簡(jiǎn)明微波復(fù)習(xí)PPT

1、西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 復(fù)習(xí)課什么是“微波”？微波是電磁波，是一段特殊頻率的電磁波！微波是電磁波，是一段特殊頻率的電磁波！把把300MHz3000GHz，(對(duì)應(yīng)空氣中波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)空氣中波長(zhǎng)是是1m0.1mm)這一頻段的電磁波稱之為微波。這一頻段的電磁波稱之為微波。波遇到了障礙可以不反射，波在空曠處有可波遇到了障礙可以不反射，波在空曠處有可能反射！核心概念能反射！核心概念: 波阻抗波阻抗.西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE

2、微波傳輸線為什么不采用50周市電明線呢? 當(dāng)頻率升高出現(xiàn)的當(dāng)頻率升高出現(xiàn)的第一個(gè)問題第一個(gè)問題是導(dǎo)體的集膚是導(dǎo)體的集膚效應(yīng)效應(yīng)(Skin Effect)。導(dǎo)體的電流、電荷和場(chǎng)都集中。導(dǎo)體的電流、電荷和場(chǎng)都集中在導(dǎo)體表面。在導(dǎo)體表面。 直徑為直徑為d=6.06 m的微波傳輸?shù)奈⒉▊鬏敗爸?，其粗度，其粗度超過人民大會(huì)堂的主柱。超過人民大會(huì)堂的主柱。2米高的實(shí)心微波傳輸銅米高的實(shí)心微波傳輸銅柱約柱約514噸重噸重(銅比重是銅比重是8.9T/m3)，集膚效應(yīng)帶來，集膚效應(yīng)帶來的的第二個(gè)直接效果第二個(gè)直接效果是：柱內(nèi)部幾乎物，并無能量是：柱內(nèi)部幾乎物，并無能量傳輸無。傳輸無。 最簡(jiǎn)單而實(shí)用的微波傳

3、輸線是最簡(jiǎn)單而實(shí)用的微波傳輸線是雙導(dǎo)線雙導(dǎo)線：功率：功率是通過雙導(dǎo)線之間的空間傳輸?shù)摹Ｊ峭ㄟ^雙導(dǎo)線之間的空間傳輸?shù)?。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEDdJJSEH 傳 輸 空 間 導(dǎo)線只是起到引導(dǎo)的作導(dǎo)線只是起到引導(dǎo)的作用，而實(shí)際上傳輸?shù)氖侵苡?，而?shí)際上傳輸?shù)氖侵車臻g圍空間(Space)(但是，沒有但是，沒有Guide Line又不行又不行)。 傳輸線方程也稱傳輸線方程也稱電報(bào)方程電報(bào)方程。在溝通大西洋電。在溝通大西洋電纜纜(海底電纜海底電纜)時(shí)，時(shí)，開爾芬開爾芬首先發(fā)現(xiàn)了長(zhǎng)線效應(yīng)首先發(fā)現(xiàn)了長(zhǎng)線效應(yīng)dudz

4、Rj L IZIdIdzGj C UYU()()西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEd UdzUd IdzI22222200d Edzk Ed Hdzk H22222200kLC ,U zAeA eI zzAeA ej zj zj zj z( )( )()120121E zAeA eH zAeA ej zj zj zj z( )( )()12121 把通解轉(zhuǎn)化為具體解，必須應(yīng)用邊界條件。把通解轉(zhuǎn)化為具體解，必須應(yīng)用邊界條件。所討論的邊界條件有：終端條件、源端條件和電所討論的邊界條件有：終端條件、源端條件和電源、阻

5、抗條件。源、阻抗條件。U zU lzjZ I lzI zjU lZzI lz( )( )cos( )sin( )( )sin( )cos00西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 反映傳輸線任以何一點(diǎn)特性的參量是反射系數(shù)反映傳輸線任以何一點(diǎn)特性的參量是反射系數(shù)和阻抗和阻抗Z。) () ()(21)(21)(21)() () ()(21)(21)(101010102110110121zIzIeIZUZeIZUZeAeAzIzUzUeIZUeIZUeAeAzUzjzjzjzjzjzjzjzj2) ( )0()0() (

6、/ ) () (zjlzjzjezezUezUzUzUzz系負(fù)載反射與輸入反射關(guān)的電壓反射系數(shù)任意出西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUElllIUZ/負(fù)載阻抗) (/ ) () (zIzUzZZ出輸入阻抗任意llllIzUzjIzjZUzzIzUcossin21sincos) () (0tantan) (000zjZZzjZZZzZll 輸入阻抗與負(fù)載阻抗關(guān)系 反射系數(shù)性質(zhì)反射系數(shù)性質(zhì)：不變量，周期性不變量，周期性阻抗阻抗變換器，周期性變換器，周期性00000011) () () () (1) (1) (ZZZZ

