程序代碼95w25q128存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)w25q128bv-datasheet

1、1,描述串行 flash器 W25Q128BV 為那些對(duì)空間大小，引腳數(shù)，功耗有限制的系統(tǒng)提供了一個(gè)解決方案。25QFLASH 可以實(shí)現(xiàn)代碼系列的靈活性和性能比一般的串行 flash 設(shè)備要高。利用串行到 RAM，直接通過(guò) DUAL/QUADSPI 方式來(lái)執(zhí)行代碼，聲音，文本，數(shù)據(jù)。W25Q128BV 供電范圍為 2.73.6V，在激活狀態(tài)下電流功耗低到 4MA，睡眠狀態(tài)下則降低到 1UA。所有的 25Q 系列都提供節(jié)省空間的封裝。W25Q128BV 由 65536 可編程的頁(yè)組成的，每頁(yè)有 256 個(gè)字節(jié)。一次最多可以寫 256 個(gè)字節(jié)。可以一次擦除 16 頁(yè)（4KB sector eras

2、e），128 頁(yè)（32KB block erase）,256 頁(yè)(64KB blockerase),或者擦除一整片。W25Q128BV 有 4096 個(gè)可擦除的扇區(qū)，256 可擦除的塊。4KB 的扇區(qū)對(duì)于數(shù)據(jù)和參數(shù)有更高的靈活性。W25Q128BV 支持標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口，以及更高性能的 DUAL/QUAD SPI ，對(duì)應(yīng)的管腳為時(shí)鐘，片選，（I/O0）DI，（I/O1）DO，I/O2（/WP），I/O3（/HOLD）。SPI 時(shí)鐘可以達(dá)到 104MHz，在 DUAL 使用快速讀時(shí)就相當(dāng)于 208MHz，在 QUAD 使用快速讀時(shí)相當(dāng)于 320MHz。這個(gè)傳輸速率比一般的異步 8 位，16 位

3、并行 FLASH器要快。連續(xù)讀模式器的效率很高，只要 8 個(gè)時(shí)鐘的指令開銷就可以讀 24 位地址的數(shù)據(jù)，這樣就可以實(shí)現(xiàn) XIP。HOLD，WP 管腳，可編程的寫保護(hù)，可分為頂部，底部，整個(gè)器。這些提供了更靈活的控制。一般地，W25Q128BV 支持 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，一個(gè) 64 位的獨(dú)立串行數(shù)字，包含制造商和ID。管腳描述，封裝類型W25Q128BV 有 8x6 mm 的 WSON（封裝代碼為 E），300mil 的 SOIC(封裝代碼為F)，封裝的細(xì)節(jié)在6.2，片選信號(hào)（/CS）的最后。SPI 的片選信號(hào)可以使能和的操作。當(dāng)/CS 管腳為時(shí)，處在不選擇的狀態(tài)，此時(shí)串行數(shù)據(jù)輸出管腳都處在高阻態(tài)

4、。當(dāng)處在不選中的狀態(tài)，芯片的功耗將處在待機(jī)狀態(tài)的功耗，除非的擦寫，編程，寫寄存器周期還在進(jìn)行。當(dāng)/CS 低電平時(shí)，被選擇，功耗處在激活狀態(tài)下的功耗，這時(shí)可以進(jìn)行相應(yīng)的讀寫與擦除。上電后，在指令接受之前，/CS 必須從高到低。上電后，/CS 管腳必須VCC，所以在/CS 管腳上加一個(gè)上拉電阻比較好。6.3，串行數(shù)據(jù)輸入，輸出，IO 口W25Q128BV 支持標(biāo)準(zhǔn)的 SUAL SPI，QUAD SPI 操作。標(biāo)準(zhǔn)的 SPI 指令使用單向的 DI 管腳在時(shí)鐘的上升沿進(jìn)行傳輸串行寫指令，地址，數(shù)據(jù)到上。也使用單向的 DO 管腳在時(shí)鐘的下降沿從上讀數(shù)據(jù)，讀寄存器的值。DUAL 和 QUAD SPI 指令

5、使向的 IO 管腳，在時(shí)鐘的上升沿寫指令，地址，數(shù)上數(shù)據(jù)，寄存器值。QUAD SPI 指令的使據(jù)到上，在時(shí)鐘的下降沿從用必須把狀態(tài)寄存器 2 中的非易失性的 QUAD 使能位置位。QE = 1 ，/WP，/HOLD管腳依次變?yōu)?IO2，IO3。6.4，寫保護(hù)（/WP）結(jié)合SRBP 和 SRP 這兩個(gè)寄存器，4KB，大至整個(gè)能被硬件保護(hù)。/WP 是低電平有效。當(dāng)寄存器 SR2 中的 QE 位，被置 1 時(shí)，這時(shí)的/WP 功能將無(wú)效，此時(shí)/WP 已經(jīng)被用為 IO2。6.5，HOLD（/HOLD）當(dāng)被選擇時(shí)，/HOLD 管腳可以使暫停中止。當(dāng)/HOLD 為低電平，/CS也為低電平時(shí)，DO 管腳將為高

