半導(dǎo)體器件物理試題庫(kù)

1、半導(dǎo)體器件試題庫(kù)常用單位：在室溫（T = 300K）時(shí)，硅本征載流子的濃度為ni= 1.5x10i0/cm3電荷的電量 q= 1.6x10-i9C 人=1350 cm2/V s pp=500 cm2/V s0=8.854x10-i2 F/m一、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)部分（一）名詞解釋題雜質(zhì)補(bǔ)償：半導(dǎo)體內(nèi)同時(shí)含有施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)時(shí)，施主和受主在導(dǎo)電性能上有互相抵消 的作用，通常稱為雜質(zhì)的補(bǔ)償作用。非平衡載流子:半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，附加的產(chǎn)生率使載流子濃度超過熱平衡載流子濃度， 額外產(chǎn)生的這部分載流子就是非平衡載流子。遷移率：載流子在單位外電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)能力的強(qiáng)弱標(biāo)志，即單位電場(chǎng)下的漂移速度。晶向：晶

2、面：（二）填空題1 .根據(jù)半導(dǎo)體材料內(nèi)部原子排列的有序程度，可將固體材料分為、多晶和三種。2 .根據(jù)雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體晶格中所處位置，可分為 雜質(zhì)和 雜質(zhì)兩種。3 點(diǎn)缺陷主要分為、和反肖特基缺陷。4 .線缺陷，也稱位錯(cuò)，包括、兩種。5 .根據(jù)能帶理論，當(dāng)半導(dǎo)體獲得電子時(shí)，能帶向 彎曲，獲得空穴時(shí)，能帶向 彎曲。6 .能向半導(dǎo)體基體提供電子的雜質(zhì)稱為雜質(zhì)；能向半導(dǎo)體基體提供空穴的雜質(zhì)稱為 雜質(zhì)。7 .對(duì)于N型半導(dǎo)體，根據(jù)導(dǎo)帶低EC和EF的相對(duì)位置，半導(dǎo)體可分為、弱簡(jiǎn) 并和三種。8 .載流子產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)形成電流的兩大動(dòng)力是9 .在Si-SiO2系統(tǒng)中，存在、固定電荷、和輻射電離缺陷4種基本形式的電荷

3、或能態(tài)。10 .對(duì)于N型半導(dǎo)體，當(dāng)摻雜濃度提高時(shí)，費(fèi)米能級(jí)分別向 移動(dòng)；對(duì)于P型半導(dǎo)體，當(dāng)溫度升高時(shí)，費(fèi)米能級(jí)向 移動(dòng)。(三)簡(jiǎn)答題1 .什么是有效質(zhì)量，引入有效質(zhì)量的意義何在？有效質(zhì)量與慣性質(zhì)量的區(qū)別是什么？2 .說明元素半導(dǎo)體Si、Ge中主要摻雜雜質(zhì)及其作用？3 .說明費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)的實(shí)用范圍？4 .什么是雜質(zhì)的補(bǔ)償，補(bǔ)償?shù)囊饬x是什么？(四)問答題1 .說明為什么不同的半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體器件或集成電路其最高工作溫度各不相同？ 要獲得在較高溫度下能夠正常工作的半導(dǎo)體器件的主要途徑是什么？(五)計(jì)算題2 .金剛石結(jié)構(gòu)晶胞的晶格常數(shù)為a,計(jì)算晶面(100)、(110)的面間距

4、和原子面密度。3 .摻有單一施主雜質(zhì)的N型半導(dǎo)體空，已知室溫下其施主能級(jí)ED與費(fèi)米能級(jí)EF之差為1.5kJ,而測(cè)出該樣品的電子濃度為2.0X1016cm-3,由此計(jì)算：(a)該樣品的離化雜質(zhì)濃度是多少？(b)該樣品的少子濃度是多少？(c)未離化雜質(zhì)濃度是多少？(d)施主雜質(zhì)濃度是多少？3.室溫下的 Si,實(shí)驗(yàn)測(cè)得 n0 = 4.5 x 104 cm-3, ND = 5 義 1015 cm-3 ,(a)該半導(dǎo)體是N型還是P型的？(b)分別求出其多子濃度和少子濃度。(c)樣品的電導(dǎo)率是多少？(d)計(jì)算該樣品以本征費(fèi)米能級(jí)E .為參考的費(fèi)米能級(jí)位置。 I4.室溫下硅的有效態(tài)密度N = 2.8 x 1

