòu)隨之產(chǎn)生36，化學(xué)機(jī)械拋光是實(shí)現(xiàn)多層布線的關(guān)鍵工藝。在銅互連工藝中，首先要在介質(zhì)上刻蝕溝槽和通孔，因此在電鍍之后，表面會(huì)出現(xiàn)高低起伏的臺(tái)階， 此時(shí)就需要通過化學(xué)機(jī)械拋光來消除這些臺(tái)階并去除多余的銅膜和阻擋層材料。在銅互連 CMP 中，涉及到了銅、鉭/氮化鉭阻擋層、氧化絕緣層以及低 k 介質(zhì)等多種材料的去除，需要多個(gè)拋光步驟和多種拋光液以及復(fù)雜的拋光工藝才能實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，因此銅互連 CMP 是一個(gè)非常復(fù)雜的工藝，在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光液化學(xué)成分、設(shè)備條件和工藝參數(shù)的變化都會(huì)影響拋光的結(jié)果

37、37。目前，對(duì)于銅布線 CMP 制程大多采用三步拋光工藝38-39：第一步，大量銅的去除以及高平坦化的過程。此時(shí)主要是對(duì)銅這種單一材料進(jìn)行拋光，要求較高的 拋光速率，并且對(duì)凹陷處銅具有較好的保護(hù)能力，這就需要拋光液具有較好的性能。第二步，金屬鉭阻擋層上少量殘余銅的去除。此時(shí)需要較低的拋光速率進(jìn)行精拋光，并通過終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)，使研磨終點(diǎn)停在阻擋層上。銅精拋液不需要高速率，但對(duì)銅鉭速率選擇性要求較高，最好鉭速率趨于零。因?yàn)殂~互連結(jié)構(gòu)中，阻擋層很薄，一旦過拋，就會(huì)對(duì)下層的介質(zhì)造成破壞，影響器件性能。精拋液還應(yīng)具有較好的飽和特性，即在過拋時(shí)，溝槽里邊的銅線條有過多損失，從而保證導(dǎo)線的可靠性。第三步，阻擋

38、層和氧化層 TEOS 的去除。拋光過程中會(huì)對(duì)銅、阻擋層、氧化層多種材料同時(shí)拋光，而且最終研磨終點(diǎn)要停在低 k 介質(zhì)(一般為 BD)上，因此要求阻擋層拋光液要對(duì)多種材料具有很好的選擇性：銅速率要低、阻擋層和氧化層TEOS 速率要高、低k 介質(zhì) BD 速率趨于零。在銅布線 CMP 過程中，碟形坑和侵蝕的產(chǎn)生是世界性的難題。因?yàn)樵谘心ミ^程中要對(duì)多種材料同時(shí)拋光，速率不同導(dǎo)致碟形坑和侵蝕的產(chǎn)生。而且還會(huì)產(chǎn)生很多缺陷，例如：線條腐蝕、劃傷、銅殘余、介質(zhì)損傷等，這些對(duì)器件的危害很大，甚至直接導(dǎo)致器件失效。因此，如何避免這些缺陷的產(chǎn)生也是銅CMP 亟待解決的問題。§1-3 CMP 膜厚均勻性研究與

39、現(xiàn)狀分析1-3-1 CMP 膜厚均勻性簡(jiǎn)介銅膜厚度均勻性是 CMP 中一個(gè)很重要的參數(shù)40?；瘜W(xué)機(jī)械拋光的目標(biāo)就是要實(shí)現(xiàn)高平整、平滑的表面，如果表面銅膜厚度均勻性不好，會(huì)對(duì)集成電路制造后續(xù)制程有很大的影響。如在多層布線結(jié)構(gòu)中，每一層的不平整度都會(huì)積累下來，從而對(duì)上面幾層進(jìn)行光刻時(shí)不能滿足淺焦深的要求，導(dǎo)致光刻時(shí)分辨率不理想。此外，假如基片的表面平整度不夠，會(huì)增加后續(xù)金屬沉積和刻蝕等工藝的難度。銅膜厚度均勻性可以從三個(gè)方面來進(jìn)行研究：局部均勻性、全局均勻性和片間均勻性，其中局部均勻性和全局均勻性為片內(nèi)均勻性。（1）局部均勻性銅布線晶圓片在拋光之前，表面會(huì)有高低起伏的表面形貌，體現(xiàn)在局部位置，就是

