微電子工藝(7)化學(xué)氣相淀積

1、第第7章章 化學(xué)氣相淀積化學(xué)氣相淀積 (Chemical Vapor Deposition)微電子工藝微電子工藝(6)薄膜技術(shù)薄膜技術(shù)田 麗第第7章章 化學(xué)氣相淀積化學(xué)氣相淀積 (CVD)v7.1 CVD概述v7.2 CVD工藝原理v7.3 CVD工藝方法v7.4 二氧化硅薄膜的淀積v7.5 氮化硅薄膜淀積v7.6 多晶硅薄膜的淀積v7.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜7.1 CVD概述概述 v化學(xué)氣相淀積化學(xué)氣相淀積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是把構(gòu)成薄膜元素的是把構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)氣態(tài)反應(yīng)劑或液反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣蒸氣以合理的流速引入反應(yīng)室，

2、以合理的流速引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)并在襯底上并在襯底上淀積淀積薄膜薄膜的工藝方法。的工藝方法。v淀積的薄膜淀積的薄膜是非晶或多晶態(tài)是非晶或多晶態(tài)，襯底不要求，襯底不要求是單晶，只要是具有一定平整度，能經(jīng)受是單晶，只要是具有一定平整度，能經(jīng)受淀積溫度即可。淀積溫度即可。 CVD淀積分類淀積分類v常壓化學(xué)氣相淀積（常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD, Atmospheric pressure chemical vapor deposition ）v低壓化學(xué)氣相淀積（低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD, Low pressure chemical vapor depositio

3、n ）v等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（PECVD, Plasma enhanced chemical vapor deposition ）v金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD, Metal-Organic chemical vapor deposition ）v激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相淀積（激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相淀積（LCVD , Laser chemical vapor deposition ）v微波等離子體化學(xué)氣相淀積（微波等離子體化學(xué)氣相淀積（MWCVD, Microwave assisted chemical vapor deposition ） 按氣壓分類

4、按氣壓分類按反應(yīng)按反應(yīng)激活能激活能分類分類7.2 CVD工藝原理v(1)反應(yīng)劑引入，在襯底表面附近形成反應(yīng)劑引入，在襯底表面附近形成“滯留層滯留層”v(2)反應(yīng)劑被吸附在硅片表面，并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)反應(yīng)劑被吸附在硅片表面，并進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)v(3) 在硅片表面成核、生長(zhǎng)成薄膜在硅片表面成核、生長(zhǎng)成薄膜v(4)反應(yīng)后的氣相副產(chǎn)物排出反應(yīng)室反應(yīng)后的氣相副產(chǎn)物排出反應(yīng)室CVD的化學(xué)反應(yīng)條件v（1）在淀積溫度下，反應(yīng)劑需有足夠高的蒸氣壓；）在淀積溫度下，反應(yīng)劑需有足夠高的蒸氣壓；v（2）除淀積物外，反應(yīng)的其它物質(zhì)必須是揮發(fā)性；）除淀積物外，反應(yīng)的其它物質(zhì)必須是揮發(fā)性；v（3 3）淀積物本身必須具有足夠低的）淀

5、積物本身必須具有足夠低的蒸氣壓蒸氣壓v（4 4）薄膜淀積所用的時(shí)間必須足夠短）薄膜淀積所用的時(shí)間必須足夠短-高效率，高效率，低成本低成本v（5 5）淀積溫度必須足夠低）淀積溫度必須足夠低-避免對(duì)先前工藝影響避免對(duì)先前工藝影響v（6 6）CVDCVD不允許化學(xué)反應(yīng)的氣態(tài)副產(chǎn)物進(jìn)入薄膜不允許化學(xué)反應(yīng)的氣態(tài)副產(chǎn)物進(jìn)入薄膜v（7 7）化學(xué)反應(yīng)必須在被加熱的襯底表面）化學(xué)反應(yīng)必須在被加熱的襯底表面7.2.27.2.2薄膜淀積速率及影響因素薄膜淀積速率及影響因素 CVD反應(yīng)室內(nèi)的流體動(dòng)力學(xué)反應(yīng)室內(nèi)的流體動(dòng)力學(xué)v反應(yīng)室工作氣體是常壓或反應(yīng)室工作氣體是常壓或初真空度，分子平均自由初真空度，分子平均自由程遠(yuǎn)小于