5、019 cm-3 , N = 1.1 x 1019 cm-3 , kg = 0.026 eV，禁帶 寬度Eg = 1.12 eV，如果忽略禁帶寬度隨溫度的變化(a)計(jì)算77 K,300 K,473 K 三個(gè)不同溫度下的本征載流子濃度；(b) 300 K純硅電子和空穴遷移率是1350 cm2/(V - s)和500 cm2 /(V - s)，計(jì)算此時(shí)的電 阻率；(c)473 K純硅電子和空穴遷移率是420 cm2 /(V - s)和150 cm2 /(V - s)，計(jì)算此時(shí)的樣 品電阻率。5 .若硅中的施主雜質(zhì)濃度是1 x 1017 cm-3、施主雜質(zhì)電離能A ED = 0.012 eV時(shí)，求施

6、主雜質(zhì) 3/4電離時(shí)所需要的溫度是多少？6 .現(xiàn)有一塊摻磷(P)濃度為6x 1016 cm-3的N型Si,已知P在Si中的電離能AED = 0.044 eV， 如果某一溫度下樣品的費(fèi)米能級(jí)E與施主能級(jí)重合，此時(shí)的導(dǎo)帶電子濃度是多少，對(duì)F應(yīng)的溫度又是多少？7 .對(duì)于摻Sb的半導(dǎo)體Si,若Ec - EF = kT為簡(jiǎn)并化條件，試計(jì)算在室溫下發(fā)生簡(jiǎn)并化的 摻雜濃度是多少？8 .半導(dǎo)體電子和空穴遷移率分別是R和R屋證明當(dāng)空穴濃度為p0 = n.(匕/四p)12時(shí)，電導(dǎo) 率最小且omin = 2,( )12/(目+目),o,為本征電導(dǎo)率。9 .摻有3x 1015 cm-3硼原子和1.3x 1016 cm

7、-3磷原子的硅，室溫下計(jì)算：(a)熱平衡態(tài)下多子、少子濃度，費(fèi)米能級(jí)位置(E.為參考)。(b)樣品的電導(dǎo)率。°。(c)光注入An = Ap = 3x 1012 cm-3的非平衡載流子，是否小注入，為什么？(d)附加光電導(dǎo)Ao。(e)光注入下的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)EF'和E” ( E,為參考)。(f)畫出平衡態(tài)下的能帶圖，標(biāo)出Ej Ev、EF、E,等能級(jí)的位置，在此基礎(chǔ)上再畫出 光注入時(shí)的EF'和EFP，說明為什么EF'和EFp偏離EF的程度是不同的。(g)光注入時(shí)的樣品電導(dǎo)率o。10 .用加Eg的光分別照射兩塊N型半導(dǎo)體，假定兩個(gè)樣品的空穴產(chǎn)生率都是gp，空穴 壽命都是

8、tp。如果其中一塊樣品均勻地吸收照射光，而另一塊樣品則在光照表面的極 薄區(qū)域內(nèi)照射光就被全部吸收，寫出這兩個(gè)樣品在光照穩(wěn)定時(shí)非平衡載流子所滿足的方 程并指出它們的區(qū)別。二、P-N部分（一）名詞解釋題平衡PN結(jié)：就是指沒有外加電壓、光照和輻射等的PN結(jié)。單邊突變結(jié)：PN結(jié)一側(cè)的摻雜濃度比另外一側(cè)高很多，表示為P+N或PN+?？臻g勢(shì)壘區(qū)：也稱耗盡區(qū)，是指在PN結(jié)的形成過程中，電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，從而在N 區(qū)側(cè)留下不能移動(dòng)的電離施主，在P區(qū)留下不能移動(dòng)的電離受主，載流子的分布按指數(shù)變 化，該區(qū)域稱空間勢(shì)壘區(qū)。隧道擊穿：當(dāng)PN結(jié)兩邊摻入高濃度的雜質(zhì)時(shí)，其耗盡層寬度很小，即使外加反向電壓不太 高，在P

9、N結(jié)內(nèi)就可形成很強(qiáng)的電場(chǎng)，將共價(jià)鍵的價(jià)電子直接拉出來，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，使 反向電流急劇增加，出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。勢(shì)壘電容：PN結(jié)空間電荷區(qū)的寬度隨外加電壓變化而變化，即正、負(fù)電荷的增減靠外加電 壓的改變而改變；當(dāng)外加電壓不變時(shí)，空間電荷的沖、放電停止，類似一個(gè)電容，常稱之為 PN結(jié)勢(shì)壘電容。歐姆接觸：金屬和半導(dǎo)體之間形成反阻擋層，稱之為歐姆接觸。（二）填空題1 . PN結(jié)的主要制備工藝有：、擴(kuò)散法和 和中子嬗變法。2 .在PN結(jié)的理論分析中，常假設(shè)空間電荷區(qū)中電子和空穴完全被耗盡，即正、負(fù)空 間電荷密度分別等于濃度和 濃度，這種假設(shè)稱為耗盡層近似。3 . PN結(jié)電容包括 和。4 . PN結(jié)的反向恢

