![電力電子模擬測試試卷(附答案)_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/5969fb3f889f53667a20be1d5c613121/5969fb3f889f53667a20be1d5c6131211.gif)
![電力電子模擬測試試卷(附答案)_第2頁](http://file4.renrendoc.com/view/5969fb3f889f53667a20be1d5c613121/5969fb3f889f53667a20be1d5c6131212.gif)
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![電力電子模擬測試試卷(附答案)_第4頁](http://file4.renrendoc.com/view/5969fb3f889f53667a20be1d5c613121/5969fb3f889f53667a20be1d5c6131214.gif)
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文檔簡介
1、一、填空題(本題共8小題,每空1分,共20分)1、電子技術(shù)包括_信息電子技術(shù)_和電力電子技術(shù)兩大分支,通常所說的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬 于前者。2、 為減少自身損耗,提高效率,電力電子器件一般都工作在 開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時,開關(guān)損耗會成為主要的損耗。3、 在PWM控制電路中,載波頻率與調(diào)制信號頻率之比稱為 載波比,當(dāng)它為常數(shù)時的調(diào)制方式稱為同步調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段,每個頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為 分段同步調(diào)制。4、面積等效原理指的是,_沖量相等而_形狀_不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時,其效果基本相同。5、在GTR、GTO
2、、IGBT與MOSFET中,開關(guān)速度最快的是 MOSFET,單管輸出功 TOC o 1-5 h z 率最大的是_ GTO 應(yīng)用最為廣泛的是 IGBT 。6設(shè)三相電源的相電壓為U2,三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時,晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值,即 亠,其承受的最大正向電壓為。7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源,則稱為有源逆變,如果接到負(fù)載,則稱為 無源逆變。&如下圖,指出單相半橋電壓型逆變電路工作過程中各時間段電流流經(jīng)的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。0t1時間段內(nèi),電流的通路為 _ VD1; (2) t1t2時間段內(nèi),電流的通路為 _ V1;(3) t2t3時間段內(nèi),
3、電流的通路為 _ VD2; (4) t3t4時間段內(nèi),電流的通路為 _ V2; (5) t4t5時間段內(nèi),電流的通路為 VD1;、選擇題(本題共10小題,前4題每題2分,其余每題1分,共14 分)1、單相橋式PWM逆變電路如下圖,單極性調(diào)制工作時,在電壓的正半周是(B )A、V1與V4導(dǎo)通,V2與V3關(guān)斷B、V1常通,V2常斷,V3與V4交替通斷C、V1與V4關(guān)斷,V2與V3導(dǎo)通D、V1常斷,V2常通,V3與V4交替通斷2、對于單相交流調(diào)壓電路,下面說法錯誤的是(D )A、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時,晶閘管的導(dǎo)通角小于180度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時,必須加寬脈沖或脈
4、沖列觸發(fā),電路才能 正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達到穩(wěn)態(tài)時,晶閘管的導(dǎo)通角為180度D、 晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時,晶閘管的導(dǎo)通角不為180度3、在三相三線交流調(diào)壓電路中,輸出電壓的波形如下圖所示,在t1t2時間段內(nèi),有(C )晶閘管導(dǎo)通。A、1個B、2個C、3個D、4個4、對于單相交交變頻電路如下圖,在t1t2時間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與 N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是( CA、P組阻斷,N組整流P組阻斷,N組逆變5、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中,控制角的范圍是(D )A、30。150B、0。120 C、15。125 D、0150 6、桓流驅(qū)動電
5、路中加速電容 C 的作用是( A )A、加快功率晶體管的開通B、延緩功率晶體管的關(guān)斷C、加深功率晶體管的飽和深度D、保護器件7、直流斬波電路是一種( C )變換電路。A、 AC/ACB、 DC/ACC、 DC/DCD、 AC/DC8、 為限制功率晶體管的飽和深度,減少存儲時間,桓流驅(qū)動電路經(jīng)常采用(B )A、du/dt抑制電路 B、抗飽和電路 C、di/dt抑制電路D、吸收電路9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流(A )B、減小至擎住電流以下D、減小至5A以下B )B 、 MOSFET 驅(qū)動的 GTR、MOSFE驅(qū)動的GTOA 、減小至維持電流以下C、減小至門極觸發(fā)電流以下1
6、0、IGBT 是一個復(fù)合型的器件,它是(A、 GTR 驅(qū)動的 MOSFETC、MOSFET區(qū)動的晶閘管D三、簡答題(共 3 小題,22分)1、簡述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。( 7 分)1、(7分) 晶閘管導(dǎo)通的條件是: 陽極承受正向電壓, 處于阻斷狀態(tài)的晶閘管, 只有在門極加正向觸發(fā) 電壓, 才能使其導(dǎo)通。 門極所加正向觸發(fā)脈沖的最小寬度, 應(yīng)能使陽極電流達到維持通態(tài)所 需要的最小陽極電流,即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。(3分)使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是:使流過晶閘管的電流減小至某個小的數(shù)值一維持電流IH以下。其方法有二:(1)減小正向陽極電壓至某一最小值以下,或加反向陽極
7、電壓;(2分)(2)增加負(fù)載回路中的電阻。(2 分) TOC o 1-5 h z 2、電壓型逆變電路的主要特點是什么?(8分)2、( 8 分)(1)直流側(cè)為電壓源或并聯(lián)大電容,直流側(cè)電壓基本無脈動;(2分)(2)輸出電壓為矩形波,輸出電流因負(fù)載阻抗不同而不同;(3分)(3)阻感負(fù)載時需提供無功。為了給交流側(cè)向直流側(cè)反饋的無功提供通道,逆變橋各臂并聯(lián) 反饋二極管。(3分)3、簡述實現(xiàn)有源逆變的基本條件,并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因(7分)3、( 7 分)(1)外部條件:要有一個能提供逆變能量的直流電源,且極性必須與直流電流方向一致, 其電壓值要稍大于 Ud ;( 2分)(2) 內(nèi)部條件:變流電路必須工作于 3 220 x( 1+cos600) /2=148.5V (1 分)分)71Tua4j叫$rrIdur/ JJI圖1IdldVD=2 a /3600 X ld=2 X 600/3600 X 37.13=1(13分)肘十
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