第3章《自測題、習(xí)題》參考答案課案

1、第3章場效應(yīng)管及其基本放大電路自測題3.1 填空題1. 按照結(jié)構(gòu)，場效應(yīng)管可分為。它屬于型器件，其最大的優(yōu)點(diǎn)是。2. 在使用場效應(yīng)管時(shí)，由于結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的，所以極和極可互換。mos管中如果襯底在管內(nèi)不與極預(yù)先接在一起，貝y極和極也可互換。3. 當(dāng)場效應(yīng)管工作于線性區(qū)時(shí)，其漏極電流i只受電壓的控制，而與D電壓幾乎無關(guān)。耗盡型i的表達(dá)式為，增強(qiáng)型i的表達(dá)DD式為。zD/mA4. 某耗盡型MOS管的轉(zhuǎn)移曲線如題3.1.4圖所示，由圖可知該管的I=，UP=。DSSP5. 一個(gè)結(jié)型場效應(yīng)管的電流方程為(u¥、I=16x1gsI(mA)，則該管的I=，D(4丿DSSUP=；當(dāng)u=0時(shí)的

2、g=。PGSm6. N溝道結(jié)型場效應(yīng)管工作于放大狀態(tài)時(shí)，要求0>u>，u>；而N溝道增強(qiáng)型MOS管工作于放大狀態(tài)時(shí)，要GSDS求u>，u>。GSDS7. 耗盡型場效應(yīng)管可采用偏壓電路，增強(qiáng)型場效應(yīng)管只能采用偏置電路。8. 在共源放大電路中，若源極電阻R增大，則該電路的漏極電流I，sD跨導(dǎo)g，電壓放大倍數(shù)。m9. 源極跟隨器的輸出電阻與和有關(guān)。答案：1.結(jié)型和絕緣柵型，電壓控制，輸入電阻高。2.漏，源，源，漏，源。3.u，uGSDS=IDSSGSD2uGS1DOIUT。4.4mA，3V。5.16mA，i模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)294V,8ms。6.U,uU,U,uU。7.自

3、給，分壓式。8.減小，減小,pGSPTGST減小。9.g，R。ms3.2 選擇題1. P溝道結(jié)型場效應(yīng)管中的載流子。A自由電子；B.空穴；C.電子和空穴；D帶電離子。2. 對(duì)于結(jié)型場效應(yīng)管，如果U1>1UI，那么管子一定工作于。GSPA.可變電阻區(qū)；B.飽和區(qū)；C.截止區(qū)；D.擊穿區(qū)。3. 與晶體管相比，場效應(yīng)管。A.輸入電阻小；B制作工藝復(fù)雜；C.不便于集成；D放大能力弱4. 工作在恒流狀態(tài)下的場效應(yīng)管，關(guān)于其跨導(dǎo)g，下列說法正確的是。mA.g與I成正比；B.g與U2成正比；mDQmGSC.g與U成正比；D.g與U成正比。mDSmDQ5. P溝道增強(qiáng)型MOS管工作在恒流區(qū)的條件。A.u

4、<U，u>u-U；B.u<U，u<u-U；GSTDSGSTGSTDSGSTC.u>U，u>u-U；D.u>U，u<u-U。GSTDSGSTGSTDSGST6. 某場效應(yīng)管的I為6mA，而I自漏極流出,大小為8mA，則該管是。DSSDQA.P溝道結(jié)型管；B.增強(qiáng)型PMOS管；C.耗盡型PMOS管；D.N溝道結(jié)型管；E.增強(qiáng)型NMOS管；F.耗盡型NMOS管。7. 增強(qiáng)型PMOS管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其柵源電；耗盡型PMOS管工作在放大狀態(tài)時(shí)，其柵源電。A.只能為正；B.只能為負(fù)；C.可正可負(fù)；D.任意。8. U=0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有。

