西安交通大學_趙進全_模擬電子技術基礎_第2章

1、上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.1 晶體管晶體管晶體管又稱半導體三極管晶體管又稱半導體三極管晶體管是最重要的一種半導體器件之一，它的放晶體管是最重要的一種半導體器件之一，它的放大作用和開關作用，促使了電子技術的飛躍。大作用和開關作用，促使了電子技術的飛躍。2 晶體管及放大電路基礎晶體管及放大電路基礎上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎晶體管圖片晶體管圖片上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.1.1 晶體管的結構晶體管的結構1. . NPN型晶體管結構示意圖和符號型晶體管

2、結構示意圖和符號(2) 根據(jù)使用的半導體材料分為根據(jù)使用的半導體材料分為: : 硅管和鍺管硅管和鍺管 (1) 根據(jù)結構分為根據(jù)結構分為: NPN型和型和PNP型型晶體管的主要類型晶體管的主要類型上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎NNP發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射極發(fā)射極E(e)集電極集電極C(c)發(fā)射結發(fā)射結JE集電結集電結JC基極基極B(b)NPN型型晶體管晶體管結構示意圖結構示意圖上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎NPN型型晶體管晶體管符號符號B (b)E(e)TC(c)NNP發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)射極發(fā)射極E(e)集電極集電

3、極C(c)發(fā)射結發(fā)射結JE集電結集電結JC基極基極B(b)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2. PNP型晶體管結構示意圖和符號型晶體管結構示意圖和符號符號符號B (b)E(e)TC(c)E(e)發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)基區(qū)PPNC(c)B(b)JEJC結構示意圖結構示意圖上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎集電區(qū)集電區(qū)EBC發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)(1) 發(fā)射區(qū)小，摻雜濃度高發(fā)射區(qū)小，摻雜濃度高。3. 晶體晶體管的內(nèi)部結構特點（具有放大作用的內(nèi)部條件）管的內(nèi)部結構特點（具有放大作用的內(nèi)部條件）平面型晶平面型晶體管的結體管的結構示意圖構示意圖上頁上頁下

4、頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(2) 集電區(qū)面積大。集電區(qū)面積大。(3) 基區(qū)摻雜濃度很低，且很薄?；鶇^(qū)摻雜濃度很低，且很薄。集電區(qū)集電區(qū)EBC發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)基區(qū)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.1.2 晶體管的工作原理（以晶體管的工作原理（以NPN型管為例）型管為例）依據(jù)兩個依據(jù)兩個PN結的偏置情況結的偏置情況放大狀態(tài)放大狀態(tài)飽和狀態(tài)飽和狀態(tài)截止狀態(tài)截止狀態(tài)倒置狀態(tài)倒置狀態(tài)晶體管的工作狀態(tài)晶體管的工作狀態(tài)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎1發(fā)射結正向偏置、集電結反向偏置發(fā)射結正向偏置、集電結反向偏置放大狀態(tài)放大狀態(tài) 原理圖原理

5、圖電路圖電路圖EEVERCCVCRCIcN NPBEUCBUEIbeBI+ + +ERCREICIBEU CBUBICCVEEVT上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎 (1) 電流關系電流關系a. 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子形成發(fā)射極電流形成發(fā)射極電流IE發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子稱擴散到基區(qū)的發(fā)射稱擴散到基區(qū)的發(fā)射區(qū)多子為非平衡少子區(qū)多子為非平衡少子EEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎b. 基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴發(fā)

6、射區(qū)向基區(qū)擴散電子發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子形成空穴電流形成空穴電流EEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)濃度，因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠大于基區(qū)濃度，空穴電流空穴電流可忽略不記?？珊雎圆挥洝；鶇^(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散空穴發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子EEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎c. 基區(qū)電子的擴散和復合基區(qū)電子的擴散和復合非平衡少子在非平衡少子在基區(qū)復合，形基區(qū)復合，形成基極電流成基極電流IBIB非平

7、衡少子向非平衡少子向集電結擴散集電結擴散EEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎非平衡少子非平衡少子到達集電區(qū)到達集電區(qū)d. 集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子形成發(fā)射極電流形成發(fā)射極電流ICICIBEEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎少子漂移形成反少子漂移形成反向飽和電流向飽和電流ICBOe. 集電區(qū)、基區(qū)少子相互漂移集電區(qū)、基區(qū)少子相互漂移集電區(qū)少子空集電區(qū)少子空穴向基區(qū)漂移穴向基區(qū)漂移ICBO基區(qū)少子電子基區(qū)少子電子

8、向集電區(qū)漂移向集電區(qū)漂移ICIBEEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎晶體管的電流分配關系動畫演示晶體管的電流分配關系動畫演示上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎發(fā)射結回路為輸入回路，集電結回路為輸出回路。發(fā)射結回路為輸入回路，集電結回路為輸出回路?；鶚O是兩個回路的公共端，稱這種接法為基極是兩個回路的公共端，稱這種接法為共基極接法。共基極接法。 輸入回路輸入回路輸出回路輸出回路EIERCRCIBEU CBUBICCVEEVT上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎0ECCBO III 定

