吉林師范大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文格式范本(2011年12月修訂)

1、學(xué)校代碼：10203分類號：TN383【宋體五號加粗】研究生學(xué)號：071734259密級：無【宋體五號加粗】JilinNormalUniversity碩士學(xué)位論文【黑體小一加粗居中】雙量子阱結(jié)構(gòu)OLED效率和電流磁效應(yīng)的研究【黑體二號加粗居中】TheresearchofmagneticfieldsontheefficiencyofOLEDofdoublequantumwellstructures【TimesNewRomans三號加粗居中】作者姓名：張三指導(dǎo)教師：某某某學(xué)科專業(yè)：物理電子學(xué)/學(xué)科教學(xué)（物理）學(xué)位類型：學(xué)術(shù)型碩士/專業(yè)學(xué)位碩士【宋體四號加粗】2012年6月首頁與獨創(chuàng)性聲明之間空一頁

2、】獨創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下，獨立進行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)標明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文的研究做出貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明并表示謝意。本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：日期：學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解吉林師范大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：吉林師范大學(xué)有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)吉林師范大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入吉林師范大學(xué)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫檢索，可以采用影印、縮印

3、或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文；授權(quán)吉林師范大學(xué)根據(jù)需要將學(xué)位論文提交到中國學(xué)術(shù)期刊（光盤版）電子雜志社（CNKI）在中國優(yōu)秀碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫中以電子、網(wǎng)絡(luò)及其他數(shù)字媒體形式公開出版或發(fā)表。（保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書）學(xué)位論文作者簽名：指導(dǎo)教師簽名：日期：日期：獨創(chuàng)性聲明與中文摘要之間空一頁】吉林師范大學(xué)碩士學(xué)位論文黑體小四，居中 TimesNewRoman小五,居中空一行摘要黑體三號加粗，居中，摘要兩字中間空4個空格空一行有機半導(dǎo)體因其在平板顯示、薄膜三極管和太陽能電池的重要應(yīng)用正受到科學(xué)界和企業(yè)界的廣泛關(guān)注。最近，電子自旋在有機半導(dǎo)體的相干傳輸和有機發(fā)光的磁場效應(yīng)開始成為

4、又一個熱點研究方向。有機電致發(fā)光是從器件負電極注入的電子與從正電極注入的空穴的輻射復(fù)合形成發(fā)射態(tài)的結(jié)果文章首先對有機電致器件的磁場效應(yīng)進行了研究。我們制備了結(jié)構(gòu)為ITO/NPB（60nm）/Alq3（80nm）/LiF/Al的有機電致發(fā)光器件，并對其施加不同的電場和磁場考察期間的性能變化。發(fā)現(xiàn)15V時磁場在060mT變化時器件效率有所提高,其中在20mT時效率增加最大為10.37%。通過比較不同電壓下的磁效應(yīng)，得到結(jié)論MEL與器件上所加的偏壓有明顯的關(guān)系：低偏壓下正文宋體小四號空一行關(guān)鍵詞：量子阱；磁場；OLED;效率；載流子遷移率字體為宋體小四，“關(guān)鍵詞”加粗空一行AbstractTimes

5、NewRoman三號加粗居中空一行Becauseoftheimportantapplicationsinflat-paneldisplays,thinfilmtransistorsandsolarcells,organicsemiconductorshavebeenpaidmoreattentionbyscientificcommunityandthebusinesscommunity.Morerecently,electronspincoherencetransferinorganicsemiconductorsandorganiclight-emittingeffectofthemagne

6、ticfieldstartedtobecomeanotherresearchingpoint.Organicelectroluminescenceistheresultofelectronandholeinjectionfromthepositiveelectrodewhichcombinedtoformexcitationtogether.Thephysicalnatureoftheseelementaryexcitationanditsrelaxationmechanismfororganicopto-electronicsandorganicelectronicsmagnetictheo

7、ry.TimesNewRoman小四號，段首空4個空格Inthisarticle,themagneticeffectsonorganicelectroluminescentdeviceswerestudied.WepreparedwiththestructureITO/NPB(60nm)/Alq3(80nm)/LiF/Aloftheorganicelectroluminescentdevicesandimposedelectricandmagneticfieldsofdifferentperformancechangesduringthestudying.Whenthemagneticfiel

