PCB圖形轉(zhuǎn)移培訓(xùn)資料

1、圖形轉(zhuǎn)移圖形轉(zhuǎn)移工藝流程原理工藝流程原理一、前言一、前言 3二、工序制作簡(jiǎn)介二、工序制作簡(jiǎn)介 4三、工藝制作流程三、工藝制作流程 5-12四、工藝制程原理四、工藝制程原理 13-45五、各工序主要測(cè)試項(xiàng)目五、各工序主要測(cè)試項(xiàng)目 46-52六、常見問題種類及特征六、常見問題種類及特征 53-59七、結(jié)束語七、結(jié)束語 60-61 編寫本教材為編寫本教材為 圖形轉(zhuǎn)移圖形轉(zhuǎn)移 工藝制作原理，適用工藝制作原理，適用于負(fù)責(zé)內(nèi)外層圖形轉(zhuǎn)移工序入職工程師、及相于負(fù)責(zé)內(nèi)外層圖形轉(zhuǎn)移工序入職工程師、及相關(guān)技術(shù)人員的培訓(xùn)關(guān)技術(shù)人員的培訓(xùn). . 隨著圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的不斷革新隨著圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的不斷革新, ,部分觀點(diǎn)將出部

2、分觀點(diǎn)將出現(xiàn)差異現(xiàn)差異, ,我們應(yīng)以實(shí)際的要求及變化為準(zhǔn)我們應(yīng)以實(shí)際的要求及變化為準(zhǔn). .v圖形轉(zhuǎn)移的定義：圖形轉(zhuǎn)移的定義： 就是將在處理過的銅面上貼上或涂上一層感光性膜層，在紫外光的照射下，將菲林底片上的線路圖形轉(zhuǎn)移到銅面上，形成一種抗蝕的掩膜圖形，那些未被抗蝕劑保護(hù)的不需要的銅箔，將在隨后的化學(xué)蝕刻工藝中被蝕刻掉，經(jīng)過蝕刻工藝后再褪去抗蝕膜層，得到所需要的裸銅電路圖形。 v圖形轉(zhuǎn)移工序包括：圖形轉(zhuǎn)移工序包括： 內(nèi)層制作影像工序，外層制作影像工序，外層絲印工序。內(nèi)層制作影像工序，外層制作影像工序，外層絲印工序。 2022-6-27板面處理貼干膜（方法一）涂濕膜（方法二）顯影曝光菲林制作退膜蝕

3、刻v 以內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移工序?yàn)槔阂詢?nèi)層圖形轉(zhuǎn)移工序?yàn)槔簐 以外層圖形轉(zhuǎn)移工序?yàn)槔阂酝鈱訄D形轉(zhuǎn)移工序?yàn)槔猴@影曝光菲林制作退膜圖形電鍍蝕刻板面處理貼干膜褪錫v 以外層絲印圖形轉(zhuǎn)移工序?yàn)槔阂酝鈱咏z印圖形轉(zhuǎn)移工序?yàn)槔旱蜏劁|曝光菲林制作高溫鋦UV紫外字符板面處理絲印顯影底片底片Cu層層基材層基材層貼膜貼膜曝光曝光顯影顯影蝕刻蝕刻褪膜褪膜干膜干膜底片底片Cu基材基材貼膜貼膜曝光曝光顯影顯影蝕刻蝕刻褪錫褪錫干膜干膜圖電圖電褪膜褪膜定義：將銅面粗化，使之后工序的干膜有效地附著在銅面上。除油微蝕酸洗熱風(fēng)吹干除油：通過酸性化學(xué)物質(zhì)將銅面的油性物質(zhì)，氧化膜除去。微蝕：原理是銅表面發(fā)生氧化還原反應(yīng)，形成粗化的

