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文檔簡介
1、 放大電路小信號運用放大電路小信號運用時,在靜態(tài)工作點附近的時,在靜態(tài)工作點附近的小范圍內,特性曲線的非小范圍內,特性曲線的非線性可忽略不計,近似用線性可忽略不計,近似用一段直線來代替,從而獲一段直線來代替,從而獲得一線性化的電路模型,得一線性化的電路模型,即小信號或微變電路即小信號或微變電路模型。模型。2.5 BJT交流小信號模型交流小信號模型 v建立建立BJT交流小信號模型的意義交流小信號模型的意義v BJT是非線性器件是非線性器件線性器件線性器件非線性電路非線性電路線性電路線性電路線性化線性化線性化線性化靜態(tài)工作點靜態(tài)工作點附近附近v交流小信號條件交流小信號條件 圖圖2-17共射組態(tài)放大
2、原理電路共射組態(tài)放大原理電路 不失真放大交流小信號不失真放大交流小信號條件為條件為:11265(300)55iTvVmV TK交流小信號條件工程交流小信號條件工程上):上):5-10mVvBJT交流小信號模型的建立交流小信號模型的建立v 參數(shù)簡化模型參數(shù)簡化模型v 參數(shù)簡化模型參數(shù)簡化模型vBJT完整小信號模型完整小信號模型混合混合 模型模型 mg(1) 參數(shù)簡化模型重點)參數(shù)簡化模型重點) 把把BJT視為雙口網(wǎng)絡,在交流小信號條件視為雙口網(wǎng)絡,在交流小信號條件下,可分別建立輸入端口和輸出端口相應的下,可分別建立輸入端口和輸出端口相應的電路模型。電路模型。 beBEbeBbQvvctgrii
3、CcBbQiiiicbii 對于對于BJT的輸出端口的輸出端口ce,放大區(qū),放大區(qū)Q點附近的輸出特性曲線點附近的輸出特性曲線基本上是水平的?;旧鲜撬降摹I鲜奖砻魃鲜奖砻鰾JT的輸出端口的輸出端口ce間,可等效為一受控電流源。間,可等效為一受控電流源。 參數(shù)簡化模型參數(shù)簡化模型交流電阻交流電阻 的估算重點)的估算重點) 對于發(fā)射結,其伏安特性方程為對于發(fā)射結,其伏安特性方程為那么那么 當當T300K時,時,上式表明,上式表明,IE越大,越大, rbe 越小。越小。 BETvVEESiI e11BETvVESEBIiie (1)TbeEVrI 26(1)beEmVrIber(2gm參數(shù)簡化模型
4、自學)參數(shù)簡化模型自學)1)BJT低頻跨導的定義低頻跨導的定義 為了反映發(fā)射結電壓為了反映發(fā)射結電壓 對集電極電流對集電極電流 的控的控制能力,定義制能力,定義 (2-43)在交流小信號條件下,在交流小信號條件下, (2-44) 表明表明BJT的的ce端間可用一受控電流源來等效,端間可用一受控電流源來等效,由此可得到由此可得到BJT的的gm參數(shù)簡化模型。參數(shù)簡化模型。 BEvciCmBEQdigdvCcmBEbeQdiigdvv 圖圖2-21 BJT 的參數(shù)簡化模型的參數(shù)簡化模型 mg2) 參數(shù)的估算參數(shù)的估算由于由于 ,那么那么當當T300K時,時, BETvVcEESiiIeBETvVCE
5、SCCmBETTTQQQdiIeiIgdvVVV38.5mCgI3) 與與 、 之間的關系重點)之間的關系重點)mgberTTbeCECmTVVrIIIgV 混合混合型電路模型的引出型電路模型的引出基區(qū)體電阻基區(qū)體電阻基區(qū)復合電阻與電容基區(qū)復合電阻與電容集電結電阻與電容集電結電阻與電容反映三極管正向受反映三極管正向受控作用的電流源控作用的電流源由基區(qū)寬度調制效由基區(qū)寬度調制效應引起的輸出電阻應引起的輸出電阻ibicbcerbbrbecbecbcrbcbgmvberce 混合混合型小信號電路模型型小信號電路模型 若忽略若忽略rbrbc c影響,整理即可得出混影響,整理即可得出混電路模型。電路模型
6、。rbercecbccberbbbcegmvbebibic 電路低頻工作時,可忽略結電容影響,因此低頻電路低頻工作時,可忽略結電容影響,因此低頻混混電路模型簡化為:電路模型簡化為:rbercerbbbcegmvbebibic 簡化的低頻電路模型簡化的低頻電路模型因此,等效電路中的因此,等效電路中的gmvbe ,也可用,也可用 ib表示表示。cbeTiCiBrbebcegmvbeibic= ib 用小信號模型分析共射極基本放大電路用小信號模型分析共射極基本放大電路 . .交流等效電路的畫法交流等效電路的畫法: : a. a.放大電路中輸入、輸出電容短接把直流電放大電路中輸入、輸出電容短接把直流電
