保護(hù)板培訓(xùn)教材

1、科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 一、保護(hù)板原理解說(shuō)：一、保護(hù)板原理解說(shuō)：1）過(guò)充保護(hù) 2）過(guò)放保護(hù) 3）過(guò)流保護(hù) 4）短路保護(hù) 1、實(shí)現(xiàn)功能：、實(shí)現(xiàn)功能： 科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 1）過(guò)充保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)的原理： IC工作電壓為25V或28V，均可保證可靠工作，即Vss與 VDD間的電壓； IC內(nèi)部有一個(gè)比較器（見(jiàn)下圖） VDD VDD拾取一個(gè)取

2、樣電壓 VSS 基準(zhǔn)電壓 當(dāng)取樣電壓大于設(shè)定值VC(4.30.05V）時(shí)，比較器發(fā)生翻 轉(zhuǎn)，使Cout變?yōu)榈碗娖剑?關(guān)閉MOS管CO控制開(kāi)關(guān)，當(dāng)電 壓小于基準(zhǔn)電壓時(shí)，使Cout變?yōu)楦唠娖?，開(kāi)啟MOS管CO控 制開(kāi)關(guān)，保護(hù)板正常工作。科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 IC內(nèi)部有一個(gè)比較器VD2（圖同上圖）； 當(dāng)取樣電壓小于設(shè)定值VD （2.30.05V）時(shí)，比較器發(fā) 生翻轉(zhuǎn)，以短時(shí)間延時(shí)后，使Dout變?yōu)榈碗娖剑P(guān)閉 MOS管DO控制開(kāi)關(guān)，放電停止，當(dāng)電池被置于充電時(shí)， 比較器再次發(fā)生翻轉(zhuǎn)，使Dout變?yōu)楦唠娖?，開(kāi)啟MOS 管DO控制開(kāi)關(guān)，保護(hù)板進(jìn)入充

3、電狀態(tài)。 3）過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)的原理： 當(dāng)MOS管兩端電壓在0.2V左右時(shí)為過(guò)流 當(dāng)MOS管兩端電壓在0.4V左右時(shí)為過(guò)流 當(dāng)MOS管兩端電壓在0.9V左右時(shí)為短路 2）過(guò)放保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)的原理：科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 2、元件作用、元件作用保護(hù)板電氣原理圖：科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 IC：控制作用 ；保護(hù)板所有功能都是IC通過(guò)監(jiān)視連接在 VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制MOS執(zhí)行開(kāi) 關(guān)動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)的。CO：過(guò)充控制端； VM：過(guò)流、短路保護(hù)電壓檢測(cè)端；通過(guò)檢測(cè)

4、VM端的電壓實(shí)現(xiàn) 電路的過(guò)流、短路保護(hù)（U（VM）=I*R（MOSFET）。DO：過(guò)放、過(guò)流、短路控制端；VSS：負(fù)電源輸入端；VDD：正電源輸入端；科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 此款I(lǐng)C為5腳IC，應(yīng)用于PAP04等保護(hù)板； IC腳辨認(rèn)方法：IC正面字體對(duì)著自己，左邊的第一腳為IC1腳，逆時(shí)針?lè)较虬错樞驍?shù)，為IC的15腳?？茖W(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 此款I(lǐng)C為5腳IC，體積較小，應(yīng)用于PAP11、PAP12等保護(hù)板；IC腳辨認(rèn)方法：以IC面邊緣的色條為起點(diǎn)，逆時(shí)針?lè)较虬错樞驍?shù)，為IC的15腳?？?/p>

5、學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 此款I(lǐng)C為6腳IC，應(yīng)用于503759-006等保護(hù)板；IC腳辨認(rèn)方法：以IC面邊緣的色條為起點(diǎn)，逆時(shí)針?lè)较虬错樞驍?shù)，為IC的15腳?？茖W(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 MOS：相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。此款MOS管應(yīng)用于PAP11、PAP12等保護(hù)板；MOS管腳辨認(rèn)方法：打點(diǎn)的第一腳為MOS管的1腳，以1腳為起點(diǎn)，逆時(shí)針?lè)较虬错樞驍?shù)，為IC的15腳。管腳管腳內(nèi)容1源極2DO輸入3源極4CO輸入56784個(gè)腳連接科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展