9、義定義稱為共基極直流電流放大系數(shù)稱為共基極直流電流放大系數(shù) ICBOICIBEEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎各電極電流之間的關系各電極電流之間的關系CBOECIII IE=IC+IB CBOEB)1(III ICBOICIBEEVERCCVCRcN NPBEU CBU EIbe上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎晶體管共射極接法晶體管共射極接法原理圖原理圖電路圖電路圖IBBBVBRCCVCRcN NPBEU CBU EIbeICICBO CEU TCI CEUCRCCVEIBBVBRBEUBI 上

10、頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎0BCCBO III 定義定義為共射極直流電流為共射極直流電流放大系數(shù)放大系數(shù)IBBBVBRCCVCRcN NPBEU CBU EIbeICICBO CEU 當當UCEUCB時時，集電結正偏，發(fā)射結反偏，晶體管，集電結正偏，發(fā)射結反偏，晶體管仍工作于放大狀態(tài)。仍工作于放大狀態(tài)。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎各電極電流之間的關系各電極電流之間的關系CEOBCIII CEOBBCE)1(IIIII CBOCEO)1(II ICEO稱為穿透電流稱為穿透電流IBBBVBRCCVCRcN NPBEU CBU EIbeICIC

11、BO CEU 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎 1 1或或的關系的關系 由由995. 095. 0 20020 一般情況一般情況上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎 如果如果 UBE 0，那么那么IB 0， IC 0 ，IE 0 當輸入回路電壓當輸入回路電壓U BE =UBE+ +UBE那么那么I B =IB+ +IBI C =IC+ +ICI E =IE+ +IE 如果如果 UBE 0，那么那么IB 0， IC 0 ，IE UBEb. IC=IBc. IC與與UCE無關無關飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)iB=20A0406080100246801234i

12、C/ mA uCE/ V 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎NPN管與管與PNP管的區(qū)別管的區(qū)別iB、uBE、iC、 iE 、uCE的極性二者相反。的極性二者相反。NPN管電路管電路BiBEuCiCEu EiPNP管電路管電路BiBEuCiCEu Ei上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎硅管與鍺管的主要區(qū)別硅管與鍺管的主要區(qū)別(3) 鍺管的鍺管的ICBO比硅管大比硅管大(1) 死區(qū)電壓約為死區(qū)電壓約為硅管硅管0 0.5 V鍺管鍺管0.1 V(2) 導通壓降導通壓降| |uBE| |約為約為鍺管鍺管0.3V硅管硅管0 0.7 V上頁上頁下頁下頁返回返回模

13、擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.1.4 晶體管的主要電參數(shù)晶體管的主要電參數(shù)1. 直流參數(shù)直流參數(shù)(3) 集電極集電極基極間反向飽和電流基極間反向飽和電流ICBO (1) 共基極直流電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù) (2) 共射極直流電流放大系數(shù)共射極直流電流放大系數(shù) (4) 集電極集電極發(fā)射極間反向飽和電流發(fā)射極間反向飽和電流ICEO 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2. 交流參數(shù)交流參數(shù) (1) 共基極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù) 值與值與iC的的關系曲線關系曲線(2) 共射極交流電流放大系數(shù)共射極交流電流放大系數(shù) iCO上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電

14、子技術基礎模擬電子技術基礎3. 極限參數(shù)極限參數(shù)(4) 集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM(1) 集電極開路時發(fā)射極集電極開路時發(fā)射極基極間反向擊穿基極間反向擊穿 電壓電壓U(BR)EBO (2) 發(fā)射極開路時集電極發(fā)射極開路時集電極基極間反向擊穿基極間反向擊穿 電壓電壓U(BR)EBO (3) 基極開路時集電極基極開路時集電極發(fā)射極間反向擊穿發(fā)射極間反向擊穿 電壓電壓U(BR)EBO 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎不安全區(qū)不安全區(qū)iCuCEOU (BR)CEOICM安全區(qū)安全區(qū)(5) 集電極最大允許功率耗散集電極最大允許功率耗散PCM晶體管的安全工作區(qū)晶體管

15、的安全工作區(qū)等功耗線等功耗線PC=PCM =uCEiC上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.1.5 溫度對管子參數(shù)的影響溫度對管子參數(shù)的影響 1對對的影響的影響C/)%15 . 0( T 10)CBO()CBO(002TTTTII 2對對ICBO的影響的影響3對對UBE的影響的影響 C/mV)5 . 22(BE TU4溫度升高，管子的死區(qū)電壓降低。溫度升高，管子的死區(qū)電壓降低。 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎思思 考考 題題2. .如何用萬用表判別晶體管的類型和電極？如何用萬用表判別晶體管的類型和電極？3. 晶體管能夠放大的內(nèi)部和外部條件各是什么