10、復(fù)時(shí)間包括和。5 .二次擊穿主要包括二次擊穿和 二次擊穿。6 .耗盡層的寬度與摻雜濃度成關(guān)系，空間勢(shì)壘區(qū)寬度取決于摻雜濃度的一側(cè)。7 . PN結(jié)正向偏壓時(shí)的電流為，反向偏壓時(shí)的電流為。8 .目前，已提出的PN結(jié)擊穿機(jī)理有：、隧道擊穿和三種。9 .在PN結(jié)中，容易發(fā)生雪崩擊穿；容易發(fā)生隧道 擊穿。（三）簡(jiǎn)答題1 .什么叫PN結(jié)的動(dòng)態(tài)平衡和PN結(jié)空間電荷區(qū)？2 .試畫出正向PN結(jié)的能帶圖，并進(jìn)行簡(jiǎn)要說明。3 .試畫出正向PN結(jié)少子濃度分布示意圖。其少子分布表達(dá)式是什么？4 .試解釋正、反向PN結(jié)的電流轉(zhuǎn)換和傳輸機(jī)理。5 .大注入時(shí)PN+結(jié)正向電流公式是什么？試比較大注入與小注入的不同之處。6 .什

11、么是PN結(jié)的正向注入和反向抽?。? .什么叫PN結(jié)的反向抽取作用？試畫出反向PN結(jié)少子濃度分布示意圖。少子分布的表 達(dá)式是什么？8 . PN結(jié)正、反向電流電壓關(guān)系表達(dá)式是什么？ PN結(jié)的單向?qū)щ娦缘暮x是什么？9 . PN結(jié)在正向和反向偏置的情況下，勢(shì)壘區(qū)和載流子運(yùn)動(dòng)是如何變化的？10 .簡(jiǎn)述PN結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿和熱擊穿的機(jī)理.11 .什么叫二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，提高二極管開關(guān)速度的主要途徑有那些？12 .如圖1所示，請(qǐng)問本PN結(jié)的偏壓為正向，還是反向？準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)形成的主要原因? PN 結(jié)空間電荷區(qū)寬度取決的什么因素，對(duì)本PN結(jié)那邊空間電荷區(qū)更寬？圖1 PN結(jié)的少子分布和準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)13 .

12、求出硅突變PN結(jié)空間電荷區(qū)電場(chǎng)分布及其寬度的函數(shù)表達(dá)式。14 .求出硅緩變PN結(jié)空間電荷區(qū)電場(chǎng)分布及其寬度的函數(shù)表達(dá)式。（四）問答題1 .什么叫PN結(jié)的擊穿及擊穿電壓？試敘述PN結(jié)雪崩擊穿和隧道擊穿的機(jī)理，并說明其 不同之處。2 .硅突變結(jié)雪崩擊穿電壓與原材料雜質(zhì)濃度（或電阻率）及半導(dǎo)體層厚度有何關(guān)系？3 .硅緩變PN結(jié)擊穿電壓與原材料雜質(zhì)濃度有何關(guān)系？5 .什么叫PN結(jié)的勢(shì)壘電容？分析勢(shì)壘電容的主要的影響因素及各因素導(dǎo)致壘電容大小變 化的趨勢(shì)。6 .什么叫PN結(jié)的電容效應(yīng)？什么是PN結(jié)勢(shì)壘電容？寫出單邊突變結(jié)和線性緩變結(jié)的勢(shì) 壘電容與偏壓的關(guān)系式。7 .什么是PN結(jié)的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性？什么叫反