4、銅面。酸洗：將銅離子及減少銅面的氧化。熱風(fēng)吹干：將板面吹干。磨板的方式：化學(xué)磨板、物理磨板（機(jī)械）。（+水洗）（+水洗）（+水洗）（以內(nèi)層制作為例）轆膜（貼干膜）菲林制作菲林檢查曝光轆膜：以熱貼的方式將干膜貼附在板銅面上。菲林制作：根據(jù)客戶的要求，將線路圖形plot在菲林（底片）上，并進(jìn)行檢查后投入生產(chǎn)。菲林檢查：檢查菲林上的雜質(zhì)或漏洞，避免影像轉(zhuǎn)移出誤。曝光：利用紫外光的能量，使干膜中的光敏物質(zhì)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)，以達(dá)到選擇性局部橋架硬化的效果，而完成影像轉(zhuǎn)移的目的。定義：利用感光材料，將設(shè)計(jì)的線路圖形通過曝光/顯影/蝕刻的工藝步驟，達(dá)至所需銅面線路圖形。顯影蝕刻褪膜顯影：通過藥水碳酸鈉的作用下

5、，將未曝光部分的干膜溶解并沖洗后，留下感光的部分。 蝕刻：是將未曝光的露銅部份面蝕刻掉。褪膜：是通過較高濃度的NaOH（1-4%）將保護(hù)線路銅面的菲林去掉。定義：利用感光材料，將設(shè)計(jì)的線路圖形通過曝光/顯影/蝕刻的工藝步驟，達(dá)至所需銅面線路圖形。v目的目的 v清潔處理方法清潔處理方法 機(jī)械磨板法 （磨料刷輥式刷板機(jī)+浮石粉刷板） 化學(xué)清洗法 （ 除油+微蝕+酸洗） 未經(jīng)任何處理的銅表面，對(duì)干膜不能提供足夠的粘 附，因此必須清除其上一切的氧化物、污漬，同時(shí)要求表面微觀粗糙，以增大干膜與基材表面的接觸面積。v 處理后板銅面與再氧化之關(guān)系處理后板銅面與再氧化之關(guān)系 基材經(jīng)過前處理后表面已無氧化物、油

6、痕等，但如滯留時(shí)間過長(zhǎng)，則表面會(huì)與空氣中的氧發(fā)生氧化反應(yīng)，前處理好的板應(yīng)在較短時(shí)間內(nèi)處理完。 機(jī)械刷磨板化學(xué)處理法快慢v 處理后銅面要求處理后銅面要求 經(jīng)處理后的板面是否清潔可進(jìn)行水膜破裂實(shí)驗(yàn)方法。所經(jīng)清潔處理的板面，流水浸濕，垂直放置，整個(gè)板面上的連續(xù)水膜應(yīng)能至少保持30秒不破裂。v 清潔處理方法比較清潔處理方法比較化學(xué)清洗法磨料刷輥式刷板機(jī)浮石粉刷板機(jī)借著與銅表面相切的砂 磨料浮石粉與尼龍刷相結(jié)合的作用與先用酸性除油劑去除銅箔表面原理 磨動(dòng)作機(jī)械地刮削表面 板面相切磨刷。的油污、指印及其他有機(jī)污物.來粗化表面，同時(shí)除去隨后進(jìn)行微蝕處理去除氧化層污物并形成微觀粗糙表面優(yōu)點(diǎn) 磨刷的刮削使用可將

7、大 1、浮石粉的尖狀顆粒與尼龍刷的共1、去除銅箔較少；部分污物和雜質(zhì)去除掉 同沖擊將板材表面的一切污物機(jī)械去2、基材本身不受機(jī)械應(yīng)力影響，除。易處理薄基材。2、因無“刮痕”, 故無干膜橋接現(xiàn) 象3、板面均勻無溝槽，降低了曝光時(shí)光的散射，從而改進(jìn)了成像分辨率.缺點(diǎn) 1、當(dāng)干膜覆蓋于銅面1、浮石粉對(duì)設(shè)備機(jī)械部分易損傷。1、需監(jiān)測(cè)化學(xué)溶液成分變化并時(shí)，銅面刮痕可能造成 2、尼龍刷對(duì)薄料會(huì)有所損害。進(jìn)行調(diào)整。架橋現(xiàn)象，導(dǎo)致蝕刻后2、廢水處理問題，及增加廢液導(dǎo)線邊緣參差不齊，甚處理費(fèi)用。至斷線。2、硬刷子無法適用干薄芯材清潔，這可能將板面刷壞，甚至拉長(zhǎng).機(jī)械清洗法 貼膜時(shí)，先從干膜上剝下聚乙烯保護(hù)膜，然

