掃描電鏡顯微分析報告

1、掃描電鏡顯微分析實驗報告一、實驗目的1、了解掃描電鏡的根本結構和原理.2、掌握掃描電鏡試樣的制備方法.3、了解掃描電鏡的根本操作.4、了解二次電子像、背散射電子像和吸收電子像,觀察記錄操作的全過程及其在組織形貌觀察中的應用.、實驗內容1、根據掃描電鏡的根本原理,對照儀器設備,了解各局部的功能用途2、根據操作步驟,對照設備儀器,了解每步操作的目的和限制的部位3、在老師的指導下進行電鏡的根本操作.4、對電鏡照片進行根本分析.三、實驗設備儀器與材料Quanta250FEG掃描電子顯微鏡四、實驗原理一、掃描電子顯微鏡的根本結構和成像原理掃描電子顯微鏡ScanningElectronMicroscope

2、,簡稱SEM是繼透射電鏡之后開展起來的一種電子顯微鏡簡稱掃描電鏡.它是將電子束聚焦后以掃描的方式作用樣品,產生一系列物理信息,收集其中的二次電子、背散射電子等信息,經處理后獲得樣品外表形貌的放大圖像.掃描電鏡主要由電子光學系統；信號檢測處理、圖像顯示和記錄系統及真空系統三大系統組成.其中電子光學系統是掃描電鏡的主要組成局部,主要組成：電子槍、電磁透鏡、光欄、掃描線圈、由電子槍發(fā)射出的電子經過聚光鏡系統和末級透鏡的會聚作用形成一直徑很小的電子束,投射到試樣的外表,同時,鏡筒內的偏置線圈使這束電子在試樣外表作光柵式掃描.在掃描過程中,入射電子依次在試樣的每個作用點激發(fā)出各種信息,如二次電子、背散射

3、電子、特征X射線等.安裝在試樣附近的探測器分別檢測相關反響外表形貌特征的形貌信息,如二次電子、背散射電子等,經過處理后電子槍聚光憧放大變換器聚光鎮(zhèn)掃描發(fā)生器口樣品前置放大器信號采集器掃描線圈物鏡樣品室等,其外形和結構原理如圖1所示.圖1掃描電鏡原理框圖送到陰極射線管簡稱CRT的柵極調制其量度,從而在與入射電子束作同步掃描的CRT上顯示出試樣外表的形貌圖像.根據成像信號的不同,可以在SEM的CRT±分別產生二次電子像、背散射電子像、吸收電子像、X射線元素分布圖等.本實驗主要介紹的二次電子像和背散射電子像.二、掃描電子顯微鏡的特點1、分辨本領強.其分辨率可達1nm以下,介于光學顯微鏡的極

4、限分辨率200nM和透射電鏡的分辨率0.1nm之間.2、有效放大倍率高.光學顯微鏡的最大有效放大倍率為1000倍左右,透射電鏡為幾百到80萬,而掃描電鏡可從數十到20萬,聚焦后,無需重新聚焦.3、景深大.其景深比透射電鏡高一個量級,可直接觀察斷口形貌、松散粉體,圖像立體感強；改變電子束的入射角度,對同一視野可立體觀察和分析.4、制樣簡單.對于金屬試樣,可直接觀察,也可拋光、腐蝕后再觀察；對陶瓷、高分子等不導電試樣,需在真空鍍膜機中鍍一層金膜后再進行觀察.5、電子損傷小.電子束直徑一般為3幾十納米,強度約為10-910-11mA遠小于透射電鏡的電子束能量,加速電壓可以小到0.5kV,且電子束在試

5、樣上是動態(tài)掃描,并不固定,因此電子損傷小,污染輕,尤為適合高分子試樣.6、實現綜合分析.掃描電鏡中可以同時組裝其他觀察儀器,如波譜儀、能譜儀等,實現對試樣的外表形貌、微區(qū)成分等方面的同步分析.五、實驗方法和步驟(一)、試樣制備掃描電鏡的試樣要求是塊體、粉末,在真空條件能保持性能穩(wěn)定.如含有水分,那么應先枯燥.當外表有氧化層或污物時,應采用丙酮溶劑清洗干凈.有的樣品必須用化學試劑浸蝕后才能顯露顯微組織的結構,如鋁合金的品界觀察就需用濃度為3%5%的氫氟酸HF浸蝕10s左右才能進行,而對鋁基復合材料那么不宜浸蝕,這是由于增強體與基體的結合界面易被浸蝕,從而影響界面觀察.(1)塊體試樣的制備一般塊體