6、反應(yīng)室尺寸，氣程遠(yuǎn)小于反應(yīng)室尺寸，氣流是流是粘滯流粘滯流。v邊界層（附面層，滯流層）v邊界層厚度圖7-2 立式反應(yīng)器中浮力驅(qū)動(dòng)的再循環(huán)流生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)從簡(jiǎn)單的生長(zhǎng)模型出發(fā)，用從簡(jiǎn)單的生長(zhǎng)模型出發(fā)，用動(dòng)力學(xué)方法研究化學(xué)氣相淀動(dòng)力學(xué)方法研究化學(xué)氣相淀積推導(dǎo)出積推導(dǎo)出生長(zhǎng)速率的表達(dá)式生長(zhǎng)速率的表達(dá)式及其兩種極限情況及其兩種極限情況與熱氧化生長(zhǎng)稍有與熱氧化生長(zhǎng)稍有不同的是，沒有了不同的是，沒有了在在SiO2中的擴(kuò)散流中的擴(kuò)散流Jg是反應(yīng)劑分子的粒子流密度是反應(yīng)劑分子的粒子流密度Js代表在襯底表面化學(xué)反應(yīng)消耗的反應(yīng)劑分子流密度代表在襯底表面化學(xué)反應(yīng)消耗的反應(yīng)劑分子流密度氣體氣體薄膜薄膜襯底襯底Cg

7、CsJgJsGrove模型模型hg 是質(zhì)量輸運(yùn)系數(shù)（是質(zhì)量輸運(yùn)系數(shù)（cm/sec）在穩(wěn)態(tài)，兩類粒子流密度應(yīng)相等。這樣得到在穩(wěn)態(tài)，兩類粒子流密度應(yīng)相等。這樣得到()gggsJh CCsssJk CgsJJ可得：可得：11ssggkCCh假定假定Jg正比于正比于 反應(yīng)劑在主氣流中的濃度反應(yīng)劑在主氣流中的濃度CG與在硅表面處濃度與在硅表面處濃度CS之差之差假定在表面經(jīng)化學(xué)反應(yīng)淀積成薄膜的速率正比于假定在表面經(jīng)化學(xué)反應(yīng)淀積成薄膜的速率正比于 反應(yīng)劑在表面的濃度反應(yīng)劑在表面的濃度CS ，則，則ks 是表面化學(xué)反應(yīng)系數(shù)（是表面化學(xué)反應(yīng)系數(shù)（cm/sec）設(shè)設(shè)gTCYCY -在氣體中反應(yīng)劑分子的摩爾百分比在

8、氣體中反應(yīng)劑分子的摩爾百分比Cg-每每cm3中反應(yīng)劑分子數(shù)中反應(yīng)劑分子數(shù)CT-在氣體中每在氣體中每cm3的所有分子總數(shù)的所有分子總數(shù)N-形成薄膜的單位體積中的原子數(shù)。形成薄膜的單位體積中的原子數(shù)。 對(duì)硅外延對(duì)硅外延N為為51022 cm-3 則薄膜淀積速率則薄膜淀積速率sggsgTsgsgk hCk hCJGYNkhNkhNY一定時(shí)，一定時(shí)， G 由由hg和和ks中較小者決定中較小者決定1、如果、如果hgks，則則CsCg-表面化學(xué)反應(yīng)速率控制過(guò)程，表面化學(xué)反應(yīng)速率控制過(guò)程，有有2、如果、如果hghgG=CThgY/N1kshgG=CTksY/N121.5ggg/kTE0sT,DDhekkA氣

9、流速率氣流速率與溫度對(duì)與溫度對(duì)淀積速率的影響淀積速率的影響質(zhì)量輸運(yùn)控制質(zhì)量輸運(yùn)控制， hg ks Ghg 1/U1/2表面反應(yīng)控制表面反應(yīng)控制， ks 1.46,薄膜富硅薄膜富硅 n1.46, 為低密度多孔薄膜為低密度多孔薄膜7.4.2 APCVD /LPCVD SiO2v硅烷為源，工藝溫度硅烷為源，工藝溫度250-450，可在可在APCVD, LPCVD, PECVD系統(tǒng)中淀積。系統(tǒng)中淀積。 SH4(g)+O2(g) SiO2(s)+2H2(g)v N2稀釋稀釋SH4與過(guò)量與過(guò)量O2的混合氣體的混合氣體 v低溫淀積低溫淀積SiO2膜可在膜可在700-1000退火致密化，使退火致密化，使SiO