6、阻態(tài)，在 DI 和時(shí)鐘管腳上的信號(hào)將被忽略。當(dāng)/HOLD為時(shí)，恢復(fù)正常操作。當(dāng) SPI 總線上掛有多個(gè)設(shè)備時(shí)，/HOLD 腳就有用了。/HOLD 管腳低電平有效。當(dāng) QE 置位，/HOLD 管腳作為 IO3，/HOLD 功能此時(shí)無(wú)效。6.6，串行時(shí)鐘串行時(shí)鐘為串行輸入和輸出操作提供時(shí)序。7,示意圖功能描述，SPI 操作，標(biāo)準(zhǔn) SPI 指令訪問(wèn) W25Q128BV 可以通過(guò)與 SPI 兼容的四線制總線：CLK, /CS , DI,DO。標(biāo)準(zhǔn) SPI 使用 DI 管腳，在時(shí)鐘的上升沿，來(lái)進(jìn)行傳輸串行寫指令，地址，數(shù)據(jù)到芯片。在時(shí)鐘的下降沿使用 DO 管腳來(lái)進(jìn)行讀數(shù)據(jù)和讀狀態(tài)。SPI 總線操作模式

7、0 和模式 3 都是被支持的。模式 0 與模式 3 的最大區(qū)別在于，當(dāng) SPI總線的主設(shè)備處在待機(jī)狀態(tài)，并且沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)酱?FLASH 時(shí)的 CLK 的信號(hào)狀態(tài)。對(duì)模式 0 來(lái)說(shuō)，當(dāng)/CS 在上升沿和下降沿的時(shí)候，CLK 總是在處在低電平。在模式 3的時(shí)候，當(dāng)/CS 處在上升沿和下降沿的時(shí)候 ，CLK 總是處在高電平。DUAL SPI instructionsQUAD SPI instructionsHOLD 功能對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的 SPI 和 DUAL SPI 操作時(shí)，當(dāng) W25Q128BV 被激活時(shí)（/CS 為低電平），可以使用/HOLD 信號(hào)使 W25Q128BV 的操作暫停。當(dāng) SPI 的

8、數(shù)據(jù)與時(shí)鐘信號(hào)與別的設(shè)備共用的時(shí)候，/HOLD 這個(gè)功能就可以用到。例如，當(dāng)頁(yè)緩沖區(qū)只有部分寫進(jìn) FLASH，這時(shí)一個(gè)高優(yōu)先級(jí)的中斷要使用 SPI 總線。在這種情況下，/HOLD 功能就可以保持當(dāng)前指令的狀態(tài)，等到 SPI 總線再次有效的時(shí)候 ，就可以把緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)寫入 FLASH。/HOLD 功能只在標(biāo)準(zhǔn)的 SPI 和 DUAL SPI 操作下有效，在 QUAD 下無(wú)效。開始/HOLD 功能的條件，芯片必須是處在激活狀態(tài)，也就是/CS 為低電平。鎖定功能在/HOLD 信號(hào)下降沿如果 CLK 為低電平的時(shí)候被激活。如果 CLK 不在低電平，鎖定功能將在下一時(shí)鐘下降沿被激活。在/HOLD 信號(hào)的

9、上升沿時(shí)，如果CLK 已經(jīng)為低電平，鎖定功能將被終止。如果 CLK 不是低電平，那么鎖定功能將在下一個(gè)時(shí)鐘下降沿被終止。在鎖定期間，DO 處在高阻態(tài)，DI 和 CLK 信號(hào)被忽略。在整個(gè)鎖定期間，片選信號(hào)應(yīng)該一直保持低電平，避免重啟片內(nèi)邏輯狀態(tài)。，寫保護(hù)對(duì)于把 W25Q128BV 當(dāng)非易失性的存儲(chǔ)器的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，必須考慮噪聲污染和其他的可能破壞數(shù)據(jù)完整性的系統(tǒng)因素。 為了解決這一問(wèn)題，W25Q128BV 提供了幾種保護(hù)數(shù)據(jù)不意外寫進(jìn) FLASH 的方法。寫保護(hù)的特性*芯片復(fù)位當(dāng) VCC 低于門檻電壓?jiǎn)拘押蠼箤懙难舆t時(shí)間寫禁止指令，擦寫之后自動(dòng)禁止寫軟件寫保護(hù)和硬件寫保護(hù)使用Power-down