6、試樣的尺寸為：直徑1015mm厚度約5mm假設是導電試樣,那么可直接置入樣品室中的樣品臺上進行觀察,樣品臺一般為銅或鋁質材料制成,在試樣與樣品臺之間貼有導電膠,一方面可固定試樣,預防樣品臺轉動或上升下降時,樣品滑動,影響觀察；另一方面,起到釋放電荷,預防電荷聚集,使圖像質量下降.如果是非導電體試樣,那么需對試樣噴一層約10nm后的金、銅、鋁或碳膜導電層.導電層的厚度可由顏色來判定,厚度應適中,太厚,那么會掩蓋樣品外表細節(jié),太薄時,會使膜不均勻,局部放電,影響圖像質量.對于觀察金相試樣必須拋光處理.對于復合材料的金相觀察,那么試樣拋光要求較高,劃痕要少,該類樣品的制備難度較大.(2)粉末試樣的制

7、備粉末試樣的制備包括樣品收集、固定和定位等環(huán)節(jié).其中粉末的固定是關鍵,通常用外表吸附法、火棉膠法、銀漿法、膠紙(帶)法和過濾法等.最常用的是膠紙法,即先把兩面膠紙粘貼在樣品臺上,然后將粉末撒在膠紙上,吹去為粘住的多余粉末即可.對不導電的粉體仍需噴涂導電膜處理.(二)、SEMfe鏡操作(1)SEM勺啟動1、抽真空.對熱發(fā)射的鴇絲電子槍要求真空度到達1.3M10“Pa,耗時2030min.指示燈亮,說明真空狀態(tài)已準備好.2、加高壓.確認到達真空狀態(tài)后,可施加高壓,如20kV,當電子束電流的指針指到相應位置如20仙A時,說明電子槍已正常地施加了高壓.如果指針位置不正確,應查找原因,直至正常為止.3、

8、加電流.施加高壓并正常工作后,可給電子槍燈絲施加加熱電流.此時應緩緩轉動燈絲加熱電流旋鈕,使束流指針逐漸增至飽和值.掃描電鏡便處于工作狀態(tài)了.注意：在施加高壓前,應預先接通電源和顯示裝置等的穩(wěn)壓電源并預熱30min左右使其穩(wěn)定.調節(jié)SEM顯示器(CRT的量度與襯度旋鈕,如果CRT1的量度變化正常,即說明儀器狀態(tài)良好,可以投入工作,進行顯微組織觀察分析了.(2)電子光學系統的合軸操作該操作一般采用電磁法,并由計算機完成操作.有時也可由人工操作完成.具體方法如下：1、改變聚光鏡電流大小時,CRTi的圖像不變化而僅僅量度改變,說明聚光鏡已對中.2、改變放大倍數,在CRT±獲得一個放大500

9、0倍的試樣像.3、改變物鏡聚焦電流,CRTi的圖像位置應該不變,如果圖像隨聚焦旋鈕轉動而移動的話,說明還應調節(jié)對中物鏡光欄.物鏡光欄的對中方法如下：先在CRT±調出一個1000倍的二次電子像.轉動物鏡聚焦鈕使其在欠聚焦和過聚焦兩種狀態(tài)下變化,同時觀察CRT±試樣像某個特征形貌是否移動,如果移動,那么慢慢調節(jié)物鏡光欄的x與y螺旋調節(jié)鈕,對中物鏡光欄,直到物鏡聚焦量在欠焦和過焦之間變化時,CRT±的圖像不移動而僅僅失焦.此時物鏡光欄初步對中.再將二次電子像放大倍數提升到500010000倍,重復上述步驟,如果圖像在較高的放大倍數下,不隨聚焦電流的變化而變化,此時,聚光

