芯片工藝培訓(xùn)ppt課件

1、 LED 芯片根底知識劉娉娉2021-7-19.LED Light Emitting Diode是靠電子和空穴的復(fù)合,將電能轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體器件。LED具有壽命長、可靠性高、體積小、功耗低、呼應(yīng)速度快、易于調(diào)制和集成等優(yōu)點。LED可運用于彩燈、交通燈、數(shù)碼管、顯示屏、手機和筆記本電腦背光源等。LED及其運用2.LED產(chǎn)業(yè)區(qū)分3.氮化鎵 (GaN)-藍綠ITOSiO2Pad Sapphiren-GaNp-GaNMQWSapphiren-GaNp-GaNAuMQWLED 制造流程4.外表處置Surface cleaning)光刻 (Photolithography)蝕刻Etching)濕法腐蝕(

2、Wet Etch)干法蝕刻(Dry Etching)打線盤金屬蒸鍍(Evaporation)堆積(Deposition)研磨、切割測試分揀芯片主要工藝LED芯片制程5.LED芯片制造工藝流程外延片清洗蒸鍍平臺刻蝕電極鍍膜NP、N堆積SiO2ITOCBL打線電極蒸鍍平臺刻蝕P、N堆積SiO2ITO成 測封 裝切 割研 磨廢品入庫6.CBL制造CBL (Current blocking layer)SiO2：SiH4+N2OSiO2影響要素：生長溫度、功率、流量、速度等參數(shù)：折射率等光刻膠掩膜 BOE 濕法腐蝕Oxford 800plusCBLP-GaNN-GaNSapphire7.涂膠、光刻、顯

3、影、腐蝕、去膠CBL制造流程8.ITO蒸鍍及腐蝕p-GaP摻雜濃度高, 而p-GaN摻雜濃度低,呵斥藍綠光LED需求制造TCL添加電流分散,影響要素：源、溫度、流量、速率、環(huán)境等ITO參數(shù)：透光度、片電阻、透射曲線、腐蝕速率濕法腐蝕： 側(cè)向腐蝕ITO濕法腐蝕9.Mesa干法蝕刻藍寶石襯底不導(dǎo)電，顯露部分N-GaNICP干法蝕刻：影響要素：氣體、流量、比例、壓力、時間；參數(shù)：蝕刻深度、外表情況干法蝕刻N-GaN10.P、N電極蒸鍍PN打線盤N型歐姆接觸電極金屬蒸鍍參數(shù)：蒸發(fā)源純度、真空度、蒸發(fā)速率黏附性、歐姆接觸PN電極光刻圖形undercut11.鈍化層生長及開窗口SiO2影響參數(shù)：生長溫度、

4、功率、流量、折射率、腐蝕速率、黏附性吸水性12.LED芯片制程-清洗清洗車間目的： 外表清洗、去膠、化學(xué)腐蝕，去除金 屬、有機物、氧化物、外表雜質(zhì)等；所需： 511、去膠液、ITO腐蝕液、金屬腐蝕液、BOE、O2 plasma13.光刻車間目的:勻膠、對版曝光、顯影、定膠；參數(shù)： 光刻膠的厚度及均勻性、曝光功率及時間、顯影后圖形的完好、定膠的時間等，對后道工序都將產(chǎn)生很大影響。LED芯片制程-光刻14. 干法刻蝕與堆積:氮化鎵、藍寶石、SiO2蝕刻-ICP；二氧化硅堆積-PECVD； 鍍膜：電子束蒸鍍透明電極和打線焊盤；主要的蒸鍍資料有ITO、Au、Cr等金屬。 LED芯片制程-堆積與鍍膜15

5、.芯片研磨、切割參數(shù)：研磨厚度、翹曲、劃痕等;激光劃片將采用隱形切割的方式 460m 85m藍寶石N-GaNP-GaNN電極藍寶石N-GaNP-GaNN電極P電極P電極16.芯片切割 芯片切割兩種方法： 金剛刀切割激光切割17.芯片切割18.測試與分揀芯片的光電參數(shù)： 1、芯片測試 2、芯片分選其中LED芯片測試機對芯片光電參數(shù)的一致性起著主要作用，分選機的性能及運用方式也會部分地影響到芯片光電參數(shù)的一致性。19.電參數(shù)部分： 1，保證測試機供電穩(wěn)定。 2，保證測試機內(nèi)部電路元件處于正常任務(wù)形狀。 3，保證探針與測試模組之間、探針與探針夾具之間，探針與芯片電極之間的接觸正常。光參數(shù)部分： 1，

