RENA前后清洗ppt課件

1、前后清洗工藝培訓(xùn)前后清洗工藝培訓(xùn) 一、什么是太陽能電池一、什么是太陽能電池 太陽電池是利用光生伏特效應(yīng)，太陽電池是利用光生伏特效應(yīng)，把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。把光能直接轉(zhuǎn)換成電能的一種器件。 它的工作原理可以概括成下面它的工作原理可以概括成下面幾個主要過程：第一，必須有幾個主要過程：第一，必須有光的光的照射照射，可以是單色光，太陽光或我，可以是單色光，太陽光或我們測試用的模擬太陽光源。第二，們測試用的模擬太陽光源。第二，光子注入到半導(dǎo)體后，光子注入到半導(dǎo)體后，激發(fā)出電激發(fā)出電子子空穴對空穴對。這些電子空穴對必須。這些電子空穴對必須有有足夠的壽命足夠的壽命保證不會在分離前被保證不會在分離前

2、被附和。第三，必須有個靜電場（附和。第三，必須有個靜電場（PNPN結(jié)），起結(jié)），起分離電子空穴分離電子空穴的作用。第的作用。第四，被分離的電子空穴，經(jīng)電極收四，被分離的電子空穴，經(jīng)電極收集集輸出到電池體外輸出到電池體外，形成電流。，形成電流。1.1.太陽能電池的原理太陽能電池的原理 前清洗（制絨）前清洗（制絨）擴散擴散制結(jié)制結(jié)PECVD PECVD 鍍減反膜鍍減反膜 后清洗（刻邊后清洗（刻邊/ /去去PSGPSG）絲網(wǎng)印刷絲網(wǎng)印刷 /燒結(jié)燒結(jié)/測試測試2.2.制造太陽能電池的基本工藝流程制造太陽能電池的基本工藝流程二、前清洗（制絨）二、前清洗（制絨） 制絨按工藝不同可分為堿制絨和酸制絨：制絨按

3、工藝不同可分為堿制絨和酸制絨： 利用堿溶液對利用堿溶液對單晶硅單晶硅不同晶面有不同的腐蝕速率（各向異性腐蝕），不同晶面有不同的腐蝕速率（各向異性腐蝕），經(jīng)過腐蝕、在表面會出現(xiàn)以經(jīng)過腐蝕、在表面會出現(xiàn)以 形成的錐體密布表面（金字塔狀），稱為形成的錐體密布表面（金字塔狀），稱為表表面織構(gòu)化面織構(gòu)化。 但是對于但是對于多晶硅多晶硅，由于晶體排列方式雜亂，如果利用堿液，無法進行，由于晶體排列方式雜亂，如果利用堿液，無法進行腐蝕得到良好的金字塔織構(gòu)化表面，此時只能用酸溶液進行各向同性腐蝕，腐蝕得到良好的金字塔織構(gòu)化表面，此時只能用酸溶液進行各向同性腐蝕，獲得表面存在許多凹坑的表面結(jié)構(gòu)，也能起到良好的獲得

4、表面存在許多凹坑的表面結(jié)構(gòu)，也能起到良好的陷光作用陷光作用。1.1.制絨工藝的分類：制絨工藝的分類：單晶硅片堿制絨絨面形狀單晶硅片堿制絨絨面形狀 多晶硅片酸制絨絨面形狀多晶硅片酸制絨絨面形狀 2. 2. 陷光原理：陷光原理：光在光滑半導(dǎo)體薄片表面上的光在光滑半導(dǎo)體薄片表面上的反射、折射和透射反射、折射和透射陷光原理圖陷光原理圖 當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，光會反射到另當(dāng)入射光入射到一定角度的斜面，光會反射到另一角度的斜面形成一角度的斜面形成二次吸收二次吸收或者或者多次吸收多次吸收，從而增加，從而增加吸收率。吸收率。 腐蝕深度在腐蝕深度在4.4 0.4m 時，制絨后的硅片表面反射率要一般時，制

