半導體物理學-半導體中雜質和缺陷能級.

1、第二章第二章 半導體中的雜質和缺陷能級半導體中的雜質和缺陷能級第二章第二章 半導體中的雜質和缺陷能級半導體中的雜質和缺陷能級第二章第二章 半導體中的雜質和缺陷能級半導體中的雜質和缺陷能級第二章第二章 半導體中的雜質和缺陷能級半導體中的雜質和缺陷能級實際晶體理想晶體原子在平衡位置附近振動原子靜止在嚴格周期性的晶格格點位置不純凈，含有雜質純凈存在點、線、面缺陷晶格結構完整無缺雜質：半導體晶格中存在的與組成半導體材料的元素不同的其他元素的原子。缺陷缺陷點缺陷，如空位、間隙原子、替位原子等線缺陷，如位錯等面缺陷，如層錯、晶粒間界等雜質和缺陷雜質和缺陷原子的周期性勢場受到破壞原子的周期性勢場受到破壞在禁

2、帶中引入能級在禁帶中引入能級決定半導體的物理和化學性質決定半導體的物理和化學性質金鋼石晶體結構中的四面體間隙位置 內部4個原子構成T空隙金鋼石晶體結構中的六角形間隙位置3個鄰位面心+3個內部原子構成H空隙SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSi 施施 主主 摻摻 雜（摻磷雜（摻磷）SiP+SiSiSiSiSiSiSi-磷替代硅，其效果是磷替代硅，其效果是形成一個正電中心形成一個正電中心P+和一個多余的價電子。和一個多余的價電子。這個多余的價電子就這個多余的價電子就束縛在正電中心束縛在正電中心P+的的周圍（弱束縛）。周圍（弱束縛）。 SiP對于對于Si中的中

3、的P原子，原子，剩余電子的運動剩余電子的運動半徑：半徑：r 65 Si的晶格常數(shù)為的晶格常數(shù)為 5.4對于Ge中的P原子，r 85 +4+4+5+4多余多余價電子價電子磷原子磷原子帶有分立的施主能級帶有分立的施主能級的能帶圖的能帶圖施主能級電離能帶圖施主能級電離能帶圖P 的濃度/Si 原子的濃度=10-6 Si 的原子濃度為 10221023/cm3 摻施主的半導體的導帶電子數(shù)主要由施摻施主的半導體的導帶電子數(shù)主要由施主決定，半導體導電的載流子主要是電子主決定，半導體導電的載流子主要是電子（電子數(shù)（電子數(shù)空穴數(shù)），對應的半導體稱為空穴數(shù)），對應的半導體稱為N型半導體型半導體。稱稱電子為多數(shù)載流

4、子電子為多數(shù)載流子，簡稱，簡稱多子多子，空穴為少空穴為少數(shù)載流子數(shù)載流子，簡稱，簡稱少子少子。 受受 主主 摻摻 雜（摻硼）雜（摻硼）SiB-SiSiSiSiSiSiSi+硼原子接受一個電子后，硼原子接受一個電子后，成為帶負電的硼離子，成為帶負電的硼離子，稱為負電中心（稱為負電中心（B- ） 。帶負電的硼離子和帶正帶負電的硼離子和帶正電的空穴間有靜電引力電的空穴間有靜電引力作用，這個空穴受到硼作用，這個空穴受到硼離子的束縛，在硼離子離子的束縛，在硼離子附近運動。附近運動。空穴空穴B-+4+4+3+4受主能級電離能帶圖受主能級電離能帶圖帶有分立的受主能級帶有分立的受主能級的能帶圖的能帶圖 被受主

5、雜質束縛的空穴的能量狀態(tài)稱為受主能級EA。 施主能級位于離價帶頂很近的禁帶中 雜質原子間的相互作用可忽略，某一種雜質的受主能級是一些具有相同能量的孤立能級。表2-2 硅、鍺晶體中III族雜質的電離能(eV) 摻受主的半導體的價帶空穴數(shù)由受摻受主的半導體的價帶空穴數(shù)由受主決定，半導體導電的載流子主要是空主決定，半導體導電的載流子主要是空穴（空穴數(shù)穴（空穴數(shù)電子數(shù)），對應的半導體電子數(shù)），對應的半導體稱為稱為P型半導體型半導體?？昭槎嘧樱娮訛樯僮?。空穴為多子，電子為少子。 施主和受主濃度：施主和受主濃度：ND、NA施主：施主：Donor，摻入半導體的雜質原子向半導體中，摻入半導體的雜質原子向半

6、導體中 提供導電的電子，并成為帶正電的離子。如提供導電的電子，并成為帶正電的離子。如 Si中摻的中摻的P 和和As受主：受主：Acceptor，摻入半導體的雜質原子向半導體中，摻入半導體的雜質原子向半導體中 提供導電的空穴，并成為帶負電的離子。如提供導電的空穴，并成為帶負電的離子。如 Si中摻的中摻的B 總結 淺能級雜質：引入能級接近導帶底Ec的施主雜質或引入能級接近價帶頂Ev的受主雜質。其作用是改變半導體導電類型和調節(jié)導電能力，例如室溫下，硅、鍺中III、V族雜質幾乎全部電離。 深能級雜質：引入能級遠離導帶底Ec 的施主雜質或引入能級遠離價帶頂Ev的受主雜質。一般作為復合中心，它對載流子和導