7、ZZZzZZzZzzzZzZzllllll負(fù)載處情況情況任意西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE傳輸狀態(tài)傳輸狀態(tài)行波狀態(tài)zjzjzjzjeIeZIUZzIeUeZIUzU000000000)(21)()(21)(0)(ZzZ全駐波狀態(tài)【定理】【定理】 傳輸線全反射的條件是負(fù)載接純電抗傳輸線全反射的條件是負(fù)載接純電抗短路狀態(tài)短路狀態(tài)10llZ， 開路狀態(tài)開路狀態(tài)1llZ，tan)(tan) (tan) (000zjZzZzcjZzZzjZzZ西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICRO

8、WAVE RESEARCH INSTITUElllljlljXRZel1|，其中電壓駐波比電壓駐波比 VSWR( (Voltage Standing Wave Ratio) )|1|1llz00UII,Z =R +XlllUUUmaxmin )(21tan)(21tan1) (llzjzjzZ西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MIC

9、ROWAVE RESEARCH INSTITUE矩陣解矩陣解有限長(zhǎng)度的傳輸線段有限長(zhǎng)度的傳輸線段 L強(qiáng)調(diào)強(qiáng)調(diào)：傳輸線僅僅是一種變化：傳輸線僅僅是一種變化(Transform)11,IU22,IU傳輸線傳輸線Z0cossinsincosjZjZ001西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEU1I1I2U2NetworkUIAAAAUI1111122122221. 級(jí)聯(lián)性質(zhì) 2. 對(duì)稱性質(zhì)3. 無耗性質(zhì) 4. 互易性質(zhì) UIAUIiNNiN111AA1122AAA112221,RealAImagenary12det A

10、15.阻抗變換性質(zhì) ZA ZAA ZAinll11122122用于傳輸線用于傳輸線西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 1. 1. 特征參數(shù)歸一思想特征參數(shù)歸一思想 （Normalized)Normalized) 2. 2. 以系統(tǒng)不變量以系統(tǒng)不變量|作為作為SmithSmith圓圖的基底在無耗圓圖的基底在無耗傳輸線中，傳輸線中， |是系統(tǒng)的不變量，周期是二分之一是系統(tǒng)的不變量，周期是二分之一波長(zhǎng)波長(zhǎng)ljine2103. 3. 把阻抗把阻抗( (或?qū)Ъ{或?qū)Ъ{) )，駐波比關(guān)系套覆在，駐波比關(guān)系套覆在|圓上。圓上。

11、jxrZ西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 222222121111iriiriririrjjjjxr 222111 rrrir 相應(yīng)的圓心坐標(biāo)是相應(yīng)的圓心坐標(biāo)是 ，而半徑是，而半徑是 。 0 ,1rrr 1122211)1( xxir表示等電抗圓方程，其圓心是表示等電抗圓方程，其圓心是(1(1， ）, ,半徑是半徑是 1x1x西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEz 1. 1. 反射系數(shù)反射系數(shù)圖為基底圖為基底 00.3 0.6向

12、負(fù)載向電源1.0ir反射系數(shù)圖最重要的概念是反射系數(shù)圖最重要的概念是相角走向相角走向。 2 2) (jlzjleezZ0、開路、開路、短路短路最大值最大值（無源）（無源）負(fù)載到電源負(fù)載到電源2西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE波長(zhǎng)數(shù)波長(zhǎng)數(shù)（短路始，向電源）（短路始，向電源）波長(zhǎng)數(shù)波長(zhǎng)數(shù)（短路始，向負(fù)載）（短路始，向負(fù)載）反射系數(shù)相位反射系數(shù)相位（與（與x軸夾角，度數(shù)）軸夾角，度數(shù)）電阻值電阻值電抗值電抗值駐波比駐波比西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEAR

13、CH INSTITUElZ已知負(fù)載lY反演成導(dǎo)納匹配圓向電源圓等 |等電導(dǎo)到Y(jié)jin10YYYYYYinin1221采用外圓求出lldYBin=1+jYin=1YBin=-jYBll= +Glir0向 電 源dYlY2ZlYin ZZinl*EZinZgZlZin匹配網(wǎng)絡(luò)mathing Net西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEllljxrZrcYZll反演成導(dǎo)納1 /沿等電導(dǎo)圓轉(zhuǎn)到輔助圓YaYYYYYYaa12213|Y匹配圖向電源圓沿等沿等電導(dǎo)匹配圓到Y(jié)YYYYYYinin3443YbY3YaY1YlY2Y4

14、l2l1d=81lir向 電 源YlYaY3Yin西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUETEdV zdzj LI zdI zdzj CI z( )( )( )( ) Lh h dsCeeeekedsttsttttts22TMdV zdzj LI zdI zdzj CI z( )( )( )( ) Lh hhhkdsCe e dstttttstts22歸一化約束條件歸一化約束條件sttdszhe1TEMLh h dsCee dsttsttsdV zdzj LI zdI zdzj CI z( )( )( )( ) 西安