5、絨后的硅片表面反射率要一般在在20%25%之間，此時得到的電性能較好。之間，此時得到的電性能較好。 腐蝕深度與電性能間的關(guān)系腐蝕深度與電性能間的關(guān)系 在絨面硅片上制成在絨面硅片上制成PNPN結(jié)太陽電池，它有以下特點結(jié)太陽電池，它有以下特點: :(l)(l)絨面電池比光面電池的反射損失小，如果再加減反射膜，其反射率可進絨面電池比光面電池的反射損失小，如果再加減反射膜，其反射率可進一步降低。一步降低。(2)(2)入射光在光錐表面多次折射，改變了入射光在硅中的前進方向，不僅延入射光在光錐表面多次折射，改變了入射光在硅中的前進方向，不僅延長了光程，增加了對紅外光子的吸收，而且有較多的光子在靠近長了光程

6、，增加了對紅外光子的吸收，而且有較多的光子在靠近PNPN結(jié)附近結(jié)附近產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率。產(chǎn)生光生載流子，從而增加了光生載流子的收集幾率。(3)(3)在同樣尺寸的基片上，絨面電池的在同樣尺寸的基片上，絨面電池的PNPN結(jié)面積比光面大得多，因而可以提結(jié)面積比光面大得多，因而可以提高短路電流，轉(zhuǎn)換效率也有相應(yīng)提高。高短路電流，轉(zhuǎn)換效率也有相應(yīng)提高。(4)(4)絨面也帶來了一些缺點絨面也帶來了一些缺點: :一是工藝要求提高了；二是由于它減反射的無一是工藝要求提高了；二是由于它減反射的無選擇性，不能產(chǎn)生電子空穴對的有害紅外輻射也被有效地耦合入電池，使選擇性，不能產(chǎn)生電子空穴對

7、的有害紅外輻射也被有效地耦合入電池，使電池發(fā)熱；三是易造成金屬接觸電極與硅片表面的點接觸，使接觸電阻損電池發(fā)熱；三是易造成金屬接觸電極與硅片表面的點接觸，使接觸電阻損耗增加。耗增加。三、前清洗（酸制絨）工藝三、前清洗（酸制絨）工藝清洗設(shè)備清洗設(shè)備注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同注：前、后清洗設(shè)備外觀相同，內(nèi)部構(gòu)造和作用原理稍有不同1.1. 前清洗工序的前清洗工序的目的目的：去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）清除表面油污（利用清除表面油污（利用HFHF）和金屬雜質(zhì)（利用）和金屬雜質(zhì)（利用HClHCl）形成起伏

8、不平的絨面，增加對太陽光的吸收，增加形成起伏不平的絨面，增加對太陽光的吸收，增加PNPN結(jié)結(jié)面積，面積，提高短路電流（提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。前清洗工藝步驟：前清洗工藝步驟： 制絨制絨堿洗堿洗 酸洗酸洗吹干吹干Etch bathDryer1Rinse1AlkalineRinseRinse2AcidicRinseRinse3Dryer2 RENA Intex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個槽，此外還有滾輪、排前清洗設(shè)備的主體分為以下八個槽，此外還有滾輪、排風(fēng)風(fēng)系統(tǒng)系統(tǒng)、自動及手動補液、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。

9、和溫度控制系統(tǒng)等。2. 2.設(shè)備構(gòu)造設(shè)備構(gòu)造Etch bath：制絨槽，用于制絨。：制絨槽，用于制絨。 所用溶液為所用溶液為HF+HNO3 ，作用作用：1.1.去除硅片表面的機械損傷層；去除硅片表面的機械損傷層；2.2.形成無規(guī)則絨面。形成無規(guī)則絨面。Alkaline Rinse：堿洗槽：堿洗槽 。 所用溶液為所用溶液為KOH，作用：作用：1. 對形成的多孔硅表面進行清洗；對形成的多孔硅表面進行清洗；2.中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。Acidic Rinse：酸洗槽：酸洗槽 。 所用溶液為所用溶液為HCl+HF，作用：作用：1.中和前道堿洗后殘留在硅片

10、表面的堿液；中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；2.HF可去除硅片表面氧化層（可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；），形成疏水表面，便于吹干； 3.HCl中的中的Cl-有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。 HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2SiF6 Si+2KOH+H2O K2SiO3 +2H2 2NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 SiO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O HNO23

11、. 酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:4.前清洗換藥規(guī)程前清洗換藥規(guī)程5. 前清洗工序工藝要求前清洗工序工藝要求 片子表面片子表面5S5S控制控制 不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴散后出現(xiàn)臟片。不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴散后出現(xiàn)臟片。 稱重稱重 1.1.每批片子的腐蝕深度都要檢測，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。每批片子的腐蝕深度都要檢測，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。 2. 2.要求每批測量要求每批測量4 4片。片。 3. 3.放測量片時，把握均衡原則。如第一批放在放測量片時，把握均衡原則。如第一批放在1.3.51.3.5道，下一批則放道，下一批則放在