8、后在加熱加壓條件下將干膜抗蝕劑粘膜在覆銅箔板上。v貼膜示意圖貼膜示意圖干膜干膜銅板銅板熱轆熱轆保護(hù)膜保護(hù)膜壓力，壓力， 溫度，溫度，傳送速度傳送速度 v 貼膜過程注意三要素：貼膜過程注意三要素： 貼膜應(yīng)是表面平整、無皺折、無氣泡、無灰塵顆粒等夾雜，同時(shí)為保存工藝的穩(wěn)定性，貼膜后應(yīng)停置15分鐘后再進(jìn)行曝光。v 貼膜后要求：貼膜后要求：v 停留時(shí)間的設(shè)定及影響：停留時(shí)間的設(shè)定及影響：貼膜后板子須停留時(shí)間15分鐘以上，24小時(shí)以內(nèi)。如果停留時(shí)間不夠：干膜中所加入的附著力促進(jìn)劑沒有與銅完全發(fā)生作用而黏結(jié)不牢，造成菲林松。若停留時(shí)間太久：就會(huì)造成反應(yīng)過度附著力太強(qiáng)而顯影剝膜困難。 6.16.1干膜結(jié)構(gòu)干

9、膜結(jié)構(gòu) PE 聚乙烯保護(hù)膜聚乙烯保護(hù)膜 （2525mm）干膜（光阻膠層）干膜（光阻膠層） PET COVER FILM （25m） 其中：聚乙烯保護(hù)膜是覆蓋在感光膠層上的保護(hù)膜，防止灰塵等污物 粘污干膜 阻止干膜膠層粘附在下層PET上； 聚脂類透明覆片（PET）作用： 1、避免干膜阻劑層在未曝光前遭刮傷； 2、在曝光時(shí)阻止氧氣侵入光阻膠層，破壞游離基，引起感光度 下降 光阻膠層的主要成分 作用 粘結(jié)劑(成膜樹脂) 起抗蝕劑的骨架作用,不參加化學(xué)反應(yīng) 光聚合單體 在光引發(fā)劑的存在下,經(jīng)紫外光照射下 發(fā)生聚合反應(yīng),生成體型聚合物,感光 部分不溶于顯影液,而未曝光部分可通 過顯影除去 光引發(fā)劑 在紫

10、外光照射下，光引發(fā)劑吸收紫外 光能量產(chǎn)生游離基，游離基進(jìn)一步引 發(fā)光聚合單體交聯(lián) 各種添加劑 增強(qiáng)干膜物性及增強(qiáng)銅面附著力等成分要點(diǎn)有關(guān)特性高分子聚合物丙烯單體的選擇，分子量，玻璃化轉(zhuǎn)移溫度感光性顯影特性密著性干膜強(qiáng)度褪膜特性架橋劑雙鍵架橋聚合單體：親水性與疏水性的平衡，架橋基團(tuán)的濃度感光性解像度顯影特性耐藥品性（顯影液蝕刻液電鍍液）其他：光聚合開始劑，安定劑，染料，密著促進(jìn)劑nmR1CCO2R2CH2CH3CCO2HCH2CH2C-CO OC2H4 O C O C2HO4 CO CCH2mCH3nCH3CH3CH3v按物理狀態(tài)分為: 干膜抗蝕劑 及 液體抗蝕劑 光致抗蝕劑：是指用化學(xué)方法獲得

11、的能抵抗某種蝕刻液或電鍍?nèi)芤航g的感光材料。感光材料主要是由主體樹脂和光引發(fā)劑或光交聯(lián)劑組成。項(xiàng)目項(xiàng)目干膜抗蝕劑 干膜抗蝕劑 液態(tài)抗蝕劑 液態(tài)抗蝕劑 解像度3mil1 mil填平性差較好成本比干膜低4060%廢水處理膜厚、處理量大無保護(hù)膜、膜薄、處理量小自動(dòng)化程度可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，但要配用自動(dòng)除干膜保護(hù)膜設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)房間：100K級(jí)房間：10K級(jí)設(shè)備：10K級(jí)設(shè)備：1K級(jí)適用蝕刻劑 酸性或堿性蝕刻劑酸性或堿性蝕刻劑潔凈房要求v解像度附著力v蓋孔能力v除油劑溶解測(cè)試v光譜特性 v顯影性及耐顯影性 v耐蝕刻性和耐電鍍性 v去膜性能 注：以上亦是測(cè)試新干膜的幾種基本項(xiàng)目 紫外光能量 光引發(fā)