6、保證測試機校準(zhǔn)系數(shù)準(zhǔn)確。 2，保證測試機光學(xué)探頭的位置與形狀穩(wěn)定不變。 3，保證顯微鏡放大倍率及顯微鏡機構(gòu)位置穩(wěn)定不變。 4，保證待測芯片位置一直與顯微鏡光路堅持同軸，且芯片發(fā)光中心與顯微鏡中心位置對準(zhǔn)不變。 5，保證測試機光學(xué)模組內(nèi)部的各項元件處于正常任務(wù)形狀。芯片相關(guān)參數(shù)及其丈量20.芯片分撿老式分選機芯片按WLD、Iv、Vf、Vz、Ir進展分類21.芯片分撿22.以上是一個GaN LED消費根本制程的，但不是獨一，其中很多步驟順序可以互換、簡化，還有很多地方需求我們一同努力去改善、優(yōu)化。23.普通芯片的制造周期大約10天左右時間，分為以下幾個階段：1、外延片消費階段2、外延片驗證階段3、

7、芯片工藝完成階段4、磨切階段5、前目檢階段6、點測和分揀階段7、后目檢和打標(biāo)簽入庫階段芯片消費周期LED芯片制程24.芯片制造與一切工業(yè)制品一樣，其本錢計算無外乎以下： 產(chǎn)品消費制造本錢計算，就是將企業(yè)消費過程中位制造產(chǎn)品所發(fā)生的各種費用，按照所消費產(chǎn)品的種類即本錢計算對象進展分配和歸集，計算各種產(chǎn)品的總本錢和單位本錢。節(jié)約本錢的方法： 1、提高消費效率，提高產(chǎn)量 2、優(yōu)化工藝步驟，減少單位原資料損耗 3、原資料的國產(chǎn)化、本地化 芯片制造本錢計算LED芯片制程25.芯片相關(guān)參數(shù)及其丈量正向電壓Vf：指在確定電流下器件兩端的電壓值，所取的正向電流普通教大在10mA30mA之間，在實驗室中所取If

8、=20mA。反向電流Ir：是指在給定反向電壓值的情況下流經(jīng)器件的反向電流值。在實驗中所取Vr=5V也有取7V、10V)。反向擊穿電壓Vz：是反響器件反向耐壓高低的參數(shù)，通常是指一定漏電流下器件兩端的電壓。嚴(yán)厲時可取Iz=-10A，不嚴(yán)厲時甚至可以取到100A。普通來說Vz的值在1025V之間。光通量v(Luminous Flux)：它是一個描畫器件總的光輸出的一個重要的物理量，也是發(fā)光器性能優(yōu)劣的根本標(biāo)志。光通量的單位是流明Lm。發(fā)光強度Iv(Luminous Intensity)：指光源在給定方向上一個很小的立體角元內(nèi)所包含的光通量與該立體角的比值。單位是坎德拉(cd)，或者mcd輻射通量e

9、(Radiant Flux)：通常又叫做輻射功率，是輻射源發(fā)射、傳輸和接受的功率，單位是w或mw。26.MM ESDS 分類表實驗等級 等效充電電壓V 1 100 2 200 3 400HBM ESDS 分類表實驗等級 等效充電電壓V 1 2 000 2 4 000 3 16 000人體方式(HBM)機械方式(HBM)芯片相關(guān)參數(shù)及其丈量ESD(抗靜電才干27.封裝類型軟封裝引腳式封裝雙孔直插式引線杯微型封裝貼片式SMD雙列直插式食人魚功率型封裝大功率28.軟封裝引腳式29.微型封裝雙列直插式30.功率型封裝31.汽車領(lǐng)域LCD、筆記本電腦、手機背光源大屏幕顯示照明其他領(lǐng)域運用領(lǐng)域32.運用領(lǐng)域-汽車領(lǐng)域 由于LED燈亮度高、壽命長、抗 震性好等諸多優(yōu)點已被部分消費 奢華轎車的廠家選用。 一輛車需求300多顆LED， 其需求量非常大。據(jù)分析車用 LED燈市場未來三年復(fù)合生長