13、向恢復(fù)過程、反向恢復(fù)時(shí)間？產(chǎn)生反向恢復(fù) 過程的實(shí)質(zhì)是什么？提高PN結(jié)二極管開關(guān)速度的途徑是什么？8 .什么叫金屬-半導(dǎo)體的整流接觸和歐姆接觸？形成歐姆接觸的方法主要有哪些？9 .為什么金屬與重?fù)诫s半導(dǎo)體接觸可以形成歐姆接觸？（五）計(jì)算題1 .已知硅PN結(jié)的N區(qū)和P區(qū)的雜質(zhì)濃度均為1x1015 cm-3,試求平衡時(shí)的PN結(jié)接觸 電位差。已知室溫下，硅的n. =1.5x1016 cm-3o2 .已知硅P+N結(jié)的N區(qū)雜質(zhì)濃度為1x1016 cm-3,，試求當(dāng)正向電流為0.1 mA時(shí)該P(yáng)+N 結(jié)的導(dǎo)通電壓。若N區(qū)的雜質(zhì)濃度提高到1x1018 cm-3,其導(dǎo)通電壓又是多少？已知：Dp =13 cm2/s

14、，Lp=2x10-3 cm，A=10-5 cm2, q =L6x10T9C, ni =L4x101。cm-3。3 .一個(gè)硅P+N結(jié)的N區(qū)雜質(zhì)濃度為1x1016 cm-3。在反向電壓為10 V, 50 V時(shí)，分別 求勢(shì)壘區(qū)的寬度和單位面積勢(shì)壘電容。4 .一個(gè)硅 P+N 結(jié)，P 區(qū)的 Na =1x1019 cm-3, N 區(qū)的 ND =1x1016 cm-3,求在反向電壓 300 V時(shí)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度。三、三極管部分（一）名詞解釋題集邊效應(yīng)：在大電流下，基極的串聯(lián)電阻上產(chǎn)生一個(gè)大的壓降，使得發(fā)射極由邊緣到中心的 電場(chǎng)減小，從而電流密度從中心到邊緣逐步增大，出現(xiàn)了發(fā)射極電流在靠近基區(qū)的邊緣逐漸 增大，

15、此現(xiàn)象稱為發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，或基區(qū)電阻自偏壓效應(yīng)?；鶇^(qū)寬變效應(yīng)：由于外加電壓變化，引起有效基區(qū)寬度變化的現(xiàn)象。特征頻率：晶體管共射極時(shí)，放大系數(shù)隨頻率增加呈現(xiàn)下降的趨勢(shì)，當(dāng)放大系數(shù)下降為直流 放大系數(shù)的0.707倍時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率?；鶇^(qū)擴(kuò)展效應(yīng)：（二）填空題1 .根據(jù)晶體管基區(qū)的雜質(zhì)分布情況，將晶體管分為基區(qū)晶體管和基區(qū)晶體管。2 .雙極型晶體管共基極連接具有放大作用，共射極連接具有一放大作用。3 .基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)包括擴(kuò)展和 擴(kuò)展兩種效應(yīng)。4 .工作頻率對(duì)晶體管的電流放大系數(shù)主要取決于四個(gè)過程，主要有 過 程、集電結(jié)勢(shì)壘區(qū)渡越過程和集電區(qū)傳輸過程。5 .晶體管的二次擊穿主要包括二次擊穿和 二次擊

16、穿。（三）簡(jiǎn)答題1 .雙極型晶體管中重?fù)诫s發(fā)射區(qū)目的？2 .試畫出處于正常偏置的NPN晶體管的少子分布及載流子輸運(yùn)過程示意圖。3 .解釋NPN晶體管的電流傳輸和轉(zhuǎn)換機(jī)理，并畫出示意圖。4 .什么叫發(fā)射效率丫和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)B* ?5 .什么叫晶體管共基極直流電流放大系數(shù)a。和共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)P0 ? a。、B°與丫,B*之間有什么關(guān)系？6 .什么叫均勻基區(qū)晶體管？均勻基區(qū)晶體管的丫、B*、的表達(dá)式是什么？7 .什么叫緩變基區(qū)晶體管？緩變基區(qū)晶體管的八B*、a0的表達(dá)式是什么？8 .寫出考慮了發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合和基區(qū)表面復(fù)合后均勻基區(qū)晶體管的Y ,B*,a0,B0的表 達(dá)式，并

17、簡(jiǎn)要說明B0公式的物理意義。9 .何謂基區(qū)寬變效應(yīng)？10 .晶體管具有放大能力需具備哪些條件?11 .怎樣提高雙極型晶體管的開關(guān)速度？答案：晶體管的開關(guān)速度取決于開關(guān)時(shí)間，它包括開啟時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間，綜合考慮，提 高速度的主要措施有：（1）采用摻金工藝，以增加復(fù)合中心，加速載流子的耗散，降低存儲(chǔ)時(shí)間；（2）降低外延層的電阻率，以降低t ；（3）減小基區(qū)寬度，降低基區(qū)渡越 s時(shí)間；（4）減小發(fā)射結(jié)結(jié)面積，以減小CJ口CTC，從而減小延遲時(shí)間；（5）適當(dāng)控制并選擇合適的工作條件。12 .雙極型晶體管的二次擊穿機(jī)理是什么？13 .詳細(xì)分析PN結(jié)的自建電場(chǎng)、緩變基區(qū)自建電場(chǎng)和大注入自建電場(chǎng)的異同點(diǎn)。14