6、 管腳管腳內(nèi)容1與8腳連接234DO輸入5CO輸入678與1腳連接源極源極此款MOS管應(yīng)用于503759-006等保護(hù)板；MOS管腳辨認(rèn)方法：打點(diǎn)的第一腳為MOS管的1腳，以1腳為起點(diǎn)，逆時(shí)針?lè)较虬错樞驍?shù)，為IC的15腳。Pin 5Pin 5科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 R1：基準(zhǔn)供電電阻；與IC內(nèi)部電阻構(gòu)成分壓電路，控制內(nèi) 部過(guò)充、過(guò)放電壓比較器的翻轉(zhuǎn)電平；R1阻值常見(jiàn)的為330、470；我司采用的為貼片電阻；尺寸規(guī)格：0402、0603等；電阻上絲印的數(shù)字標(biāo)識(shí)其阻值，如貼片電阻上數(shù)字標(biāo)識(shí)473，即表示其阻值為47 103即47K?？茖W(xué)管理，高

7、效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 R2：過(guò)流、短路檢測(cè)電阻；一般阻值為1K、2K； R3：限流電阻；一般過(guò)流規(guī)格比較小的保護(hù)板都會(huì)使用R3 電阻； C1、C2：防止電源異常交化（值為0.02uF以上，取0.1uF）； PTC：正溫度系數(shù)熱敏電阻；超過(guò)一定的溫度(居里溫度)時(shí), 它的電阻值隨著溫度的升高呈階躍性的增高. NTC：負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻；在一定的測(cè)量功率下，電阻值 隨溫度的上升而下降。 FUSE：保險(xiǎn)絲；保險(xiǎn)絲就會(huì)在電流異常升高到一定的高度 的時(shí)候，自身熔斷切斷電流，從而起到保護(hù)電路安全運(yùn)行 的作用?？茖W(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服

8、務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 二、保護(hù)板主要性能檢測(cè)方法：二、保護(hù)板主要性能檢測(cè)方法： 用萬(wàn)用表歐姆檔直接測(cè)量NTC電阻兩端，或者測(cè)量負(fù)極導(dǎo)線與NTC導(dǎo)線之間，所測(cè)量的阻值為NTC阻值，再與溫度變化與NTC阻對(duì)照指導(dǎo)對(duì)比。1.NTC測(cè)試：2.自耗電測(cè)試： 調(diào)節(jié)恒流源為3.7V/500mA；萬(wàn)用表設(shè)置為uA檔，紅表筆插入uA插孔，然后與恒流源串聯(lián)，測(cè)量保護(hù)板B+、B-兩端，萬(wàn)用表顯示的數(shù)值為自耗電值，如下圖所示：科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 3.內(nèi)阻測(cè)試： 方法一：如右圖連接好電路，用內(nèi)阻 測(cè)試儀測(cè)B-、P-間的阻值為R1， 再測(cè)B+、 P+間的阻值為R

9、2， 內(nèi)阻測(cè)試儀本身內(nèi)阻為R3，則 保護(hù)板的內(nèi)阻為R1+R2-2R3。 方法二：如右圖接好電路B+P+用萬(wàn)用 表分別測(cè)B+、P+間及B-、P- 間電壓。所得電壓值即為保護(hù) 板的內(nèi)阻，因?yàn)殡娐分械碾娏?為1A，根據(jù)歐姆定律：R=U/I。4V/1A 恒流源 3.6V/1A 電芯 科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 4. 短路保護(hù)測(cè)試： 電芯接到保護(hù)板B+、B-上，用萬(wàn)用表測(cè)量P+、P-輸出電壓，確定為正常電壓后，瞬間短接P+、P-，再用萬(wàn)用表測(cè)量P+、P-輸出電壓（如下圖所示），反復(fù)短接3-5次，此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)與電芯電壓一致，保護(hù)板應(yīng)無(wú)冒煙、爆裂等現(xiàn)象。

10、 紅表筆 黑表筆 科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 5. 過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流保護(hù)測(cè)試： 如下圖所示接好電路，設(shè)置好鋰易安參數(shù)，再按自動(dòng)按鈕，表筆連接好測(cè)試點(diǎn)后，按住紅表筆上的按鈕進(jìn)行測(cè)試。此時(shí)鋰易安測(cè)試儀的功能顯示燈應(yīng)逐次點(diǎn)亮，表示性能OK。按顯示鍵檢查測(cè)試數(shù)據(jù)：Chg表示過(guò)充保護(hù)電壓；Dis表過(guò)放保護(hù)電壓；Ocur表示過(guò)流保護(hù)電流。 科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 1 1、電壓法：、電壓法：通過(guò)測(cè)量保護(hù)板各個(gè)測(cè)試點(diǎn)的電壓來(lái)判定故障原因。 1 1）ICIC各腳電壓測(cè)試方法：各腳電壓測(cè)試方法：VDD供電腳：黑