7、電類型影響較小。2220408nhqmEnn=1時,基態(tài)電子能量eVhqmE6 .138220401n=時，氫原子電離E=0氫原子的電離能eVEEE6 .1310eVEEE6 .131020*200*22024*6 .138rnrnrnDmmEmmhqmE0*26. 0mmn12reVED025. 00*12. 0mmn0*12. 0mmn0*12. 0mmn16reVED0064. 020*200*22024*6 .138rPrPrPAmmEmmhqmE0*02*20202020rmmnmqhrmqhrnrnr基態(tài)下（n=1），氫原子的軌道半徑：nmr05301.n在半導體中，若同時存在著在

8、半導體中，若同時存在著施主施主和和受主受主雜質，施雜質，施受主雜質之間有受主雜質之間有互相抵消互相抵消的作用，通常稱為的作用，通常稱為雜質雜質的補償作用的補償作用。一共有如下三種情況：。一共有如下三種情況：NDNANANDNANDNDNA因為受主能級低于施主能級，所以施主雜質的電子首先躍遷到NA個受主能級上，還有ND-NA個電子在施主能級上，雜質全部電離時，躍遷到導帶中的導電電子的濃度為n= ND-NA。即則有效施主濃度為NDeff ND-NAECEVEDEA2、 當當NAND 施主能級上的全部電子躍遷到受主能級上，施主能級上的全部電子躍遷到受主能級上，受主能級上還有受主能級上還有NA-ND個

9、空穴，它們可接受價個空穴，它們可接受價帶上的帶上的NA-ND個電子，在價帶中形成的空穴濃個電子，在價帶中形成的空穴濃度度p= NA-ND. 即有效受主濃度為即有效受主濃度為NAeff NA-NDECEVEDEA3、當NAND時， 不能向導帶和價帶提供電子和空穴，稱為雜質的高度補償。 這種材料容易被誤認高純半導體，實際上含雜質很多，性能很差， 不能用來制造半導體器件。 雜質補償作用是制造各種半導體器件的基礎。雜質補償作用是制造各種半導體器件的基礎。 如能根據(jù)需要用擴散或離子注人方法來改變半導如能根據(jù)需要用擴散或離子注人方法來改變半導體中某一區(qū)域的導電類型，以制成各種器件體中某一區(qū)域的導電類型，以

10、制成各種器件. 晶體管制造過程中的雜質補償晶體管制造過程中的雜質補償n型型Si外延層外延層PN硼磷NN金在鍺中產(chǎn)生的能級金在鍺中產(chǎn)生的能級中性金原子Au0只有一個價電子，它取代鍺原子后，金的這一價電子可以電離躍遷到導帶，形成深施主能級ED。它也可以從價帶接受13個電子，形成三個深受主能級。所以，在鍺中金有5種荷電狀態(tài)， Au+, Au0, Au-, Au, AuECEVEDEA1EiEA2EA30.040.200.150.04金在鍺中的能級金在鍺中的能級金在鍺中產(chǎn)生的能級金在鍺中產(chǎn)生的能級金在鍺中產(chǎn)生的 ED是深施主能級，EA1、EA2和EA3是Au0依次接受1個、2個、3個電子后形成的深受主

11、能級， 由于電子間的庫侖排斥作用，接受2個電子比接受1個電子所需電離能大，而接受3個電子比接受2個電子所需電離能還大，Au-，Au，Au能級逐漸升高。ECEVEDEA1EiEA2EA30.040.200.150.04金在鍺中的能級金在鍺中的能級金在硅中產(chǎn)生的深能級金在硅中產(chǎn)生的深能級金在硅中只觀測1個深施主能級和1個深受主能級，這可能是由于其他施主態(tài)和受主態(tài)的電離能大于禁帶寬度，相應的施主能級和受主能級進入了價帶和導帶，所以在禁帶中已經(jīng)測不到了?，F(xiàn)在常用深能級瞬態(tài)譜測量雜質的深能級。金是一種典型的復合中心，在制造高速開關器件時，常有意摻入金以提高器件的響應速度。深能級雜質的電離能常采用類氦模型?？偨Y：深能級雜質能夠產(chǎn)生多次電離，在禁帶中引入多個能級。深能級雜質對半導體的導電類型和載流子濃度影響較小，但是它們對于載流子的復合作用很強，稱為復合中心。晶體雜質GaAsGaPGaAs、GaP晶體中受主雜質的電離能晶體中受主雜質的電離能GaAs電子濃度和硅雜質濃度的關系電子濃度和硅雜質濃度的關系晶體雜質GaAsGaPGaAs、GaP晶體中受主雜質的電離能晶體中受主雜質的電離能 (eV) 間隙原子缺陷：間隙原子缺陷：只有間隙原子而無原子空位只有間隙原子而無原子空位肖特基缺陷：肖特基缺陷：n2.3.2