18、 .晶體管的方向電流ICB。、I CEO是如何定義的？二者之間有什么關(guān)系？15 .高頻時(shí)，晶體管電流放大系數(shù)下降的原因是什么？16 .什么叫晶體管集電極最大耗散功率?優(yōu)？它與哪些因素有關(guān)？17 .如何擴(kuò)大晶體管的安全工作區(qū)范圍？18 .什么叫晶體管的熱阻RT ？?jī)?nèi)熱阻、外熱阻指的是什么？如何減少晶體管的熱阻？19 .什么是晶體管共發(fā)射極正向壓降4疫和飽和壓降uces ？（四）問答題1.如圖2所示，請(qǐng)問雙極型晶體管的直流特性曲線可分為哪些區(qū)域，對(duì)應(yīng)圖中的什么位置?各自的特點(diǎn)是什么?從圖中特性曲線的疏密程度，總結(jié)電流放大系數(shù)的變化趨勢(shì)，為什 么？圖2雙極型晶體管共發(fā)射極直流輸出特性曲線2、如圖3所

19、示，對(duì)于一個(gè)N+PN-N+結(jié)構(gòu)的雙極晶體管，隨著集電極電流的增大出現(xiàn)了那種Kirk effect效應(yīng)？請(qǐng)?jiān)敿?xì)描述圖3 （a-c）曲線的形成的過程?；鶇^(qū)縮小3 .什么叫晶體管的二次擊穿，晶體擴(kuò)屣并偏移流集中二次擊穿和雪崩注入二次擊穿）是什么？什么是二次擊穿臨界線和安全工作區(qū)？4 .什么叫晶體管的飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)？什么叫臨界飽和和深飽和？5 .在晶體管開關(guān)波形圖中注明延遲時(shí)間）、上升時(shí)間、貯存時(shí)間（、下降時(shí)間號(hào)，并說 明其物理意義。6 . BJT共基極與共射極輸出特性曲線的比較。答案：（1）輸出電流增益共射極要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于共基極，即P »。; （2）共射極輸出特性 曲線的末端上翹，是由于E

20、arly效應(yīng)的緣故緣故；（3）因?yàn)楣矙C(jī)共基極輸出特性曲線的 斜率比共射極的小，所以其輸出電阻要大于共射極接法的輸出電阻；（4）由于共射極接法的電壓落在兩個(gè)結(jié)上，即丫廢=% + VB£，則，E還未減小到零時(shí)，1c已經(jīng)開始下降，而共基極揭發(fā)時(shí)VCB下降到零以后，1c才開始下降。7 .改善晶體管頻率特性的主要措施。答案：（1）降低基區(qū)渡越時(shí)間工，如減小基區(qū)寬度等；（2）降低發(fā)射區(qū)渡越時(shí)間工， be如減小W 增加發(fā)射區(qū)少子的擴(kuò)散長(zhǎng)度，作較陡的雜質(zhì)分布，以減小減速場(chǎng)的作用； E（3）降低發(fā)射結(jié)充放電時(shí)間Tfe和集電結(jié)充放電時(shí)間T屋 如減小發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的面 積等；（4）降低T ,如降低集電極電

21、阻率，但會(huì)降低集電區(qū)的擊穿電壓；（5）降低Teb , 如降低發(fā)射結(jié)面積；（6）降低。如降低。*和rC等。（五）計(jì)算題1 .某一鍺低頻小功率合金晶體管，其N型Ge基片電阻率為1.5 Q-cm,用錮合金在550c 下燒結(jié)，根據(jù)飽和溶解知發(fā)射區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度約為3x10i8/cm-3,求丫。已知卬戶50 .m, Lne=5 .m。2 .雙擴(kuò)散晶體管,Xjc=3.m，Xe=1.5.m,NB （0） = 5x10i7cm-3, Nc= 5x10i5cm-3。 求基區(qū)雜質(zhì)分布為指數(shù)分布時(shí)的基區(qū)自建電場(chǎng)； 計(jì)算基區(qū)中工=0.2處擴(kuò)散電流分量與漂移電流分量之比。 叫b3 .已知某一均勻基區(qū)硅NPN晶體管的丫