10、2膜的密度從膜的密度從2.1gcm3增至增至2.2gcm3，在，在HF溶液中的腐蝕速率也會(huì)降低。溶液中的腐蝕速率也會(huì)降低。1 硅烷硅烷/O2為源為源TEOS （正硅酸四乙酯）（正硅酸四乙酯） 為源的低溫為源的低溫PECVDTEOS(l)Si(OC2H5)4+O2 SiO2+副產(chǎn)物副產(chǎn)物v良好的臺(tái)階覆蓋性，間隙填充特性，多用來(lái)良好的臺(tái)階覆蓋性，間隙填充特性，多用來(lái)形成多層布線金屬層之間絕緣層淀積形成多層布線金屬層之間絕緣層淀積TEOS與與O3混合源的混合源的SiO2淀積淀積v300,TEOS+3%O3,APCVD淀積淀積SiO2，淀積速率可達(dá)，淀積速率可達(dá)100200nm/min-vTEOS與與

11、O3混合淀積的混合淀積的SiO2薄膜薄膜優(yōu)勢(shì)：淀積速率高；保形優(yōu)勢(shì)：淀積速率高；保形性好；良好填充溝槽及金屬線之間的間隙性好；良好填充溝槽及金屬線之間的間隙v化學(xué)反應(yīng)式化學(xué)反應(yīng)式 Si(OC2H5)4+O3 SiO2+8CO2+10H2Ov問題：淀積速率依賴于薄膜淀積的表面材問題：淀積速率依賴于薄膜淀積的表面材料；所淀積的氧化層中含有料；所淀積的氧化層中含有Si-OH鍵，更易鍵，更易吸收水汽；吸收水汽；解決方法：先用解決方法：先用PECVD 方法先方法先淀積一層淀積一層SiO2，再做，再做TEOS/O3淀淀積積SiO2 ，最后表面再做，最后表面再做PECVD 淀積淀積SiO2，形成三明治夾層的

12、三，形成三明治夾層的三層絕緣層結(jié)構(gòu)層絕緣層結(jié)構(gòu)2 中溫中溫CVD SiO2v工藝溫度工藝溫度650-750 ，采用采用APCVD，LPCVD方法淀積。方法淀積。vTEOS 淀積的淀積的SiO2薄膜有更好的薄膜有更好的保形性保形性；淀積溫度淀積溫度: 680-730, 速率約速率約25nmminvLPCVD SiO2 薄膜薄膜Si(OC2H5)4SiO2+4C2H4+2H2O7.4.4 PECVD SiO21. 含有氯或氫。含有氯或氫。2.當(dāng)當(dāng)N2O:SiH4的的比例比較低時(shí)，比例比較低時(shí)，形成富硅薄膜形成富硅薄膜;3.富硅薄膜的折富硅薄膜的折射系數(shù)增加射系數(shù)增加,n值接近值接近1.46;4.稀

13、釋的稀釋的HF溶液溶液對(duì)對(duì)SiO2的腐度的腐度速率可以非常速率可以非常精確的反映薄精確的反映薄膜的配比和密膜的配比和密度。度。SH4(g)+2N2O(g) SiO2(s)+2N2(g) +2H2(g) Ar氣為稀釋氣體，溫度：氣為稀釋氣體，溫度：200-4007.5 氮化硅薄膜氮化硅薄膜v氮化硅薄膜是非晶介質(zhì)薄膜，氮化硅薄膜是非晶介質(zhì)薄膜，Si3N4薄薄膜一般是采用膜一般是采用CVD法制備，法制備，在二氧化在二氧化硅不適合的場(chǎng)合作為介質(zhì)薄膜使用。硅不適合的場(chǎng)合作為介質(zhì)薄膜使用。7.5.1 氮化硅薄膜性質(zhì)與用途v抗鈉能力強(qiáng)，硬度大，針孔少，致密，化抗鈉能力強(qiáng)，硬度大，針孔少，致密，化學(xué)穩(wěn)定性好，