15、電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 結(jié)論結(jié)論 任何導(dǎo)波系統(tǒng)在任何導(dǎo)波系統(tǒng)在z z方向都有矛盾共性方向都有矛盾共性 在橫向在橫向, ,具體波導(dǎo)截面具體波導(dǎo)截面S S和場(chǎng)和場(chǎng) 決定決定L,CL,C，也即，也即矛盾個(gè)性。矛盾個(gè)性。 模式概念模式概念( (三大類三大類) TEM,TE,TM) TEM,TE,TM 不同模式具有不同的不同模式具有不同的L,CL,C 截止概念，高通截止概念，高通tethdV zdzj LI zdI zdzj CI z( )( )( )( ) Lh h dsCeeeekedsttsttttts22

16、附加條件附加條件ehtt1客觀上，導(dǎo)波系統(tǒng)不存在客觀上，導(dǎo)波系統(tǒng)不存在唯一的電壓和電流！唯一的電壓和電流！西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE支配方程222200Ek EHk H縱向分量方程222200Ek EHk HzzzzzzyzzxzzyzzxzzHEfHHEfHHEfEHEfEHE,4321表示其它分量用方程無源區(qū)中出發(fā)點(diǎn)MaxwellyHxHyExEjjjjkHHEEzzzzcyxyx0000000012三三 步步 走走西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE

17、RESEARCH INSTITUE矩形波導(dǎo)矩形波導(dǎo)TEmn模模xzya0be mX(x)Y(y)y)Hz(x,2222222222222222222 1 111),(),(),(cyxyxczczzkkkkyYYkxXXkyYYxXXyxHkyyxHxyxH邊界條件0Ex ; by, 0y0Ey; ax, 0 xzcyzcxzzcyzcxzzeybnxamHbnkHeybnxamHamkHEeybnxamHamkjEeybnxamHbnkjEebnamHHsincoscossin0cossinsincoscoscos020202020西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究

18、所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE矩形波導(dǎo)矩形波導(dǎo)TE10模模kkkmanbcxy22222 m m 表示表示x x方向變化的半周期數(shù)方向變化的半周期數(shù) n n 表示表示y y方向變化的半周期數(shù)方向變化的半周期數(shù)zjcxzjcyzjzexaHakjHexaHakjEexaHHsinsincos02020TE10模模,m=1,n=0截止特性截止特性 2aakkakkkkkkCCCC2 )/( 022222222西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 波導(dǎo)波長(zhǎng)波導(dǎo)波長(zhǎng) g g ga122)/2(

19、 )/2( )/()/2(22222gcCCkakkkk222222gc 相速相速 p p，群速，群速 g g221/2/2ConstantaCcCdtdzztggp2222222221ckddkkkddpcccg gpC2西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUETE10波主要特性波主要特性場(chǎng)結(jié)構(gòu)場(chǎng)結(jié)構(gòu) HHax eEjkaHax eHjkaHax ezj zycj zxcj z 02020cossinsinEEax eyj z0sinEEax eHEax eHjaEax eyj zxj zzj z 0001sins

20、incos西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUETE10波的功率容量 PE abar022480120509.cTE10波內(nèi)壁電流西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUETE10波衰減 22212a21120aabbRrsstmCtmsLdsHdlHRPP220220fab=0.1ab=0.5a西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE簡(jiǎn)正模理論1. 完備性完備性

21、 0sincossin 0sincossin00pndyybpybnlmdxxa lxamba傳輸模cmn雕落模cmnej zc2120zE2-12ccze西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUETE10波單模存在條件10ccmn8.1a a22ab結(jié)論 材料銅鋁 鍍銀壁厚 (1)0.555 (3)() (4)1.0mm2.0mmaba( ) /21 2西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE波導(dǎo)中不能傳播TEM波。0zxag1222E0a

22、zzzg21120max22max412148041PaabEPr0max1EEEE0222214maxPPmaxmax14220 11/西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUECase1:Case1: 周期性邊界條件周期性邊界條件 )2(1in ;2cos2asa/2a與斜入射角相關(guān)Case2:Case2:曲折形傳播曲折形傳播x x顯然顯然, ,它要比直線傳播它要比直線傳播(TEM)(TEM)慢慢. .但波導(dǎo)但波導(dǎo)不能傳播不能傳播TEMTEM模模. . 越越小小, ,傳播越慢傳播越慢. .Case3:Case3:相

23、速相速可視等相位可視等相位CaCvp2)2(12CvvspCase4:Case4:波導(dǎo)波長(zhǎng)波導(dǎo)波長(zhǎng)2)2(1sinagCase5:截止概念截止概念 0)2(1in 0 2as時(shí)西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUExzRYr0支配方程222200Ek EHk H縱向分量方程222200Ek EHk HzzzzzzvzzuzzvzzuzzHEfHHEfHHEfEHEfEHE,4321表示其它分量用方程無源區(qū)中出發(fā)點(diǎn)Maxwell西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RES

