半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀_第1頁(yè)
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀_第2頁(yè)
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀_第3頁(yè)
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀_第4頁(yè)
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1、SIMI2939半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀一、產(chǎn)品特點(diǎn):測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和一致性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。被測(cè)器件可通過(guò)圖形顯示,系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國(guó)標(biāo)要求。二、測(cè)試參數(shù)i.二極管VF、IR、BVR2 .穩(wěn)壓(齊納)二極管VF、IR、BVZ3 .晶體管Transistor(NPN型/PNP型)VBE、ICBO、LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBEON4 .可控硅整

2、流器(晶閘管)IGT、VGT、IH、IL、VTM5 .場(chǎng)效應(yīng)管IGESF、IGSSF、IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON、gFS、BVDGO、BVGSS6 .光電耦合器VF、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT7 .三端穩(wěn)壓器VO、SV、ID、IDV隨機(jī)附件三、測(cè)試參數(shù)范圍晶體管測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍ICEO1nA-100nAICBO100nA-1uAIEBO1uA-100uA100uA-10mAVcE(sat)0.10V-30VVBE(sat)VbE(VBE(on)0.10V-30VhFE199999V(BR)EBO0.10V-30VMbr)c

3、eo0.10V-30V30V-1499VV(BR)CBO二極管測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍IR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVf0.10V-30VMbR)1V-30V30V-1499V穩(wěn)壓二極管測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍IR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVf0.10V-30VVz0.10V-30V三端穩(wěn)壓器測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍VO0.10V-30VS0.10mV-1VID1uA-10mAIdv1uA-10mAMOSFET測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍VGS(th)0.10V-30Vgfs0.1mS-1000SR)S(on)10mQ-100KQV)

4、S(on)0.10V-30VIGSS1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAIDSS1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAID(on)0-20AV(BR)GSS0.1V-30VV(BR)DSS0.1V-1499V光耦測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍VF0.10V-30VIR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAV:E(sat)0.10V-30VCTR0.1%-1000%ICEO與IR參數(shù)相同MbR)ECOV(BR)CEO0.10V-30V30V-1499V可控硅測(cè)試參數(shù)測(cè)試范圍IGT10uA-200mAV

5、Gt0.10V-30VIH10uA-1AIl10uA-1AVtm0.10V-30V四、技術(shù)指標(biāo)1、源的指標(biāo)壓流源(VA)電壓:設(shè)定范圍(V)精確度士(0-10)士(12.2mV+0.25%set)士(1030)士(24.4mV+0.25%set)電流:測(cè)量范圍精確度士(0-20)uA士(48.8nA+0.25%set)士(20-200)uA士(488nA+0.25%set)士(0.2-2)mA士(4.88uA+0.25%set)士(2-20)mA士(48.8uA+0.25%set)士(20-200)mA士(244uA+0.25%set)±(0.22)A(脈沖)士(2.44mA+0.2

6、5%set)±(2-20)A(脈沖)士(24.4mA+0.25%set)壓流源(VB)電壓:設(shè)定范圍(V)精確度士(0-10)士(12.2mV+0.25%set)士(1030)士(24.4mV+0.25%set)電流:測(cè)量范圍精確度士(0-20)uA士(48.8nA+0.25%set)士(20-200)uA士(488nA+0.25%set)士(0.2-2)mA士(4.88uA+0.25%set)士(2-20)mA士(48.8uA+0.25%set)士(20-200)mA士(244uA+0.25%set)高壓源(HV)設(shè)定范圍(V)精確度01500±(1.22V+1%set)

7、*1500V時(shí)最大輸出為1mA2、電壓表的指標(biāo)測(cè)漏電流測(cè)量范圍精確度士(0200)nA士(2.44nA+0.25%Rdg)士(0.2-2)uA士(24.4nA+0.25%Rdg)士(2-20)uA士(244nA+0.25%Rdg)士(20-200)uA士(2.44uA+0.25%Rdg)士(0.22)mA士(24.4uA+0.25%Rdg)士(2-20)mA士(244uA+0.25%Rdg)士(20-200)mA士(2.44mA+0.25%Rdg)±(0.22)A(脈沖)士(24.4mA+0.25%Rdg)±(2-20)A(脈沖)士(244mA+0.25%Rdg)測(cè)試電壓設(shè)定范圍(V)精確度士(0-10)士(3mV+0.25%Rdg)士(1030)士(3

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