16、？晶體管能夠放大的內(nèi)部和外部條件各是什么？1. 晶體管的發(fā)射極和集電極是否可以調換使用？晶體管的發(fā)射極和集電極是否可以調換使用？4. 晶體管工作在飽和區(qū)時，其電流放大系數(shù)是否與晶體管工作在飽和區(qū)時，其電流放大系數(shù)是否與其工作在放大區(qū)時相同？其工作在放大區(qū)時相同？上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.2 共射極放大電路的組成和工作原理共射極放大電路的組成和工作原理 2.2.1 放大電路概述放大電路概述 1放大電路的用途放大電路的用途 應用舉例應用舉例放放大大器器直直 流流 電電 源源話筒話筒 輸入輸入揚聲器揚聲器輸出輸出把微弱的電信把微弱的電信號不失真地放號不失真地放大到負

17、載所需大到負載所需的數(shù)值的數(shù)值上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2放大電路的主要性能指標放大電路的主要性能指標 放大器性能指標測量原理方框圖放大器性能指標測量原理方框圖 被被 測測 放放 大大 電電 路路負負載載正正弦弦波波信信號號源源+ +直直 流流 電電 源源SuiuouLRoRSRiouAuoiiiiR+ + + +上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎互導放大倍數(shù)互導放大倍數(shù)Ag ioUIAg ioIUAr 互阻放大倍數(shù)互阻放大倍數(shù) Ar ioIIAi 電流放大倍數(shù)電流放大倍數(shù)AiioUUAu 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)Au + +直直流流電電源源

18、SuiuouLRoRSRiouAuoiiiiR+ + + +(1) 放大倍數(shù)放大倍數(shù) A 功率放大倍數(shù)功率放大倍數(shù)ApiiooioIUIUPPAp 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(2) 輸入電阻輸入電阻Ri iiiIUR Ri越大，越大，Ui也就越大，電路的放大能力越強。也就越大，電路的放大能力越強。SiSiiURRRU a. 由于由于b. Ri越大，輸入電流越大，輸入電流ii越小，越小，信號源的負載越小。信號源的負載越小。+ +直直流流電電源源SuiuouLRoRSRiouAuoiiiiR+ + + +Ri上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(3

19、) 輸出電阻輸出電阻Ro a. 輸出電阻輸出電阻Ro的的定義定義 LS0oRUIUR測量電路測量電路被被+ +測測 放放大大 電電 路路直直 流流 電電源源0S uSRu+ +iRo上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎即即 Ro越小，輸出電壓越穩(wěn)定，電路帶負載能力越強。越小，輸出電壓越穩(wěn)定，電路帶負載能力越強。iuooLLouARRRu LR+ +直直流流電電源源SuiuouoRSRiouAuoiiiiR+ + + +由圖可知由圖可知b. Ro對對輸出電壓輸出電壓的的影響影響ioouAuu0oR當當時，時，上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎一種測量一種

20、測量Ro的方法的方法 LoLoo)1(RUUR + +直直流流電電源源SuiuouLRoRSRiouAuoiiiiR+ + + +SoLU帶負載時的輸出電壓帶負載時的輸出電壓 oU負載開路時的輸出電壓負載開路時的輸出電壓式中式中上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(4) 全諧波失真度全諧波失真度D (5) 動態(tài)范圍動態(tài)范圍UoppUopp也稱為最大不失真輸出電壓也稱為最大不失真輸出電壓即諧波電壓總有效值與基波電壓有效值之比即諧波電壓總有效值與基波電壓有效值之比使輸出電壓使輸出電壓uo的非線性失真度達到某一規(guī)定數(shù)值時的非線性失真度達到某一規(guī)定數(shù)值時的的uo的峰的峰 峰值峰值1

21、22UUDnn 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(6) 頻帶寬度頻帶寬度fbw)( f 相頻特性相頻特性 uuAUUAio由由得得幅頻特性幅頻特性)( fAAuu 2muA幅頻特性曲線幅頻特性曲線fLfHfuAmuAfbw相頻特性曲線相頻特性曲線90_o180_o225_o270_o135_ofbwf上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.2.2 共射極放大電路的組成及其工作原理共射極放大電路的組成及其工作原理 1. 共射極放大電路的組成共射極放大電路的組成電路存在的主要問題電路存在的主要問題(1) 信號源與放大電路信號源與放大電路 相互影響相互影響

22、(2) 放大電路與負載相放大電路與負載相 互影響互影響TVBBVCCiBuBE_uCEiC+RBRCiu+_+_RL_uO+上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎各元器件的作用各元器件的作用T 放大器件放大器件隔離放大電路對信號源和負載隔離放大電路對信號源和負載的直流影響。的直流影響。溝通信號源、放大電路、負載溝通信號源、放大電路、負載之間的信號傳遞通道。之間的信號傳遞通道。耦合電容耦合電容C1、 C2改進的共射改進的共射極放大電路極放大電路ou2CiuCCVBRCR1CBBVTLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎為為T提供提供Je正偏電壓正偏電壓UB

23、EVBB、RB提供基極偏置電流提供基極偏置電流IBVCC為為T提供提供Jc反偏電壓反偏電壓UCE及集電極及集電極電流電流IC為電路提供能量為電路提供能量ou2CiuCCVBRCR1CBBVTLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎RC 將集電極電流的變化變換為電壓電壓的將集電極電流的變化變換為電壓電壓的 變化變化ou2CiuCCVBRCR1CBBVTLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(1) 減少電源數(shù)減少電源數(shù)(2) 電路的簡化畫法電路的簡化畫法不畫電源符號，不畫電源符號，只寫出電源正只寫出電源正極對地的電位極對地的電位ou2CiuCCVBRCR1