12、劑 R 單體 聚合物 自由基傳遞 聚合交聯(lián)反應(yīng)v被曝光部分：被曝光部分： 菲林透光的區(qū)域在紫外光照射下，光引發(fā)劑吸收光能分解成自由基，自由基再引發(fā)光聚合單體進(jìn)行聚合交聯(lián)反應(yīng)，形成不溶于稀溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)。v未被曝光部分：未被曝光部分： 菲林遮光的區(qū)域保持貼膜后的附著狀態(tài)，將被顯影液沖掉。 曝光機(jī)光源曝光機(jī)光源 曝光時(shí)間（曝光能量控制）曝光時(shí)間（曝光能量控制） 菲林的質(zhì)量菲林的質(zhì)量v影響曝光成像質(zhì)量和生產(chǎn)效率因素：影響曝光成像質(zhì)量和生產(chǎn)效率因素： （除光致抗蝕劑性能）（除光致抗蝕劑性能）v曝光光源的選擇曝光光源的選擇光源的特性直接影響曝光質(zhì)量和效率，光源所發(fā)射出的光譜應(yīng)與感光材料吸收光譜相匹

13、配，能獲得較好的曝光效果。目前干膜的吸收光波長(zhǎng)為325-365nm,較短波長(zhǎng)的光，曝光后成像圖形的邊緣整齊清晰。v光能量與光波長(zhǎng)關(guān)系如下：光能量與光波長(zhǎng)關(guān)系如下： =h r=h c / 式中: 光能量(單位:爾格) h 布郎克常數(shù)(6.625 10-2爾格.秒) r 光的頻率(單位:秒-1(HZ)） c 真空中光速(單位:CM) 波長(zhǎng)(值為:2.289103cm/S) 從式中可以看出光的波長(zhǎng)越短其能量越大，由于300nm以下波長(zhǎng)易被玻璃和底片的聚酯片基所吸收，所以在曝光機(jī)中選用的光源其波長(zhǎng)一般為320-400nm之間。而高壓泵燈及鹵化物燈在310-440nm波長(zhǎng)范圍均有較大的相對(duì)輻射強(qiáng)度,故為

14、干膜曝光較理想光源。v 曝光光源形式分為散射光、平行光曝光光源形式分為散射光、平行光：平行光平行光散光源散光源Defect 底底 片片Defect干干 膜膜基基 材材事實(shí)上，完全的理想平行光曝光機(jī)是不存在的，但我們經(jīng)常會(huì)用曝光機(jī)光源的入射角c(Declination Angle)和散射角/2(Collimation Angle)來決定曝光機(jī)的性能。c/2一般平行光曝光機(jī)的定義: c、 /230v 曝光光源形式分為散射光、平行光曝光光源形式分為散射光、平行光：v散射光、平行光，兩者優(yōu)缺點(diǎn)比較：散射光、平行光，兩者優(yōu)缺點(diǎn)比較：項(xiàng)目?jī)?yōu)點(diǎn)1) 只要能維持底片與光阻劑的緊1） 在高強(qiáng)光度下，即使底片與干

15、膜密結(jié)合，其成像任務(wù)就能順利不密接都能獲得良好的成像。執(zhí)行。2） 在高強(qiáng)光度下，其制作人操作范2) 適用于較寬導(dǎo)線( 0 . 1 5 m m)圍比非平行光大很多。3) 潔凈室要求無平行光曝光機(jī)嚴(yán)3） 平行光透過照相底片圖形透明部格, 大 大降低潔凈化等費(fèi)用分可垂直照射到感光層上，其光入射角小于1 0，成像圖形清晰不易失真。適宜于密細(xì)線路。缺點(diǎn)1) 發(fā)射光光源，由于光線透過1） 對(duì)使用環(huán)境的凈化要求嚴(yán)格。照相底片照射到感光層上的入2） 較散射光源曝光機(jī)價(jià)格昂貴。射角度較大（最大可達(dá)4 0 以3） 在散光源曝光時(shí)不會(huì)顯示出的上易使導(dǎo)線失真。缺點(diǎn)如一些塵粒，底片上刮痕等都會(huì)因平行光的像故而在干膜上清