22、 = 0.99, BUCBO = 150 V, Wb =18.7.m以及基區(qū)中電 子壽命t =1 .s,求a ,。，P* （忽略發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合和叢區(qū)表面復(fù)合）以及BUfc nb0CEO的數(shù)值。已知Dn = 35 cm2/s。4 . NPN雙擴(kuò)散外延平面晶體管，集電區(qū)電阻率=1.2 Q-cm,集電區(qū)厚度WC =10 .m,硼擴(kuò)散 表面濃度NB5x1018cm-3,結(jié)深Xjc =1.4.m。求集電極偏置電壓分別為25V和2V時(shí)產(chǎn) 生基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)的臨界電流密度。5 .經(jīng)理論計(jì)算，某一晶體管的集電結(jié)雪崩擊穿電壓UB =50V,但測(cè)量其UPT =20V, BUebo = 6V,能否根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)求出

23、該晶體管BUCBO的數(shù)值？6 .已知某一功率晶體管的管芯熱阻為0.2 /W,管殼熱阻為0.4 /W,散熱器到外界空氣 的熱阻為0.4/W,其集電極電壓為5V,集電極電流為20A,室溫為20,求PN結(jié) 的結(jié)溫是多少。7 .證明在NPN均勻基區(qū)晶體管中，正向放大晶體管注入基區(qū)的少子電荷QBF設(shè)基區(qū)寬度Wb=3.m,基區(qū)雜質(zhì)濃度NB = 1017cm-3,發(fā)射結(jié)面積Ae =1x10-4cm2,當(dāng)發(fā) 射結(jié)偏置電壓UBE分別為0.2 V和0.5 V時(shí)，計(jì)算基區(qū)的積累電荷Qbf，并對(duì)計(jì)算結(jié)果 進(jìn)行分析討論。四、MOSFET部分（一）名詞解釋題跨導(dǎo)：反映外加?xùn)艠O電壓（Input）變化量控制漏-源電流（Out

24、put）變化量的能力。閾值電壓:在漏和源之間半導(dǎo)體表面處感應(yīng)出導(dǎo)電溝道所需加在柵電極上的電壓或柵下半導(dǎo) 體表面出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)所加的柵源電壓。溝道長(zhǎng)度調(diào)變效應(yīng)：由于漏-源電壓的增大，漏端耗盡區(qū)不斷增加導(dǎo)致漏源電流隨溝道長(zhǎng)度 的減小而增大的效應(yīng)。夾斷特性:當(dāng)電壓繼續(xù)增加到漏端柵絕緣層上的有效電壓降低于表面強(qiáng)反型所需的閾值電壓 UT時(shí)，漏端表面的反型層厚度減小到零，即漏端處溝道消失，只剩下耗盡區(qū)，這就是 溝道夾斷。表面反型：熱平衡態(tài)的半導(dǎo)體具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)，由于半導(dǎo)體表面能級(jí)的出現(xiàn)半導(dǎo)體的表 面與體內(nèi)出現(xiàn)載流子的交換，導(dǎo)致在表面層下面少子的濃度大于多子的濃度，即形成表 面反型。（二）填空題1. MO

25、S場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)溝道的導(dǎo)電類型可分為和兩類。2. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)零柵壓下是否導(dǎo)通可分為和兩類。3. MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)柵壓情況，導(dǎo)致襯底可出現(xiàn) 狀態(tài)、平帶狀態(tài)狀態(tài)、表面耗盡狀態(tài)和 狀態(tài)四類。4. MOS場(chǎng)效應(yīng)管的二極效應(yīng)主要包括：、短溝道效應(yīng) 和窄短溝道效應(yīng)。5. MOS場(chǎng)效應(yīng)管的平帶電壓的起因主要包括 和兩部分。（三）簡(jiǎn)答題1 . N溝和P溝MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么不同？2 . MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓UT受哪些因素的影響？其中最主要的是哪個(gè)？3 .如何實(shí)現(xiàn)低閾值電壓MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管？4 . MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線可分為哪幾個(gè)區(qū)？每個(gè)區(qū)對(duì)應(yīng)什么工作狀態(tài)？5 .試論MOSFET的工作原理和BJT有何不同？6 .試述MOSFET中W/L的大小對(duì)其性能參數(shù)有何影響？7 .為