10、 指令 Lock Down 寫保護(hù)一次編程寫保護(hù)（永久的，不可逆）無(wú)論是喚醒狀態(tài)還是睡眠狀態(tài)，當(dāng)電壓 VCC 低于門限電壓 Vwi 時(shí)，W25Q128BV 都會(huì)復(fù)。位。當(dāng)復(fù)位重啟這個(gè)過(guò)程中，所有的操作都是被禁止的，指令也是不被識(shí)別的。在喚醒過(guò)程中，當(dāng)電壓 VCC 升到高于Vwi 時(shí)，編程和擦除的相關(guān)指令仍然要等待一段時(shí)間 tpuw，這些指令包括寫使能，頁(yè)寫，擦除扇區(qū)，擦除塊，擦除整個(gè)芯片和寫狀態(tài)寄存器。上電過(guò)程中，/CS 必須蹤電壓 VCC，直到電壓達(dá)到 VCC_min 后再延遲 tvsl 時(shí)間?？梢栽?CS管腳上加一個(gè)上拉電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)。上電后，芯片處在禁止寫的狀態(tài)，WEL 位為 0。在進(jìn)行頁(yè)寫

11、，扇區(qū)擦除，段擦除，芯片擦除，寫狀態(tài)寄存器之前，必須先發(fā)送寫使能。完成這些指令后，WEL 位自動(dòng)清除。通過(guò)寫狀態(tài)寄存器和設(shè)置 SRP0，SRP1，BP 相應(yīng)的位來(lái)實(shí)現(xiàn)軟件控制寫保護(hù)是很方面的。這種方法可以設(shè)置小到 4KB，大到整個(gè)芯片為只讀，也就是寫保護(hù)。結(jié)合/WP 管腳，可以通過(guò)硬件控制來(lái)使能或者禁止?fàn)顟B(tài)寄存器的改變。詳細(xì)的說(shuō)明請(qǐng)看狀態(tài)寄存器那一段。在睡眠模式下，其實(shí)提供了一種額外的寫保護(hù)，因?yàn)榇藭r(shí)只識(shí)別喚醒指令。9. 控制和狀態(tài)寄存器 9.1.1，BUSYBUSY 位是在S0 中的一個(gè)只讀位。當(dāng)執(zhí)行頁(yè)寫，QUAD 頁(yè)寫，扇區(qū)擦除，塊擦除，片擦除，寫狀態(tài)寄存器，擦寫安全寄存器時(shí)，BUSY 位

12、將會(huì)置 1。在 BUSY 位置 1 期間，只識(shí)別讀狀態(tài)寄存器指令，擦寫 SUSPEND 指令。當(dāng)擦寫指令，寫狀態(tài)寄存器的指令完成后，BUSY 位自動(dòng)清零，表示芯片已經(jīng)準(zhǔn)備好接受其他指令。9.1.2，寫使能鎖存（WEL）WEL 位是在S1 中的一個(gè)只讀位，當(dāng)執(zhí)行完寫使能的時(shí)候置 1。當(dāng)芯片被寫禁止的時(shí)候清0 當(dāng)上電過(guò)程中或執(zhí)行以下這些指令后：寫禁止，頁(yè)寫，QUAD 頁(yè)寫，扇區(qū)擦除，塊擦除，芯片擦除，寫狀態(tài)寄存器，擦寫安全寄存器時(shí)，芯片將處在寫禁止?fàn)顟B(tài)。，塊保護(hù)位（BP2，BP1，BP0）BP 位都是在狀態(tài)寄存器中非易失性的，可讀可寫的位（對(duì)應(yīng)為 S4，S3，S2）。寫這些位可以進(jìn)行相應(yīng)的寫保護(hù)控

13、制，讀這些位可以知道當(dāng)前塊保護(hù)的狀態(tài)。讀寫這些位都是通過(guò)相應(yīng)的狀態(tài)寄存器指令。整個(gè)芯片或者一部分可以保護(hù)起來(lái)，當(dāng)然也可以不保護(hù)。默認(rèn)的就是不保護(hù)。，頂部/底部塊保護(hù)（TB）、非易失性的 TB 位，可以控制 BP 是從頂部開始還是底部開始。TB=0，從頂部開始，TB=1從底部開始。默認(rèn)的是從 TB=0 頂部開始的。TB 位是可以通過(guò)寫狀態(tài)寄存器指令來(lái)操作的。，扇區(qū)/塊保護(hù)（SEC）非易失性的 SEC 位決定是以 4KB 扇區(qū)還是以 64KB 的塊來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)。SEC 默認(rèn)值是 0，以 64KB 的塊來(lái)進(jìn)行保護(hù)。，完全保護(hù)（CMP）CMP 是在狀態(tài)寄存器中的一位非易失性的可讀可寫的位（S14）。與

