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1、SOP文件編號(hào):SOP-030-11文件名稱:可靠性測(cè)試規(guī)范版本號(hào):E變更人/核準(zhǔn)人員變更人/核準(zhǔn)人員變更人:核準(zhǔn)人:RevisionSummary(每次創(chuàng)建或修改時(shí)使用空白表格在第一行寫入本次變更內(nèi)容)版本號(hào):文件生成時(shí)間:變更描述:變更原因:變更人:A2011-11-9新增新增鐘鳴B2012-11-91、改名為“可靠性測(cè)試規(guī)范”2、由于新增“物料認(rèn)可SOP”,調(diào)整相應(yīng)內(nèi)容以保持一致;3、調(diào)整LTOL條件為PowerON/OFF;4、MSL、TS后增加熱測(cè)、VF等檢視手段;5、對(duì)于非COB產(chǎn)品,材料焊在FR4板上,再進(jìn)行TS、HTS、TH等試驗(yàn);6、測(cè)試申請(qǐng)由email方式,改為以可靠性測(cè)試
2、申請(qǐng)單書面方面;變更袁友行C2013-7-41、6.3中新增可靠性試驗(yàn)失敗后的應(yīng)對(duì)措施。變更袁友行D2013.12.251、實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目WHTOL取消ON/OFF,時(shí)間由500HT1000H;2、光誦量失效判定標(biāo)準(zhǔn)0.7T0.9;3、增加色漂判定標(biāo)準(zhǔn)Duv0.004;變更袁友行E2015.3.301、6.2實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目按照不同客戶、不同項(xiàng)目進(jìn)行區(qū)分說明;2、6.3增加新產(chǎn)品,衍生產(chǎn)品的定義及其可靠性測(cè)試要求;變更袁友行會(huì)簽:簽字、日期1.0目的:對(duì)可靠性測(cè)試各流程進(jìn)行有效管理,確保可靠性測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確;通過對(duì)公司新產(chǎn)品、新物料、常規(guī)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性測(cè)試,確保公司產(chǎn)品的可靠性符合客戶要求;2.0范圍:適用于
3、公司所有產(chǎn)品(新產(chǎn)品、新物料、常規(guī)產(chǎn)品等)的各項(xiàng)可靠性測(cè)試項(xiàng)目;3.0職責(zé):可靠性工程師:1.制定可靠性測(cè)試規(guī)范,配備相應(yīng)的軟硬件以實(shí)現(xiàn)各實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目;按照測(cè)試申請(qǐng)單進(jìn)行相應(yīng)可靠性測(cè)試;采取措施,確保老化過程嚴(yán)格執(zhí)行實(shí)驗(yàn)要求;當(dāng)公司內(nèi)部缺乏某些實(shí)驗(yàn)手段時(shí),選擇合格的第三方實(shí)驗(yàn)室執(zhí)行試驗(yàn)總結(jié)可靠性測(cè)試報(bào)告;物料工程師:制定物料評(píng)估、認(rèn)證計(jì)劃,并負(fù)責(zé)提交試樣階段的可靠性試驗(yàn)申請(qǐng)單;研發(fā)工程師:制定新產(chǎn)品評(píng)估、認(rèn)證計(jì)劃,并負(fù)責(zé)提交試樣階段的可靠性試驗(yàn)申請(qǐng)單;品質(zhì)工程師:制定常規(guī)產(chǎn)品可靠性評(píng)估計(jì)劃,并負(fù)責(zé)提交常規(guī)產(chǎn)品的可靠性試驗(yàn)申請(qǐng);4.0安全:無5.0定義:可靠性:一個(gè)系統(tǒng)在規(guī)定條件下,在規(guī)定時(shí)期內(nèi),能
4、成功實(shí)現(xiàn)其預(yù)定功能的可能性。新產(chǎn)品:新增產(chǎn)品,即新開發(fā)產(chǎn)品;衍生產(chǎn)品:在成熟產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,根據(jù)客戶需求,或者自主開發(fā),不變更支架,只是變更芯片,熒光粉等對(duì)整體制程不產(chǎn)生影響的產(chǎn)品。6.0流程:6.1一般流程與要求研發(fā)工程師、物料工程師、品質(zhì)工程師以書面形式向?qū)嶒?yàn)室提交測(cè)試申請(qǐng)單,提交相應(yīng)樣品,在申請(qǐng)單中詳細(xì)填寫實(shí)驗(yàn)樣品的各項(xiàng)信息,及委托項(xiàng)目;實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目6.2.1常規(guī)SMD產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No.測(cè)試項(xiàng)目Testitem參考標(biāo)準(zhǔn)Referencestandard測(cè)試條件Testcondition測(cè)試時(shí)間Testduration判定標(biāo)準(zhǔn)Criteria樣品數(shù)UnitFailed/Tested