11、表筆連接電芯B-，紅表筆連接VDD腳，2V-8V，可判定IC能 可靠工作；CO控制腳：黑表筆連接電芯B-，紅表筆連接CO腳，電壓應(yīng)與VDD腳的輸入 電壓一致，若低于VDD腳電壓，則判定為異常；DO控制腳：黑表筆連接電芯B-，紅表筆連接DO腳，電壓應(yīng)與VDD腳的輸入 電壓一致，若低于VDD腳電壓，則判定為異常；VM過(guò)流檢測(cè)腳：黑表筆連接電芯B-，紅表筆連接VM腳，應(yīng)為低電平，若 為高電平，則說(shuō)明IC已保護(hù)了。 三、保護(hù)板測(cè)量手法：三、保護(hù)板測(cè)量手法：科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 2 2）MOSMOS管各腳電壓測(cè)試方法：管各腳電壓測(cè)試方法：CO控制腳

12、：黑表筆連接電芯B-，紅表筆連接CO腳，電壓應(yīng)與IC CO腳輸 出的電壓一致；源極：紅表筆連接電芯B+，黑表筆連接CO腳，電壓應(yīng)與CO腳的輸入 電壓一致，若低于CO腳輸入電壓，則判定為異常；DO控制腳：黑表筆連接電芯B-，紅表筆連接DO腳，電壓應(yīng)與IC DO腳輸 出的電壓一致；源極：紅表筆連接電芯B+，黑表筆連接DO腳，電壓應(yīng)與DO腳的輸入 電壓一致，若低于DO腳輸入電壓，則判定為異常；科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 2 2、電阻法：、電阻法：測(cè)量之前，必須先斷開(kāi)保護(hù)板電源。1）測(cè)量B+、B-之間阻值應(yīng)為兆歐級(jí)，出現(xiàn)千歐級(jí)或以下時(shí)，可判定C1電容

13、不良或IC的VDD端至VSS端內(nèi)部電路被擊穿；2）測(cè)量P+、P-之間阻值應(yīng)為兆歐級(jí)，出現(xiàn)千歐級(jí)或以下時(shí)，可判定C2電容 不良或NTC端與正極短路；3）分別測(cè)量MOS管合并腳（一般為5、6、7、8腳）與其他四個(gè)功能腳之間阻 值應(yīng)為兆歐級(jí)，出現(xiàn)千歐級(jí)或以下時(shí)，可判定MOS管不良。科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 四、不良案例分析：四、不良案例分析： 分析步驟：分析步驟： 1）首先用泰斯測(cè)試儀檢測(cè)電池性能，確認(rèn)不良現(xiàn)象； 2）電池外觀確認(rèn)，必要時(shí)對(duì)電池整體外觀、條碼、日期噴碼拍下圖片； 3）拆解外圍膠紙，檢查電芯凹槽和PCM外觀（目視、顯微鏡、二次元、X-

14、RAY）； 4）用內(nèi)阻儀測(cè)量電芯內(nèi)阻、電壓，確認(rèn)電芯性能； 5）將保護(hù)板拆離，外接3.80V電芯，對(duì)保護(hù)板進(jìn)行分析，記錄數(shù)據(jù)；注意事項(xiàng)：注意事項(xiàng)：1）未確認(rèn)電池不良現(xiàn)象之前，先勿拆解電池，破壞原始狀態(tài)； 2）用烙鐵焊接保護(hù)板時(shí)，必須先將保護(hù)板的電源斷開(kāi)； 3）拆下電芯后，將電芯擺放好，以免造成電芯短接。 6）總結(jié)：以報(bào)告的形式描述整個(gè)分析過(guò)程。（包含數(shù)據(jù)、圖片）科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 1、PAP12電池電池?zé)o顯示：無(wú)顯示： 分析過(guò)程描述：分析過(guò)程描述： 1）用泰斯測(cè)試儀檢測(cè)電池性能，結(jié)果顯示：無(wú)顯示； 2）用恒流源對(duì)電池充電激活，無(wú)效； 3