10、鏡光欄的對中根本完成.如果物鏡光欄電子光學光軸合軸不好以及光欄孔污染,均會引起像散,因此,必須合軸良好,光欄干凈才能獲得高放大倍數、高質量的圖像.(3)更換試樣1、切斷燈絲電流、高壓、顯示器和掃描系統電源.待2min左右燈絲冷卻后對鏡筒放氣.2、將試樣移動機構回到原始位置,翻開樣品室,取出樣品臺,注意樣品臺及其他部件不要碰撞樣品室.3、取下樣品座,將所需樣品放在樣品臺上,調整試樣標準高度,然后將樣品臺放入樣品室.4、重新對鏡筒抽真空.約5min后儀器可進入工作狀態(tài).(4)二次電子像的觀察與分析通常采用二次電子進行成像分析.在探測器收集極的正電位作用下(250500V),二次電子被吸進收集極,然

11、后被帶有10kV加速電壓的加速極加速,打到閃爍體上產生光信號,經光導管輸送到光電倍增管,光信號有轉化為電信號并經放大后輸送到顯示系統,調制顯像管柵極,從而顯示反響試樣外表特征的二次電子像.為了獲得高質量的圖像,應合理選擇以下各種參數：1、高壓值的選擇.二次電子像的分辨率隨加速電壓增加而提升.加速電壓愈高,分辨率愈高,荷電效應愈大,污染的影響愈小,外界干擾愈小,像質襯度愈大.一股原子序數較小的試樣,選用較低的加速電壓,預防電子束對試樣穿透過深和荷電效應.2、聚光鏡電流的選擇.在高壓和光欄固定的情況下,調節(jié)聚光鏡電流,可改變電子束束流的大小.聚光鏡激磁電流愈大,電子束流愈小,束斑直徑也愈小,從而提

12、升分辨率,但因束流減小,會使二次電子的產額減少,圖像變得粗糙,噪音增大.3、末級物鏡光欄的選擇.光欄孔徑與景深、分辨率及試樣照射電流有關.光欄孔徑愈大,景深愈小,分辨率愈低,試樣照射電流愈大,反之亦然.通常選擇300mm和200m的光欄.4、工作距離和試樣傾角的選擇.工作距離是指物鏡聚光鏡的下極靴端面距樣品外表的距離.通常由微動裝置的z軸調節(jié).工作距離小,分辨率高,反之亦然.通常為1015mm高的分辨率時采用5mm為了加大景深可增加工作距離至30mm二次電子像襯度與電子束的入射角入射束方向與樣品外表的法線方向的夾角有關,入射角愈大,氣二次電子的產額會愈大,像襯度愈高.故平坦試樣通常需加大入射角

13、以提升像襯度.5、聚焦與像散校正.通過聚焦調節(jié)鈕進行聚焦.由于掃描電鏡的景深較大,通常在高倍下聚焦,低倍下觀察.當電子通道污染時,會產生像散,即在過焦和欠焦時圖像細節(jié)在互為90度的方向上拉長,須用消像散器校正.6、放大倍數的選擇.根據實際觀察時的具體細節(jié)而定.7、亮度與比照度的選擇.亮度通過調節(jié)前置放大器的輸入信號的電平來進行的.比照度那么是通過光電倍增管的高壓來改變輸出信號的強弱來進行的.平坦試樣應增加比照度,如果圖像明暗對已十分嚴重,應加大灰度,使明暗比照適中.5圖像記錄通過反復調節(jié),獲得滿意的圖像后即可進行照相記錄.照相時,應適當降低增益,并將圖像的亮度和比照度調整到適當的范圍內,以獲得

14、背景適中,層次豐富,立體感強且柔和的照片.6關機按開機的逆程序進行.注意：關斷擴散泵電源約30min后再關機械泵的電源.六、外表成像襯度原理及應用一、二次電子成像襯度二次電子的產額與樣品的原子序數沒有明顯關系,但對樣品的外表形貌非常敏感.二次電子可以形成形貌襯度和成分襯度.1、成分襯度二次電子的產額與原子序數不敏感,背散射電子對原子序數敏感,隨著原子序數的增加,背散射電子額增加.但在背散射電子穿過樣品表層時,將激發(fā)產生局部二次電子,止匕外,二次電子檢測器也將接受能量較低<50eV的局部背散射電子,這樣二次電子的信號強弱在一定程度上也就反映了樣品中原子序數的變化情況,因而也可形成成分襯度.