5、1高溫老化HT0LJESD22-A108Ts=85C,TypicalIF1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/102高溫老化HTOL2JESD22-A108Ts=105C,TypicalIF1000h供參考0/103高溫高濕老化WHTOLJEITAED-4701/102Ta=85C,85%RH,TypicalIF500hdeltaflux三70%deltax/yW0.030/104潮氣敏感度MSLIPC/JEDECJ-STD-02085C/85%環(huán)境下吸濕12h以上9貼片9三遍回流焊無死燈、缺亮0/205溫度沖擊TSJESD22-A106B-45Cs125C,15
6、mindwell,lessthan20sectransfertime100cycle無死燈、缺亮sequencefromMSL6高溫存儲(chǔ)HTSJEITAED-4701/201Ta=100C1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/107高溫高濕存儲(chǔ)THJEITAED-4701/103Ta=60C,90%RH1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/108靜電放電人體模式ESDHBMJESD22-A114ESDHBMmode2KV85%fornormalLED,8KV100%forLEDwithzener供參考0/209硫滲透試驗(yàn)SP將1g硫磺
7、粉末置于400ml容器底部,把LED放入容器內(nèi),LED與硫粉不接觸,密閉容器,然后將整個(gè)容器放入75C烤箱中儲(chǔ)存4h,8h,12h,供參考0/1010熱阻測(cè)試TRJESD51-14供參考0/26.2.2常規(guī)COB產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No.測(cè)試項(xiàng)目Testitem參考標(biāo)準(zhǔn)Referencestandard測(cè)試條件Testcondition測(cè)試時(shí)間Testduration判定標(biāo)準(zhǔn)Criteria樣品數(shù)UnitFailed/Tested1高溫老化HT0LJESD22-A108Ts=85C,TypicalIF1000hdeltaflux三95%deltax/yW0.0050/32高溫老化HTOL
8、2JESD22-A108Ts=105C,TypicalIF1000h供參考0/33高溫高濕老化WHTOLJEITAED-4701/102Ta=85C,85%RH,TypicalIF1000hdeltaflux三90%delta.x/yW0.030/34溫度沖擊TSJESD22-A106B-45Cs125C,15mindwell,lessthan20sectransfertime100cycle無死燈、缺亮0/55高溫存儲(chǔ)HTSJEITAED-4701/201Ta=100C1000hdeltaflux三95%deltax/yW0.0050/36高溫高濕存儲(chǔ)THJEITAED-4701/103Ta
9、=60C,90%RH1000hdeltaflux三95%deltax/yW0.0050/37靜電放電人體模式ESDHBMJESD22-A114ESDHBMmode2KV85%fornormalLED,8KV100%forLEDwithzener供參考0/58硫滲透試驗(yàn)SP將1g硫磺粉末置于400ml容器底部,把LED放入容器內(nèi),LED與硫粉不接觸,密閉容器,然后將整個(gè)容器放入75C烤箱中儲(chǔ)存8h,24h,48h供參考0/39熱阻測(cè)試TRJESD51-14供參考0/2623TCLBLU產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No.實(shí)驗(yàn)名稱實(shí)驗(yàn)方法判斷依據(jù)數(shù)量備注180C極限高溫試驗(yàn)Ta=80C;1000h;額
10、定電流;實(shí)際散熱片:平置:deltaflux三85%deltax/yW0.0155*N(N:?jiǎn)闻_(tái)整機(jī)所用LB條數(shù);)實(shí)驗(yàn)后無黃化等顯性不良245C高溫老化試驗(yàn)Ta=45C;1000h:最大電流;散熱片確保LED結(jié)溫110C:平置:deltaflux三85%deltax/yW0.0153ESDESDHBMmode,4KV,10次,LB引腳地,不接地,不驅(qū)動(dòng)燈條試驗(yàn)后能正常點(diǎn)亮54硫滲透試驗(yàn)SP將1g硫磺粉末置于400ml容器底部,把LED放入容器內(nèi),LED與硫粉不接觸,密閉容器,然后將整個(gè)容器放入75C烤箱中儲(chǔ)存8hdeltaflux三80%10624創(chuàng)維BLU產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No.測(cè)
11、試項(xiàng)目Testitem測(cè)試條件Testcondition測(cè)試時(shí)間Testduration判定標(biāo)準(zhǔn)Criteria樣品數(shù)UnitFailed/Tested1高溫老化HTOLTa=65C,TypicalIF500hdeltaflux三70%deltaVF10%IR2倍初始值不可有外觀性不良0/62高溫存儲(chǔ)HTSTa=85C500h0/63低溫老化LTOLTa=-40C,TypicalIF500h0/64低溫存儲(chǔ)LTSTa=-40C500h0/65高溫高濕老化WHTOLTa=85C,85%RH,TypicalIF179h0/66溫度沖擊TS-45Cs125C,15mindwell,lessthan2