16、晰顯示而造成斷路、缺口。散光源平行光 在曝光過程中，干膜的聚合反應(yīng)并非“一引而發(fā)”，而是大體經(jīng)過三個(gè)階段：?jiǎn)误w消耗增加曝光時(shí)間增加誘導(dǎo) 區(qū)單體耗盡 區(qū)單體耗盡 區(qū) 故正確控制曝光時(shí)間是得到優(yōu)良的干膜抗蝕圖像的主要因素之一v 曝光時(shí)間（曝光量）的控制：曝光時(shí)間（曝光量）的控制：v曝光時(shí)間的確定：曝光時(shí)間的確定： 采用Ristor 17格或SST21格曝光尺做曝光顯像檢查，確定曝光時(shí)間。用光密度尺進(jìn)行曝光時(shí)，光密度小的（即較透明的）等級(jí)，干膜接受紫外光能量多，聚合較完全，而光密度大的（即透明程度差的）等級(jí)，干膜接受的紫外光能量少，不發(fā)生聚合反應(yīng)或聚合不完全，這樣選擇不同時(shí)間進(jìn)行曝光，可得到不同成像

17、級(jí)數(shù)，在顯影時(shí)被顯影掉或只剩下一部分。v曝光能量的確定：曝光能量的確定： 嚴(yán)格講，以時(shí)間來計(jì)量曝光是不科學(xué)的。 曝光光能量公式：E=It 式中： E - 總的曝光能量，mj/cm2 I - 燈光強(qiáng)度， mw/cm2 t - 曝光時(shí)間，s 從上述可知,總曝光能量E隨燈光強(qiáng)度I和時(shí)間t而變化。若t恒定，光強(qiáng)I 發(fā)生變化，總曝光能量E也隨之改變。而燈光強(qiáng)度隨著電源壓力的波動(dòng)及燈的老化而發(fā)生變化，于是曝光量發(fā)生改變，導(dǎo)致干膜在每次曝光時(shí)所接受的總曝光量并不一定相同，即聚合程度亦不相同。為使每次干膜的聚合程度相同應(yīng)采用曝光能量控制曝光。即采用具有曝光光能量控制的曝光機(jī)。 v菲林底片菲林底片 以干膜作為線

18、路板影像轉(zhuǎn)移制板時(shí)，需以偶氮棕片(DIA20 FILM)或黑白片作為曝光工具，在曝光時(shí)充當(dāng) “底片”的角色。 * 偶氮棕片之影像是翻照自黑白之母片（Master Artwork) 的。v 影響菲林底片質(zhì)量主要因素影響菲林底片質(zhì)量主要因素：光密度，尺寸穩(wěn)定性光密度，尺寸穩(wěn)定性v 光密度要求：光密度要求： 最大光密度D max大于4.5； 最小光密度D min小于0.2 * 最大光密度是指底版在紫外光中，其表面擋光膜的擋光下 限，即底版不透明區(qū)擋光密度D max超過4.5時(shí)，才能達(dá)到良 好的擋光目的。 * 最小光密度是指底版在紫外光中，其擋光膜以外透明片 基 所呈現(xiàn)的擋光上限,即底版透明區(qū)之光密度

19、Dmin小 于0.2時(shí)， 才能達(dá)到良好的透光目的。v 尺寸穩(wěn)定性影響：尺寸穩(wěn)定性影響：底片的尺寸穩(wěn)定性將直接影響印制板的尺寸精度和 圖像重合度，受溫、濕度及儲(chǔ)存時(shí)間的變化。 下表以D1A20為例的尺寸變化（由膨脹系數(shù)據(jù)決定）濕度變化棕片長(zhǎng)度( m m )R H%20030040050060070080011.42.12.83.54.24.95.622.84.25.67.08.49.85.657.010.514.07.521.024.528.0101421.028.035.04.249.056.0152131.542.052.563.073.584.0溫度變化棕片長(zhǎng)度(mm)T200300400