40、由于銅電鍍時(shí)形 成的臺(tái)階高低差。CMP 的一個(gè)很重要的目的就是要消除這些臺(tái)階，從而提高表面的局部均勻性。如果在第一步拋光階段對(duì)這些臺(tái)階的去除量不夠，那么會(huì)增加銅精拋和阻擋層拋光的負(fù)擔(dān)，容易導(dǎo)致最后碟7GLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究形坑的增大，使銅線條變薄，降低器件的可靠性；碟形坑增大，還可能導(dǎo)致下一層的銅殘余現(xiàn)象，引起短路和介質(zhì)導(dǎo)通，影響拋光效果和器件性能。因此，消除表面臺(tái)階高低差，提高局部均勻性尤為重要， 是銅布線CMP 首要解決的難題。（2）全局均勻性銅膜厚度全局均勻性是指在 CMP 之后，銅布線晶圓表面整體銅膜厚度是否一致，是否出現(xiàn)大面積的過拋或拋光不足等現(xiàn)象。要保證 C

41、MP 之后的全局均勻性，就要確保 CMP 過程中，晶圓表面各位置的拋光速率要一致，即要保證拋光速率均勻性。如果全局均勻性不好，在銅拋光時(shí)，晶圓表面各位置到達(dá)研磨終點(diǎn)的時(shí)間不一致，速率較快的地方會(huì)先到理論上的研磨終點(diǎn)，但由于此時(shí)其它位置還有大量的銅沒有去除，終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)并使研磨終止，此時(shí)出現(xiàn)嚴(yán)重的過拋現(xiàn)象，使碟形坑變深，甚至將銅線條磨斷；而研磨不足的地方會(huì)有大量的銅殘余現(xiàn)象，使線條短路，介質(zhì)導(dǎo)通，器件嚴(yán)重失效。因此，保證拋光速率的全局均勻性是很重要的。（3）片間均勻性CMP 片間均勻性是指在不改變拋光液和拋光工藝時(shí)，進(jìn)行重復(fù)拋光過程，檢測(cè)每次拋光速率之間的均勻性。片間均勻性可以用來檢測(cè)拋光液的以

42、及拋光工藝和設(shè)備的穩(wěn)定性。如果片間均勻性不好，則在集成電路生產(chǎn)過程中就不能保證生產(chǎn)的同一批次全部合格，嚴(yán)重影響良率。因此，在進(jìn)行量產(chǎn)之前，必須要保證拋光液、工藝和設(shè)備的穩(wěn)定性及可靠性。1-3-2 CMP 均勻性研究現(xiàn)狀化學(xué)機(jī)械拋光作為集成電路制造工藝中的唯一全局平坦化技術(shù)，國(guó)內(nèi)外已對(duì)其進(jìn)行了非常深入的理 論和實(shí)驗(yàn)研究。在 CMP 均勻性方面，也有大量的研究。（1）局部均勻性 目前國(guó)際上采用的銅拋光液都是酸性的。由于銅在酸性條件下腐蝕速率快41，因此要消除銅布線晶圓表面的臺(tái)階高低差，必須添加 BTA 等腐蝕抑制劑，來實(shí)現(xiàn)對(duì)凹處銅膜的保護(hù)，達(dá)到改善局部均勻性的目的。但是拋光液中加入 BTA 會(huì)產(chǎn)生

43、很多問題：加入抑制劑會(huì)影響拋光速率；BTA 有很強(qiáng)的毒性，會(huì)污染環(huán)境；反應(yīng)產(chǎn)物 Cu-BTA 化合物膠狀沉淀不易（2）全局均勻性等。目前對(duì) CMP 全局均勻性的研究主要是依據(jù) Preston 方程42：R=KPV，主要考慮的是機(jī)械作用對(duì)速率的影響，通過實(shí)驗(yàn)來研究如何調(diào)整機(jī)械作用的均勻分布實(shí)現(xiàn)速率的均勻分布，并建立了相關(guān)的機(jī)理模型。但是沒有考慮更重要、更復(fù)雜的化學(xué)作用和 CMP 速率與質(zhì)量傳輸?shù)年P(guān)系。化學(xué)作用在化學(xué)機(jī)械拋光中占據(jù)主導(dǎo)地位，單純的考慮調(diào)整機(jī)械作用會(huì)使拋光工藝變的復(fù)雜，因此本文重點(diǎn)研究的是拋光液與銅之間的化學(xué)作用對(duì) CMP 均勻性的影響。有人曾提出 CMP 過程的接觸模型，因?yàn)閽伖膺^