14、SEC，TB，BP 位結(jié)合，使得存儲(chǔ)器的保護(hù)措施更加靈活。一旦 CMP 位置 1 ，SEC，TB，BP 位將保留。當(dāng) CMP=0，當(dāng)頂部 4KB 以外的部分沒(méi)有被保護(hù)的時(shí)候，頂部 4KB 將被保護(hù)。當(dāng) CMP = 1，除頂部 4KB 以外的部分將被保護(hù)。默認(rèn)的 CMP = 0。詳細(xì)情況參看 SRMP 參考。，狀態(tài)寄存器保護(hù)位（SRP1，SRP0）SRP1，SRP0 是狀態(tài)寄存器中非易失性的可讀寫的兩位（S8，S7）。SRP 位決定著寫保護(hù)的方法，軟保護(hù)，硬件保護(hù)，電源鎖定，一次編程保護(hù)。注意：1，當(dāng)SPR1，SRP0 = (1,0)，一個(gè) POWER-DOWN，POWER-UP 周期后，SRP

15、1，SRP0 就變?yōu)榱耍?，0）狀態(tài)。2，這是一條特別的命令。詳細(xì)情況聯(lián)系華邦。9.1.8，擦寫暫停寄狀態(tài)位（SUS）SUS 是在狀態(tài)寄存器中的只讀位（S15）。當(dāng)執(zhí)行完擦寫暫停指令位后，SUS 置位。當(dāng)執(zhí)行指令 7AH 以及POWER-DOWN，POWER-UP 周期后，SUS 被清零。9.1.9，安全寄存器鎖定位（LB3，LB2，LB1，LB0）LB 位是在狀態(tài)寄存器中非易失性的一次編程位（S13，S12，S11，S10）。LB 控制寫保護(hù)，描述安全寄存器的狀態(tài)。默認(rèn)的 LB 位都為 0,即安全寄存器沒(méi)有被鎖定。LB 位可以通寫狀態(tài)寄存器指令來(lái)置 1 。LB 位都是一次編程，所以一旦寫 1

16、 ，相應(yīng)的 256 字節(jié)的安全寄存器將會(huì)變得永久只讀。9.1.10，QUAD 使能（QE）QE 是在狀態(tài)寄存器中的非易失性的可讀可寫的一位（S9）。QE 置位，表示進(jìn)行的是 QUAD SPI 操作。默認(rèn)的 QE 是 0，/WP，/HOLD 都是使能的。當(dāng) QE 是 1 時(shí)，IO2，IO3 管腳被被使能。注意：當(dāng)芯片處在標(biāo)準(zhǔn) SPI 或者 DUAL SPI ，并且/WP，/HOLD 管腳夫是直接接在高電電平或者地上時(shí)，QE 位不要設(shè)置為 1。9.1.11，狀態(tài)寄存器保護(hù)（CMP=0）9.1.12，狀態(tài)寄存器保護(hù)（CMP=1）9.2，指令W25Q128BV 共有 34 個(gè)基本指令。指令都是以/CS

17、 下降沿開始的。第一個(gè)傳輸?shù)淖止?jié)是指令碼。在 DI 上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是在時(shí)鐘的上升沿被鎖存的。MSB 首先被傳輸。指令的長(zhǎng)度是不定的，有單字節(jié)的，也有多字節(jié)的。指令代碼后可能還跟有地址，數(shù)據(jù)，無(wú)關(guān)的字節(jié)，有可能還是幾個(gè)的組合。指令是以/CS 上升沿結(jié)束的。每個(gè)指令的時(shí)序圖都包含在圖片 4 中。所有的讀指令可以在任何時(shí)鐘周期結(jié)束。但是，所有的擦寫指令必須在/CS 拉高之后還有一個(gè) 8 位的時(shí)鐘間隔，否則前面的擦寫指令將被忽略。這樣可以保護(hù)芯片意外被寫。當(dāng)芯片正在進(jìn)行擦寫操作，寫寄存器時(shí)，直到完成，除了讀狀態(tài)寄存器以外的所有指令都將被忽略。9.2.1，制造商和芯片 ID9.2.2，指令表 1（擦寫表

18、1）9.2.3，指令表 2（讀指令）9.2.4，指令表 4（ID，安全指令）9.2.5，寫使能（06h）寫使能指可以設(shè)置狀態(tài)寄存器中的 WEL 位置 1 。在頁(yè)寫，QUAD 頁(yè)寫，扇區(qū)擦除，塊擦除，片擦除，寫狀態(tài)寄存器，擦寫安全寄存器指令之前，必須先將 WEL 位置 1 。寫使能指令是以/CS 拉低開始的，將 06H 通過(guò)DI 在時(shí)鐘的上升沿鎖存，然后/CS 拉高來(lái)結(jié)束指令。9.2.6，易失性的寄存器寫使能（50H）非易失性的狀態(tài)寄存器位在 9.1 節(jié)已經(jīng)描述過(guò)，也可以像易失性的位一樣進(jìn)行寫操作。這樣對(duì)芯片配置會(huì)更靈活，對(duì)存儲(chǔ)保護(hù)也不用等待慢速的非易失性位的寫入，也就不會(huì)影響到狀態(tài)寄存器中的非