24、EARCH INSTITUE矩形波導(dǎo)圓波導(dǎo)邊界條件匹配x，y方向r，方向與分量吻合Ex,Ey,EzHx,Hy,HzEr, E,EzHr, H,Hz與算子吻合分離變量吻合Az=X(x)Y(y)Z(z)Az=R(r)()Z(z)222222 11zrrrrr2222222 zyx西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEZ(z)分量討論分量討論Z方向方向特殊方向特殊方向-傳輸方向傳輸方向所有橫向分量可以用所有橫向分量可以用Z方向表示方向表示 固定單位矢量，它與微分，積分無關(guān)，可以取出。固定單位矢量，它與微分，積分無關(guān)，可以

25、取出。 z共性與個(gè)性共性與個(gè)性矩形波導(dǎo)圓波導(dǎo)共性：傳輸Z方向個(gè)性：橫截面方向，T222)()(1zzZzZ022ctkTT西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE矩形波導(dǎo)圓波導(dǎo)022222TkyTxTc 0T112222CkTrrTrrr222 kkC00)()(222222YkyYXkxXyYxXTyx00)m-r(k )()(222222C22mrRrrRrrRTzjyyxxeykykxkxkTT)sin()cos()sin()cos(0zjcmcmemmrkNrkJTTsincos)()(0西安電子科技大學(xué)西安

26、電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE波導(dǎo)包含三種邊界條件波導(dǎo)包含三種邊界條件 有限條件有限條件 f(r=0) 周期條件周期條件f( )=f( ) 理想導(dǎo)體條件地理想導(dǎo)體條件地ft(r=R)=0其中其中t t表示切向分量表示切向分量 0 2 有限條件導(dǎo)致圓波導(dǎo)體不出現(xiàn)有限條件導(dǎo)致圓波導(dǎo)體不出現(xiàn)Neumann函數(shù)。函數(shù)。 周期邊界條件要求周期邊界條件要求m為整數(shù)階。為整數(shù)階。 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEzcezZ)()()()(sincos)(r

27、kNrkJrRmmcmcmzzzzcrrHrrHErrEjjjjkHHEE110000000012圓柱坐標(biāo)系下圓柱坐標(biāo)系下分量變量法分量變量法圓柱坐標(biāo)系下橫縱變化矩陣圓柱坐標(biāo)系下橫縱變化矩陣西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE波型指數(shù)波型指數(shù)m，n的含義的含義 mnr代表沿圓周 分布的整駐波數(shù)代表沿半徑 分布場(chǎng)的最大值個(gè)數(shù)。; 圓波導(dǎo)中圓波導(dǎo)中TE波截止波長(zhǎng)取決于波截止波長(zhǎng)取決于m階階Bessel函數(shù)函數(shù)導(dǎo)數(shù)導(dǎo)數(shù)第第n個(gè)根個(gè)根 TM波截止波長(zhǎng)取決于波截止波長(zhǎng)取決于m階階Bessel函數(shù)第函數(shù)第n個(gè)根個(gè)根CTER2

28、mnCTMR2mn傳輸主模傳輸主模TE11模模損耗最小的損耗最小的TE01模模軸對(duì)稱波型軸對(duì)稱波型TM01模模西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE同軸線的主模TEM模 20brar=0不在工作區(qū)0, 0ccfkTEM波特點(diǎn)波特點(diǎn)無截止無截止2.-jkze k3.4.gCvp西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE同軸線常單位矢和變單位矢量常單位矢和變單位矢量EEareHE arerj zj z00波阻抗 ZUIbar060lnaRbba

29、baca868621120.ln dB/ mPEabarmaxmaxln12022 222StmlSmSCdsHdlHR西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE同軸線高次模 同軸線一般解完全與圓波導(dǎo)相同，所不同的只是同軸線一般解完全與圓波導(dǎo)相同，所不同的只是r=0的條件約束不復(fù)存在。所以的條件約束不復(fù)存在。所以Neumann、Bessel函數(shù)都存在函數(shù)都存在.TE modes:r=a，b處處0/rHZTM modes:r=a，b處處0ZE非均勻填充平板波導(dǎo)不要求非均勻填充平板波導(dǎo)不要求西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)

30、 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUExyoabuvo2alnblnjvujrzwlnlnjrez vrulnababdSCln2lnln12單位電容z1 ababCZrln60ln2/0衰減要求 77功率要求 30常用Z0 50西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE特性阻抗ZLC0ZLCC0ZvCvL01窄帶高阻窄帶高阻(b(b一定一定) )寬帶低阻寬帶低阻(b(b一定一定) )0 Z介質(zhì)微帶原問題eZ和有效空氣微帶轉(zhuǎn)化問題01ZZe001西安電子科技大學(xué)西安電子科

