減薄、劃片工藝介紹

1、減薄與劃片工藝介紹 減薄與劃片流程圖 減薄工藝簡介 劃片工藝簡介芯片生產(chǎn)工藝流程圖芯片生產(chǎn)工藝流程圖外延片下料清洗蒸鍍黃光作業(yè)刻蝕合金減薄劃片測試分選減薄、劃片位于芯片生產(chǎn)工藝的中游。減薄、劃片COW（chip on wafer）COT (chip on wafer)減薄、劃片減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺研磨機(jī)研磨機(jī)拋光機(jī)拋光機(jī)減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺減薄、劃片工藝中主要使用的機(jī)臺激光劃片機(jī)激光劃片機(jī)裂片機(jī)裂片機(jī)減薄、劃片工藝流程圖減薄、劃片工藝流程圖減薄上蠟研磨拋光卸片清洗劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張減薄定義減薄定義 減薄:顧名思義是通過特定的工藝手法將物體

2、由厚變薄的過程。430m80m我司減薄的過程是要將厚度約為430m的COW片（chip on wafer）減薄至80m5m左右上蠟上蠟減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 定義： 將芯片固定在陶瓷盤上便于減薄的過程。上蠟上蠟減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 清潔陶瓷盤 上蠟貼片前，首先需要保證陶瓷盤的潔凈程度，LED芯片減薄是屬于微米量級的操作，任何細(xì)微的雜質(zhì)都可能導(dǎo)致意想不到的異常狀況。上蠟上蠟減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 涂蠟 將陶瓷盤加熱至140，保證蠟條能迅速融化，涂蠟過程中需注意要使蠟均勻分布在陶瓷盤表面。上蠟上蠟減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 貼片 將需要減薄的芯片小心放置于陶瓷盤上，注

3、意需要趕走芯片與蠟層之間的氣泡。上蠟上蠟減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 加壓冷卻 通過加壓的方式使，陶盤與芯片之間的蠟均勻分布，并凝固將芯片固定。研磨研磨減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 定義： 使用鉆石砂輪將芯片快速減薄到一定厚度，研磨后芯片厚度值為1205m，此步驟大約耗時15min。430m15min120m研磨研磨減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 修盤 每次研磨前需使用油石將鉆石砂輪修整一遍。此動作意義類似于切菜的前磨刀。研磨研磨減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 歸零 歸零實際是設(shè)置研磨起始點(diǎn)，歸零又分為手動歸零和自動歸零。研磨研磨減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 研磨 砂輪高速自轉(zhuǎn)（105

4、0rpm）并以一定的規(guī)律進(jìn)給將芯片減薄到指定厚度。拋光拋光減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 定義： 如果說研磨是快速減薄的過程，拋光則是一個緩慢減薄的過程，同時使芯片表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面。研磨研磨減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 鑲盤 將錫盤上均勻布滿鉆石液的過程。拋光拋光減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 拋光 通過拋光液中的鉆石顆粒，緩慢減薄芯片。卸片卸片減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 定義： 將減薄后的芯片從陶瓷盤上卸下來的過程。卸片卸片減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 浸泡 將拋光后的陶瓷盤放入去蠟鍋中，加熱浸泡5min左右，使芯片從陶瓷上剝離。卸片卸片減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟：

5、 夾取 用平口鑷小心將減薄后的芯片夾只提籃中以便于清洗。由于芯片很薄夾取過程中需非常小心。清洗清洗減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 定義： 使用一定的化學(xué)試劑通過水浴浸泡，QDR沖洗的方式將芯片上蘸有的殘蠟清洗干凈。清洗清洗減薄上蠟研磨拋光卸片清洗 步驟： 去蠟液ACEIPAQDRIPA烘干劃片定義劃片定義 劃片:是采用激光切割與劈刀裂片配合的方式，將連在一起的管芯分割開來劃片貼片貼片 定義： 使用藍(lán)膜或白膜將減薄后芯片固定的過程。 劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張貼片貼片 步驟： 準(zhǔn)備工作 用IPA加至無塵布上擦拭chuck表面和滾輪。把vacuum開至off。減薄后80m芯片很脆弱，需要注重每一個細(xì)節(jié)。劃

6、片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張貼片貼片 步驟： 取片 把貼片機(jī)vacuum開至off處。小心將貼好的芯片取下。劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張貼片貼片 步驟： 貼片 放鐵環(huán)，需注意對準(zhǔn)卡栓，用平口鑷子夾取芯片，放片時芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片。劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張切割切割劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 使用激光在芯片背面，沿切割道劃片。不同尺寸芯片，劃片深度不一，深度區(qū)間為25至40m之間。注意：并未將芯片劃穿。裂片裂片劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 在芯片正面（激光劃芯片背面），沿著激光劃片的痕跡使用裂片機(jī)將管芯完全分離開。倒膜倒膜 定義： 將完全分離的管芯由正面貼膜翻轉(zhuǎn)成背面貼膜。 劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張倒

7、膜倒膜劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 去雜質(zhì) 將切割與劈裂過程中產(chǎn)生的一些碎屑雜質(zhì)粘掉。倒膜倒膜劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 貼膜 剪一方形藍(lán)膜(大小為 20cm*20cm，長寬誤差不大于2cm)，將Wafer背面貼于藍(lán)膜中間位置倒膜倒膜劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 加壓 藍(lán)膜在下，白膜在上放于倒膜機(jī)加熱平臺上，蓋上硅膠片，硅膠片需覆蓋整個片子區(qū)域，按下下降按鈕，加壓盤下降，等待4秒后加壓盤自動上升，即加壓一次完成。倒膜倒膜劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 撕膜 從加熱平臺上取下，左手按住貼有Wafer的藍(lán)膜，右手貼著膜平撕下表面的白膜，倒膜完成，管芯由正面貼膜變成了背面貼膜擴(kuò)張擴(kuò)張

8、 定義： 通過擴(kuò)張藍(lán)膜的方式，增大管芯之間距離，以便于目檢作業(yè) 劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張擴(kuò)張擴(kuò)張劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 擴(kuò)張前準(zhǔn)備 開機(jī)，打開電源，查看引伸盤控溫器上的溫度顯示值是否為40 5,異常紅燈會亮。 擴(kuò)張擴(kuò)張劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 擴(kuò)張前準(zhǔn)備 放擴(kuò)張環(huán) ，打開壓蓋，將擴(kuò)張環(huán)的內(nèi)環(huán)放入底盤中，注意光滑面朝上，將擴(kuò)張環(huán)的外環(huán)放入壓環(huán)盤中，注意光滑面朝下。 擴(kuò)張擴(kuò)張劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 放藍(lán)膜 將貼有芯片的藍(lán)膜平鋪于底盤上，貼有芯片的一面朝上。 擴(kuò)張擴(kuò)張劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 扣緊壓蓋 放下壓盤，將“鎖緊放松”按鈕置于鎖緊端，使得壓盤和底盤鎖緊；此機(jī)臺具有延時機(jī)制，壓盤和底盤鎖緊之后的5秒之內(nèi)引伸盤上升按鈕將會失效，5秒之后恢復(fù)正常,“電源指示燈”自動亮起。 擴(kuò)張擴(kuò)張劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 擴(kuò)張 按下引伸盤上升鈕，這時貼有芯片的藍(lán)膜會被擴(kuò)張 擴(kuò)張擴(kuò)張劃片貼片切割裂片倒膜擴(kuò)張 步驟： 壓環(huán) 引伸盤伸到頂后，將環(huán)外套