19、易失性位。為了寫狀態(tài)寄存器中的那些易失性位的值，必須在在寫狀態(tài)寄存器指令（01H）前，寫入易失性的狀態(tài)寄存器指令（50H）。寫易失性的狀態(tài)寄存器指令不會(huì)使改變 WEL 位。這條指令的惟一的作用是使得寫入寫狀態(tài)寄存器指令可以改變狀態(tài)寄存器中的易失性位。9.2.7，寫禁止（04H）寫禁止指令使得狀態(tài)寄存器中的 WEL 位為 0。寫禁止指令是以/CS 低電平開始的，然后在 DI 傳輸指令代碼 04H 到芯片，最后是以/CS 拉高結(jié)束。當(dāng)上電后，以及完成寫狀態(tài)寄存器，擦寫安全寄存器，頁(yè)寫，QUAD 頁(yè)寫，扇區(qū)擦寫，塊擦寫，芯片擦寫指令后， WEL 位是自動(dòng)清零的。寫禁止指令（04H）也被用來(lái)取消易失性

20、的寫使能指令（50H）。9.2.8，讀狀態(tài)寄存器 1（05H）和讀狀態(tài)寄存器 2（35H）指令讀狀態(tài)寄存器指令允許讀 8 位狀態(tài)寄存器位。這條指令是以/CS拉低開始，然后通過(guò)DI 在時(shí)鐘的上升沿傳輸指令代碼 05H（讀寄存器 1 指令）或者是 35H（讀寄存器 2 指令），然后狀態(tài)寄存器的相應(yīng)位通過(guò) DO 在時(shí)鐘的下降沿從高位到低位依次傳出。最后以/CS 拉高結(jié)束。讀狀態(tài)寄存指令可以任何時(shí)間使用，在擦寫，寫狀態(tài)寄存器指令周期中依然可以。這樣就可以隨時(shí)檢查 BUSY 位，檢查相應(yīng)的指令周期有沒(méi)有結(jié)束，芯片是不是可以接受新的指令。狀態(tài)寄存器可以連續(xù)的讀出來(lái)，如圖 7。9.2.9，寫狀態(tài)寄存器（01

21、H）寫狀態(tài)寄存器可對(duì)狀態(tài)寄存器進(jìn)行寫操作。但是僅僅是那非易失性的位，SRP0，SEC， TB，BP，CMP，LB，QE，SRP1。其他的位將不會(huì)受到這條指令的影響。LB 是非易失性的一次編程（OTP）位，一旦寫 1，將不能清零。對(duì)于寫非易失性的狀態(tài)寄存器位，寫狀態(tài)寄存器指令（01H）之前，必須先寫入寫使能 (06H)指令（要保證 WEL 位為 1）。一旦寫使能，寫狀態(tài)寄存器指令（01H）將會(huì)以/CS 拉低開始，然后通過(guò) DI 線上傳輸指令代碼（01H），然后傳輸相應(yīng)的狀態(tài)寄存器位。最后以/CS 拉高結(jié)束。對(duì)于寫易失性的狀態(tài)寄存位，在寫狀態(tài)寄存器之前必須先寫入寫易失性狀態(tài)寄存器位指令（50H）。

22、SRP1，LB 位是一次編程，所以不可能從 1 寫為 0。易失性的位在掉電后其值就被丟掉了，非易失性的位則一直保持。為了完成寫狀態(tài)寄存器指令，/CS 管腳必須在數(shù)據(jù)傳輸完成后拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么寫狀態(tài)寄存指令將不會(huì)被最終執(zhí)行。如果/CS 在第 8 個(gè)時(shí)鐘拉高（25 系列的），CMP，QE，SRP1 將被清零。在對(duì)非易失性的狀態(tài)寄存器位寫操作（06 指令與 01H 指令）期間，當(dāng)/CS 拉高后，其內(nèi)建時(shí)間是 tw。當(dāng)寫狀態(tài)寄存指令在執(zhí)行期間，讀狀態(tài)寄存器指令仍然可以繼續(xù)，去檢查 BUYS 位。在寫狀態(tài)寄存器指令周期中 BUSY 位為 1，當(dāng)該指令完成后，BUSY 位被清零，WEL 位