12、在2.42.4道，便于檢測設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。道，便于檢測設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。 制絨槽液面的注意事項：制絨槽液面的注意事項： 正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。通知工藝人員。 產(chǎn)線上沒有充足的片源時，工藝要求產(chǎn)線上沒有充足的片源時，工藝要求: : 1.1.停機停機1 1小時以上，要將刻蝕槽的藥液排到小時以上，要將刻蝕槽的藥液排到tanktank，減少藥液的揮發(fā)。，減少藥液的揮發(fā)。 2. 2.停機停機1515分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)分鐘以上要用水槍沖洗堿

13、槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。 3. 3.停機停機1h1h以上，要跑假片，至少一批（以上，要跑假片，至少一批（400400片）且要在生產(chǎn)前半小時片）且要在生產(chǎn)前半小時用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。 前清洗到擴散的產(chǎn)品時間前清洗到擴散的產(chǎn)品時間: : 最長不能超過最長不能超過4 4小時小時, ,時間過長硅片會污染氧化，到擴散污染爐管時間過長硅片會污染氧化，到擴散污染爐管, ,從從 而影響后面的電性能及效率而影響后面的電性能及效率 后清洗工藝培訓(xùn)后清洗工藝培訓(xùn) 擴散過程中，雖然采用背靠

14、背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴擴散過程中，雖然采用背靠背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴散上磷。散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到流到PN結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 同時，由于在擴散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化同時，由于在擴散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下硅，在高溫下POCl3與與O2形成的形成的P2O5，部分，部分P原子進入原子進入Si取代部分晶格取代部分晶格上的上的Si原子形成原子形成n型半導(dǎo)體，部

15、分則留在了型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成中形成PSG。 后清洗的目的就是進行濕法刻蝕和去除后清洗的目的就是進行濕法刻蝕和去除PSG。1.后清洗的目與原理后清洗的目與原理 2.濕法刻蝕原理濕法刻蝕原理: 利用利用HNO3和和HF的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕,去去除邊緣的除邊緣的N型硅型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。使得硅片的上下表面相互絕緣。邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si + 4HNO3+18HF =3H2 SiF6 + 4NO2 + 8H2O3.刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測方法：刻蝕中容易產(chǎn)生的問題及檢測方法

16、： 1.刻蝕不足刻蝕不足：邊緣漏電，：邊緣漏電，Rsh下降，嚴重可導(dǎo)致失效下降，嚴重可導(dǎo)致失效 檢測方法：測絕緣電阻檢測方法：測絕緣電阻 2.過刻過刻：正面金屬柵線與：正面金屬柵線與P型硅接觸，造成短路型硅接觸，造成短路 檢測方法：稱重及目測檢測方法：稱重及目測 SPC控制控制：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來時，工藝需檢查硅片表面狀：當(dāng)硅片從設(shè)備中流轉(zhuǎn)出來時，工藝需檢查硅片表面狀態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液殘留。態(tài)，絨面無明顯斑跡，無藥液殘留。125單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐單晶該工序產(chǎn)品單要求面腐蝕深度控制在蝕深度控制在0.81.6m范圍之內(nèi)范圍之內(nèi),且硅片表面刻蝕寬度不超過且硅片表面刻蝕寬度不超過2m

17、m, 同時需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于同時需要保證刻蝕邊緣絕緣電阻大于1K歐姆。歐姆。4.去除磷硅玻璃的目的：去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。低和功率的衰減。 2) 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會導(dǎo)致少子壽命的降死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會導(dǎo)致少子壽命的降低，進而降低了低，進而降低了Voc和和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得磷硅玻璃的存在使得PECVD后產(chǎn)生色差。后產(chǎn)生色差。去去PSG原理方程式：原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O