44、程中，只有在拋光墊和拋光片接觸的條件下才會(huì)產(chǎn)生機(jī)械作用，目前兩種典型的接觸模模型為流體動(dòng)力學(xué)模型和固體/固體接觸模型43-44。固體/固體接觸 模型指出，拋光片表面會(huì)與拋光墊表面的凸起峰接觸，拋光液中的納米級(jí)磨料顆粒會(huì)鑲嵌在拋光墊中，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)拋光片的機(jī)械磨削45。在固體/固體接觸模型的基礎(chǔ)上，Vlassak 提出化學(xué)機(jī)械拋光過程中拋光速率分布與拋光墊和拋光片之間的分布有關(guān)，尤其晶圓邊緣部分，表面不連續(xù)，導(dǎo)致不連續(xù)，從而導(dǎo)致拋光速率不一致46。分布也8河北工業(yè)大學(xué)§1-4 課題研究目的及主要內(nèi)容為了適應(yīng)集成電路制造技術(shù)飛速發(fā)展的需要，每個(gè)工藝流程都要滿足相應(yīng)的指標(biāo)。保證 CMP 均勻

45、性有利于實(shí)現(xiàn)高平整的表面，滿足光刻時(shí)不斷變淺的焦深，實(shí)現(xiàn)多層布線47。銅膜厚度均勻性可以從 局部均勻性、全局均勻性和片間均勻性三個(gè)方面來進(jìn)行研究，已在 1-3 中作了簡(jiǎn)單介紹。若 CMP 之后銅膜厚度一致性較好，則可以很大程度上減小后續(xù)拋光工藝的負(fù)擔(dān)，有利于降低阻擋層拋光之后的碟形 坑深度，使下一層布線時(shí)的光刻等后續(xù)工藝更加容易控制，有利于 65nm 及以下節(jié)點(diǎn)的技術(shù)發(fā)展。課題主要研究?jī)?nèi)容：（1） 首先分析銅的化學(xué)特性，并對(duì)選取的堿性拋光液特性及優(yōu)勢(shì)進(jìn)行詳細(xì)的分析，在此基礎(chǔ)上， 對(duì)銅布線在堿性條件下的 CMP 銅去除及平坦化機(jī)理進(jìn)行系統(tǒng)的研究。（2） 詳細(xì)分析了影響銅 CMP 速率及平坦化的因

46、素。首先對(duì)銅拋光速率進(jìn)行了大量的正交試驗(yàn)， 掌握堿性拋光液中各成分對(duì)銅去除的作用和貢獻(xiàn)大小，實(shí)現(xiàn)了銅去除速率的可控性。然后對(duì)銅布線 CMP均勻性進(jìn)行合理的理論與實(shí)驗(yàn)研究，對(duì)局部均勻性、全局均勻性和片間均勻性的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)的分析。（3）對(duì)實(shí)驗(yàn)過程中取得的創(chuàng)新性成果進(jìn)行了總結(jié)，并進(jìn)行了很好的理論提升，對(duì)今后的理論和實(shí) 驗(yàn)研究以及生產(chǎn)實(shí)踐有很好的指導(dǎo)作用。9GLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究第二章 銅布線 CMP 及均勻性機(jī)理研究§2-1 銅的性質(zhì)銅屬于過渡金屬，熔點(diǎn)為 1083，密度為 8.9g/cm3，導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能很好，而且很堅(jiān)韌，并具有延展性以及抗腐蝕特性。由于銅

47、的電阻率低、抗電遷移能力很強(qiáng)，因此銅已經(jīng)成為 65nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)線的主要材料。由于銅的氯化物揮發(fā)性較差，無法進(jìn)行刻蝕工藝，因此出現(xiàn)了大馬士革結(jié)構(gòu)，用電鍍方法進(jìn)行銅布線。銅的化學(xué)性質(zhì)不是很活潑，常溫下在干燥的空氣中不與氧氣反應(yīng)。當(dāng)對(duì)銅進(jìn)行高溫加熱時(shí)，會(huì)生產(chǎn)黑色產(chǎn)物氧化銅 CuO 以及氧化亞銅 Cu2O，在化學(xué)機(jī)械拋光中，這些銅的氧化膜會(huì)起到鈍化性能，保護(hù)凹陷處的銅膜，有利于實(shí)現(xiàn)拋光表面的平坦化。銅在潮濕的環(huán)境中會(huì)與空氣中的水、反應(yīng)，生成綠色產(chǎn)物堿式碳酸銅，即銅綠。以及氧氣氧化銅在堿性溶液中會(huì)生成不溶于水的氫氧化銅沉淀，而氫氧化銅也會(huì)發(fā)生微弱的電離，產(chǎn)生的銅離子與絡(luò)合劑作用，生成溶于水的銅