7、 源短接源短接; ; b. b.用簡化的三極管低頻等效電路代替三極管用簡化的三極管低頻等效電路代替三極管; ; c. c.保證原電路中各元件連接不變保證原電路中各元件連接不變; ; d. d.正確標示放大電路的輸入和輸出正確標示放大電路的輸入和輸出. .2.6 小結小結v一、一、BJT原理原理v兩種類型:兩種類型:NPN管和管和PNP管。管。 v三種工作狀態(tài):三種工作狀態(tài):v 放大、飽和、截止放大、飽和、截止v 條件條件v 特點特點v 判斷方法判斷方法v 直流等效模型直流等效模型v放大狀態(tài)下的電流關系放大狀態(tài)下的電流關系v二、二、BJT靜態(tài)伏安特性曲線靜態(tài)伏安特性曲線v曲線的形狀曲線的形狀v工
8、作區(qū)域的劃分,特點工作區(qū)域的劃分,特點三、三、BJT小信號模型小信號模型 cmbeig v(1電壓控制電流源(電壓控制電流源( )模型。)模型。(2電流控制電流源(電流控制電流源( )模型。(重點)模型。(重點)(3兩種模型之間的轉換關系兩種模型之間的轉換關系cbiibemrg1. 根據(jù)理論分析根據(jù)理論分析,PN節(jié)伏安特性的數(shù)學表達式為節(jié)伏安特性的數(shù)學表達式為 2. 雙極型晶體管雙極型晶體管(BJT)放大偏置時,應在其發(fā)射結加放大偏置時,應在其發(fā)射結加 _電壓,在集電結加電壓,在集電結加_ 電壓。電壓。往年試題精選:往年試題精選: 3. PN結的基本特性是結的基本特性是 特性。特性。4. 變容
9、二極管利用反偏二極管的變容二極管利用反偏二極管的 任務。任務。 5. 當加在二極管上的正向電壓增加當加在二極管上的正向電壓增加10%時,流過二極管的電流時,流過二極管的電流( )。A. 增加增加10% B. 增加大于增加大于10% C. 增加小于增加小于10% D. 幾乎不增加幾乎不增加1. 根據(jù)理論分析根據(jù)理論分析,PN節(jié)伏安特性的數(shù)學表達式為節(jié)伏安特性的數(shù)學表達式為 2. 雙極型晶體管雙極型晶體管(BJT)放大偏置時,應在其發(fā)射結加放大偏置時,應在其發(fā)射結加 _電壓,在集電結加電壓,在集電結加_ 電壓。電壓。往年試題精選:往年試題精選: 3. PN結的基本特性是結的基本特性是 特性。特性。
10、4. 變容二極管利用反偏二極管的變容二極管利用反偏二極管的 勢壘電容勢壘電容 任務。任務。 5. 當加在二極管上的正向電壓增加當加在二極管上的正向電壓增加10%時,流過二極管的電流時,流過二極管的電流( B )。A. 增加增加10% B. 增加大于增加大于10% C. 增加小于增加小于10% D. 幾乎不增加幾乎不增加往年試題精選:往年試題精選: 6. 如果把二極管視為理想開關如果把二極管視為理想開關,則圖所示二極管電路的輸出電壓則圖所示二極管電路的輸出電壓V0的波形是的波形是 ( ) 圖圖7 A. B. C. D. 6. 如果把二極管視為理想開關,則圖所示二極管電路的輸出電壓V0的波形是 (
11、 A) 圖7 A. B. C. D. 7. 在圖九的電路中,若穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓為在圖九的電路中,若穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓為8V,則,則輸出電壓輸出電壓V0應為應為 ( )(習題)(習題1-15)A. 8V B. 12V C. -0.7V D. 6V 7. 在圖九的電路中,若穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓為8V,則輸出電壓V0應為 ( D)A. 8V B. 12V C. -0.7V D. 6V 8. 測得某放大器中一支測得某放大器中一支BJT的三個電極的直流電壓為:的三個電極的直流電壓為: -0.1v,+7.3v和和-0.82v。由此可以判斷,該管是由此可以判斷,該管是( )。A. NPN硅管硅管 B.