14、因此，作為學(xué)穩(wěn)定性好，因此，作為鈍化膜鈍化膜、保護(hù)膜保護(hù)膜有優(yōu)勢(shì)。有優(yōu)勢(shì)。v掩蔽能力強(qiáng)，掩蔽能力強(qiáng)，SiO2對(duì)對(duì)B、P、As、Sb有掩蔽有掩蔽作用，作用，Si3N4還可以掩蔽還可以掩蔽Ga、In、ZnO。能。能作為多種雜質(zhì)的作為多種雜質(zhì)的掩蔽膜掩蔽膜。v介電常數(shù)介電常數(shù)大、導(dǎo)熱性好，大、導(dǎo)熱性好，SiO2 4.2，Si3N4 6-9，可做，可做電容的介質(zhì)層電容的介質(zhì)層；與二氧化硅比較與二氧化硅比較v工藝用途：可以作為工藝用途：可以作為選擇性氧化的掩膜選擇性氧化的掩膜，如如MOS器件的場(chǎng)區(qū)氧化器件的場(chǎng)區(qū)氧化(LOCOS)；淺溝淺溝隔離的化學(xué)機(jī)械拋光（隔離的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）自停止層。）自停止

15、層。v問題：與硅失配率大，無(wú)論是晶格常數(shù)問題：與硅失配率大，無(wú)論是晶格常數(shù)還是熱膨脹系數(shù)，因此在還是熱膨脹系數(shù)，因此在Si3N4/Si界面硅界面硅缺陷大，成為載流子陷阱，或者復(fù)合中缺陷大，成為載流子陷阱，或者復(fù)合中心，影響硅的載流子遷移率。心，影響硅的載流子遷移率。7.5.2 氮化硅工藝氮化硅工藝 可根據(jù)需要選擇淀積可根據(jù)需要選擇淀積Si3N4工藝條件工藝條件v選擇性氧化的掩膜或電容介質(zhì)層選擇性氧化的掩膜或電容介質(zhì)層 中溫中溫LPCVD, 700-800C, P：0.1-1Torr SiH2Cl2(H2或或N2 ) +NH3 Si3N4+ HCl+H2v最終鈍化層最終鈍化層 低溫低溫PECVD

16、， 200-400 P：0.1-1Torr SiH4 (H2或或N2) + NH3 (或或N2 ) SixNyHZ+H2LPCVD氮化硅工藝v薄膜密度高（薄膜密度高（2.93.1g/cm3）；介電常數(shù)）；介電常數(shù)6；化學(xué)配比較好；耐化學(xué)配比較好；耐HF腐蝕；腐蝕；H含量較含量較PECVD氮化硅低氮化硅低;臺(tái)階覆蓋性較好臺(tái)階覆蓋性較好;較少的粒子污染較少的粒子污染v缺點(diǎn)是薄膜應(yīng)力較大缺點(diǎn)是薄膜應(yīng)力較大,易破裂易破裂vLPCVD以以SiH2Cl2或或SiCl4為硅源淀積為硅源淀積Si3N4 v注意注意 工藝過(guò)程中工藝過(guò)程中NH3要充足要充足 PECVD氮化硅薄膜v若采用N2和SiH4作為反應(yīng)劑,注

17、意比例; 淀積速率低,臺(tái)階覆蓋差,擊穿電壓低; H含量較少,形成薄膜致密;vNH3更易于在PECVD反應(yīng)室內(nèi)分解,形成的薄膜性能較好PECVD SiXNYStandard Cubic Centimeter per Minute,即ml/min或cm3/min 7.6多晶硅多晶硅(Poly-Si)薄膜薄膜v結(jié)構(gòu)特點(diǎn)結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 多晶硅多晶硅薄膜薄膜是由無(wú)數(shù)微小單晶粒是由無(wú)數(shù)微小單晶粒(約約100nm)組成的薄膜，晶粒大小與制備工藝有關(guān)，在組成的薄膜，晶粒大小與制備工藝有關(guān)，在晶粒與晶粒之間是晶粒間界晶粒與晶粒之間是晶粒間界(稱晶界，稱晶界，0.5-1nm寬寬)，晶界原子排列無(wú)序，多晶硅晶界原子排列無(wú)