5、GSA.結(jié)型管；B.增強(qiáng)型MOS管；C.耗盡型MOS管。9. 分壓式偏置電路中的柵極電阻R一般阻值很大，這是為了。gA.設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)；B.提高輸入電阻；C.提高放大倍數(shù)。答案：1.B。2.C。3.D。4.D。5.B。6.C。7.B、D。8.A、C。9.B。3.3 判斷題1. 對(duì)于結(jié)型場效應(yīng)管，柵源極之間的PN結(jié)必須正偏。（）2. 結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其R大的特點(diǎn)。（）GS3. 增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管由于預(yù)先在SiO絕緣層中摻入了大量正離子，因此存2在原始的導(dǎo)電溝道。（）4. 若耗盡型NMOS管的U大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。（）GS5. 反映場

6、效應(yīng)管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)是跨導(dǎo)。（）6. 增強(qiáng)型場效應(yīng)管，iD|豐0的必要條件是|UgsI>U。（）7. 場效應(yīng)管的熱穩(wěn)定性比晶體管好的原因是場效應(yīng)管的多數(shù)載流子不參與導(dǎo)電。（）8. 場效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)是具有特別高的輸出電阻。（）9. 各種場效應(yīng)管焊接時(shí)，都應(yīng)先將三個(gè)電極短接，用電烙鐵的余熱焊接。焊好后，再將短路線拆除。（）答案：2、5、6對(duì)；1、3、4、7、8、9錯(cuò)。習(xí)題3.1題3.1圖示出了四個(gè)場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，其中漏極電流的方向是它的實(shí)際方向。試判斷它們各是什么類型的場效應(yīng)管，并寫出各曲線與坐標(biāo)軸交點(diǎn)的名稱及PDSSPI=3mA；圖（c）為PDMOS，U=2V，I=2mA；圖

7、（d）為NEMOS，DSSPDSSU=1V。T3.2題3.2圖示出了四個(gè)場效應(yīng)管的輸出特性。試說明曲線對(duì)應(yīng)何種類型的場效應(yīng)管，并根據(jù)各圖中輸出特性曲線上的標(biāo)定值確定U、U及I數(shù)值。PTDSSsD/mA4V-zD/mAL2-WpS/V-zD/mA他=-2V/L-1V-Upg/V;D/mA他=呻'_2V(a)b）c）牡/V(d)解：圖（a）(c)為PDMOS題3.2圖為NEMOS,U=3V；圖T,U=2V,I=-2mA；圖2)為NDMOSPDSS(b)為P-EMOSU=-2V；圖T,U=-3V,P=3mA。DSS3.3試分別畫出題3.2圖所示各輸出特性曲線對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線。解：題3.3解

8、圖3.4在題3.4圖所示的場效應(yīng)管放大電路中，設(shè)U=4V，TR=2MQ,gR=10kQ,dI=10mADOR=150kQ,g1R=1kQ,s1V=18V，DDR=160kQ,g2R=10kQ,s2RL=10k。試計(jì)算:靜態(tài)工乍點(diǎn)1DQ、gsqUDSQ(2)R、R；(3)A。iou題3.4圖解：（1）R160Ug2VI(R+R)一-X1811IQ9.2911IGSQR+RDDDQs1s2150+160DQDQg1g2(U2(U2I=IGSQ-110xGSQ1DQDOLu、T丿L4丿解得：I沁0.57mA,I沁0.41mA,U沁3.02V(舍去)，U沁4.78VDQ1DQ2GSQ1GSQ2故靜態(tài)漏

9、極電流I沁0.41mA,U沁4.78VDQGSQU二V-1(R+R+R)二18-0.41X(10+1+10)二9.39VDSQDDDQds1s2(2)R=R+R/R=2+150x10-3/160x10-3沁2.08MQigg1g2RqR=10kQod3)gmm2IDOUTUgsq-12x10(4.78、-1二0.98mA/V-g(R/R)mdL1+gRms10.98x(10/10)1+0.98x1q-2.47(4)若C開路,s-gR'm_L-乩血0.2A1+gR1+2x25uA'ums即下降到原來的3.5帶有源極電容C的場效應(yīng)管放大電路如圖3.2.2(a)所示。設(shè)V=18V，s