18、SiF4+2HF=H2SiF6 SiO2+ 6HF=H2SiF6+2H2O去去PSG工序檢驗方法：工序檢驗方法：當(dāng)硅片從當(dāng)硅片從HF槽出來時，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表槽出來時，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在未被去除干凈，可在HF槽中適當(dāng)補些槽中適當(dāng)補些HF。后清洗工藝步驟：后清洗工藝步驟： 邊緣刻蝕邊緣刻蝕堿洗堿洗 酸洗酸洗吹干吹干 RENA InOxSide后清洗設(shè)備的主體分為以下七個槽，此外還有滾輪、后清洗設(shè)備的主體分為以下七個槽，此外還有滾輪、排

19、風(fēng)系統(tǒng)、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。排風(fēng)系統(tǒng)、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。Etch bathRinse1AlkalineRinseRinse2HF bathRinse3Dryer25.后清洗設(shè)備構(gòu)造后清洗設(shè)備構(gòu)造Etch bathEtch bath：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。：刻蝕槽，用于邊緣刻蝕。 所用溶液為所用溶液為HF+HNOHF+HNO3 3+H+H2 2SOSO4 4，作用：作用：邊緣刻蝕，除去邊緣邊緣刻蝕，除去邊緣PNPN結(jié)，使電流朝同一方向流動。結(jié)，使電流朝同一方向流動。 注意注意擴散面須向上放置，擴散面須向上放置， H H2 2SOSO4 4的作

20、用主要是增大液體浮力，使硅片的作用主要是增大液體浮力，使硅片很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣很好的浮于反應(yīng)液上（僅上邊緣2mm2mm左右和下表面與液體接觸）。左右和下表面與液體接觸）。Alkaline Rinse：堿洗槽：堿洗槽 。 所用溶液為所用溶液為KOH，作用作用：中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。HF Bath：HF酸槽酸槽 。 所用溶液為所用溶液為HF，作用：作用：中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；去中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；去PSG 后清洗機臺的操作界面，基本的工藝要求，換藥后清洗機臺的操作界面，基本的工藝要求，換藥規(guī)程等、基本都都同于

21、前清洗設(shè)備，在此不再累述。規(guī)程等、基本都都同于前清洗設(shè)備，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風(fēng)很重要需要注意的是：后清洗刻蝕槽處的排風(fēng)很重要五、五、RENARENA設(shè)備常見報警信息設(shè)備常見報警信息1 關(guān)于waferjam（疊片）報警出現(xiàn)此類報警時，工藝人請設(shè)備人員調(diào)整滾輪并取出碎片。如果是滾輪原因造成上述報警，同時上級決定暫時不能停機，可選擇不在報警道投片，待工藝換藥或設(shè)備PM時要求設(shè)備人員進行相應(yīng)調(diào)整。此外可要求生產(chǎn)人員可適當(dāng)增大放員需檢查各段滾輪是否正常工作，設(shè)備中是否出現(xiàn)卡片、碎片。如果出現(xiàn)上述異常，需及時片間距，減少疊片的發(fā)生。2 關(guān)于temperature（溫度）報警出

22、現(xiàn)此類報警時，工藝人員需確認coolingunit在工作，確認有循環(huán)流量，然后等待并觀察溫度是否降低。如果溫度沒有下降趨勢，通知設(shè)備人員進行檢查。3 關(guān)于pump（泵）報警 出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需確認報警槽的溶液量是否達到液位要求，循環(huán)是否正常。如有異常，補加藥液并手動打開槽體循環(huán)。同時要求設(shè)備人員檢查該槽噴淋濾芯是否正常。4 關(guān)于dry（風(fēng)刀）報警 出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需檢查外圍供氣壓力是否正常，風(fēng)刀有無被堵。并及時通知外圍人員或設(shè)備人員作出相應(yīng)調(diào)整。5 關(guān)于刻蝕槽flow（流量）報警出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需檢查是否有碎片堵住藥液入口。如有碎片需取出后，將藥液打入tank混勻溶液后

23、重新將藥液打入bath中。如果流量不穩(wěn)定報警，需要求設(shè)備人員檢查相應(yīng)傳感器6 關(guān)于overfilled（溶液過滿）報警出現(xiàn)此類報警時，工藝人員需要求設(shè)備檢查液位傳感器是否正常工作。如果確實過滿，則需要手動排掉部分藥液，直到達到生產(chǎn)液位要求。7 關(guān)于 tank empty（儲藥罐空）報警出現(xiàn)此類報警時，說明外圍相應(yīng)儲藥罐中的藥品已空，需及時通知外圍人員添加藥液。8 關(guān)于 valve blocked（閥門被堵）報警出現(xiàn)此類報警時，則有閥門被堵，必須立即通知設(shè)備人員處理。9 顏色突出指示的意義 出現(xiàn)報警信息時，各種顏色突出所指示的相關(guān)意義如下圖所示 六、如何減小六、如何減小RENARENA設(shè)備的碎片