20、5006007008001468101214162812142024283252030405060708010304560759010512015406080100120140160注:(1)7mil 厚D1A120 Film(2)變化尺寸單位為m。 從上表可看出，在0-50與 10-90RH之間以7mil D1A20為例，平均每%RH變化為0.710-5,而每個(gè)T 則約變化2 10-5,這種變化如不超過極限,當(dāng)溫、溫度恢復(fù)原來狀態(tài)時(shí)， D1A20 Film的尺寸會(huì)恢復(fù)原來的尺寸。為能使D1A20底片與工作現(xiàn)場(chǎng)的溫、濕度達(dá)到平衡，在進(jìn)行曝光前，D1A20至少應(yīng)靜置于制造場(chǎng)所超過8小時(shí)以上。v

21、尺寸穩(wěn)定性影響：尺寸穩(wěn)定性影響：n制造高水準(zhǔn)的P.C.B板，創(chuàng)造一個(gè)優(yōu)良的工作環(huán)境是十分必要的，而圖形轉(zhuǎn)移室需建立潔凈室室。 潔凈室室：是以每尺3的空氣中所含大于0.5微米的塵粒之?dāng)?shù)目(PPOF)作為等級(jí)的，可分為三級(jí)，即： Class 大于或等于0.5/PPOF 100 100 10,000 10,000 100,000 100,000 v 曝光室環(huán)境控制曝光室環(huán)境控制注:以美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn) Fed STD 209B作為分級(jí)的規(guī)范。v 曝光室操作環(huán)境環(huán)境控制曝光室操作環(huán)境環(huán)境控制： 1、溫、濕度要求： 溫度：20 2， 濕度：50 10RH% 2、“潔凈室”建立： 凈化等級(jí)達(dá)到10K-100K級(jí)

22、 3、照明光源要求： 因濕膜屬于感光性材料，工作區(qū)應(yīng)采用黃光。 CO COOH OCH3 CO CO ONa OCH3未聚合之干膜層被Na2CO3溶液沖掉的原理，是形成鈉鹽而被溶解，而已感光部分則不會(huì)形成鈉鹽而得以保存。1%Na2CO31. 蝕刻的作用：蝕刻的作用： 是將未曝光部分的銅層蝕刻掉。2. 蝕刻的原理：蝕刻的原理： Cu+CuCl2 2CuCl 2CuCl+HCl+H2O2 2CuCl2 +2H2O 2CuCl+HCl+1/2O2 2CuCl2+H2OMn+：Li+，Na+，k+，Ca+Ki：擴(kuò)散速度常數(shù)擴(kuò)散速度常數(shù)（KaKb干膜碎片?。└赡に槠。↘aKb干膜碎片大）干膜碎片大）

23、擴(kuò)散速度：擴(kuò)散速度：K+Na+KbOH-Mn+CuOCu2OCuO氫鍵(褪膜實(shí)質(zhì)上就是OH,將氫鍵切斷)KaOH-M n+v 水破測(cè)試（前處理工序水破測(cè)試（前處理工序- -化學(xué)微蝕）化學(xué)微蝕）：v 磨痕測(cè)試（前處理工序磨痕測(cè)試（前處理工序- -機(jī)器磨法）機(jī)器磨法）：一般控制范圍：10+/-2mm銅板磨痕磨痕寬度通過磨痕的情況來檢驗(yàn)?zāi)ズ筱~面各位通過磨痕的情況來檢驗(yàn)?zāi)ズ筱~面各位置的平均程度。置的平均程度。通過經(jīng)化學(xué)微蝕處理的銅板，用清水淋濕通過經(jīng)化學(xué)微蝕處理的銅板，用清水淋濕2 2銅面后，板面銅面后，板面垂直靜候，水膜須維持在垂直靜候，水膜須維持在3030秒以上。作為檢驗(yàn)前處理后秒以上。作為檢驗(yàn)前