24、CTLRou2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎放大電路的兩放大電路的兩種工作狀態(tài)種工作狀態(tài)靜態(tài)靜態(tài) 當輸入信號為零時電路的工作狀態(tài)當輸入信號為零時電路的工作狀態(tài)靜態(tài)時放大電路中只有直流分量。靜態(tài)時放大電路中只有直流分量。動態(tài)動態(tài) 有輸入信號時電路的工作狀態(tài)有輸入信號時電路的工作狀態(tài) 動態(tài)時電路中的信號為交、直流混合信號。動態(tài)時電路中的信號為交、直流混合信號。ou2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎注注 不同書寫體字母的含義不同書寫體字母的含義UBE、IB 大寫字母，大寫下標，表示直

25、流量。大寫字母，大寫下標，表示直流量。ube、ib小寫字母，小寫下標，表示交流瞬時值。小寫字母，小寫下標，表示交流瞬時值。uBE 、iB小寫字母，大寫下標，表示交、直混合量。小寫字母，大寫下標，表示交、直混合量。Ube 、Ib大寫字母，小寫下標，表示交流分量有效值。大寫字母，小寫下標，表示交流分量有效值。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎信號的傳遞過程信號的傳遞過程ceouu bBQBiIi cCQCiIi iBEQBEuUu C2隔直作用隔直作用ou2CiuCCV BRCR1C TLR CEuBEuCiBiiuceCEQCEuUu 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基

26、礎模擬電子技術基礎思思 考考 題題1. 對于電壓放大器來說，電路的輸入電阻是越高越好對于電壓放大器來說，電路的輸入電阻是越高越好還是越低越好？為什么？還是越低越好？為什么？2. 對于電流放大器來說，電路的輸出電阻是越高越好對于電流放大器來說，電路的輸出電阻是越高越好還是越低越好？為什么？還是越低越好？為什么？上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.3 放大電路的靜態(tài)分析放大電路的靜態(tài)分析 靜態(tài)分析靜態(tài)分析就是通過放大就是通過放大電路的直流通路求解靜態(tài)工電路的直流通路求解靜態(tài)工作點值作點值IBQ、ICQ、UCEQ等。等。直流通路直流通路CEUCCV BRCRTBEUCIBIo

27、u2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.3.1 圖解法在放大電路靜態(tài)分析中的應用圖解法在放大電路靜態(tài)分析中的應用 1輸入回路輸入回路列寫輸入回路方程列寫輸入回路方程VCC=iBRB+uBE 求解靜態(tài)工作點的常用方法求解靜態(tài)工作點的常用方法圖解法圖解法估算法估算法CEUCCV BRCRTBEUCIBI上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎直流負載線與晶體管輸入特性曲線的交點，即為直流負載線與晶體管輸入特性曲線的交點，即為放大電路的輸入靜態(tài)工作點放大電路的輸入靜態(tài)工作點Qi。在在iB uBE坐標系中表示是坐標系中表示是一條

28、直線一條直線稱為輸入回路的直流負載線稱為輸入回路的直流負載線VCC=iBRB+uBE 方程方程BQIBEQUiQBCC/ RVPKCCV三極管輸入三極管輸入特性曲線特性曲線直流負載線直流負載線OiBuBE上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2輸出回路輸出回路VCC=iCRC+uCE輸出回路方程輸出回路方程稱為輸出回路的直流負載線。稱為輸出回路的直流負載線。CCC/ RVCCVMN直流負載線直流負載線輸出輸出特性特性曲線曲線直流負載線與晶體管輸出特直流負載線與晶體管輸出特性曲線的交點，即為放大電性曲線的交點，即為放大電路的輸入靜態(tài)工作點路的輸入靜態(tài)工作點Qo。oQCQICEQ

29、U在在iC uCE坐標系中也是一條直線，坐標系中也是一條直線，iCOuCECEUCCV BRCRTBEUCIBIBQI上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.3.2 估算法在放大電路靜態(tài)分析中的應用估算法在放大電路靜態(tài)分析中的應用 BQCQII UCEQ=VCCICQRC式中，式中，|UBEQ |凡硅管可取為凡硅管可取為0.7 V、鍺管鍺管0.3 V。 由輸入回路方程由輸入回路方程VCC=iBRB+uBEBBEQCCBQRUVI 得得上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎思思 考考 題題圖解法和估算法是晶體管放大電路靜態(tài)分析常用的圖解法和估算法是晶體管放大