48、絡(luò)合物，可以根據(jù)此性質(zhì)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光液的研究。§2-2 銅布線堿性拋光液簡(jiǎn)介化學(xué)機(jī)械拋光制程中最主要的耗材就是拋光液，它已在微電子行業(yè)有了很廣闊的市場(chǎng)。目前，對(duì)于銅布線化學(xué)機(jī)械拋光工藝，國(guó)際上占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位的拋光液為酸性拋光液。其中以美國(guó) Cabot 公司的為代表。因?yàn)殂~在酸性溶液中的腐蝕速率較快，容易實(shí)現(xiàn)銅膜的快速去除。但酸性拋光液會(huì)產(chǎn)生很多的影響：首先，由于拋光設(shè)備都是金屬材質(zhì)的，而且非常昂貴，酸性拋光液會(huì)對(duì)設(shè)備產(chǎn)生較大的腐蝕作用，影響其使用；其次，由于銅的腐蝕速率較快，在對(duì)銅布線晶圓進(jìn)行拋光時(shí)，對(duì)凹陷處銅的保護(hù)能力較差，表面存在的臺(tái)階高低差很難去除，因此大部分酸性拋光液都加

49、入了 BTA 等腐蝕抑制劑，但 BTA 是物質(zhì)，對(duì)操作的危害很大，而且會(huì)污染環(huán)境，拋光之后生成的 Cu-BTA 膠狀沉淀很難進(jìn)行，會(huì)對(duì)晶圓以及拋光墊造成污染。本文采用由河北工業(yè)大學(xué)微電子研制的 FA/O 堿性銅拋光液，可以解決酸性拋光液的這些問題，并且具有很多優(yōu)勢(shì)。堿性拋光液主要面向 65nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)多層銅布線的化學(xué)機(jī)械拋光制程，采用以絡(luò)合和胺化等化學(xué)作用為主的堿性技術(shù)路線。其主要成分為多羥多胺，可以有效螯合銅離子，實(shí)現(xiàn)低機(jī)械強(qiáng)度下銅膜的快速去除；并根據(jù)銅在堿性條件下的自鈍化作用，能很好的保護(hù)凹陷處的銅膜，實(shí)現(xiàn)拋 光液不添加 BTA 等抑制劑，碟形坑（Dishing）、侵蝕（Erosion）

50、、漏電流等得到有效控制，各項(xiàng)參數(shù)滿足 65nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)要求，對(duì) 45 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的研究有重要意義。FA/O 堿性銅拋光液最大的特點(diǎn)就是成分簡(jiǎn)單，包括四種成分：磨料、螯合劑、表面活性劑和氧化劑。以下對(duì)這四種成分各自的選取和特點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹。（1）磨料磨料是拋光液的重要組成部分，它在化學(xué)機(jī)械光制程中發(fā)揮著很重要的作用：對(duì)拋光片表面的機(jī)械10河北工業(yè)大學(xué)磨削作用、反應(yīng)物和反應(yīng)產(chǎn)物的質(zhì)量傳輸作用、能量傳遞作用。因此，磨料的選擇關(guān)系到 CMP 速率、表面狀態(tài)、拋光液的性能以及 CMP 之后對(duì)晶圓表面的污染狀況，而且還會(huì)影響 后的效果48。拋光液中常用的磨料主要有三種：氧化鋁磨料(Al2O3)、硅

51、溶膠磨料(SiO2)、氧化鈰磨料(CeO2)。納米級(jí)氧化鋁為白色粉末狀物質(zhì)，一般酸性拋光液中用氧化鋁作為磨料，因?yàn)檠趸X在酸性拋光液中比較穩(wěn)定，分散性好49。但是氧化鋁硬度很高，在研磨過程中容易對(duì)晶圓表面造成劃傷，劃傷缺陷 很嚴(yán)重，有可能直接導(dǎo)致大批器件失效50。而且，氧化鋁對(duì)表面有很強(qiáng)的吸附作用，造成拋光墊和拋光片表面的污染，對(duì) CMP 后影響很大51。硅溶膠是二氧化硅膠體在純水中擴(kuò)散,從而形成的乳白色膠狀物質(zhì)，呈半透明狀，無毒、無味。粒 徑分布大約在 20-40 納米之間，如圖 2.1 所示。硅溶膠根據(jù)酸堿度不同分為酸性硅溶膠和堿性硅溶膠兩種。溶液 pH 值和 Zeta 電位對(duì)硅溶膠分散度