24、率設(shè)備的碎片率33 正確位置錯誤的位置 放片方法應(yīng)嚴格按照作業(yè)指導(dǎo)書，輕拿輕放在正確位放片方法應(yīng)嚴格按照作業(yè)指導(dǎo)書，輕拿輕放在正確位置。多晶置。多晶156156的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正確，的硅片由于面積較大，如果放置的位置不正確，很容易造成疊片卡片等，致使硅片在機器中碎裂。很容易造成疊片卡片等，致使硅片在機器中碎裂。34 提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過提高擋板的高度使得片子能夠順利的通過. . 滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板切掉一部分滾輪能夠碰到擋板的地方，可以選擇將擋板切掉一部分. . 蓋子容易碰到滾輪35 減少減少CDACDA的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下

25、壓力到達均衡的壓力，調(diào)節(jié)上下風(fēng)刀的壓力，使得上下壓力到達均衡 調(diào)整風(fēng)管的方向，確保調(diào)整風(fēng)管的方向，確保O-ring沒有碰到風(fēng)管沒有碰到風(fēng)管調(diào)節(jié)擋板調(diào)節(jié)擋板和滾輪之和滾輪之間的距離間的距離36調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運行調(diào)整噴淋管的位置，至滾輪能夠光滑的運行調(diào)整風(fēng)管和水管的位置，使得片子在通過的時候，不會影響片子的運行調(diào)整風(fēng)管和水管的位置，使得片子在通過的時候，不會影響片子的運行37 檢查所有滾輪和檢查所有滾輪和O-ring的位置是正確的，確保上下滾輪在同一條線上的位置是正確的，確保上下滾輪在同一條線上 調(diào)節(jié)滾輪的高度和水洗管的位置保證片子在傳送過程中無偏移如果發(fā)生調(diào)節(jié)滾輪的高度和水洗

26、管的位置保證片子在傳送過程中無偏移如果發(fā)生偏移會產(chǎn)生碎片偏移會產(chǎn)生碎片38 調(diào)節(jié)滾輪的速度小于滾輪的速度，如果生產(chǎn)不趕產(chǎn)量，則盡量調(diào)節(jié)滾輪的速度小于滾輪的速度，如果生產(chǎn)不趕產(chǎn)量，則盡量讓生產(chǎn)人員放片子不要太急，拉大片間距，這樣片子進出設(shè)備較均勻，讓生產(chǎn)人員放片子不要太急，拉大片間距，這樣片子進出設(shè)備較均勻，不易產(chǎn)生疊片等現(xiàn)象不易產(chǎn)生疊片等現(xiàn)象片子之間距離2cm39 工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機器碎片，工藝人員在日常正常生產(chǎn)過程中，如果發(fā)現(xiàn)機器碎片，一方面應(yīng)該提醒產(chǎn)線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和歪片；一方面應(yīng)該提醒產(chǎn)線員工注意放片規(guī)范，減少疊片和歪片；另一方面，應(yīng)巡查上述主要地方，及

27、時找到并清理在設(shè)備另一方面，應(yīng)巡查上述主要地方，及時找到并清理在設(shè)備中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產(chǎn)生。中殘留的碎片，杜絕更多碎片的產(chǎn)生。七、前后清洗十項影響效率、七、前后清洗十項影響效率、的原因的原因A.片源不同片源不同 這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、這里提到的片源差異包括多晶硅料的不同（鍋底料、邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重摻雜等等）以及晶體大小不邊皮料、金屬硅、復(fù)拉料、重摻雜等等）以及晶體大小不同（微晶片等），對于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕同（微晶片等），對于前清洗，片源不同，腐蝕量、腐蝕速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會不同，短路電流將受到重大影速率和形成的絨面結(jié)構(gòu)都會不同，短路電