30、電路靜態(tài)分析常用的的兩種分析方法，它們各有哪些優(yōu)缺點？的兩種分析方法，它們各有哪些優(yōu)缺點？上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎放大電路的動態(tài)分析是放大電路的動態(tài)分析是在靜態(tài)分析的基礎上，分析電在靜態(tài)分析的基礎上，分析電路中的信號的傳輸情況，考慮的只是電壓和電流的交路中的信號的傳輸情況，考慮的只是電壓和電流的交流分量（信號分量）。流分量（信號分量）。2.4 放大電路的動態(tài)分析放大電路的動態(tài)分析 常用的分析方法常用的分析方法圖解法圖解法微變等效電路法微變等效電路法上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.4.1 圖解法在放大電路動態(tài)分析中的應用圖解法在放大電路

31、動態(tài)分析中的應用 設輸入信號設輸入信號ui=Uimsinw w t Vou2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎1當當RL=時時在輸入回路在輸入回路uBE=UBE+uitOBEuBEQUiuuBE波形圖波形圖ou2CiuCCV BRCR1C TLR CEuBEuCiBi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎iQBQIBQIB2iB1iBEQUiB的波形圖的波形圖工作點的移動工作點的移動uBE波形圖波形圖(1) 信號的傳遞信號的傳遞已知已知QabtOBEuOtBiBiOBEua. iB的形成過程的形成過程上頁上頁下頁下頁返回

32、返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎abBQBIi oQtMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuCEQUCEQUCQICQIiB1iB2b. 輸出波形輸出波形已知已知Q已知已知 iB工作點的移動工作點的移動uCE波形圖波形圖iC波形圖波形圖輸出電壓輸出電壓uoOCi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎已知輸入信號已知輸入信號小結小結輸出信號波形輸出信號波形OtouOtiu輸出電壓輸出電壓uo與輸入電壓與輸入電壓ui相位相反相位相反上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(2) 如果靜態(tài)工作點如果靜態(tài)工作點Q太低太低iQBQIBQIBEQU工作點的移動

33、工作點的移動uBE波形圖波形圖ab已知已知QiB1iB2iB的波形圖的波形圖a. 輸輸入入波波形形OtBitOBEuBiOBEu上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎abBQBIi oQCEQUCEQUCQICQIiB1iB2已知已知Q已知已知 iB工作點的移動工作點的移動uCE波形圖波形圖iC波形圖波形圖輸出電壓輸出電壓b. 輸出波形輸出波形截止截止失真失真tMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuOCi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎iQBQIBQIBEQUOBitOtOBiBEuBEu工作點的移動工作點的移動uBE波形圖波形圖ab已知已知Q

34、iB1iB2iB的波形圖的波形圖a. 輸輸入入波波形形(3) 如果靜態(tài)工作點如果靜態(tài)工作點Q太高太高上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎abBQBIi oQCEQUCEQUCQICQIiB1iB2已知已知Q已知已知 iB工作點的移動工作點的移動uCE波形圖波形圖iC波波形圖形圖b. 輸出波形輸出波形輸出輸出電壓電壓飽和飽和失真失真tMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuOCi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎iQBQIBQIBEQUOBitOtOBiBEuBEu工作點的移動工作點的移動uBE波形波形ab已知已知QiB1iB2iB的波形的波形a.

35、 輸輸入入波波形形(4) 如果輸入信號太大如果輸入信號太大上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎abBQBIi oQCEQUCEQUCQICQIiB1iB2已知已知Q已知已知 iB工作點的移動工作點的移動uCE波形波形iC波形波形b. 輸出波形輸出波形tMNCCC/ RVCCVOCEuCiOtCEuOCi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎CCQRICEQU（忽略（忽略 UCES和和ICBO）(5) 放大電路的動態(tài)范圍放大電路的動態(tài)范圍a. 如果如果UCEQ=ICQRC=VCC/2CQIiB波形波形iB1iB2iB3uo1uo2uo3輸輸出出波波形形=2I

36、CRCUopp=2UCEQ=VCCOtCEuOMNCCC/ RVCEuCCVCi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎CCQRICEQUb. 如果如果UCEQICQRCCQIiB波形波形iB1iB2iB3輸輸出出波波形形Uopp=2ICRCuo1uo2uo3CEQU0tCEu0MNCCC/ RVCEuCCVCi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎基本共射極放大電路的波形分析動畫演示基本共射極放大電路的波形分析動畫演示上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎結論結論(2) 共射極放大電路的共射極放大電路的uo與與ui的相位相反。的相位相反。(

37、3) ui的幅度過大或靜態(tài)工作點不合適的幅度過大或靜態(tài)工作點不合適 ，將使工作點，將使工作點 進入非線性區(qū)而產(chǎn)生非線性失真（飽和失真、截進入非線性區(qū)而產(chǎn)生非線性失真（飽和失真、截 止失真）。止失真）。(4) 放大電路中的信號放大電路中的信號iB=IB+ ibuBE=UBE+uiiC=IC+ icuCE=UCE+uce(1)imomioUUUUAu 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎CCCCQCEQopp22VRIUU (5) 動態(tài)范圍動態(tài)范圍(忽略忽略ICEO和和UCES)a. Qo點在負載線的中點點在負載線的中點UCEQ=ICQRC =VCC/2Uopp=2ICQRCb