52、和穩(wěn)定性有很大影響，如圖 2.2 所示。可以看出，pH 值在 8 12 時(shí)，此時(shí)為堿性硅溶膠，它的 Zeta 電位很穩(wěn)定。本實(shí)驗(yàn)采用的堿性硅溶膠磨料 pH 值為 10.12，粒徑為 2040nm，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 40%。Size distribution(s)4030201051050 100Diameter (nm)500 1000圖 2.1 硅溶膠粒徑分布Fig.2.1 Particles diameter distribution of silica sol圖 2.2 硅溶膠穩(wěn)定性隨 pH 值得變化Fig.2.2 Variation of silica sol stability with

53、pH堿性納米硅溶膠表面存在著很多羥基，這是由于其表面效應(yīng)引起的。在硅 CMP 堿性條件下，這些羥基可以和堿發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成硅酸根離子，這些硅酸根離子再跟硅反應(yīng)，從而使硅溶膠表面的能量降低，從而使硅有效去除52；在銅 CMP 堿性條件下，正四價(jià)的硅具有氧化性，可以對(duì)銅的去除起到氧11% in classGLSI 多層銅布線CMP 銅膜厚度均勻性研究化催化劑的作用。由于磨料的加入，在拋光液的過程中，可以加快反應(yīng)產(chǎn)物的帶走，從而提高反應(yīng)速率，以及拋光速率的分布均勻性。綜上，本文選取硅溶膠代替氧化鋁作為銅布線 CMP 拋光液的磨料，具有小粒徑、分散度好、硬度適中、不引入金屬離子、在堿性條件下 Zet

54、a 電位很穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)53，避免 A12O3 磨料易產(chǎn)生劃傷和沉淀等不足，可以達(dá)到更好的拋光效果。（2）螯合劑絡(luò)合劑是銅布線 CMP 拋光液中的最主要成分，是拋光液最本質(zhì)的東西。它可以起到對(duì)銅離子的絡(luò)合作用，從而達(dá)到對(duì)銅的去除目的。絡(luò)合劑的 pH 值決定了該拋光液的酸堿度，決定了拋光液的。本文選取由河北工業(yè)大學(xué)微電子所研發(fā)的 FA/O型螯合劑銅離子的絡(luò)合劑。FA/O型螯合劑是強(qiáng)堿性的，pH 值為 13.90，因此決定了拋光液也是堿性的。FA/O型螯合劑，又稱多羥多胺，為堿性大物質(zhì)，它具有十三個(gè)以上螯合環(huán)、十六個(gè)羥基和四個(gè)氨基，它的配位原子為氧原子和氮原子，在堿 性CMP 動(dòng)態(tài)條件下可以與多種金屬

55、離子形成很穩(wěn)定并且可溶的絡(luò)合物。它的式可以簡(jiǎn)寫成 R(NH2)4。FA/O型螯合劑由于其自身的特性，擁有很多優(yōu)點(diǎn)：1、FA/O型螯合劑具有很多作用，既可以作為金 屬離子的有效絡(luò)合劑，還可以作為 pH 調(diào)節(jié)劑，緩蝕劑等，可以一劑多用，從而可以很好的簡(jiǎn)化拋光液的成分；2、不引入金屬離子，可以很好地避免拋光液帶來的金屬離子污染； 3、與水反應(yīng)可以生成氫氧根離子，具有強(qiáng)堿性，還可以調(diào)節(jié)溶液的 pH 值，從而可以實(shí)現(xiàn)控制拋光液中螯合劑的用量來達(dá)到更好的拋光效果，控制拋光速率等54。圖 2.3 為螯合劑在 CMP 條件下的作用機(jī)理。在銅布線 CMP 過程中，晶圓片在一定的作用下與拋光墊接觸并高速旋轉(zhuǎn)，在凸起的位置 (如位置 1)機(jī)械摩擦作用強(qiáng)，反應(yīng)動(dòng)能大，很容易達(dá)到反應(yīng)勢(shì)壘， 在 CMP 堿性條件下，螯合劑與 Cu 的氧化物和氫氧化物只有在較高的能量下才會(huì)反應(yīng)，因此銅的去除速率較快；而凹處（如位置 2）的反應(yīng)動(dòng)能低，螯合劑不與氧化銅和氫氧化銅反應(yīng)，因此起到了凹處鈍化作用，可以有效保護(hù)凹處的銅膜，實(shí)現(xiàn) CMP 堿性條件下很好的高低速率選擇性，有利于平坦化的實(shí)現(xiàn)。位置 1位置 2CuMetal 活性劑 螯合劑磨料顆粒圖 2.3 CMP 過程中反應(yīng)劑的作用機(jī)理Fig.2.3 The function