28、流將受到重大影響，其他電性能也會受到一定程度的影響。后清洗雙向切響，其他電性能也會受到一定程度的影響。后清洗雙向切割片的線痕過大會造成過刻等。割片的線痕過大會造成過刻等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1集中投片配合工藝對藥液的調(diào)節(jié)集中投片配合工藝對藥液的調(diào)節(jié)2每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范B.藥液濃度的穩(wěn)定性藥液濃度的穩(wěn)定性 包括藥液補加量的準確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參包括藥液補加量的準確程度，藥液的揮發(fā)，工藝參數(shù)的設(shè)置等。數(shù)的設(shè)置等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備帶料不生產(chǎn)時把藥液排到設(shè)備帶料不生產(chǎn)時把藥液排到TANK槽中槽中2.控制穩(wěn)定的溫度控制穩(wěn)定的溫度3.測量硅片

29、反射率是否超規(guī)范測量硅片反射率是否超規(guī)范4.每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實際測量藥液補加的測量器希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實際測量藥液補加的測量器C.溫度的波動溫度的波動 溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動的大溫度直接影響片子與藥液反應(yīng)的程度，其波動的大小和波動的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕小和波動的周期直接影響批內(nèi)和批次間腐蝕量和刻蝕量的不同，進而導(dǎo)致電性能的波動。量的不同，進而導(dǎo)致電性能的波動。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備定期檢查設(shè)備定期檢查cool是否正常是否正常2.設(shè)備端進行溫度監(jiān)控設(shè)備端進行溫度監(jiān)控3.工藝每天檢查溫度

30、趨勢工藝每天檢查溫度趨勢4.測量硅片反射率是否超規(guī)范測量硅片反射率是否超規(guī)范5.每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范每批產(chǎn)品測量刻蝕重量是有超規(guī)范D.設(shè)備噴淋的異常設(shè)備噴淋的異常 噴淋的異常會導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進行，噴淋的異常會導(dǎo)致藥液殘留和一些反應(yīng)不能正常進行，進而出現(xiàn)臟片。進而出現(xiàn)臟片。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備每次做完設(shè)備每次做完P(guān)M時調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅時調(diào)整好噴淋角度，并用假片檢查硅 片是否有臟片。片是否有臟片。2.生產(chǎn)每兩小時檢查設(shè)備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴生產(chǎn)每兩小時檢查設(shè)備是否有碎片卡在滾輪中，堵住噴 淋口淋口3.蓋擋板時須輕放，避面擋板打偏噴淋口蓋擋板

31、時須輕放，避面擋板打偏噴淋口4.對于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過對于堿槽，當(dāng)設(shè)備待料超過15分鐘時必須沖洗噴淋及風(fēng)刀分鐘時必須沖洗噴淋及風(fēng)刀E.過刻的異常過刻的異常 后清洗造成過刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從后清洗造成過刻，鍍膜后黑邊，且造成短路，從而影響效率及良率而影響效率及良率 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度調(diào)節(jié)排風(fēng)或降低流量或提高速度2.設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查設(shè)備端安裝排風(fēng)監(jiān)控表，并每天檢查3.滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板滾輪或槽體擋板變形，需調(diào)整滾輪或擋板4.藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度藥液濃度異常，需調(diào)節(jié)濃度5.希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實際測量藥液補加的測量器

32、希望設(shè)備端給設(shè)備安裝實際測量藥液補加的測量器F.設(shè)備滾輪的變形異常設(shè)備滾輪的變形異常 導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過刻、硅片沾不到液等，導(dǎo)致碎片、腐蝕不均、過刻、硅片沾不到液等，最終影響效率最終影響效率 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.設(shè)備設(shè)備PM時定期檢查時定期檢查2.工藝及時反饋刻蝕狀況工藝及時反饋刻蝕狀況G.設(shè)備設(shè)備PM徹底性和細化徹底性和細化 PM進行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進行，如濾芯進行的徹底到位可以保證生產(chǎn)的正常進行，如濾芯的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干凈，造成水痕臟片等；的清洗，清洗不好，可能導(dǎo)致水不干凈，造成水痕臟片等；碎片清理不徹底可能導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降碎片清理不徹底可能導(dǎo)致碎片流入藥液管道造成藥液流量降低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。低，滴定閥堵塞漏酸，造成臟片等。 預(yù)防措施：預(yù)防措施：1.要求設(shè)備要求設(shè)備PM之前必須沖洗各個槽滾輪，且在之前必須沖洗各個槽滾輪，且在PM后工藝端后工藝端檢查是否做到位，看碎片是否清洗干凈，滾輪是否安裝好等檢查是否做到位，看碎片是否