38、. Qo點在負載線中點下方點在負載線中點下方 UCEQICQRC上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎c. Qo點在負載線中點上方點在負載線中點上方(6) 非線性失真的特點非線性失真的特點Uopp=2min UCEQ， ICQRCUCEQICQRC飽和失真飽和失真 輸出電壓波形的下半部被削平輸出電壓波形的下半部被削平截止失真截止失真 輸出電壓波形的上半部被削平輸出電壓波形的上半部被削平d. Uopp的一般表示式的一般表示式上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2當當RL時時(1) 放大電路的交流通路放大電路的交流通路交流通路畫法交流通路畫法耦合電容短路耦合電

39、容短路直流電壓源短路直流電壓源短路ou2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎交流通路交流通路ou2CiuCCV BRCR1C TLRouiuBRCR TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎由放大電路的交流通路可知由放大電路的交流通路可知ceouu LcRi icouiuBRCRTLRceu式中式中LCL/ RRR )/(CLcRRi 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎ceCEQCEuUu 由于由于LcceRiu LCQCCEQCE)(RIiUu 故故cCQCiIi LCLCQCEQRiRIU L

40、CCCRiV (2) 交流負載線交流負載線式中式中LCQCEQCCRIUV ou2CiuCCV BRCR1C TLR CEuBEuCiBi上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎在在uCE iC的坐標系中也表示一條直線，該直線稱的坐標系中也表示一條直線，該直線稱為放大電路的為放大電路的交流負載線。交流負載線。LCCCCERiVu 式式M直流負載線直流負載線交流負載線交流負載線PL/1 R a b iCuCEOQoNabCEQUC/1 R CCC/ RVLCQCEQRIU CQI上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎交流負載線及放大電路波形分析交流負載線及放大電

41、路波形分析上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎交流負載線的特點交流負載線的特點b. 經(jīng)過靜態(tài)工作點經(jīng)過靜態(tài)工作點QoM直流負載線直流負載線交流負載線交流負載線PL/1 R a b iCuCEOQoNabCEQUC/1 R CCC/ RVLCQCEQRIU CQIa. 斜率為斜率為L1 R c. 與橫軸的交點為與橫軸的交點為LCQCEQRIU 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎e. 動態(tài)范圍動態(tài)范圍(a) 比電路空載時小比電路空載時小M直流負載線直流負載線交流負載線交流負載線PL/1 R a b iCuCEOQoNabCEQUC/1 R CCC/ RVL

42、CQCEQRIU CQI),min(2LCQCESCEQoppRIUUU (c) 當考慮當考慮UCES時，時，(b),min2LCQCEQoppRIUU 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(2) 作圖繁瑣作圖繁瑣圖解法的特點圖解法的特點(1) 便于觀察便于觀察(4) 放大電路的一些性能指標無法用圖解法求得放大電路的一些性能指標無法用圖解法求得(3) 當信號太當信號太很小時無法作圖很小時無法作圖上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.4.2 微變等效電路法在放大電路動態(tài)分析中的應用微變等效電路法在放大電路動態(tài)分析中的應用 1晶體管的晶體管的H參數(shù)微變等效

43、電路參數(shù)微變等效電路 (1) 晶體管線性化的條件晶體管線性化的條件晶體管在小信號下工作晶體管在小信號下工作a. iB與與 uBE 之間具有線性關系之間具有線性關系b. 值恒定值恒定(2) 晶體管可線性化的主要依據(jù)晶體管可線性化的主要依據(jù)上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎晶體管共射極接法線性化原理晶體管共射極接法線性化原理晶體管晶體管ucebecNPNPNP或或型型型型晶晶 管管體體+icubeib+線性二端口網(wǎng)絡線性二端口網(wǎng)絡線線 性性網(wǎng)網(wǎng) 絡絡uce+ubeicib等效等效上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎0BBE0BBEieCEce UUiuiu

44、h0CEBE0CEBEreBb iIuuuuh0BC0BCfeCEce uUiiiih0CEC0CECoeBb iIuiuih晶體管線性等效電路的晶體管線性等效電路的H參數(shù)描述參數(shù)描述式中式中cerebiebeuhihu ceoebfecuhihi 線線 性性網(wǎng)網(wǎng) 絡絡uce+ubeicib上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎晶體管的微變等效電路晶體管的微變等效電路可畫出等效電路可畫出等效電路cerebiebeuhihu ceoebfecuhihi 由由+_bec+_hfeib+_hieubeibhreuce1/hoeicuce上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電

45、子技術基礎EQbbiebe)1 (IUrhrT rbe晶體管的共射極晶體管的共射極 輸入電阻輸入電阻圖中圖中+_bec+_ ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicuceEQIUT晶體管的發(fā)射結電阻晶體管的發(fā)射結電阻晶體管的基區(qū)體電阻，晶體管的基區(qū)體電阻，bb r一般取一般取 300bbr上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎hre晶體管反向傳輸晶體管反向傳輸 電壓比電壓比+_bec+_ ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicucefeh 晶體管電流放大系數(shù)，晶體管電流放大系數(shù)，fehoeh晶體管共射極輸出電導，晶體管共射極輸出電導，ACQceoe1UI