15、但由于二次電子的成分襯度非常弱,一般不用二次電子信號來研究樣品中的成分分布,且在成像襯度分析時予以忽略.2、形貌襯度當的狀態(tài)不同時,二次電子的產額對樣品外表敏感,形成形貌襯度.應用：二次電子襯度像景深大,成像清楚,立體感強,并可直接觀察,無需重新制樣,已經成為形貌分析最有效的手段之一.1、外表形態(tài)組織觀察a-A12O3,Al3Ti/Al復合材料的組織形貌a-A12O3,TiB2/A1復合材料的組織形貌純鋁的三角晶TiB2溶入a-A12O3中的組織形貌12004IHVWDIMagiBpatIMTilt1#OpEB.39.13皿2口.口W122Mm4Qg|40ET口-O.W632、斷口形貌觀察a-

16、Al2O3,Al3Ti/Al復合材料的拉伸斷口a-Al2O3,TiB2/Al復合材料的拉伸斷口拉伸時Al3Ti組織碎裂形貌純鋁生長形貌3、磨面觀察a-A12O3,TiB2/A1復合材料磨面的縱剖面a-A12O3,Al3Ti/Al復合材料的磨面形貌二、背散射電子成像襯度背散射電子是指被固體樣品中的原子核反彈回來的一局部入射電子.有彈性散射電子和非彈性散射電子兩種.彈性背散射電子,根本沒有能量損失,散射角散射方向與入射方向間的夾角大于90°,能量高達數千數萬eV.非彈性背散射電子有能量損失、甚至經歷了屢次散射,能量從數十數千eV.彈性背散射電子的數量遠比非彈性背散射電子多.散射電子的產額

17、與樣品的原子序數和外表形貌有關,其中原子序數最顯著背散射電子可以用來調制成多種襯度,主要有成分襯度和形貌襯度.1、成分襯度背散射電子的產額隨著原子序數的增加而增加,Z<40時,這種關系更為明顯2、形貌襯度背散射電子的產額與樣品外表的形貌狀態(tài)有關,可形成形貌襯度.應用：運用背散射電子進行形貌分析時,由于其成像單元較大,分辨率遠低于二次電子,因此,一般不用它進行形貌分析.背散射電子主要用于成分襯度分析.Ni基合金組織背散射電子的成分襯度像像NiTiSi激光熔鑄組織背散射電子的成分襯度七、掃描電鏡成像例如八、實驗考前須知1、金相試樣觀察外表形貌時應保證其外表的拋光質量;2、注意觀察不良導電體時

18、,預防荷電現象.九、思考題1、簡述掃描電鏡觀察外表形貌的根本原理.掃描電鏡是對樣品外表形態(tài)進行測試的一種大型儀器.當具有一定能量的入射電子束轟擊樣品外表時,電子與元素的原子核及外層電子發(fā)生單次或屢次彈性與非彈性碰撞,一些電子被反射出樣品外表,而其余的電子那么滲入樣品中,逐漸失去其動能,最后停止運動,并被樣品吸收.在此過程中有99犯上的入射電子能量轉變成樣品熱能,而其余約1%勺入射電子能量從樣品中激發(fā)出各種信號.從燈絲發(fā)射出來的熱電子,受2-30KV電壓加速,經兩個聚光鏡和一個物鏡聚焦后,形成一個具有一定能量,強度和斑點直徑的入射電子束,在掃描線圈產生的磁場作用下,入射電子束按一定時間、空間順序做光柵式掃描.由于樣品外表各點的狀態(tài)不同,因而與電子束作用后產生的各種物理信號的強度也不同.當采用某種電子信號為調制信號成像時,其陰極射線管上響應的各部位將出現不同的亮度,該亮度的差異即形成了具有一定襯度的某種電子圖像.由于二次電子的產額對樣品外表形貌非常敏感,所以外表形貌分析常用二次電子.從樣品中