31、技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 220EHkEHiiiiiar arari,2 , 1西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE邊界條件旋轉(zhuǎn)周期條件點(diǎn)有限條件場(chǎng)連續(xù)條件00011raEEz邊界條件旋轉(zhuǎn)周期條件點(diǎn)有限條件點(diǎn)有限條件正常傳輸條件場(chǎng)連續(xù)條件000121222222212121212kkkkraEEHHEEHHcczzzz,TETM TE11模式是主模TE , TMEH HE010nmnmn,混合模式是主模HE11內(nèi)外區(qū)域結(jié)合實(shí)虛結(jié)合電磁結(jié)合西安電子

32、科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 幾乎所有濾波器都是由耦合結(jié)構(gòu)與傳輸線構(gòu)成，幾乎所有濾波器都是由耦合結(jié)構(gòu)與傳輸線構(gòu)成，兩邊有耦合的結(jié)構(gòu)反應(yīng)為電抗。兩邊有耦合的結(jié)構(gòu)反應(yīng)為電抗。 傳輸線長(zhǎng)短決定帶通濾波器中心頻率，耦合節(jié)傳輸線長(zhǎng)短決定帶通濾波器中心頻率，耦合節(jié)決定決定Q Q值，帶寬。值，帶寬。耦合耦合與與傳輸線傳輸線構(gòu)成了重要的概念。構(gòu)成了重要的概念。電容矩陣CQC VCVVCCVC VQCVVC VC VCCVaabaabababbabbab111212221212 ()()()從數(shù)量關(guān)系，轉(zhuǎn)化為耦合關(guān)系西安電子科技大

33、學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 寫成矩陣形式，注意上面電容都是單位長(zhǎng)度電容寫成矩陣形式，注意上面電容都是單位長(zhǎng)度電容21221212112121VVCCCCVVCCCCCCQQabbabababa特性導(dǎo)納特性導(dǎo)納 ，也寫成矩陣式，也寫成矩陣式 vCZY001 YYYYYv C11121222 YvCv CCYvCv CCYYvCaabbabab111122221221 ()()注意注意abvCYY2112為負(fù)數(shù)為負(fù)數(shù)西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH IN

34、STITUE 研究耦合傳輸線最頭疼的是研究耦合傳輸線最頭疼的是“耦合耦合”，因?yàn)樗?，因?yàn)樗袃蓷l線，中間存在兩個(gè)有兩條線，中間存在兩個(gè)難點(diǎn)。難點(diǎn)。 難點(diǎn)難點(diǎn)1 1：激勵(lì)研究激勵(lì)研究 第一根線加一個(gè)電壓第一根線加一個(gè)電壓V1V1；第二根線加另一個(gè)電；第二根線加另一個(gè)電壓壓V2; V1V2; V1，V2V2任意不同。任意不同。(0.3-0.5)(0.3-0.5)、(-0.7-0.8)(-0.7-0.8)，這時(shí)候怎么研究？這時(shí)候怎么研究？ 歸一化思想歸一化思想 難點(diǎn)難點(diǎn)2 2：去耦去耦 Decoupling Decoupling 矩陣對(duì)角化矩陣對(duì)角化 對(duì)稱線的對(duì)稱線的“奇偶模方法奇偶模方法”的核心是

35、的核心是解偶解偶，它自，它自來來 矩陣中的矩陣中的 “對(duì)稱和反對(duì)稱對(duì)稱和反對(duì)稱”思想。思想。 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE)(21)(21)(21)(212121002121VVVVVVVVVVVVee分別為偶模激勵(lì)和奇模激勵(lì)。分別為偶模激勵(lì)和奇模激勵(lì)。 偶模偶模( (even mode)even mode)激勵(lì)激勵(lì)是一種對(duì)稱激勵(lì)；是一種對(duì)稱激勵(lì)； 奇模奇模( (odd mode) odd mode) 激勵(lì)激勵(lì)是一種反對(duì)稱激勵(lì)。是一種反對(duì)稱激勵(lì)。002121212121)(21)(21)(21)(21VV

36、VVVVVVVVVVVVee西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE21021021021111121 1111211111 1111 IIIIVVVVIIIIVVVVeeoee0121112110221212112122121211210001111111121111121111121 VVYYYYVVYYYYVVYYYYIIIIeeeIIYYVVeoeooe0000 12111211YYYYYYoooe西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTI

37、TUEoooooeoeYZYZ1 ;1問題：偶模阻抗問題：偶模阻抗 奇模阻抗誰大誰小？奇模阻抗誰大誰小？ 12111211YYYYYYoooeabvCYY2112為負(fù)數(shù)為負(fù)數(shù)oooeoooeZZYY 偶模激勵(lì)是偶模激勵(lì)是磁壁磁壁偶對(duì)稱軸。偶對(duì)稱軸。 奇模激勵(lì)是奇模激勵(lì)是電壁電壁奇對(duì)稱軸。奇對(duì)稱軸。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE磁壁磁壁(偶對(duì)稱軸偶對(duì)稱軸) 電壁電壁(奇對(duì)稱軸奇對(duì)稱軸) Cf/2Cf/2Cf/22Cf2Cf2Cf2CfCp/2Cp/2Cp/2Cp/2Cf/2Cf/2Cf/2Cf/2CgCp/2