24、處理后的銅面指標(biāo)。的銅面指標(biāo)。v 轆痕壓力平均度測(cè)試（轆膜工序）轆痕壓力平均度測(cè)試（轆膜工序）：一般控制要求：810mm貼膜銅板壓痕轆痕寬度方法一：通過轆痕的程度來檢驗(yàn)轆膜后銅面各位方法一：通過轆痕的程度來檢驗(yàn)轆膜后銅面各位置的平均程度。置的平均程度。方法二：通過方法二：通過 感壓紙感壓紙 的轆痕顏色深淺來判斷轆的轆痕顏色深淺來判斷轆膜后銅面各位置的平均程度。膜后銅面各位置的平均程度。v 能量平均度測(cè)試（曝光工序）能量平均度測(cè)試（曝光工序）：v 菲林透光度測(cè)試（曝光工序）菲林透光度測(cè)試（曝光工序）：最大光密度最大光密度D maxD max大于大于4.54.5（不透光區(qū)域）不透光區(qū)域） 最小光密

25、度最小光密度D D minmin小于小于0.20.2（透光區(qū)域）透光區(qū)域） 測(cè)試點(diǎn)注：E.U 一般要求少于10%計(jì)算方式：E.U=（max-min)/man+min)*100%使用能量?jī)x表，對(duì)曝光玻璃區(qū)域的不同位使用能量?jī)x表，對(duì)曝光玻璃區(qū)域的不同位置的能量分布進(jìn)行檢測(cè)，以檢驗(yàn)其曝光均置的能量分布進(jìn)行檢測(cè)，以檢驗(yàn)其曝光均勻性。勻性。v 露銅點(diǎn)測(cè)試（顯影工序）露銅點(diǎn)測(cè)試（顯影工序）：v 解像度解像度/ /附著力測(cè)試（顯影工序）附著力測(cè)試（顯影工序）：使用已轆膜的銅板，在正常使用的顯影速度與噴壓下，檢使用已轆膜的銅板，在正常使用的顯影速度與噴壓下，檢驗(yàn)其在缸內(nèi)完全退膜與未退膜的位置。驗(yàn)其在缸內(nèi)完全退

26、膜與未退膜的位置。當(dāng)該板中間行至顯影缸當(dāng)該板中間行至顯影缸50%50%時(shí)關(guān)噴壓，若從顯影缸入口處到時(shí)關(guān)噴壓，若從顯影缸入口處到板上被顯影干凈的長(zhǎng)度為顯影缸全長(zhǎng)的板上被顯影干凈的長(zhǎng)度為顯影缸全長(zhǎng)的5060%5060%，則為最佳，則為最佳顯影速度（露銅點(diǎn)速度）。顯影速度（露銅點(diǎn)速度）。是檢驗(yàn)曝光是檢驗(yàn)曝光/ /顯影工序的綜合能力，一般通過顯影工序的綜合能力，一般通過TEST PATTERNTEST PATTERN的的不同不同StepStep的分布及實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)來判斷其的分布及實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)來判斷其解像度解像度/ /附著力狀態(tài)。附著力狀態(tài)。v 蝕刻平均度測(cè)試（蝕刻工序）蝕刻平均度測(cè)試（蝕刻工序）：利用底銅為利

27、用底銅為2 2ozoz（或或1 1oz)oz)的板料，的板料，應(yīng)用應(yīng)用1 1oz(oz(或或0.50.5ozoz）的蝕刻的蝕刻速度速度/ /噴壓完成蝕刻流程噴壓完成蝕刻流程，通過銅厚測(cè)量?jī)x測(cè)量銅面的厚度，通過銅厚測(cè)量?jī)x測(cè)量銅面的厚度分布情況。是檢驗(yàn)蝕刻品質(zhì)的一種方法。分布情況。是檢驗(yàn)蝕刻品質(zhì)的一種方法。注：E.U 一般要求少于10%計(jì)算方式：E.U=（max-min)/man+min)*100%26“26“0.5“圖例v 蝕刻因子測(cè)試（蝕刻工序）蝕刻因子測(cè)試（蝕刻工序）： Etch Factor: r=2H(D-A) r=H/(B-)ADH覆膜銅層基材l b蝕銅除了要做正面向下的溶蝕（蝕銅除了