23、也被清零，表明芯片準(zhǔn)備接受的新指令。在對(duì)易失性寄存器位（50H 和 01H）操作時(shí)，/CS 拉高后，在 tSHSL2 時(shí)間內(nèi)，狀態(tài)寄存器的相應(yīng)位將被新的值刷新。在狀態(tài)寄存器刷新期間，BUSY 位仍然是 0。9.2.10，讀數(shù)據(jù)（03H）讀數(shù)據(jù)指令允許從存儲(chǔ)器讀一個(gè)字節(jié)和連續(xù)多個(gè)字節(jié)。該指令是以/CS 拉低開始，然后通 DI 在時(shí)鐘的上升沿來(lái)傳輸指令代碼（03H）和 24 位地址。當(dāng)芯片接受完地址位后，相應(yīng)地址處的值將會(huì)，在時(shí)鐘的下降沿，以高位在前低位在后的方式，在 D0 上傳輸。如果連續(xù)的讀多個(gè)字節(jié)的話，地址是自動(dòng)加 1 的。這意味著可以一次讀出整個(gè)芯片。該指令也是以/CS 拉高來(lái)結(jié)束的。如果

24、當(dāng) BUSY=1 時(shí)執(zhí)行該指令，該指令將被忽略，并且對(duì)正在執(zhí)行的其他指令不會(huì)有任何影響。讀數(shù)據(jù)指令的時(shí)鐘可以從 D.C 到最大的fR.9.2.11,快速讀指令（0BH）快速讀指令與讀數(shù)據(jù)指令比較相似，差別在于快速讀數(shù)據(jù)指令可以以最高的頻率讀。只是在傳輸完 24 位地址后，另加 8 位無(wú)關(guān)的數(shù)據(jù)。在傳輸 8 位無(wú)關(guān)的數(shù)據(jù)時(shí)間內(nèi)，芯片用來(lái)建立初始地址，這時(shí) DO 上的數(shù)據(jù)也是無(wú)關(guān)的。，DUAL 輸出快速讀（3BH） 略，QUAD 快速讀（6BH） 略，DUAL IO 快速讀（BBH） 略，QUAD IO 快速讀（EBH） 略，字讀 QUAD（E7H） 略，8 個(gè)字一起讀（E3H）略9.2.189.

25、2.20 略9.2.21，頁(yè)編程指令（02H）頁(yè)編程指令允許 1 到 256 字節(jié)寫入存儲(chǔ)器的某一頁(yè)，這一頁(yè)必須是被擦除過(guò)的（也就是只能寫 0，不能寫 1，擦除時(shí)是全寫為 1）。在頁(yè)編程指令之前，必須先寫入寫使能指令。頁(yè)編程指令是以/CS 拉低開始，然后在 DI 上傳輸指令代碼 02H，再接著傳輸 24 位的地址，接著是至少一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。/CS 管腳必須一直保持低。頁(yè)編程指令的時(shí)序圖如圖19。如果一次寫一整頁(yè)數(shù)據(jù)（256 字節(jié)），最后的地址字節(jié)應(yīng)該全為 0。如果最后 8 字節(jié)地址不為 0，但是要寫入的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度超過(guò)頁(yè)剩下的長(zhǎng)度，那么芯片會(huì)回到當(dāng)前頁(yè)的開始地址寫。寫入少于 256 字節(jié)的的數(shù)據(jù)，

26、對(duì)頁(yè)內(nèi)的其他數(shù)據(jù)沒(méi)有任何影響。對(duì)于這種情況的惟一要求是，時(shí)鐘數(shù)不能超過(guò)剩下頁(yè)的長(zhǎng)度。如果一次寫入多于是 256 字節(jié)的數(shù)據(jù)，那么在頁(yè)內(nèi)會(huì)回頭寫，先前寫的數(shù)據(jù)可能已經(jīng)被覆蓋。作為擦寫指令，當(dāng)最后字節(jié)的第 8 位進(jìn)入芯片后，/CS 必須拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么頁(yè)寫指令將不被執(zhí)行。/CS 拉高后，頁(yè)編程指令的內(nèi)建時(shí)間為 tpp。在頁(yè)寫指令執(zhí)行期間，讀狀態(tài)寄存器指令仍然可以識(shí)別，以此來(lái)進(jìn)行檢查 BUSY 位。當(dāng)頁(yè)寫指令執(zhí)行期間，BUSY 位為了 1 。當(dāng)執(zhí)行完后，BUSY 為 0，表明可以接受新的指令了。頁(yè)寫指令完成后 WEL 位自動(dòng)清零。如果該指令要操作的頁(yè)已經(jīng)被保護(hù)起來(lái)，那么該指令也將不執(zhí)