8、dwasfoundinthe060mTat15V,thechangingofthedeviceefficiencywasraised,at20mTtheincreasedratioofefficiencyachievedmost,inthemaximumof10.37%.空一行Keywords:quantumwell,magneticfield,OLED,efficiency,carriermobility字體為TimesNewRoman小四號；“Keywords”頂格，加粗，中間空2個空格頁首空2行目錄黑體三號加粗，居中，目錄兩字中間空4個空格自動生成空一行TOC o 1-5 h z摘要IA

9、bstractII目錄III引言1 HYPERLINK l bookmark6 第一章磁自旋耦合作用對0LEDs性能影響的研究進展21.1磁自旋耦合作用對有機電致發(fā)光器件的影響2111磁自旋耦合作用的理論分析2 HYPERLINK l bookmark8 第二章磁場對有機電致發(fā)光器件亮度的影響32.1實驗3結(jié)論4 HYPERLINK l bookmark12 參考文獻5附錄7攻讀碩士期間發(fā)表的主要科研成果8后記9注：目錄需使用word插入菜單下引用一索引和目錄的方式自動生成。目錄第一級宋體小四號，加粗，左對齊；目錄第二級宋體小四號，左縮進2個字符，目錄第三級宋體小四號，左縮進4個字符；頁碼宋體

10、小四號，右對齊。吉林師范大學(xué)碩士學(xué)位論文 TimesNewRoman小五，居中頁首空2行引言黑體三號加粗，居中，引言兩字中間空4個空格空一行必須從另頁右頁開始有機電致發(fā)光器件的研究開始于20世紀30年代，至今已有近八十年的歷史。1987年，C.W.Tang采用真空薄膜技術(shù)制備了工作電壓低、發(fā)光效率高、壽命比較長的綠色有機電致發(fā)光器件8。這一項突破性的進展使得基于有機半導(dǎo)體發(fā)光器件的研究在世界范圍內(nèi)迅速的展開。有機半導(dǎo)體材料性質(zhì)獨特，在有機發(fā)光、有機自旋電子學(xué)和分子電子學(xué)等多個領(lǐng)域內(nèi)均得到了廣泛的應(yīng)用。最近，有機半導(dǎo)體器件中的電子自旋(spin)和磁場效應(yīng)(magneticfieldeffect

11、s,MFEs)吸引了許多科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的人士，成為一個新的熱點研究方向。在闡明電子自旋在半導(dǎo)體中的傳輸以及改善器件性能的物理方法，磁場是一個非常重要的研究手段。宋體小四，段首空4個空格頁首空2行第一章磁自旋耦合作用對OLEDs性能影響的研究進展黑體三號加粗，居中，“第一章”與題目之間空1個空格空一行1.1磁自旋耦合作用對有機電致發(fā)光器件的影響黑體四號，頂格，段前段后均為0.5行有機磁阻效應(yīng)(oRganicMAgnetoresistance,OMAR)。在1988年，法國的科學(xué)家阿爾貝費爾和德國的科學(xué)家彼得格林貝格爾就各自獨立發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻現(xiàn)象。巨磁電阻的發(fā)現(xiàn),使得兩位科學(xué)家同時獲得了2007年

12、諾貝爾物理學(xué)獎。瑞典諾貝爾獎委員會還指出：“巨磁電阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)打開了一扇通向新技術(shù)世界的大門自旋電子學(xué)(spintRonics)。這里，將同時利用電子的電荷以及自旋這兩個特性?！本薮抛栊?yīng)在磁記錄和磁存儲方面的應(yīng)用引起了廣泛興趣46-48。已經(jīng)制成的磁頭(ReadHead)、自旋閥(spin-valve)49-50和隨機記憶存儲器(magneticrandom-access-memory,MRAM)等是巨磁阻效應(yīng)的直接應(yīng)用51。宋體小四，段首空4個空格111磁自旋耦合作用的理論分析宋體小四號，加粗，段首空4個空格，段前段后均為0.5行三線態(tài)-三線態(tài)猝滅(triplet-tripletannih