38、Cp/2Cp/2Cp/2Cf/2(a) even mode (b) odd modeoefgCCCC oooeZZ gfpoCCCCffpoCCCC磁壁：磁場(chǎng)沒有切向分量；電壁：PEC，電場(chǎng)沒有切向分量。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 前面我們把前面我們把對(duì)稱對(duì)稱線利用線利用奇偶模思想奇偶模思想(對(duì)稱、反對(duì)對(duì)稱、反對(duì)稱稱)進(jìn)行去耦線，其實(shí)只是湊巧。矩陣對(duì)角化的正途進(jìn)行去耦線，其實(shí)只是湊巧。矩陣對(duì)角化的正途是求線性代數(shù)中的是求線性代數(shù)中的本征方程，本征值本征方程，本征值。)45cos( )45sin( )45

39、sin( )45cos( 02010201VVVVVVeo不對(duì)稱傳輸線同樣旋轉(zhuǎn)，只是角度不為45o1V2VOVeVo45o45西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE完成特殊功能的網(wǎng)絡(luò)稱為完成特殊功能的網(wǎng)絡(luò)稱為元件元件(Element)。在習(xí)慣上，。在習(xí)慣上，我們常常采用網(wǎng)絡(luò)理論來分析元件。我們常常采用網(wǎng)絡(luò)理論來分析元件。a1b1a2b2aibianbn12inNetworkbbbSSSSSSSSSaaannnnnnnn1211121212221212 Sbaa111102Sbaa121201西安電子科技大學(xué)西安電子

40、科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE定義出定義出入射波入射波和和散射波散射波( (a a和和b b) )0000002121ZIZUZeUbZIZUZeUazzUUIZeUUIZezz121200()()uUZiIZ00 uabiab歸一化電壓歸一化電壓歸一化電流歸一化電流功率關(guān)系不變功率關(guān)系不變 入射反射關(guān)系更加清晰入射反射關(guān)系更加清晰更反映其波動(dòng)性本質(zhì)。更反映其波動(dòng)性本質(zhì)。)Re(21)Re(21)Re(2100uiZIZUUIp反入ppbbaap)(21*西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROW

41、AVE RESEARCH INSTITUE SAAAAAAAAAAAAA122111221221112122222122111det inLLSS SS111221221inLbaab1122, 22212122121111aSaSbaSaSb)( 222111222111baibaibaubaui1i2Networku1u2西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE單口元件討論三種：匹配負(fù)載單口元件討論三種：匹配負(fù)載 短路負(fù)載短路負(fù)載 失配負(fù)載失配負(fù)載 這三種單口元件所要解決的這三種單口元件所要解決的主要矛盾主要矛盾

42、各不相同。各不相同。 匹配負(fù)載匹配負(fù)載解決波反射和吸收兩者之間的矛盾；解決波反射和吸收兩者之間的矛盾； 短路負(fù)載短路負(fù)載解決理想短路和活動(dòng)間隙的矛盾；解決理想短路和活動(dòng)間隙的矛盾； 失配負(fù)載失配負(fù)載解決寬帶和反射系數(shù)變化的矛盾。解決寬帶和反射系數(shù)變化的矛盾。 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE雙口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù))(| |2211211221122211SSSS特征相位為特征相位為無耗雙口網(wǎng)絡(luò)的行列式 )(2211detjeSS22=S11Z01Z02無耗網(wǎng)絡(luò)匹配定理無耗網(wǎng)絡(luò)匹配定理SL22*inLLSS SS11

43、1221221西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUETTTTjXjXjB直角拐角的網(wǎng)絡(luò)分析直角拐角的網(wǎng)絡(luò)分析據(jù)分析，直角拐角的反射系數(shù)據(jù)分析，直角拐角的反射系數(shù) ，對(duì)應(yīng)駐波，對(duì)應(yīng)駐波比比 =2.618=2.618。1504472 .膜片可分成感性膜片、容性膜片和諧振窗。膜片可分成感性膜片、容性膜片和諧振窗。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE相移器和衰減器相移器和衰減器00|1log2021lleeSdBSL衰減器相移器 ArgSSe

44、ejj2100 鐵氧體隔離器鐵氧體隔離器 S 001021221log20)1log(10SSa)1log(10212Sa 201210aS正向衰減正向衰減反向隔離反向隔離西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEaa ,112211SS已知已知，求輸入端最大的駐波比，求輸入端最大的駐波比maxinLLSS SS11122122122211211222112111 1maxSSSSSSSSLLin1L202110aS201210aS5 . 14837. 1max1max1maxinin西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)