12、 NPN鍺管鍺管 C. PNP硅管硅管 D. PNP鍺管鍺管 8. 測得某放大器中一支BJT的三個電極的直流電壓為:-0.1v,+7.3v和-0.82v。由此可以判斷,該管是( A )。A. NPN硅管 B. NPN鍺管 C. PNP硅管 D. PNP鍺管 9. 圖圖1所示硅二極管電路中的所示硅二極管電路中的vi (t)是振幅等于是振幅等于2v的低頻正的低頻正弦電壓。該電路中,電阻弦電壓。該電路中,電阻RL上的電壓上的電壓vo(t)的波形應該為的波形應該為( )。A. B. C. D. 9. 圖1所示硅二極管電路中的vi (t)是振幅等于2v的低頻正弦電壓。該電路中,電阻RL上的電壓vo(t)
13、的波形應該為( C )。A. B. C. D. 10、充分導通的、充分導通的PN結結,其電流其電流i與電壓與電壓v的關系式的關系式為為 。11、硅二極管的工作點電流、硅二極管的工作點電流ID=0.5mA,在常溫,在常溫下,二極管在該點交流電阻約為下,二極管在該點交流電阻約為 歐姆。歐姆。10、充分導通的PN結,其電流i與電壓v的關系式為 。11、硅二極管的工作點電流ID=0.5mA,在常溫下,二極管在該點交流電阻約為 52 歐姆。12、什么叫整流電路?整流電路利用、什么叫整流電路?整流電路利用了二極管的什么特性?整流電路中的了二極管的什么特性?整流電路中的濾波電路起到什么作用?濾波電路起到什么
14、作用? 12、什么叫整流電路?整流電路利用了、什么叫整流電路?整流電路利用了二極管的什么特性?整流電路中的濾波二極管的什么特性?整流電路中的濾波電路起到什么作用?電路起到什么作用?把交流電壓轉變?yōu)橹绷髅}動電壓的電路;把交流電壓轉變?yōu)橹绷髅}動電壓的電路;單向導電性;將直流脈動電壓變?yōu)槠交瑔蜗驅щ娦?;將直流脈動電壓變?yōu)槠交闹绷麟妷旱闹绷麟妷?13、在穩(wěn)壓電路中,如何保證穩(wěn)壓二、在穩(wěn)壓電路中,如何保證穩(wěn)壓二極管正常工作?極管正常工作? 13、在穩(wěn)壓電路中,如何保證穩(wěn)壓二極、在穩(wěn)壓電路中,如何保證穩(wěn)壓二極管正常工作?管正常工作?合理選取限流電阻,才能保證穩(wěn)壓管正合理選取限流電阻,才能保證穩(wěn)壓管正常工
15、作,常工作,IZmin IZ IZmax,輸入電,輸入電壓必須大于反向擊穿電壓壓必須大于反向擊穿電壓 14、雜質半導體分為(、雜質半導體分為( )型和()型和( )型。自由電子是)型。自由電子是( )型半導體中的多子。空穴是()型半導體中的多子。空穴是( )型半導體中的)型半導體中的少子。少子。15、普通硅二極管的導通電壓的典型值大約為(、普通硅二極管的導通電壓的典型值大約為( )V,而鍺二極管的導通電壓的典型值大約為(而鍺二極管的導通電壓的典型值大約為( )V。16、晶體管工作在放大區(qū)時,、晶體管工作在放大區(qū)時,b-e極間為(極間為( )偏置;)偏置;工作在飽和區(qū)時,工作在飽和區(qū)時, b-e
16、極間為(極間為( )偏置;)偏置; b-c極間為極間為( )偏置;)偏置;17、 與與 的關系(的關系( ). 共射直流電流放大系數(shù)共射直流電流放大系數(shù)共基直流電流放大系數(shù)共基直流電流放大系數(shù)18. 當輸入信號頻率增加到使雙極型晶體管的當輸入信號頻率增加到使雙極型晶體管的|下降為下降為1時,該時,該頻率稱為晶體管的頻率稱為晶體管的_ 頻率。頻率。 14、雜質半導體分為、雜質半導體分為 )型和()型和( )型。自由電子是)型。自由電子是( )型半導體中的多子??昭ㄊ牵┬桶雽w中的多子??昭ㄊ?)型半導體中的)型半導體中的少子。少子。15、普通硅二極管的導通電壓的典型值大約為、普通硅二極管的導通電壓的典型值大約為V,而鍺二極管的導通電壓的典型值大約為,而鍺二極管的導通電壓的典型值大約為V。16、晶體管工作在放大區(qū)時,、晶體管工作在放大區(qū)時,b-e極間為正向偏置;極間為正向偏置;b-c極間為反向極間為反向 )偏置;工作在飽和區(qū)時,)偏置;工作在飽和區(qū)時, b-e極間為極間為正向偏置;正向偏置; b-c極間為正向偏置;極間為正向偏置;1
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