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1、俄歇電子能譜儀(AES )分析方法介紹俄歇電子能譜儀(AES) 俄歇電子能譜儀(Auger Electron Spectroscopy, AES)，作為一種最廣泛使用的表面分 析方法而顯露頭角,通過檢測(cè)俄歇電子信號(hào)進(jìn)行分析樣品表面，是一種極表面(0-3nm) 分析設(shè)備。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是：在靠近表面5-20埃范圍內(nèi)化學(xué)分析的靈敏度高，很高 的空間分辨率，最小可達(dá)到6nm；能探測(cè)周期表上He以后的所有元素及元素分布；通 過成分變化測(cè)量超薄膜厚。它可以用于許多領(lǐng)域，如半導(dǎo)體技術(shù)、冶金、催化、礦物加 工和晶體生長(zhǎng)等方面。俄歇電子能譜儀(AES)工作原理原子內(nèi)某一內(nèi)層電子被激發(fā)電離從而形成空位，一個(gè)較高

2、能級(jí)的電子躍遷到該空位上，再接著另一個(gè)電子被激發(fā)發(fā)射，形成無輻射躍遷過程，這一過程被稱為Auger效應(yīng), 被發(fā)射的電子稱為Auger電子。俄歇電子能譜儀通過分析Auger電子的能量和數(shù)量，信號(hào)轉(zhuǎn)化為元素種類和元素含 量。俄船電于/自由電俄歇電子能譜儀（AES ）可獲取的參數(shù)（1）定性分析：定性除H和He以外的所有元素及化合態(tài)。（2）元素分布：元素表面分布和深度分布，能獲極小區(qū)域（表面最小6nm，深度最小 0.5nm）的元素分布圖。（3）半定量分析：定量除H和He以外的所有元素，濃度極限為10-3。（4）超薄膜厚：通過成分變化能測(cè)量最薄0.5nm薄膜的膜厚。案例分析案例背景：樣品為客戶端送檢LED碎片，客戶端反映LED碎片上Pad表面存在污染物， 要求分析污染物的類型。失效樣品確認(rèn)：將LED碎片放在金相顯微鏡下觀察，尋找被污染的Pad，通過觀察，發(fā) 現(xiàn)Pad表面較多小黑點(diǎn)，黑點(diǎn)直徑3m左右，考慮分析區(qū)域大小后選擇分析區(qū)域最小 AES進(jìn)行分析，能準(zhǔn)確分析污染物位置。俄歇電子能譜儀（AES）分析：對(duì)被污染的Pad表面進(jìn)行分析，結(jié)果如下圖，位置1 為污染位置，位置2為未污染位置。結(jié)論：通過未污染位置和污染位置對(duì)比分析可知，發(fā)現(xiàn)污染位置主要為含K（20.6%） 和S（13.6%）類物質(zhì)，在未污染位置S含量為3.7%未發(fā)現(xiàn)K元素，推斷污染位置存在 K離子污染，并與S共同作

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