13、ilation,TTA)機制。在電致發(fā)光中，從器件負極和正極分別注入電子和空穴(e+h),在電場的作用下達到發(fā)光區(qū)界面，當(dāng)它們的距離靠近到一定程度由于庫倫相互作用形成束縛的電子-空穴對(eh),這種電子-空穴對會形成兩種激子：a.通過電荷轉(zhuǎn)移態(tài)CTs(chargetransferexciton：自旋為0)形成可發(fā)射光子(hv)的單線態(tài)激子S*(t!-!t),其電子和空穴的自旋矢量和為零；b.通過電荷轉(zhuǎn)移態(tài)C(自旋為1)形成三線態(tài)激子(T:tt),(T:t!+!t)和TT+0(T-：!)，它是三度簡并的，只有在外加磁場的作用下才能分裂成三個分立的能態(tài)，而單線態(tài)則不受磁場的影響。并且由三線態(tài)到單線

14、態(tài)的躍遷(T-S+hv)是“禁阻”的，11也就是說三線態(tài)激子本身的躍遷是不能發(fā)射出熒光的16。宋體小四，段首空4個空格頁首空2行第二章磁場對有機電致發(fā)光器件亮度的影響黑體三號加粗，居中，“第二章”與題目之間空1個空格空一行2.1實驗黑體四號，頂格，段前段后均為0.5行該器件所用的有機材料有N,N-diphenyl-N,N-bis(1-naphthyl)(1,1-biphenyl)-4,4-diamine(NPB)；5,6,11,12,-tetrapheny-lnaphthacene(rubrene)；aluminumtris(8-hydroxyquinoline)(Alq)；采用的器件結(jié)構(gòu)為3

15、ITO/NPB(60nm)/Alq(80nm)/LiF/Al。其中NPB層作為空穴傳輸層，Alq層作為電33子傳輸層和發(fā)光層。由于LiF薄層可以增加電子從陰極的注入，所以我們選擇LiF/Al做電極，透明的ITO用作陽極,Al作陰極。有機材料分子結(jié)構(gòu)如圖1所示器件結(jié)構(gòu)。實驗時首先用清潔劑、丙酮、乙醇、去離子水反復(fù)擦洗ITO玻璃襯底、超聲、干燥。將清洗后的玻璃襯底房子在多源有機分子氣相沉積系統(tǒng)中，有ITO的那面朝下。將所用發(fā)光材料分別放在不同的可以單獨控制溫度的蒸發(fā)源(石英坩堝)中。按設(shè)計的結(jié)構(gòu)依次生長不同的有機材料層，最后生長LiF來提高載流子注入和Al作為陰極，在生長的過程中系統(tǒng)的真空度維持要

16、在5X10-4Pa以下，蒸發(fā)速度，控制在0.20.4nm/s。在器件制備好后，首先將器件置于常態(tài)環(huán)境下測得其亮度-電流-電壓特性、色坐標及電致發(fā)光光譜特性參數(shù)，然后施加0-100mT強度的磁場并依次測得每隔20mT變化后器件的亮度-電流-電壓特性、色坐標及電致發(fā)光光譜，最后將外加磁場撤去再次測器件的特正文均為宋體小四，段首空4個空格頁首空2行結(jié)論黑體三號加粗，居中，結(jié)論兩字中間空4個空格空一行本論文的研究工作主要由三部分構(gòu)成，第一部分是根據(jù)選定的研究方向，即有機電致發(fā)光的磁效應(yīng)研究?？偨Y(jié)了磁自旋耦合作用對有機電致發(fā)光器件的磁阻、電致發(fā)光強度、光電導(dǎo)、量子效率等方面影響的研究進展，并闡述了產(chǎn)生這

17、些影響的理論機制，如三線態(tài)-三線態(tài)的猝滅、塞曼效應(yīng)及超精細作用等。宋體小四，段首空4個空格頁首空2行參考文獻黑體三號加粗，居中空一行書寫種類及格式：已在國內(nèi)外公開出版的學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文的著錄格式:文獻序號作者.文章名.期刊名文獻類型標志,出版年份,卷號（期號）:起頁-止頁.例如：1高景德，王祥珩交流電機的多回路理論J.清華大學(xué)學(xué)報,1987,27（1）:1-8.2ChenS,BillingSA,CowanCF,etal.PracticalidentificationofMARMAXmodelsJ,IntJControl,1990，52（6）：1327-1350.由國內(nèi)外出版公司或出版社正式出

