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1、半導(dǎo)體物理學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)考試時(shí)間:考試時(shí)間:1月月30日日下午下午14:00-16:00考試題型 1、填空: 6分 2、名詞解釋:15分 3、簡答:24分 4、畫圖:10分 5、推導(dǎo):20分 6、計(jì)算:25分第一章第一章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論。3. 推導(dǎo)與計(jì)算推導(dǎo)與計(jì)算對導(dǎo)(價(jià))帶分為無限多無限小的能量間隔的情況有:對導(dǎo)(價(jià))帶分為無限多無限小的能量間隔的情況有:E(E+dE)E(E+dE)量子態(tài)數(shù):量子態(tài)數(shù):dZ=gdZ=gc c(E)dE(E)dE載流子占據(jù)能量為載流子占據(jù)能量為

2、E E的量子態(tài)的概率的量子態(tài)的概率f(E)f(E)在能量在能量E(E+dE)E(E+dE)間有載流子數(shù):間有載流子數(shù):f(E) gf(E) gc c(E)dE(E)dE把所有能量區(qū)間中的載流子數(shù)相加,即從導(dǎo)(價(jià))帶底(頂)到把所有能量區(qū)間中的載流子數(shù)相加,即從導(dǎo)(價(jià))帶底(頂)到導(dǎo)(價(jià))帶頂(底)對導(dǎo)(價(jià))帶頂(底)對f(E) gf(E) gc c(E)dE(E)dE進(jìn)行進(jìn)行,得到半導(dǎo)體中導(dǎo),得到半導(dǎo)體中導(dǎo)(價(jià))帶的載流子總數(shù)(價(jià))帶的載流子總數(shù)1. 1.載流子總數(shù)載流子總數(shù)/ /半導(dǎo)體體積半導(dǎo)體體積=載流子濃度載流子濃度TkEENTkEENnCFcFCc000expexp32/30*)2(2

3、hTkmNnc)exp(22030*023TkEEhTkmpFVp)exp(00TkEENpFVV30*2322hTkmNpV第四章第四章1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論3. 推導(dǎo)與計(jì)算推導(dǎo)與計(jì)算EnqJEvdnqEpqnqJJJpnpn)(pnpqnq)(pniipnqnpqnq第五章第五章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論2. 基本理論基本理論3. 推導(dǎo)與計(jì)算推導(dǎo)與計(jì)算2000expivcvcnTkEENNpnTkEENnFnCc00exp)exp(00TkEENpVFpVTkEEnTkEEnTkEENniFniFFnFnCc00000expexpexpTkEEnT

4、kEEpTkEENpFpiiFpFVFpV00000expexpexpTkEEnTkEEpnpnFpFniFpFn02000expexp3. 推導(dǎo)與計(jì)算推導(dǎo)與計(jì)算qTkDnn0qTkDpp0 nnxqnJ0漂 dxxdnqDJnn0擴(kuò)0擴(kuò)漂nnnJJJ dxxdnDxnnn00 TkExqVENxncFc00exp dxxdVTkqxndxxdn00000()()pnpnk Tk Td pd nJJJqp Eqn EqdxqdxppppgpxEpxpExpDtp22nnnngnxEnxnExnDtn22第六章第六章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論3. 推導(dǎo)與計(jì)算推導(dǎo)與計(jì)算FpFn

5、DEEqV20ln)(1iADFpFnDnNNqTkEEqV TkqVnnDnp000expTkqVppDnp000expTkqVxqVnTkxEEnxnDncnn0000)(exp)(exp)(TkxqVqVpxpDn00)(exp)(3. 推導(dǎo)與計(jì)算推導(dǎo)與計(jì)算D0000000()expexp,()()exp1nnnpnnnnnnqVqVqVpxppk Tk TqVpxpxppk T2020nnnppdpppDdx 0expexpnnnPppppxxpxpxpABLDLL,= 000,()expnnnnnnxppqVxxpxpk T :邊邊界界條條件件 000exp1 expnnnnpxxqVpxppk TL00( )()(1)npnpnqVpnk TpdpxJxqDxxdxqD peL 0022()()()() ()(1) (1)npppnppnqVpik TniADqVk TsJJxJxJxJxqD nqD neNNJ e第七章第七章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論圖圖7-5 7-5 金屬與金屬與n n型半導(dǎo)體接觸能帶圖型半導(dǎo)體接觸能帶圖第八章第八章 1. 基本概念基本概念2. 基本理論基本理論 外場作用下半導(dǎo)體表面狀態(tài)的分析(能帶圖);外場作用下半導(dǎo)體表面狀態(tài)的分析(能帶圖);MISMIS結(jié)結(jié)構(gòu)的構(gòu)的C-VC-V特性

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