12、0sectransfertime100cycle無死燈、缺亮sequencefromMSL7靜電人體模式ESDHBMmode接觸放電,參考國(guó)際靜電協(xié)會(huì)(ANSI)標(biāo)準(zhǔn)中電壓等級(jí):2級(jí)(2KV)0/2No.測(cè)試項(xiàng)目參考標(biāo)準(zhǔn)丨測(cè)試條件丨測(cè)試時(shí)間判定標(biāo)準(zhǔn)樣品數(shù)Unit6f.5L項(xiàng)目的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn)::No.丨測(cè)試項(xiàng)目丨參考標(biāo)準(zhǔn)丨測(cè)試條件丨測(cè)試時(shí)間丨判定標(biāo)準(zhǔn)樣品數(shù)UnitTestitemReferencestandardTestconditionTestdurationCriteriaFailed/Tested(non-COB)1高溫老化HTOLJESD22-A108Ts=55C,MaxIF100
13、0hdeltaflux85%deltax/yW0.007deltaVFW10%0/202高溫老化HTOL2JESD22-A108Ts=85C,MaxIF1000h0/203低溫老化LTOLJESD22-A108Ta=-40C,MaxIF1000h0/204高溫高濕老化WHTOLJEITAED-4701/102Ta=85C,85%RH,MaxIF,30minON/OFF500h0/205高溫存儲(chǔ)HTSJEITAED-4701/201Ta=100C1000h0/206低溫存儲(chǔ)LTSJEITAED-4701/201Ta=-40C1000h0/207溫度沖擊TSJESD22-A106B-45Cs125
14、C,15mindwell,lessthan20sectransfertime300cycle無死燈、缺亮0/206.2.6光引擎產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No.測(cè)試項(xiàng)目Testitem參考標(biāo)準(zhǔn)Referencestandard測(cè)試條件Testcondition測(cè)試時(shí)間Testduration判定標(biāo)準(zhǔn)Criteria樣品數(shù)UnitFailed/Tested1高溫老化HTOLJESD22-A108Ts=85C,120Vac/230Vac驅(qū)動(dòng)1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/32Rapid-CycleStressTest快速循環(huán)壓力測(cè)試ENERGY_STAR_Int
15、egral_LED_Lamps_Program_Requirements.V1.4Ts=85C,120Vac/230Vac驅(qū)動(dòng),2minON/OFF1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/53高溫老化HTOL2JESD22-A108Ts=105C,120Vac/230Vac驅(qū)動(dòng)1000h供參考0/34高溫高濕老化WHTOLJEITAED-4701/102Ta=60C,90%RH,120Vac/230Vac驅(qū)動(dòng)1000hdeltaflux三70%deltax/yW0.030/35溫度沖擊TSJESD22-A106B-45Cs125C,15mindwell,lessth
16、an20sectransfertime100cycle無死燈、缺亮0/56高溫存儲(chǔ)HTSJEITAED-4701/201Ta=100C1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/37高溫高濕存儲(chǔ)THJEITAED-4701/103Ta=60C,90%RH1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/38靜電測(cè)試IEC61000-4-2(GBT17626)2KV供參考0/59浪涌測(cè)試供參考0/510抗雷擊測(cè)試供參考0/5(備注:Rapid-CycleStressTest、HT0L2測(cè)試3000h供參考;)627RG高色域產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No
17、.測(cè)試項(xiàng)目Testitem參考標(biāo)準(zhǔn)Referencestandard測(cè)試條件Testcondition測(cè)試時(shí)間Testduration判定標(biāo)準(zhǔn)Criteria樣品數(shù)UnitFailed/Tested1高溫老化HT0LJESD22-A108Ts=85C,TypicalIF1000hdeltaflux三70%deltax/yW0.030/102高溫老化HTOL2JESD22-A108Ts=105C,TypicalIF1000h供參考0/103高溫高濕老化WHTOLJEITAED-4701/102Ta=85C,85%RH,TypicalIF500hdeltaflux三70%delta.x/vW0.0
18、30/104潮氣敏感度MSLIPC/JEDECJ-STD-02085C/85%環(huán)境下吸濕12h以上9貼片9三遍回流焊無死燈、缺亮0/205溫度沖擊TSJESD22-A106B-45Cs125C,15mindwell,lessthan20sectransfertime100cycle無死燈、缺亮sequencefromMSL6高溫存儲(chǔ)HTSJEITAED-4701/201Ta=100C1000hdeltaflux三70%deltax/yW0.030/107高溫高濕存儲(chǔ)THJEITAED-4701/103Ta=60C,90%RH1000hdeltaflux三70%deltax/yW0.030/10
