GB∕T 1550-2018 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1550—2018

代替

GB/T1550—1997

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

Testmethodsforconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1550—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法與相比

GB/T1550—1997《》,GB/T1550—1997

主要技術(shù)變化如下

:

適用范圍修改為本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅鍺非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)試其他非本征半導(dǎo)體

———“、,

材料可參照本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試見第章年版的第章

”(1,19971);

增加了術(shù)語和定義見第章

———(3);

將原標(biāo)準(zhǔn)的修改為總則見年版的

———1.2~1.9“4.1”(4.1,19971.2~1.9);

修改了方法方法方法的適用范圍見年版的

———A、D1、D2(4.1.2、4.1.5、4.1.6,19971.3、1.6、1.7);

增加了方法表面光電壓法測(cè)試導(dǎo)電類型見

———E()(4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5);

增加了如果采用的測(cè)試步驟能夠獲得穩(wěn)定的讀數(shù)和良好的靈敏度則表明試樣表

———“9.1~9.5,

面無沾污或氧化層如果讀數(shù)不穩(wěn)定或靈敏度差則表明試樣表面已被沾污或有氧化層可采

。,,

用中的方法對(duì)試樣表面進(jìn)行處理見

8.2?！?9.6);

增加了試驗(yàn)結(jié)果的分析見第章

———(10)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所中國計(jì)量科學(xué)研究院廣州市昆德科技有限公司瑟

:、、、

米萊伯貿(mào)易上海有限公司浙江海納半導(dǎo)體有限公司新特能源股份有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)

()、、、

展有限公司峨嵋半導(dǎo)體材料研究所洛陽中硅高科技有限公司中鍺科技有限公司云南冶金云芯硅材

、、、、

股份有限公司江西賽維太陽能高科技有限公司北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司

、LDK、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人梁洪王瑩趙曉斌高英王昕王飛堯黃黎徐紅騫邱艷梅劉曉霞楊旭

:、、、、、、、、、、、

張園園劉新軍徐遠(yuǎn)志程小娟潘金平肖宗杰

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB1550—1979、GB/T1550—1997;

———GB5256—1985。

Ⅰ

GB/T1550—2018

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅鍺非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型的測(cè)試其他非本征半導(dǎo)體材料可參照本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)

、,

試本標(biāo)準(zhǔn)方法能保證對(duì)均勻的同一導(dǎo)電類型的材料測(cè)得可靠結(jié)果對(duì)于導(dǎo)電類型不均勻的材料可在

。;,

其表面上測(cè)出不同導(dǎo)電類型區(qū)域

。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于分層結(jié)構(gòu)材料如外延片導(dǎo)電類型的測(cè)試

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

41總則

.

411本標(biāo)準(zhǔn)包括五種測(cè)試方法方法熱探針法方法冷探針法方法點(diǎn)接觸整流

..:A———;B———;C———

法方法全類型法包括方法全類型整流法方法全類型熱電勢(shì)法方法表

;D———,D1———,D2———;E———

面光電壓法

。

412方法適用于電阻率以下的型和型鍺材料及電阻率以下的型

..A:20Ω·cmNP1000Ω·cmN

和型硅材料

P。

413方法適用于電阻率以下的型和型鍺材料及電阻率以下的型

..B:20Ω·cmNP1000Ω·cmN

和型硅材料

P。

414方法適用于電阻率的型和型硅材料

..C:1Ω·cm~1000Ω·cmNP。

415方法適用于電阻率的型和型鍺材料及電阻率

..D1:1Ω·cm~36Ω·cm