18、版的學(xué)術(shù)著作（有ISBN號）的著錄格式：文獻序號作者.書名文獻類型標志.版次（首版免注）.翻譯者.出版地:出版社,出版年.起頁-止頁.例如：1竺可楨.物理學(xué)M.北京:科學(xué)出版社,1973.1-3.2AhoAV,SethiR,UlhmanJD.CompilersPrinciplesM.NewYork:AddisonWesley,1986.277308.有ISBN號的會議論文集及論文集中的析出論文的著錄格式：文獻序號作者題名文獻類型標志見：（In:）主編.（,eds.）論文集名.出版地：出版社，出版年.起頁-止頁.例如：1張全福，王里青.“百家爭鳴”與理工科學(xué)報編輯工作C.見:鄭福壽主編學(xué)報編論叢

19、:第2集.南京:河海大學(xué)出版社,1991.1-4.2DupontB.BonemarrowtransplantationinseverecombinedinmunodeficiencyC.In:WhiteHJ,SmithR,eds.Proc.ofthe3rdAnnualMeetingofIntSocforExperimentalHematology（ISEH）.Houston:ISEH,1974.44-46.博士和碩士學(xué)位論文的著錄格式:文獻序號作者.題名文獻類型標志:學(xué)位論文.保存地點:保存單位,年份.例如:1張竹生微分半動力系統(tǒng)的不變集D:博士學(xué)位論文北京:北京大學(xué)數(shù)學(xué)系,1983.2余勇.

20、勁性混凝土柱抗震性能的試驗研究D:碩士學(xué)位論文南京：東南大學(xué)土木工程學(xué)院,1998.專利文獻的著錄格式:文獻序號專利申請者.題名文獻類型標志.國別,專利號.出版日期.例如:1姜錫洲一種溫?zé)嵬夥笏幹苽浞椒≒.中國專利,881056073.1989-07-26.報紙文章的著錄格式:文獻序號作者.文獻題名文獻類型標志.報紙名,出版日期（版次）.例如:1謝希德創(chuàng)新學(xué)習(xí)的新思路N.人民日報,1998-12-25（10）.電子文獻的著錄格式:文獻序號作者.文獻題名.電子文獻類型標示/載體類型標示.文獻網(wǎng)址或出處,更新/引用日期.例如:1王明亮.標準化數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)工程新進展EBOL HYPERLINK /pu

21、b/980810-2.html /pub/980810-2.html,1998-08-16.書寫要求：（1）文獻著錄中漢字一律使用宋體五號字體，外文一律使用TimesNewRoman五號字體，所有標點均為英文標點，行距為1.5倍行距。（2）項目齊全，內(nèi)容完整，順序正確，標點無誤；若原本就缺少某一項目時，可將該項連同與其對應(yīng)的標點符號一起略去；但頁碼不可省略，起止頁碼間用“-”相隔，不同的頁碼引用范圍之間用“,”相隔。（3）文獻作者中，只有3位及3位以內(nèi)作者的，其姓名全部列上，中外作者一律姓前名后，作者姓名之間用英文“,”隔開；共有3位以上作者的，只列前3位，中外作者一律姓前名后，其后加“,等”

22、或“,etal”。（4）外文文獻中表示縮寫的實心句點“”一律略去。頁首空2行附錄黑體三號加粗，居中，附錄兩字中間空4個空格空一行必須從另頁右頁開始xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx宋體五號頁首空2行攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的主要科研成果黑體三號加粗，居中空一行必須從另頁右頁開始論文黑體小四，頂格，論文兩字中間空2個空格格式為：序號作者題名刊名，出版年份，卷號(期號)：起頁-止頁.例如：1高景德，王祥珩交流電機的多回路理論清華大學(xué)學(xué)報，1987，27(1)：1-8.宋體五號，本人姓名加粗2ChenS，BillingSA，CowanCF，etalPracticalidentificationofMARMAXmodelsJIntJControl，1990，52(6)：1327-1350.)TimesNewRomans五號，本人姓名加粗著作黑體小四，頂格，著作兩字中間空2個空格格式為：序號作者書名版次(首版免注)翻譯者出版