27、行。9.2.22，QUADINPUT PAGE PROGRAM(32h) 略9.2.23，扇區(qū)擦除（20H）扇區(qū)擦除可以擦除 4K-byte 存儲(chǔ)空間（全為 0XFF）。進(jìn)行扇區(qū)擦寫指令之前，必須進(jìn)行寫使能指令。該指令是以/CS 拉低開始的，然后在 DI 上傳輸指令代碼 20H 和 24 位地址。時(shí)序圖如圖 21。當(dāng)最后字節(jié)的第 8 位進(jìn)入芯片后，/CS 必須拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么扇區(qū)擦寫指令將不被執(zhí)行。/CS 拉高后，扇區(qū)擦寫指令的內(nèi)建時(shí)間為 tSE。在扇區(qū)擦寫指令執(zhí)行期間，讀狀態(tài)寄存器指令仍然可以識(shí)別，以此來(lái)進(jìn)行檢查 BUSY 位。當(dāng)扇區(qū)擦寫指令執(zhí)行期間，BUSY 位為了 1 。

28、當(dāng)執(zhí)行完后，BUSY 為 0，表明可以接受新的指令了。扇區(qū)擦寫指令完成后 WEL 位自動(dòng)清零。如果該指令要操作的任何一頁(yè)已經(jīng)被保護(hù)起來(lái)，那么該指令也將不執(zhí)行。9.2.24，32KB 塊擦除指令（52H）塊擦除可以擦除 32K-byte 存儲(chǔ)空間（全為 0XFF）。進(jìn)行塊擦寫指令之前，必須進(jìn)行寫使能指令。該指令是以/CS 拉低開始的，然后在 DI 上傳輸指令代碼 02H 和 24 位地址。時(shí)序圖如圖 22。當(dāng)最后字節(jié)的第 8 位進(jìn)入芯片后，/CS 必須拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么塊擦寫指令將不被執(zhí)行。/CS 拉高后，塊擦寫指令的內(nèi)建時(shí)間為 tBE1。在塊擦寫指令執(zhí)行期間，讀狀態(tài)寄存器指令仍然

29、可以識(shí)別，以此來(lái)進(jìn)行檢查 BUSY 位。當(dāng)塊擦寫指令執(zhí)行期間， BUSY 位為了 1。當(dāng)執(zhí)行完后，BUSY 為 0，表明可以接受新的指令了。塊擦寫指令完成后 WEL 位自動(dòng)清零。如果該指令要操作的任何一頁(yè)已經(jīng)被保護(hù)起來(lái)，那么該指令也將不執(zhí)行。9.2.25，64KB 塊擦除指令（D8H）塊擦除可以擦除 64K-byte 存儲(chǔ)空間（全為 0XFF）。進(jìn)行塊擦寫指令之前，必須進(jìn)行寫使能指令。該指令是以/CS 拉低開始的，然后在 DI 上傳輸指令代碼 D8H 和 24 位地址。時(shí)序圖如圖 23。當(dāng)最后字節(jié)的第 8 位進(jìn)入芯片后，/CS 必須拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么塊擦寫指令將不被執(zhí)行。/CS

30、拉高后，塊擦寫指令的內(nèi)建時(shí)間為 tBE。在塊擦寫指令執(zhí)行期間，讀狀態(tài)寄存器指令仍然可以識(shí)別，以此來(lái)進(jìn)行檢查 BUSY 位。當(dāng)塊擦寫指令執(zhí)行期間，BUSY位為了 1。當(dāng)執(zhí)行完后，BUSY 為 0，表明可以接受新的指令了。塊擦寫指令完成后 WEL位自動(dòng)清零。如果該指令要操作的任何一頁(yè)已經(jīng)被保護(hù)起來(lái)，那么該指令也將不執(zhí)行。9.2.26，芯片擦除（C7/60H）芯片擦除可以擦除 64K-byte 存儲(chǔ)空間（全為 0XFF）。進(jìn)行芯片擦寫指令之前，必須進(jìn)行寫使能指令。該指令是以/CS 拉低開始的，然后在 DI 上傳輸指令代碼 C7H 或者 60H。時(shí)序圖如圖 24。當(dāng)最后字節(jié)的第 8 位進(jìn)入芯片后，/C

31、S 必須拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么芯片擦寫指令將不被執(zhí)行。/CS 拉高后，芯片擦寫指令的內(nèi)建時(shí)間為 tBE。在芯片擦寫指令執(zhí)行期間，讀狀態(tài)寄存器指令仍然可以識(shí)別，以此來(lái)進(jìn)行檢查 BUSY 位。當(dāng)芯片擦寫指令執(zhí)行期間，BUSY 位為了 1。當(dāng)執(zhí)行完后，BUSY 為 0，表明可以接受新的指令了。芯片擦寫指令完成后 WEL 位自動(dòng)清零。如果該指令要操作的任何一頁(yè)已經(jīng)被保護(hù)起來(lái)，那么該指令也將不執(zhí)行。9.2.279.2.28 略9.2.29，Power-Down 指令（B9H）盡管在正常工作時(shí)，待機(jī)電流已經(jīng)很小，但是利用 Power-Down 指令可以使得待機(jī)電流更小。對(duì)于利用電池供電的系統(tǒng)應(yīng)用