18、序，多晶硅薄膜薄膜呈呈各向同性各向同性。v晶界含大量懸掛鍵及高密度缺陷晶界含大量懸掛鍵及高密度缺陷-晶粒間界不完晶粒間界不完整性及晶粒表面原子周期性排列受到破壞所引起。整性及晶粒表面原子周期性排列受到破壞所引起。v造成多晶硅的兩個(gè)重要特性：造成多晶硅的兩個(gè)重要特性： （1）擴(kuò)散系數(shù)）擴(kuò)散系數(shù)-晶界處明顯大于晶粒內(nèi)部晶界處明顯大于晶粒內(nèi)部 （2）雜質(zhì)分凝）雜質(zhì)分凝-高溫時(shí)位于晶粒內(nèi)部的雜質(zhì)在低高溫時(shí)位于晶粒內(nèi)部的雜質(zhì)在低溫時(shí)運(yùn)動(dòng)到晶界處，而高溫時(shí)又返回晶粒內(nèi)溫時(shí)運(yùn)動(dòng)到晶界處，而高溫時(shí)又返回晶粒內(nèi) 7.6.1 結(jié)構(gòu)與特性結(jié)構(gòu)與特性多晶硅電學(xué)特性多晶硅電學(xué)特性v多晶硅內(nèi)每個(gè)單晶晶粒內(nèi)的電學(xué)行為和單多

19、晶硅內(nèi)每個(gè)單晶晶粒內(nèi)的電學(xué)行為和單晶硅的電學(xué)行為相似晶硅的電學(xué)行為相似v在一般摻雜濃度下，同樣摻雜情況，比單在一般摻雜濃度下，同樣摻雜情況，比單晶電阻率高；晶電阻率高；v高摻雜時(shí)，電阻率與單晶接近。高摻雜時(shí)，電阻率與單晶接近。原因：原因：1、熱處理過(guò)程中摻雜、熱處理過(guò)程中摻雜原子運(yùn)動(dòng)到晶界處，不能有效原子運(yùn)動(dòng)到晶界處，不能有效供給自由載流子；供給自由載流子；2、晶界處、晶界處的懸掛鍵可俘獲自由載流子；的懸掛鍵可俘獲自由載流子；3、晶界內(nèi)缺陷使載流子遷移、晶界內(nèi)缺陷使載流子遷移率下降率下降Poly-Si電阻變化與摻雜濃度、晶粒尺寸之間關(guān)系：電阻變化與摻雜濃度、晶粒尺寸之間關(guān)系：1、在同樣摻雜濃度

20、下晶粒尺寸大的薄膜有較低的電阻率、在同樣摻雜濃度下晶粒尺寸大的薄膜有較低的電阻率2、晶粒尺寸的大小和摻雜濃度相互作用，決定著每一個(gè)晶、晶粒尺寸的大小和摻雜濃度相互作用，決定著每一個(gè)晶粒的耗盡的程度粒的耗盡的程度7.6.2 多晶硅薄膜用途多晶硅薄膜用途vMOS器件的柵電極；器件的柵電極；v超大規(guī)模集成電路中電極的多層布線；超大規(guī)模集成電路中電極的多層布線；v在雙極以及在雙極以及BiCMOS技術(shù)中，高摻雜技術(shù)中，高摻雜的多晶硅薄膜也用來(lái)制作發(fā)射極；的多晶硅薄膜也用來(lái)制作發(fā)射極；vMEMS器件，如壓力傳感器的應(yīng)變器件，如壓力傳感器的應(yīng)變電阻。電阻。良好的高溫工藝兼容性；與良好的高溫工藝兼容性；與熱生