10、DDR二10MQ，R二2.2MQ，R二51kQ，R=33kQ，R=2kQ，已知場效應(yīng)管gg1g2ds的g=2mA/V，各電容都足夠大，試求：(1)中頻電壓放大倍數(shù)A；(2)若接上mu負(fù)載電阻R=100kQ，求中頻電壓放大倍數(shù)A；(3)求輸入電阻和輸出電阻；(4)Lu若C開路，問接R后的|A|下降到原來的百分之幾？sLu解：(1)A=-gR=-2x33=-66umd(2)A=-g(R/R)=-2x(33/100)q-49.62umdL(3)R=R+R/R=10x106+(2.2x106)/(51x103)q10.05MQigg1g2RqR=33kQod20%。3.6在題3.6圖所示的場效應(yīng)管放大

11、電路中，設(shè)U=-2V，V=20V，R=1MQ，R=10kQ；GSQDDgd管子參數(shù)I=4mA，DSSU=4V時(shí)R的值；（3）計(jì)算A。DSQ解：2）3）U=4V。（1）求電阻R和靜態(tài)電流I；（2）保證靜態(tài)P11）由轉(zhuǎn)移曲線方程iDDQ=IDSS由UGSQDQDSSu1GSIU丿'p7(U¥1gsqIU丿'p7=4xf122I-4丿=1mA,=-1R得R=gsq=2=2kQDQ11I1由UDSQVDDDQ=VI(R+R+R)得DDDQd12U204dsq(R+R)=(10+2)=4kQId11DQ2IDSSUP(U2x4(1GSQ=xIUP丿-4(1x101弓卜1mA/V

12、gRd1+g(R+R)1+1x(2+4)m123.7在題3.7圖所示的場效應(yīng)管放大電路中U=3V，I=3mAPDSS=1Mn,R=12kQ,Rds1。V=20V，DD=R=500Q。試s2Rg計(jì)算：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)；（2）A和A；（3）R、iu1u2R和R。o1o2解：（1）匕一1.43DQDSSu¥GSQ丿U¥GSQ3丿=I(RDQs1u1.15mA,DQ1UGSQ1-IUp+R)=-1(500+500)s2DQIu7.86mA(舍去)DQ2解方程得U=I(R+R)=1.15x10-3x(500+500)=1.15VGSQDQs1s2U=VI(R+R+R)=201.15x

13、(12+0.5+0.5)=5.05VDSQDDDQds1s22)gmm2I(U)BSS1GSQU丿P7-3x(1-士5、<3u1.24mA/VAu1Au2gmRd1+gRms11.24x121+1.24x0.5u-9.19gR11+gRms11.24x0.51+1.24x0.5u0.38題3.8圖(3)R=R=1MigRuR=12kQo1dR=R/1=0.51u0.31kQo2s1g1.24m3.8在題3.8圖所示的場效應(yīng)管放大電路中，設(shè)U=4V,I=2mA。V=15V,R=1MQ,PDSSDDgR=8kQ,R=1MQ。試計(jì)算：（1）靜態(tài)工作點(diǎn);sL（2）R和R；（3）A。iou解：（1

14、）I<DQUGSQu¥GSQUP丿P=IR=Ix8DQsDQDSS(u¥=2x1gsq4kf丿解方程得Iu0.82mA，Iu0.31mADQ1DQ2U=IR=0.82x8=6.56V(舍去)GSQ1DQ1sU=IR=0.31x8=2.48VGSQ2DQ2sU=VIR=150.31x8=12.52VDSQDDDQs所以靜態(tài)工作點(diǎn)為Iu0.31mA，U=2.48V，U=12.52V。DQGSQDSQ2)gmm2I-(U)®ss1gsqU丿p72x24x(1竺k-4丿u0.38mA/VR=R=1MigR=R/1=8/1u1.98kQosg0.38m(3)AugRms1+gRms0.38x81+0.38x80.753.9如圖3.2.3(a)所示的場效應(yīng)管放大電路中，設(shè)V=20V,R=1MG,DDgR=2MQ，R=500kQ，R=10kQ，R=10kQ。且U=-0.2Vg1g2sLGSQg=1.2mA/mV。試計(jì)算：(1)靜態(tài)值I、U；(2)A、R和R。mDQDSQ