32、來(lái)說(shuō)，Power-Down 指令會(huì)變得非常有用。該指令是以/CS 拉低開始，然后在 DI 上傳輸指令代碼 B9H。當(dāng)最后字節(jié)的第 8 位進(jìn)入芯片后，/CS 必須拉高。如果/CS 沒(méi)有拉高，那么 Power-Down指令將不被執(zhí)行。/CS 拉高后，芯片進(jìn)入到 Power-Down 狀態(tài)的時(shí)間為 tDP。當(dāng)芯片處在 Power-Down 狀態(tài)時(shí)，只識(shí)別 Release from Power-Down/芯片 ID 指令，這兩個(gè)指令可以使芯片恢復(fù)到正常狀態(tài)。其他的指令都不識(shí)別，讀寄存器指令也不識(shí)別。這是 Power-Down 狀態(tài)下最大的寫保護(hù)，只識(shí)別一條指令。芯片在正常工作狀態(tài)下都是處于 Power

33、-Up 狀態(tài)，待機(jī)電流為 ICC1。9.2.30，Release Power-Down / Device ID (ABH)該指令是一個(gè)多功能的指令?？梢杂脕?lái)把芯片從 Power-Down 狀態(tài)下喚醒，也可以用來(lái)讀取芯片的 ID 號(hào)。為了把芯片從 Power-Down 狀態(tài)下喚醒，該指令以/CS 拉低開始，然后在 DI 上傳輸指令代碼 ABH，然后拉高/CS 。從 Power-Down 狀態(tài)下喚醒到芯片恢復(fù)正常操作，其他的指令都識(shí)別需要的時(shí)間為 tRES1。在這段時(shí)間內(nèi)/CS 必須還一直保持高電平。當(dāng)不在 Power-Down 狀時(shí)，就用該指令來(lái)讀取芯片 ID。以/CS 拉低開始，然后在 DI傳

34、輸指令代碼 ABH，接著傳 3 字節(jié)的無(wú)關(guān)位。芯片 ID 將會(huì)在時(shí)鐘的下降沿以高位在前的方式在 DO 上輸出。W25Q128BV 的芯片 ID 是由制造商和芯片 ID 組成。芯片 ID可以連續(xù)讀出來(lái)。該指令以/CS 拉高結(jié)束。當(dāng)該指令用來(lái)喚醒芯片和獲取芯片 ID 時(shí)，跟前面描述的基本都是一樣的。但是作為喚醒芯片時(shí)，/CS 拉高后其內(nèi)建時(shí)間為 tRES2 ，內(nèi)建完成后，芯片恢復(fù)到正常狀態(tài)，其他的指令也將被識(shí)別。當(dāng) BUSY=1行的指令沒(méi)有任何影響。時(shí)執(zhí)行這條指令，將被唿略，并且對(duì)當(dāng)前正在執(zhí)9.2.31，讀制造商和芯片 ID（90h）該指令可以替代 Release from Power-Down/

35、Device ID 指令，該指令讀出的 JEDEC 簽名的制造商 ID 和特殊的芯片 ID。該指令與 Release from Power-Down/Device ID 指令相似。該指令以/CS 拉低開始，然后通過(guò) DI 傳輸指令代碼 90H 和 24 位的地址（全為 000000H）。這之后，WINBOND 的 ID（EFH）和芯片 ID 將在時(shí)鐘的下降沿以高位在前的方式傳出。關(guān)于 W25Q128BV 的芯片和制造商 ID，在圖 29 中列出。如果 24 位地址傳輸?shù)氖?000001H，那么芯片 ID 將首先被傳出，然后緊接著的是制造商 ID。這兩個(gè)是連續(xù)讀出來(lái)的。該指令以/CS 拉高結(jié)束。

36、9.2.32，Read Manufacturer /Device ID Dual I/O(92h) (略) 9.2.33，Read Manufacturer /Device ID QUAD I/O(94h) (略) 9.2.34，讀獨(dú)立的 ID 序列（4BH）該指令可以讀取一個(gè)芯片已經(jīng)固化的只讀的 64 位 ID。每一片 W25Q128BV 的 ID 都是獨(dú)立的。該 ID 序列與用戶軟件可以一起實(shí)現(xiàn)防止對(duì)系統(tǒng)的拷貝和克隆。該指令以/CS 拉低開始，然后傳輸指令代碼（4BH）和 4 字節(jié)的無(wú)關(guān)位。這之后，64 位的獨(dú)立 ID 在時(shí)在時(shí)鐘的下降沿通過(guò) DO 傳出。9.2.35，讀JEDEC ID（9FH）考慮到兼容性的原因，W25Q128BV 提供了一系列的確定芯片 ID 的指令。該指令與 2003 通過(guò)的