21、長(zhǎng)的二氧化硅有更好的熱生長(zhǎng)的二氧化硅有更好的接觸性能；在陡峭的臺(tái)階上接觸性能；在陡峭的臺(tái)階上淀積多晶硅有良好的保形性淀積多晶硅有良好的保形性7.6.3 Poly-Si薄膜制備工藝薄膜制備工藝vLPCVD，580-650，熱分解硅烷實(shí)現(xiàn)淀積；，熱分解硅烷實(shí)現(xiàn)淀積； T 580時(shí)淀積薄膜基本為非晶時(shí)淀積薄膜基本為非晶Siv硅烷熱分解硅烷熱分解 SiH4（吸附）（吸附） SiH2（吸附）（吸附）+H2(g) Si（s）+H2(g) 注意：（注意：（1）防止防止SiH4氣相分解氣相分解-應(yīng)用稀釋氣體應(yīng)用稀釋氣體H2 （2）氣缺現(xiàn)象氣缺現(xiàn)象-從反應(yīng)室的入口到出口的從反應(yīng)室的入口到出口的30溫度梯度；分布

22、式入口溫度梯度；分布式入口LPCVD反應(yīng)室反應(yīng)室v在淀積在淀積Poly-Si的同時(shí)可的同時(shí)可原位摻雜原位摻雜，或在淀積之，或在淀積之后采用后采用擴(kuò)散或離子注入摻雜擴(kuò)散或離子注入摻雜。Poly-Si淀積速率的影響因素淀積速率的影響因素溫度；溫度；氣體壓力；氣體壓力；反應(yīng)器形狀反應(yīng)器形狀Poly-Si摻雜摻雜v擴(kuò)散摻雜擴(kuò)散摻雜-溫度溫度9001000 N型摻雜劑：型摻雜劑：POCl5, PH3等含磷氣體等含磷氣體 優(yōu)勢(shì)：優(yōu)勢(shì)：1.在多晶硅膜中摻入雜質(zhì)濃在多晶硅膜中摻入雜質(zhì)濃度很高，可以超過(guò)固溶度度很高，可以超過(guò)固溶度-可得可得較低電阻率；較低電阻率；2.一步完成摻雜和退一步完成摻雜和退火兩個(gè)工藝；

23、火兩個(gè)工藝； 缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：工藝溫度高，薄膜表面粗糙工藝溫度高，薄膜表面粗糙度增加度增加v離子注入離子注入-優(yōu)點(diǎn)：雜質(zhì)數(shù)量精確優(yōu)點(diǎn)：雜質(zhì)數(shù)量精確可控，也可適用低摻雜薄膜制備。可控，也可適用低摻雜薄膜制備。 電阻率為擴(kuò)散摻雜法制備薄膜電阻率為擴(kuò)散摻雜法制備薄膜10倍倍 合適的注入能量可使雜質(zhì)濃度峰合適的注入能量可使雜質(zhì)濃度峰值處于薄膜中間；用快速熱退火值處于薄膜中間；用快速熱退火(RTP) 在在1150下不到下不到30秒完成雜秒完成雜質(zhì)再分布和激活。質(zhì)再分布和激活。v原位摻雜原位摻雜-一步完成薄膜淀積和一步完成薄膜淀積和摻雜工藝；方法簡(jiǎn)單，未廣泛應(yīng)用摻雜工藝；方法簡(jiǎn)單，未廣泛應(yīng)用實(shí)際實(shí)際CVD氮化

24、硅氮化硅二氧化硅二氧化硅7.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜金屬及金屬化合物薄膜v難溶金屬難溶金屬W, Mo, Ta, Ti在在IC中被用作互中被用作互連系統(tǒng)，一般用連系統(tǒng)，一般用CVD方法淀積。方法淀積。vW的主要用途的主要用途 1.作填充作填充-W插塞插塞plug 2.作局部互聯(lián)材料作局部互聯(lián)材料-W的電導(dǎo)率低，只的電導(dǎo)率低，只用作短程互連線用作短程互連線vW的優(yōu)勢(shì)的優(yōu)勢(shì)體電阻率較小體電阻率較小7-12.cm；較高的熱穩(wěn)定；較高的熱穩(wěn)定性；較低的應(yīng)力；良好的抗電遷移能力性；較低的應(yīng)力；良好的抗電遷移能力和抗腐蝕性和抗腐蝕性CVD W 工藝工藝v源源-WF6； WCl6； W(CO)6vWF6與硅，與硅，H2，硅烷還原反應(yīng)生成，硅烷還原反應(yīng)生成W-300 10-15nm自停止自停止 WF6 (g)+Si(s)SiF4(g) 低于低于450 WF6與與H2淀積淀積W工藝工藝 WF6(g)+H2(