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1、 硅檢制絨應(yīng)知應(yīng)會 CIB-B 郝宗海硅檢目的硅檢目的檢測不良檢測不良不良分不良分類類電阻電阻率率少子少子壽命壽命厚度厚度TTV尺寸尺寸PN型型崩崩邊邊崩崩點點油油污污線線痕痕臺達硅檢機全貌臺達分選主控機界面檢測模組介紹圖一圖三圖二圖一為APV（左）和LPV（右）模組主要檢測尺寸、缺角和油污、崩點圖二為SM模組主要檢測線痕，圖三為UC模組主要檢測隱裂及雜質(zhì)。Semilab模組硅檢流程硅檢流程拆盒拆盒上料上料下料下料填寫填寫流程流程單單退庫手插手插片片硅檢注意事硅檢注意事項項線痕線痕 如圖2，機械手抓料后，硅片在行走臂上的線痕方向與行走臂垂直。圖2如圖3、4，硅片插入小花籃時線痕方向是平行的（小

2、花籃豎直放置）。圖3圖4小花籃小花籃硅檢操作注意事項硅檢操作注意事項取原材料硅片盒時，雙手最多抱兩盒。 取、放承片盒時，注意雙手抱對角線位置、輕拿輕放。 陷光原理：當(dāng)光入射到一定角度的斜面，光會反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，從而增加吸收率。制絨原理制絨原理利用低濃度堿溶液對晶體硅在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性，在硅片表面腐蝕形成角錐體密布的表面形貌 ，就稱為表面織構(gòu)化。角錐體四面全是由111面包圍形成。 反應(yīng)式為： Si+2NaOH+H2O Na2SiO3 +2H2 制絨原理制絨原理(100)(110)(111)制絨原理制絨原理制絨原理制絨原理顯微鏡下圖像放大

3、后圖像金字塔實貌NaOH溶液濃度反應(yīng)溫度制絨的根本IPA濃度NaSiO3濃度提高溶液濃稠度，控制反應(yīng)速度硅片表面原始狀態(tài)硅片表面原始狀態(tài)氫氣泡密度及大小以及在硅片表面停留的時間決定金字塔形貌 攪拌攪拌提高反應(yīng)物疏運速度，提高氫氣泡脫附作用 氫氣泡作用各個因素的作用制絨工藝流程制絨工藝流程1槽槽清洗清洗2槽槽漂洗漂洗3槽槽粗粗拋拋4槽槽漂洗漂洗5.6.8.9.10制絨制絨槽槽7.11槽槽漂洗漂洗12槽槽酸堿過酸堿過渡渡13槽槽酸洗酸洗14槽槽漂洗漂洗15槽槽酸洗酸洗16槽槽漂洗漂洗17槽槽慢提慢提拉拉制絨機制絨機慢提拉慢提拉制絨作業(yè)注意事項制絨操作注意事項制絨操作注意事項 配制溶液時，嚴(yán)禁容器在半空中倒液。加酸時，防護用具穿戴齊

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