15、）拆解外圍膠紙，目視檢查電芯凹槽和PCM外觀，無(wú)發(fā)現(xiàn)不良； 4）用內(nèi)阻儀測(cè)量電芯內(nèi)阻為280毫歐，電壓為3.83V，判定電芯為良品； 5）將保護(hù)板拆離，連接3.80V電芯，用萬(wàn)用表測(cè)量IC供電腳（2腳）電壓為0V， IC不能正常工作； 6）用萬(wàn)用表歐姆檔測(cè)量B+至IC2腳之間的阻值為無(wú)窮大，正常的阻值為471歐 姆（B+至IC2腳之間串聯(lián)471歐姆的R1電阻），初步懷疑R1電阻問(wèn)題；科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 7）用顯微鏡觀察R1電阻表面狀況，發(fā)現(xiàn)電阻表面黑膠出現(xiàn)裂痕。見(jiàn)下圖：R1電阻黑膠出現(xiàn)裂痕科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，

16、高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 9）供應(yīng)商對(duì)R1電阻進(jìn)行切片解析，結(jié)論：電阻出現(xiàn)裂痕；如下圖所示： 8）用刀片刮去R1電阻位置上黑膠（漏出電阻焊點(diǎn)兩端即可），用萬(wàn)用表歐姆檔直 接測(cè)量電阻兩端阻值為無(wú)窮大，初步判定R1電阻不良。R1電阻出現(xiàn)裂痕結(jié)論：結(jié)論：R1R1電阻出現(xiàn)裂痕，造成電阻阻值無(wú)窮大，電源無(wú)法對(duì)電阻出現(xiàn)裂痕，造成電阻阻值無(wú)窮大，電源無(wú)法對(duì)ICIC供電，導(dǎo)致供電，導(dǎo)致 ICIC不能正常工作，電池?zé)o電壓輸出。不能正常工作，電池?zé)o電壓輸出?？茖W(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 2、PAP11電池電池短路無(wú)自恢復(fù)：短路無(wú)自恢復(fù)： 分析過(guò)程描述：分析過(guò)程描

17、述： 1）用萬(wàn)用表測(cè)量電池的輸出電壓為0V； 2）用恒流源對(duì)電池充電激活，用萬(wàn)用表測(cè)量電池輸出電壓為3.5V，將P+、P- 兩端瞬間短路，再測(cè)量電池輸出電壓為0V，判定電池短路無(wú)自恢復(fù)功能； 3）拆解外圍膠紙，目視檢查電芯凹槽和PCM外觀，無(wú)發(fā)現(xiàn)不良； 4）用內(nèi)阻儀測(cè)量電芯內(nèi)阻為69毫歐，電壓為3.5V，判定電芯電壓低； 5）將保護(hù)板拆離，用恒流源串聯(lián)萬(wàn)用表檢測(cè)保護(hù)板自耗電為2.6毫安，判定 保護(hù)板自耗電大； 6）用萬(wàn)用表歐姆檔測(cè)量B+、B-之間的阻值為4.2k，不正常，（正常阻值為 M以上），測(cè)量C1電容（連接IC的VDD、VSS腳）兩端阻值為3.9k；科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展

18、科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展 7）根據(jù)電氣原理圖分析得出，若C1電容兩端或IC的VDD腳與VSS腳之間阻值為 3.9k，就相當(dāng)在B+、B-之間連接3.9k阻值+R1電阻，形成一4.2k負(fù)載， 電芯直接對(duì)此負(fù)載放電，（如下圖），導(dǎo)致保護(hù)板自耗電大； 8）將C1電容焊下，在測(cè)量B+、B-之間的阻值為4.2k，判定IC的VDD腳與VSS 腳之間內(nèi)部電路被擊穿； 結(jié)論：結(jié)論：ICIC被擊穿，產(chǎn)生漏電，造成保護(hù)板自耗電大，導(dǎo)致電池短路無(wú)被擊穿，產(chǎn)生漏電，造成保護(hù)板自耗電大，導(dǎo)致電池短路無(wú) 自恢復(fù)。自恢復(fù)。3.9k阻值+R1電阻，形成一4.2k負(fù)載科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)新，持續(xù)發(fā)展科學(xué)管理，高效服務(wù)，不斷創(chuàng)