46、rh 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎hre、hoe一般比較小，可忽略不計。一般比較小，可忽略不計。 簡化的晶體管簡化的晶體管微變等效電路微變等效電路ube+_becib+_rbeibicuce+_bec+_ ib+_rbeubeibhreuce1/hoeicuce上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2微變等效電路法在放大電路動態(tài)分析中的應用微變等效電路法在放大電路動態(tài)分析中的應用 (1) 畫出放大電路的交流通路畫出放大電路的交流通路ou2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎交流通路交流通路oui

47、uBRCR TLRou2CiuCCV BRCR1C TLR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(2) 畫出放大電路的畫出放大電路的微變等效電微變等效電路路ouiuBRCRTLRbiberbi cib ceouiuBRCR TLR將晶體管將晶體管微變等效微變等效放大電路的微放大電路的微變等效電路變等效電路上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(3) 放大電路的主要性能指標的計算放大電路的主要性能指標的計算a. 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)ioUUAu )/(LCboRRIU bebirIU 由圖可知由圖可知ouiuBRCRTLRbiberbi cib ce上頁上

48、頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎beLrR ioUUAu bebLCb)/(rIRRI 式中式中CLL/ RRR uo與與ui相位相反相位相反ouiuBRCRTLRbiberbi cib ce故故上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎iiiIUR b. 輸入電阻輸入電阻RibeiBiirURUI 由圖可知由圖可知RiouiuBRCRTLRbiberbi cib ce上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎beiBiiiiirURUUIUR beirR 通常通常beBrR ，故，故beB111rR beB/ rR RiouiuBRCRTLRbi

49、berbi cib ce上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎c. 輸出電阻輸出電阻Ro Li0oRUIUR由定義由定義畫出求輸出電畫出求輸出電阻的等效電路阻的等效電路u0i uBRCRTbiberbi cibceiiRoiouiuBRCRTLRbiberbi cib ce上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎求輸出電阻求輸出電阻的等效電路的等效電路由圖可知由圖可知0b iC0oLiRIURRU 故故u0i uBRCRTbiberbi cibceiiRoi0i u當當時時上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(a) 晶體管的晶體管的IBQ，

50、ICQ 及及 UCEQ值值；(b) 放大電路的放大電路的Au，Ri， Ro及及Uopp。 解解 (a) 畫出放大電路的直流通路畫出放大電路的直流通路ou2CiuCCV BRCR1CTLR 例例 在圖示電路中，已知在圖示電路中，已知：VCC=12 V， RC=2 k ，RB=360 k ；晶體管晶體管T為鍺管，其為鍺管，其 , , = =60 , C1=C2=10 m mF，RL=2 k 。試求試求： 300bbr上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎由圖可知由圖可知直流通路直流通路310360)3.0(12 A5.32 CEQUCCV BRCRTBEQUCQIBQIou2Ci

51、uCCV BRCR1CTLRBBEQCCBQRUVI 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(b) 首先畫出放大電路的交流通路首先畫出放大電路的交流通路CCQCCCEQRIVU BCQII mA)105.32(603 mA95.1 V2)95.1(12 V1 .8 CEQUCCV BRCRTBEQUCQIBQI上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎其次畫出放大電路其次畫出放大電路的微變等效電路的微變等效電路微變等效電路微變等效電路ouiuBRCRLRbiberbi cibceiiou2CiuCCV BRCR1CTLR交流通路交流通路ouiuBRCRTLRii

52、bici上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎圖中圖中EQbbbe)1(IUrrT 95.126)601(300 k1 . 1ouiuBRCRLRbiberbi cibceii上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎由微變等效電路得由微變等效電路得 1.1222260 5.54 beCL)/(rRRAu ouiuBRCRLRbiberbi cibceiiRi=RB/rbe rbe=1.1 k k2CoRR上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2UCEQ=28.1 V =16.2 VouiuBRCRLRbiberbi cibceii因為因為V9

53、 . 3V222295. 122LCQ RI故故V9 . 32,2minLCQCEQopp RIUU上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎思思 考考 題題3. 能否增大能否增大RC來提高共射極放大電路的電壓放大來提高共射極放大電路的電壓放大 倍數(shù)？設倍數(shù)？設IB不變不變,當當RC過大時對放大電路的性能過大時對放大電路的性能 有何影響？有何影響？1. 共射極放大電路的電壓放大倍數(shù)共射極放大電路的電壓放大倍數(shù)Au是不是與是不是與 成正比？成正比？2. 為什么說當為什么說當 一定時通過增大一定時通過增大IE來提高共射極來提高共射極放放 大電路的電壓放大倍數(shù)是有限制的？試從大電路的電