19、8靜電放電人體模式ESDHBMJESD22-A114ESDHBMmode2KV85%fornormalLED,8KV100%forLEDwithzener供參考0/209硫滲透試驗(yàn)SP將1g硫磺粉末置于400ml容器底部,把LED放入容器內(nèi),LED與硫粉不接觸,密閉容器,然后將整個(gè)容器放入75C烤箱中儲(chǔ)存4h.8h.12h.供參考0/10628FLASH產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目及判定標(biāo)準(zhǔn):No.測(cè)試項(xiàng)目Testitem參考標(biāo)準(zhǔn)Referencestandard測(cè)試條件Testcondition測(cè)試時(shí)間Testduration判定標(biāo)準(zhǔn)Criteria樣品數(shù)UnitFailed/Tested(non-COB
20、)1高溫老化HT0LJESD22-A108Ts=85C,MaxIF1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/102高溫老化HTOL2JESD22-A108Ts=105C,MaxIF1000h供參考0/103高溫高濕老化WHTOLJEITAED-4701/102Ta=85C,85%RH,MaxIF500hdeltaflux三70%deltax/yW0.030/104PulsedoperatinglifeTa=25C,IF=MaxIFP,TON=400msandToff=3600ms30,000cyclesdeltaflux三90%deltax/yW0.005無死燈0/2
21、05潮氣敏感度MSL1IPC/JEDECJ-STD-02085C/85%環(huán)境下吸濕168h以上9貼片9三遍回流焊無死燈、缺亮(供參考)0/206潮氣敏感度MSLIPC/JEDECJ-STD-02085C/85%環(huán)境下吸濕12h以上9貼片9三遍回流焊無死燈、缺亮0/207溫度沖擊TSJESD22-A106B-45Cs125C,15mindwell,lessthan20sectransfertime100cycle無死燈、缺亮sequencefromMSL8高溫存儲(chǔ)HTSJEITAED-4701/201Ta=100C1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/109高溫高濕
22、存儲(chǔ)THJEITAED-4701/103Ta=60C,90%RH1000hdeltaflux三90%deltax/yW0.0050/1010靜電放電人體模式ESDHBMJESD22-A114ESDHBMmode2KV85%fornormalLED,8KV100%forLEDwithzener供參考0/2011硫滲透試驗(yàn)SP將1g硫磺粉末置于400ml容器底部,把LED放入容器內(nèi),LED與硫粉不接觸,密閉容器,然后將整個(gè)容器放入75C烤箱中儲(chǔ)存4h.8h.12h.供參考0/1012熱阻測(cè)試TRJESD51-14供參考0/2可靠性測(cè)試項(xiàng)目、判定標(biāo)準(zhǔn)不是一成不變的,應(yīng)適應(yīng)項(xiàng)目的實(shí)際情況,以符合客戶要
23、求為第一準(zhǔn)則。研發(fā)工程師、物料工程師、品質(zhì)工程師可以根據(jù)項(xiàng)目的實(shí)際情況(如客戶特殊要求,特殊的加速實(shí)驗(yàn)條件等),設(shè)計(jì)特殊的測(cè)試項(xiàng)目,也可以根據(jù)實(shí)際需要申請(qǐng)延長(zhǎng)測(cè)試時(shí)間;常規(guī)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目的作業(yè)方法參考環(huán)境實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)規(guī)范、老化樣品制樣操作規(guī)范;6.2.11硫滲透試驗(yàn)(SP,sulfurpenetratetest):將1g硫磺粉末置于400ml容器底部,把LED放入容器內(nèi),LED與硫粉不接觸,密閉容器,然后將整個(gè)容器放入75C烤箱中儲(chǔ)存,每4h測(cè)試一次或按照委托單特殊要求,當(dāng)光通量維持率低于80%時(shí),實(shí)驗(yàn)停止。應(yīng)采取措施防止硫磺粉末、硫化試驗(yàn)箱污染其它老化烤箱。從容器中取出LED后應(yīng)立即密閉容器。新產(chǎn)品、衍生產(chǎn)品可靠性測(cè)試項(xiàng)目(代表必做,O代表選做)新產(chǎn)品在設(shè)計(jì)總結(jié)評(píng)審?fù)瓿桑丛O(shè)計(jì)完成后,應(yīng)參考6.2或下表進(jìn)行驗(yàn)證;衍生產(chǎn)品是在新產(chǎn)品開發(fā)初期有經(jīng)過全部信賴度驗(yàn)證,且所用物料也經(jīng)過正式評(píng)估導(dǎo)入的合格物料。如果衍生產(chǎn)品只涉及色溫、亮度、顯指等規(guī)格參數(shù)的變更,無需重復(fù)
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