45、微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE三口網(wǎng)絡(luò)的一般性質(zhì)三口網(wǎng)絡(luò)的一般性質(zhì) 證明證明 采用反證法采用反證法 定理定理無耗互易三端口網(wǎng)絡(luò)不可能同時(shí)匹配，即無耗互易三端口網(wǎng)絡(luò)不可能同時(shí)匹配，即S11=S22=S33=0無耗非互易三口網(wǎng)絡(luò)的三個(gè)端口可以完全匹配。無耗非互易三口網(wǎng)絡(luò)的三個(gè)端口可以完全匹配。0011000102S0101011001S西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 例例1 1 理想環(huán)行器端口接匹配負(fù)載理想環(huán)行器端口接匹配負(fù)載 ，即可構(gòu)，即可構(gòu)成二端口隔離器

46、。成二端口隔離器。Lobababa132132而而 ，計(jì)及這一條件即可導(dǎo)得，計(jì)及這一條件即可導(dǎo)得寫出雙口網(wǎng)絡(luò)的寫出雙口網(wǎng)絡(luò)的S S矩陣矩陣33/baLbbabaLL13221bbaaL1212010只要只要 L L 很小，即可得到典型的隔離器。很小，即可得到典型的隔離器。321321321010001100bbbaaa西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE E E面面T T和和H H面面T T分路元件分路元件E E面面T T（串接元件）（串接元件）H H面面T T（并接元件）（并接元件）端輸入，和端功率平分，端輸入

47、，和端功率平分，相位相反。相位相反。用于和差：和同相等幅輸入，用于和差：和同相等幅輸入，端無輸出；和反相等幅輸端無輸出；和反相等幅輸入，端輸出最大。入，端輸出最大。端輸入，和端功率平分相位端輸入，和端功率平分相位相同。相同。用于和差：和端同相等幅輸入，用于和差：和端同相等幅輸入，端輸出最大；和端反相等幅端輸出最大；和端反相等幅輸入，端無輸出。輸入，端無輸出。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE耦合網(wǎng)絡(luò)耦合網(wǎng)絡(luò)|S33|=|S44|=0 | |23142413SSSSS13=S24= jS14若選擇若選擇適當(dāng)適當(dāng)?shù)?/p>

48、參考面的參考面使使00000000jjjjS 理想的定向耦合器，主路理想的定向耦合器，主路S41和副路和副路S31相位差相位差90，也，也稱為稱為90定向耦合器。越接近定向耦合器。越接近90度度，隔離越好。，隔離越好。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE3490從對(duì)稱定向耦合器中我們可以得到十分重要的性質(zhì)：從對(duì)稱定向耦合器中我們可以得到十分重要的性質(zhì)： 定向耦合器的端對(duì)定向耦合器的端對(duì)隔離隔離和端口固有和端口固有反射反射密切相關(guān)；密切相關(guān)； 定向耦合器的定向耦合器的主副路相差主副路相差也和端對(duì)隔離密切相關(guān)；也和端

49、對(duì)隔離密切相關(guān)； 因此，在工程中常常采用考察輸入反射和路間相因此，在工程中常常采用考察輸入反射和路間相差來別斷這類定向耦合的質(zhì)量?jī)?yōu)劣。差來別斷這類定向耦合的質(zhì)量?jī)?yōu)劣。指標(biāo)相關(guān)指標(biāo)相關(guān)3 dB3 dB橋網(wǎng)絡(luò)橋網(wǎng)絡(luò) 我們把主副路我們把主副路功率相等功率相等的稱之為的稱之為3dB3dB網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò). .| |SS1314122西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE443322211波導(dǎo)定向耦合器波導(dǎo)定向耦合器(1)(1)耦合度耦合度 (2)(2)定向性定向性 一般耦合度一般耦合度 20 dB, 10 dB, 6 dB, 3

50、dB20 dB, 10 dB, 6 dB, 3 dB一般定向性一般定向性 303040 dB 40 dB 愈大愈好。愈大愈好。 dB |log2031SCdB log202131SSD 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 魔魔特性可以看作是特性可以看作是E-TE-T和和H-TH-T的結(jié)合，也可能看的結(jié)合，也可能看作是特殊的作是特殊的3 dB3 dB橋。橋。 S 120011001111001100魔魔T T 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH I

51、NSTITUEbbbb123412001100111100110011000002，端反相輸入時(shí)，端反相輸入時(shí)bbbb123412001100111100110011000020例例2 2，端同相輸入時(shí)，端同相輸入時(shí)西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 1. 1. 開路端開路端 帶線的開路端由于有電容帶線的開路端由于有電容耦合并不相當(dāng)于耦合并不相當(dāng)于Y YL L=0=0 在設(shè)計(jì)理想開路端時(shí)必須在設(shè)計(jì)理想開路端時(shí)必須在原長(zhǎng)度上考慮加上在原長(zhǎng)度上考慮加上 l l ClrZoc1030 pf開路帶線和端電容開路帶線和端