28、要做正面向下的溶蝕（Downcut)Downcut)之外，蝕液也會(huì)攻之外，蝕液也會(huì)攻擊線路兩側(cè)無保護(hù)的腰面，稱之為側(cè)蝕，經(jīng)常造成如蘑菇般擊線路兩側(cè)無保護(hù)的腰面，稱之為側(cè)蝕，經(jīng)常造成如蘑菇般的蝕刻缺陷，即為蝕刻品質(zhì)的一種指標(biāo)（的蝕刻缺陷，即為蝕刻品質(zhì)的一種指標(biāo)（E Etch Factor)tch Factor)。注：R一般要求大于3v 露銅點(diǎn)測(cè)試（褪膜工序）露銅點(diǎn)測(cè)試（褪膜工序）：使用已轆膜使用已轆膜/ /已曝光的銅板，在正常使用的褪膜速度與噴已曝光的銅板，在正常使用的褪膜速度與噴壓下，檢驗(yàn)其在缸內(nèi)完全褪膜與未褪膜的位置。壓下，檢驗(yàn)其在缸內(nèi)完全褪膜與未褪膜的位置。當(dāng)該板中間行至褪膜缸當(dāng)該板中間行

29、至褪膜缸50%50%時(shí)關(guān)噴壓，若從褪膜缸入口處時(shí)關(guān)噴壓，若從褪膜缸入口處到板上被褪膜干凈的長(zhǎng)度為褪膜缸全長(zhǎng)的到板上被褪膜干凈的長(zhǎng)度為褪膜缸全長(zhǎng)的5060%5060%，則為，則為最佳褪膜速度（露銅點(diǎn)速度）。最佳褪膜速度（露銅點(diǎn)速度）。1.1.1.1.2.2.3.3.6.6.4.4.5.5.7.7.9.9.8.8.10.10.11.11.2.2.3.3.4.4.5.5.板料凹痕 (Dents on laminate)曝光垃圾 (Exposure dirt)板料擦花 (Scratch on laminate)干膜下垃圾 (Dirt under dry film)曝光走光 (Over exposure

30、）擦花菲林 (Scratch on GII)起保護(hù)膜 (Mylar peel off)蝕刻過度 (Over-etching)擦花銅面(Poor handling after etching)銅面氧化 (Cu surface oxide)干膜起皺 (Folded dry film)板料污漬 (Resin dust)干膜起皺 (Folded dry film)干膜蓋板邊 (Dry film over-lamination)干膜膠渣 (Dry film scum)風(fēng)刀/壓水轆垃圾 (Dirt air knife/roller)擦花干膜(Scratch on dry film)6.6.顯影不凈（Und

31、er-developing)7.7.1.1.顯影/蝕刻膠渣2.2.3.3.顯影不凈擦花干膜/銅面 前處理水洗/干膜露板邊 顯影水洗/噴咀/干板 過濾網(wǎng)失效/規(guī)格/方法 顯影及蝕刻線保養(yǎng) 菲林的設(shè)計(jì) 轆膜/曝光后擦花 顯影后擦花 蝕刻/啤孔期間擦花 運(yùn)輸/放取板的方法，工具 顯影段濃度不穩(wěn)定 加換藥的方法 水洗壓力/噴咀 壓水轆的保養(yǎng)4.4.5.5.6.6.曝光走光曝光垃圾板料凹痕 抽氣氣壓不足 菲林局部變形 曝光能量過高 曝光能量不均勻 板邊纖維/樹脂粉 板邊銅碎/清潔方法 轆膜切刀/干膜碎/清潔機(jī)效能 設(shè)備油污 頭發(fā)絲/指贓物 來料問題（抽查方法） 搬運(yùn)方法/工具 放取板料的方法 日常檢查方法-1.1.1.1.2.2.3.3.6.6.4.4.5.5.7.7.9.9.8.8.2.2.3.3.4.4.5.5.擦花底銅 (Scratch on base Cu)干膜下垃圾 (Dirt under dry film)曝光走光 (Over exposure）擦花菲林 (Scratch on GII)干膜蓋板邊 (Dry film over-lamination)轆擦干膜 (Scratch on dry film)干膜起皺 (Folded dry film)板面凹痕 (Dents)干膜起皺 (Fol