54、壓放大倍數(shù)是有限制的？試從IC和和 rbe兩方面來說明。兩方面來說明。上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.5 靜態(tài)工作點的選擇和穩(wěn)定靜態(tài)工作點的選擇和穩(wěn)定 選擇靜態(tài)工作點選擇靜態(tài)工作點Q應該考慮的幾個主要問題應該考慮的幾個主要問題1. 安全性安全性2. 動態(tài)范圍動態(tài)范圍Q應該在安全區(qū)，且應該在安全區(qū)中的放大區(qū)應該在安全區(qū)，且應該在安全區(qū)中的放大區(qū)。為了獲得盡可能大的動態(tài)范圍，為了獲得盡可能大的動態(tài)范圍， Q應該設置在交應該設置在交流負載線的中間。流負載線的中間。3. 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)Au2.5.1 靜態(tài)工作點的選擇靜態(tài)工作點的選擇上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子

55、技術基礎模擬電子技術基礎EQbbbe)1(IUrrT 當當d/diC 0時時| ICQ |增大增大rbe減小減小4. 輸入電阻輸入電阻Ri由于由于Ri rbe當當| ICQ |增大增大rbe減小減小Ri減小減小beL|rRAu 由于由于| Au |提高提高 上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎5. 功耗和噪聲功耗和噪聲2.5.2 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定靜態(tài)工作點的穩(wěn)定 1引起引起Q點不穩(wěn)定的原因點不穩(wěn)定的原因 (1) 溫度對溫度對Q點的影響點的影響a. 溫度升高，溫度升高，增大增大b. 溫度升高，溫度升高， ICBQ增大增大減小電流減小電流|ICQ|，可以降低電路的功耗和噪聲。，

56、可以降低電路的功耗和噪聲。 c. 溫度升高，溫度升高， |UBE|減小減小導致集電極電流導致集電極電流ICQ增大增大上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎(2) 老化老化(3) 其它方面其它方面b. 影響影響Q點不穩(wěn)定的主要點不穩(wěn)定的主要 因素是溫度因素是溫度管子長期使用后，參數(shù)會發(fā)生變化，影響管子長期使用后，參數(shù)會發(fā)生變化，影響Q點點。 電源電壓波動、元件參數(shù)的變化等都會影響電源電壓波動、元件參數(shù)的變化等都會影響Q點。點。小結小結a. Q點是影響電路性能的主要因素點是影響電路性能的主要因素上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2穩(wěn)定靜態(tài)工作點的途徑穩(wěn)定靜態(tài)

57、工作點的途徑 (1) 從元件入手從元件入手a. 選擇溫度性能好的元件。選擇溫度性能好的元件。b. 經(jīng)過一定的工藝處理以穩(wěn)定元件的參數(shù)，防止經(jīng)過一定的工藝處理以穩(wěn)定元件的參數(shù)，防止 元件老化。元件老化。(2) 從環(huán)境入手從環(huán)境入手采用恒溫措施。采用恒溫措施。引入負反饋引入負反饋采用溫度補償采用溫度補償(3) 從電路入手從電路入手上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎2.5.3 負反饋在靜態(tài)工作點穩(wěn)定中的應用負反饋在靜態(tài)工作點穩(wěn)定中的應用 (1) 電路組成電路組成 +_T+_+B1RB2R1CiuCCV CR2CECERLRou上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術

58、基礎I IBQCCB2B1B2BQVRRRU 晶體管基極電位晶體管基極電位 UBQ UBEQ (2) Q點穩(wěn)定的條件點穩(wěn)定的條件直流通路直流通路T+_+B1RB2RCCV CRER_CEQUBEQUBQIICQIEQI_BQU上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎穩(wěn)定穩(wěn)定Q點的機理點的機理T CBOIBEUCQIEEQRI)(EEQBQBEQRIUU BQICQIT+_+B1RB2RCCV CRER_CEQUBEQUBQIICQIEQI_BQU上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎這種作用稱為這種作用稱為直流電流負反饋直流電流負反饋小結小結負反饋穩(wěn)定負反饋穩(wěn)

59、定Q的機理的機理電路將輸出電流電路將輸出電流IC在在RE上的壓上的壓降返送到輸入回路，產(chǎn)生了抑降返送到輸入回路，產(chǎn)生了抑制制IC改變的作用，使改變的作用，使IC基本不基本不變。變。T+_+B1RB2RCCV CRER_CEQUBEQUBQIICQIEQI_BQU上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎電容電容CEEE1CRw w a. 對于交流信號滿足對于交流信號滿足b. 交流信號對地短路，使交流信號對地短路，使 RE只對直流信號有反饋，只對直流信號有反饋， 而對交流信號無反饋。而對交流信號無反饋。CE稱為旁路電容稱為旁路電容+_T+_+B1RB2R1CiuCCV CR2CEC

60、ERLRou上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎例例1 在圖示電路中，在圖示電路中，RB1=39k，RB2=10k， RC=2.7k，RE=1kW，RL=5.1 k，CE=47m mF ，(1) ICEQ和和UCEQ的值的值; ;(2) Au、R I和和Ro的值。的值。+_T+_+B1RB2R1CiuCCV CR2CECERLRou 300bbrC1=C2=10m mF，VCC=15 V，晶體管的晶體管的UBEQ= =0.7 V, = 100、 。 試求：試求：上頁上頁下頁下頁返回返回模擬電子技術基礎模擬電子技術基礎求靜態(tài)工作點求靜態(tài)工作點 解解 (1) 方法一方法一 戴維