52、電容西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 2121121121112112111011111011011101BBBBjBjBBjBBBjBBjjBBjjBAB2. 2. 間隔間隔( (Gap)Gap) 很容易知道很容易知道形網(wǎng)絡(luò)的形網(wǎng)絡(luò)的A A矩陣矩陣間隔和等效電路間隔和等效電路西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE最后得到駐波比最后得到駐波比11| | |若后接匹配負(fù)載若后接匹配負(fù)載Z Z0 0=1=1，則則 ZAAAAZZAAA

53、AAAAAininin11122122111221221112212211 21211211211BBBBjBjBBAB西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE3.3.寬度突變寬度突變?nèi)羧鬦 ZL L=Z=Z2 2，則則Z ZL1L1=Z=Z2 2+jx +jx 圖圖 28-5 28-5 寬度突變和等效電路寬度突變和等效電路 二、帶線不均勻性 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE4.4.拐角拐角ZZZZZZjxZZjxLL| | |11

54、11212111拐角和等效電路拐角和等效電路 二、帶線不均勻性 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE上述五個(gè)簡(jiǎn)單網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)而成，先考慮中間三個(gè)網(wǎng)絡(luò)上述五個(gè)簡(jiǎn)單網(wǎng)絡(luò)級(jí)聯(lián)而成，先考慮中間三個(gè)網(wǎng)絡(luò) cossinsincos1011101001cossinsincosjjjxxjjxjjAaba若考慮到若考慮到 = =/2/2, ,則有則有 aajajaajxjxjxxxjxxxjxxxabaabaabbab1112211110110111011211二、帶線不均勻性 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技

55、術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE是一無耗對(duì)稱網(wǎng)絡(luò)，然而把左右兩段是一無耗對(duì)稱網(wǎng)絡(luò)，然而把左右兩段 /2/2傳輸線考慮傳輸線考慮進(jìn)去，構(gòu)成總網(wǎng)絡(luò)進(jìn)去，構(gòu)成總網(wǎng)絡(luò) 二、帶線不均勻性 Ajjajajaajjaaajaaaaacossinsincoscossinsincoscossin()sin()cos1121211111122112211112212122122122sin212coscos)(212sin)(212112112112112112aaaaaaaaj西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH I

56、NSTITUE要使拐角匹配，必須要使拐角匹配，必須A A1212=A=A2121, ,也即也即a a1212=a=a2121很容易得很容易得且式右邊絕對(duì)值大于且式右邊絕對(duì)值大于1 1。xxxbaa ()122二、帶線不均勻性 cos)(212sin)(21211211211221aaaaajAcos)(212sin)(21211211211212aaaaajA網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)對(duì)稱對(duì)稱(A(A1111=A=A2222) )ZA ZAA ZAinll11122122西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE5. 5. T T形接頭

57、形接頭 T T形接頭是三端口網(wǎng)絡(luò)，不同的資料中參考面不形接頭是三端口網(wǎng)絡(luò)，不同的資料中參考面不盡相同。作為例子設(shè)盡相同。作為例子設(shè)T T型接頭由直行帶線與一并聯(lián)開型接頭由直行帶線與一并聯(lián)開路枝節(jié)路枝節(jié)( (與直行線距離為與直行線距離為L(zhǎng)) )構(gòu)成。構(gòu)成。 二、帶線不均勻性 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE作為例子，若有一并聯(lián)開路枝節(jié)與中心線距作為例子，若有一并聯(lián)開路枝節(jié)與中心線距l(xiāng) l。其中其中 且且 l l公式見開路線。公式見開路線。 WlljZZin21ctg1二、帶線不均勻性 西安電子科技大學(xué)西安電子科

58、技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE 矩形諧振腔 Rectangular Resonator西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUECGoLCGGoLCGoL理想腔耦合腔非理想腔G-介質(zhì)QG0西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE一、諧振頻率0 微波諧振腔與低頻LC諧振回路相比：（1）不能把電儲(chǔ)能和磁儲(chǔ)能截然分開；（2）諧振頻率有多個(gè)，多個(gè)模式諧振。西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)

59、微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE一、諧振頻率0 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE2220)L()()(2Pbnamk一、諧振頻率0 022222c21mnP1pabL2L 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE二、品質(zhì)因數(shù)Q0 LTPWWWQ002西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE11011QPW

60、QLiiinin二、品質(zhì)因數(shù)Q0 PPLLiin1西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUEWWWH dvemv122|PJR dsRHdsLssSsS121222|QRH dvHdsH dvHdssVSVS0022222 |RHs 02, 二、品質(zhì)因數(shù)Q0 02西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH INSTITUE三、矩形腔TE101101模的場(chǎng)和0 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 微波技術(shù)研究所微波技術(shù)研究所 MICROWAVE RESEARCH I